JP2005310810A - 配線付き基板形成用の積層体、配線付き基板およびその形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】付着性に優れ、低抵抗で、エッチング性に優れる配線付き基板形成用の積層体、かつ該積層体をエッチングして配線付き基板を形成する方法および得られた配線付き基板の提供。
【解決手段】基板上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体。前記下地層における酸素と窒素の合計含有率は３〜２５原子％であることが好ましい。
【選択図】図２

Description

本発明は、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）素子などのフラットパネルディスプレイ用電極配線として用いられる配線付き基板とその形成方法およびそのために好適に使用される配線付き基板形成用の積層体に関する。

フラットパネルディスプレイは、近年の高度情報化に伴って、ますます需要が高まっている。最近特に、自己発光型で低電圧駆動が可能な有機ＥＬ素子ディスプレイが次世代のディスプレイとして注目されている。有機ＥＬ素子は基本的には、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）の透明電極（陽極）と金属電極（陰極）の間に、陽極側から正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの有機質層が形成された構造をしている。近年のカラー化や高精細化には、ＩＴＯ層のさらなる低抵抗化が必要であるが、ＩＴＯ層の低抵抗化は既に限界に近づいている。そこで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に広く採用されているように、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇなどの低抵抗金属を配線として使用し、ＩＴＯ層からなる電極と組み合わせることにより、実質的に素子回路の低抵抗化を実現することが検討されている。

Ｃｒは、耐アルカリ性などの化学的耐久性に優れた金属であるが、比較的抵抗値が高いという問題がある。また、Ａｌは低抵抗ではあるが、ヒロックが発生しやすく、また表面にＡｌ酸化物が形成されやすく接触抵抗が高いという問題がある。また、ＡｇもＡｌと同様低抵抗であるが、Ａｇ粒子が凝集しやすく、マイグレーションが生じやすいという問題がある。

上記問題点を解決するために、Ｍｏを配線の材料として使用することが検討されている。Ｍｏは耐熱性が高い金属であり、ヒロックが発生しにくく、凝集しにくいという長所がある。また、他の金属やその酸化物との接触抵抗が低く、直接これらの金属と電気的な接続が可能である。更に、有機ＥＬ表示素子作製時に必須の紫外線―オゾン処理または酸素プラズマ処理を実施しても低接触抵抗を維持できる。しかし、Ｍｏは付着力が弱く、配線形成時や表示素子形成時に膜剥がれが生じやすく、歩留まりの低下を生じやすい問題があった。

上記問題点を解決するため、Ｍｏの付着力を向上する方法として、液晶表示素子用の基板を形成する方法ではあるが、基板をフッ化水素の水溶液で処理した後に、Ｍｏの成膜を行う方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

しかし、この方法では、基板の前処理を新たに行う必要があり、生産性やコストの点で問題があった。また、該方法による付着力の改善はきわめて軽微であった。

特開平１０−１７７９６８号公報

本発明は、付着性に優れ、低抵抗で、エッチング速度が良好というエッチング性に優れる配線付き基板形成用の積層体、かつ該積層体をエッチングして得られた配線付き基板を提供することが目的である。特に有機ＥＬ素子ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイに用いる電極配線用に好適な配線付き基板形成用の積層体、該積層体をエッチングして得られた配線付き基板を提供することが目的である。

本発明は基板上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体を提供する。

本発明の配線付き基板形成用の積層体を用いることにより、付着性に優れ、かつ低抵抗でエッチング速度が良好というエッチング性に優れる配線付き基板を形成でき、この配線付き基板を電極配線として用いることで高精細で信頼性の高いディスプレイを形成できる。特に、本発明の配線付き基板形成用の積層体は、アルカリ処理（アルカリ溶液による洗浄やパターニング）を施した後でも付着性が劣ることがないため、素子寿命の長く、発光特性の向上のため、配線の低抵抗が望まれる有機ＥＬ素子に有用である。

本発明に使用される基板は、必ずしも平面で板状である必要はなく、曲面でも異型状でもよい。基板としては、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、金属基板などが挙げられる。基板側から発光させる構造を有する有機ＥＬ素子に用いる場合には、基板は透明であることが好ましく、特にガラス基板が強度および耐熱性の点から好ましい。ガラス基板としては、無色透明なソーダライムガラス基板、石英ガラス基板、ホウケイ酸ガラス基板、無アルカリガラス基板が例示される。有機ＥＬ素子に用いる場合のガラス基板の厚さは０．２〜１．５ｍｍであるのが、強度および透過率の点から好ましい。

本発明の配線付き基板形成用の積層体は、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とからなる積層体である。導体層がＭｏであるため、配線を低抵抗にすることができる。また、有機ＥＬ素子を作製するときに必須の処理である紫外線−オゾン処理または酸素プラズマ処理を施しても低接触抵抗を維持できる。

Ｍｏを主成分とする層（以下、Ｍｏ層ともいう。）を導体層に用いた場合、形成された積層体は低抵抗であるが、基板またはＩＴＯ層との付着性が充分でないという問題があった。そこで、導体層の下に下地層であるを設けることが考えられた。下地層としては、Ｍｏを主成分としかつ酸素および／または窒素を含む層を用いることが検討されてきた。このような組成を有する下地層を形成した場合、下地層を形成しない場合と比較して付着性が向上することは確認できたが、洗浄やパターニングの条件が厳しくなった場合（例えば、アルカリ性溶液を用いて洗浄する場合、洗浄時間が長くなったり、洗浄温度が高くなったりする等）、このような組成を有する下地層では付着性が不充分であった。

本発明は、上記問題点を解決することを課題としたものであり、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む層を下地層として用いることで、形成された積層体は低抵抗でエッチング速度が良好となり、かつ厳しい条件で洗浄やパターニングを行った後も付着性に優れる。

導体層のＭｏ含有率は、抵抗値を低くできる点で、８０〜１００原子％、特に９０〜１００原子％であることが好ましい。導体層には、耐食性向上の点で、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗなどの添加金属を含んでいても良く、添加金属の含有率はＭｏに対して合計で０．１〜２０原子％であることが好ましい。２０原子％超ではエッチング速度が遅くなり好ましくない。また、導体層には、不純物として、Ｆｅ、Ｔｉ、Ａｌなどが含有されていてもよく、その含有率はＭｏに対して合計で１質量％以下であることが好ましい。導体層の膜厚は、充分な導電性や良好なパターニング性が得られる点で、１００〜５００ｎｍであることが好ましく、１５０〜４００ｎｍであることがより好ましい。

本発明の配線付き基板形成用の積層体においては、基板またはＩＴＯ層と配線との付着性改善のために、導体層の下に下地層を設ける。下地層はＮｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む層である。下地層のＮｉ含有率は、４０〜９０原子％、特に４５〜７０原子％であることが付着性の点で好ましい。前記下地層のＭｏ含有率は、１０〜６０原子％、特に１０〜４０原子％であることが付着性の点で好ましい。下地層は、耐食性向上などの目的で、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ等の添加金属を含んでいてもよく、その含有率は、０．１〜１０原子％であることが好ましい。下地層の膜厚は、付着性およびパターニング性の点で、３〜１００ｎｍ、特に５〜３０ｎｍであることが好ましい。

下地層は、酸化、窒化、酸窒化、酸炭化または酸窒炭化などの処理をすることにより、酸素および／または窒素を含有させた層となる。前記処理は、下地層をスパッタ法により形成する際に、スパッタガスとして、酸素、窒素、一酸化窒素、二酸化窒素、一酸化炭素、二酸化炭素からなる群から選ばれる１種以上などの反応性ガスとＡｒガスとの混合ガスを用いることで行うことができる。スパッタガス中の反応性ガスの含有率は、付着性の観点からスパッタガス全体の５〜５０体積％であることが好ましい。

前記処理を行うことで、下地層は酸素および／または窒素を含有するため、基板またはＩＴＯ層との付着性に優れ、高いアルカリ性を有する洗浄液によるアルカリ処理（アルカリ溶液による洗浄やパターニング）を施した後であっても膜が剥離することがない。下地層における酸素と窒素の合計含有率は３〜２５原子％、特に５〜１５原子％であることが好ましい。また、酸素および窒素の合計含有率が上記範囲にあるかぎり、炭素を含んでいてもよい。５原子％未満では、付着性がほとんど向上せず、２５原子％超では、下地層のエッチング速度が遅くなりすぎるため好ましくない。

前記下地層を設けることで、基板またはＩＴＯ層と導体層との付着性を良好とできるため、形成された配線を低抵抗に維持できるとともに、得られた配線付き基板を用いた有機ＥＬの表示素子などの電子装置の信頼性を向上させることができる。また、得られる配線付き基板形成用の積層体は精細なパターニングが可能である。さらに、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする際に、導体層と下地層とが同じエッチング液でほぼ同じ速度でエッチングすることができ、一括してパターニングが可能である。

導体層と下地層とのエッチング速度が大きく異なると、配線を形成する際にオーバーエッチングや残渣の原因となる点で好ましくない。下地層のエッチング速度は、エッチング液の種類に応じて、付着性等に影響を与えない範囲で酸素および窒素の合計含有率を変動させることで容易に調整することが可能である。下地層に酸素、窒素、炭素等を含有させると、エッチング速度は遅くなる傾向がある。また、Ｎｉに対するＭｏの比率を小さくすることでエッチング速度は遅くなる傾向がある。

前記導体層の上に、耐食性の向上などの他の機能を付加するためにキャップ層を設けてもよい。ＭｏはＡｌやＡｇと比較すると耐熱性や接触抵抗に優れているため、キャップ層は必須ではない。

本発明の配線付き基板形成用の積層体は、スパッタ法を用いて形成されることが好ましい。例えば、ガラス基板の一方の表面上にＮｉ−Ｍｏ系ターゲットを用いてスパッタすることにより下地層を形成する工程と、該下地層の上に、Ｍｏ金属ターゲットを用いてスパッタすることにより導体層を形成する工程と、の組合わせにより形成される。

Ｎｉ−Ｍｏ系ターゲットとしては、例えば、Ｎｉ−Ｍｏ合金ターゲット、Ｆｅを含有するＮｉ−Ｍｏ合金ターゲット、Ｆｅを含有するＮｉ−Ｍｏ非合金ターゲットなどが例示される。Ｆｅを含有するＮｉ−Ｍｏ非合金ターゲットとしては、例えば、ターゲット面積よりも小さいＮｉ板、Ｍｏ板、Ｆｅ板をモザイク状に組合わせたものや、Ｎｉ−Ｍｏ合金ターゲット板とＦｅ板を組合わせたものも含む。ＮｉとＭｏとをそれぞれ別々のターゲットとして用いて合金層を形成してもよいが、導体層の組成の制御性および均一性の向上の観点からあらかじめ所望の組成のＮｉ−Ｍｏ合金を作製して、これをターゲットとして用いることが好ましい。また、Ｍｏ系ターゲットとしては、例えば、Ｍｏ金属ターゲット、Ｗを含有するＭｏ合金ターゲット、Ｗを含有するＭｏ非合金ターゲットなどが例示される。Ｗを含有するＭｏ非合金ターゲットとしては、例えば、ターゲット面積よりも小さいＭｏ板、Ｗ板をモザイク状に組合わせたものも含む。スパッタ法により、大面積にわたり、膜厚が均一な配線付き基板形成用の積層体が形成できる。

本発明の配線付き基板形成用の積層体は、具体的には、例えば次のような方法により形成される。

Ｎｉ−Ｍｏ系ターゲットおよびＭｏ系タ−ゲットを直流マグネトロンスパッタ装置のカソードに別々に取付ける。さらに、基板を基板ホルダーに取付ける。次いで、成膜室内を真空に排気後、スパッタガスとしてＡｒガスと二酸化炭素等の反応性ガスとの混合ガスを導入する。Ａｒガス以外にＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒガスなども用いることができるが、放電が安定で、安価なＡｒガスが好ましい。スパッタ圧力は０．１〜２Ｐａが好ましい。また背圧は１×１０^−６〜１×１０^−２Ｐａが好ましい。基板温度は室温〜４００℃が好ましい。上記条件によりＮｉ−Ｍｏ合金ターゲットを用いてスパッタすることにより、基板上にＮｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層を形成する。

次いで、成膜室内を真空に排気後、スパッタガスとしてＡｒガスを導入する。Ａｒガス以外にＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒガスなども用いることができるが、放電が安定で、安価なＡｒガスが好ましい。スパッタ圧力は０．１〜２Ｐａが好ましい。また背圧は１×１０^−６〜１×１０^−２Ｐａが好ましい。基板温度は室温〜４００℃が好ましい。上記条件によりＭｏ系ターゲットを用いてスパッタすることにより、下地層の上に導体層としてのＭｏ層を形成し、配線付き基板形成用の積層体を形成する。

本発明の配線付き基板形成用の積層体は、以上説明したように、２層を基板上に有するものが基本であるが、これに限定されずに、さらに下記のような他の層を有する３層以上の層を有するものも包含する。他の層もスパッタ法により形成されるのが好ましい。

また、本発明の配線付き基板形成用の積層体は、基板と下地層との間にＩＴＯ層を有していてもよい。ＩＴＯ層は透明電極として用いることができる。本発明の配線付き基板形成用の積層体において、基板上にＩＴＯ層を形成した後に、下地層および導体層を形成する際に必要箇所をマスクしておけば、マスクされた箇所は下地層および導体層がなく、ＩＴＯ層のみとなる。このＩＴＯ層のみの部分を電極として用いて、例えば、必要な場合は、その上に、有機質層を形成して有機ＥＬ素子とすることができる。一方、マスクしない箇所は、ＩＴＯ層の上に下地層および導体層が形成され、電極であるＩＴＯ層と配線としての下地層および導体層が段差なく接続される。

ＩＴＯ層は、例えばガラス基板上にＩＴＯ層をエレクトロンビーム法、スパッタ法、イオンプレーティング法などを用いて成膜することにより形成される。ＩＴＯ層は、例えばＩｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との総量に対してＳｎＯ_２が３〜１５質量％含有されるＩＴＯターゲットを用いて、スパッタにより成膜するのが好ましい。スパッタガスはＯ_２とＡｒの混合ガスであることが好ましく、酸素ガス濃度はスパッタガス全体に対して０．２〜２体積％であるのが好ましい。ＩＴＯ層の膜厚は５０〜３００ｎｍ、特に１００〜２００ｎｍが好ましい。

また、本発明の配線付き基板形成用の積層体は、下地層と基板との間に、シリカ層を有していてもよい。該シリカ層は、基板と接していても、接していなくてもよい。該シリカ層は、通常シリカターゲットを用いて、スパッタ法により形成される。基板がガラス基板の場合は、ガラス基板中のアルカリ成分が導体層に移行して導体層が劣化するのを防止することができ好ましい。膜厚は５〜３０ｎｍであることが好ましい。

本発明の配線付き基板の形成用の積層体は、低抵抗でかつ付着性に優れるので、洗浄時やパターニング時に膜が剥離することがなく、安定して精細な配線付き基板を形成できる。また、得られた配線付き基板を用いると、表示素子の作製時に配線が剥離することがないので高精細で信頼性の高い表示素子を形成できる。かくして得られた本発明の配線付き基板の形成用の積層体は、好ましくはフォトリソグラフ法でエッチングして配線付き基板に形成される。

配線付き基板形成用の積層体に対して、その最表面である導体層の上にフォトレジストを塗布し、配線パターンを焼き付け、フォトレジストのパターンに従って、導体層などの金属層の不要部分をエッチング液で除去して配線付き基板が形成される。エッチング液は、好ましくは酸性水溶液であり、リン酸、硝酸、酢酸、硫酸、塩酸、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸からなる群から選ばれる１種以上の混合物であることが好ましい。エッチング液は、特に、リン酸、硝酸、酢酸、硫酸および水の混合溶液であることが好ましく、リン酸、硝酸、酢酸および水の混合溶液であることがより好ましい。これらのエッチング液により、配線付き基板の形成の際に、配線付き基板形成用の積層体の各層は同一パターンに形成されるため好ましい。
配線付き基板形成用の積層体がＩＴＯ層を有する場合には、下地層および導体層とＩＴＯ層とを一緒にエッチング液により除去してもよいが、下地層および導体層を先に除去して、別にＩＴＯ層を除去してもよいし、またＩＴＯ層を先にパターニングしておいて、下地層／導体層をスパッタしてから、配線部分以外の下地層／導体層を除去してもよい。

次に、本発明の配線付き基板形成用の積層体を用いて、配線付き基板を形成して、有機ＥＬ素子ディスプレイを作製する好適例を、図１〜３を用いて説明する。

まずガラス基板１上にＩＴＯ層を形成する。ＩＴＯ層をエッチングしてストライブ状のパターンとしてＩＴＯ陽極３を形成する。次に、下地層２ｂをスパッタ法によりガラス基板１全面を覆うように形成する。下地層２ｂの上に、導体層２ａをスパッタ法により形成して、配線付き基板形成用の積層体を得る。ＩＴＯ層は、ガラス基板１の全面に形成しても、一部に形成してもよい。

該積層体の上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストのパターンに従って、金属層の不要部分をエッチングし、レジストを剥離して、下地層２ｂ、導体層２ａからなる配線２が形成される。その後、該積層体全体に紫外線照射洗浄を行い、次いで、有機ＥＬ素子の形成に重要な工程である紫外線−オゾン処理または酸素プラズマ処理を行う。紫外線照射洗浄は、有機物を除去することおよびＩＴＯ層の表面改質を目的としており、通常、紫外線ランプにより紫外線を照射することで行う。

次に正孔輸送層、発光層、電子輸送層を有する有機質層４を、ＩＴＯ陽極３の上に真空蒸着法により形成する。カソードセパレータ（隔壁）を有する場合は、有機質層４の真空蒸着を行う前に、隔壁をフォトリソグラフにより形成する。

カソード背面電極であるＡｌ陰極５は、配線２、ＩＴＯ陽極３、有機質層４が形成された後、ＩＴＯ陽極３と直交するように、真空蒸着により形成する。

次に、破線で囲まれた部分を樹脂封止して封止缶６とする。

本発明の配線付き基板は、上記の配線付き基板形成用の積層体を用いているので、低抵抗で厳しい条件で洗浄やパターニングを行った後も付着性に優れ、配線が劣化しない。

以下、実施例を用いて、本発明を詳細に説明する。ただし、本発明は、これに限定されない。

（例１〜４）
厚さ０．７ｍｍのソーダライムガラス基板を洗浄後、スパッタ装置にセットし、シリカターゲットを用いて、高周波マグネトロンスパッタ法により、厚さ２０ｎｍのシリカ層を該基板の上に形成し、シリカ層付きガラス基板を得た。

該シリカ層付きガラス基板の全面（ただし、基板保持のために成膜されない部分を除く）に、Ｎｉ−Ｍｏ−Ｆｅ合金（Ｎｉの含有率は７４原子％、Ｍｏの含有率は２２原子％、Ｆｅの含有率は４原子％）ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、スパッタガスとしてそれぞれ表１に記載の体積割合のＡｒガスとＣＯ_２ガスとの混合ガス（例１にあってはＡｒガスのみ）を用い、厚さ１５ｎｍの下地層を形成し、下地層付き基板を得た。背圧は１．３×１０^−３Ｐａ、スパッタ圧力は０．３Ｐａ、パワー密度は１．４Ｗ／ｃｍ^２とし、基板の加熱はしなかった。

形成された下地層の体積抵抗率、エッチング速度、耐アルカリ性および元素比率を下記の方法により測定し、結果を表１および表２に示した。

（１）体積抵抗率：旧三菱油化（株）製のＬｏｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−Ｔ２５０を用い、４探針法でシート抵抗を測定し、膜厚とシート抵抗との積を体積抵抗率とした。なお、１．４×Ｅ−５とは、１．４×１０^−５を意味し、他も同様である。１×Ｅ３Ω・ｃｍ以下であることが実用上好ましい。

（２）エッチング速度：リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）（８５質量％）：硝酸（６０質量％）：酢酸（９９質量％）：水が体積比で１６：１：２：１の割合で混合したエッチング液でエッチングした場合の速度を測定した。生産性および導体層であるＭｏ層とのエッチング速度の整合性の点で０．５ｎｍ／秒以上であることが実用上好ましい。

（３）耐アルカリ性：２．５質量％のＮａＯＨ水溶液（２５℃）に５分間、膜付き基板を浸漬させた前後のシート抵抗の変化率を測定した。○：変化率が５％未満、△：変化率が５％以上１００％未満、×：変化率が１００％以上とした。

（４）元素比率：ＥＳＣＡを用いて測定した。測定条件および方法は下記のとおりである。

（測定条件）
ＸＰＳ装置：ＪＥＯＬ ＪＰＳ−９０００ＭＣ（日本電子（株）製）
Ｘ線源：Ｍｇ−ｓｔｄ線、ビーム径６ｍｍφ
Ｘ線出力：１０ｋＶ、１０ｍＡ
帯電補正：フラットガン
陰極 −１００Ｖ
バイアス −１０Ｖ
フィラメント １．１５Ａ。

（測定方法）
（１）表面１０ｍｍφをＡｒ^＋イオンビームにて速度１ｎｍ／秒で５ｎｍの深さスパッタエッチングし、その中央付近を測定した。
（２）エッチング条件は、８００ｅＶのイオンビームを用い、その領域は１０ｍｍφであった。
（３）光電子の検出角度は９０°であった。
（４）光電子のエネルギ分析器への入射エネルギーパスは２０ｅＶであった。
（５）Ｎｉ：３ｐ_３／２、Ｍｏ：３ｄ、Ｆｅ：２ｐ_３／２、Ｏ：１ｓ、Ｃ：１ｓのピークを測定した。
（６）ピーク面積を求め、以下の相対感度係数を用いて、表面原子数比（すなわち、元素比率）を算出した。

相対感度係数
Ｎｉ：３ｐ_３／２ ４７．０８９
Ｍｏ：３ｄ ３９．６９４
Ｆｅ：２ｐ_３／２ ３７．９７２
Ｏ：１ｓ １０．９５８
Ｃ：１ｓ ４．０７９。

（例５、６）
例１におけるシリカ層付きガラス基板（すなわち下地層形成前のもの）の全面（ただし、基板保持のために成膜されない部分を除く）に、Ｍｏ金属（Ｍｏの含有率は９９．９５質量％）ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、スパッタガスとしてそれぞれ表１に記載の体積割合のＡｒガスとＣＯ_２ガスとの混合ガス（例５にあってはＡｒガスのみ）を用い、厚さ１５ｎｍの下地層を形成し、下地層付き基板を得た。背圧は１．３×１０^−３Ｐａ、スパッタ圧力は０．３Ｐａ、パワー密度は１．４Ｗ／ｃｍ^２とし、基板の加熱はしなかった。該下地層の体積抵抗率、エッチング速度、耐アルカリ性および元素比率を例１と同様の方法により測定し、結果を表１および表２に示した。

なお、ＥＳＣＡによる例１〜６の元素比率の測定において、窒素のピークがＭｏのピークと重なり、下地層中の窒素含有量の正確な測定ができなかった。しかし、スパッタガス中に窒素を混合させていないことから、下地層に窒素は含有していないことが推測される。

（例７〜１２）
例１で形成した該シリカ層付きガラス基板（すなわち下地層形成前のもの）に、ＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との総量に対してＳｎＯ_２１０質量％含有）ターゲットを用い、直流マグネトロンスパッタ法により、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ層を形成してＩＴＯ層付きガラス基板を得た。スパッタガスには、酸素を０．５体積％含有するＡｒガスを用いた。

次いで、形成したＩＴＯ層付き基板に、それぞれ例１〜６と同様な方法により下地層を形成し、下地層付きガラス基板を形成した。

該下地層付きガラス基板に、Ｍｏ金属ターゲットを用いて、直流マグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気で導体層としての厚さ３００ｎｍのＭｏ層を形成して、配線付き基板形成用の積層体を得た。背圧は１．３×１０^−３Ｐａ、スパッタ圧力は０．３Ｐａ、パワー密度は４．３Ｗ／ｃｍ^２とし、基板の加熱はしなかった。下地層と導体層の形成は、大気中に取り出すことなく連続して行った。該配線付き基板形成用の積層体の膜厚、パターニング前のシート抵抗、パターニング前の付着性を下記の方法で測定して、結果を表３に示した。

形成された配線付き基板形成用の積層体を、ライン／スペースが１５μｍ／１０５μｍ、または４μｍ／２８μｍのマスクパターンを用い、フォトリソグラフ法により、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）（８５質量％）：硝酸（６０質量％）：酢酸（９９質量％）：水が体積比で１６：１：２：１の割合で混合したエッチング液を用いてパターニングを行い、配線付き基板を形成した。次いで、５質量％のＮａＯＨ水溶液（６０℃）に１０分間配線付き基板を浸漬することでアルカリ処理を行った後、前記配線付き基板のアルカリ処理後の付着性を測定し、結果を表３に示した。

測定方法は下記のとおりである。

（１）パターニング前のシート抵抗：旧三菱油化（株）製のＬｏｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−Ｔ２５０を用いて４探針法で測定した。

（２）パターニング前の付着性：ＪＩＳ−Ｋ５６００−５−６（１９９９年）で定義されるクロスカット法に準じて測定した。一辺が１ｍｍの升目を膜面に１００個形成し、升目にテープを付着し、手で剥がした時の剥がれた升目が１０個以上のときを×とし、１〜９個のときを△とし、１個も剥がれなかった場合を○とした。

（３）アルカリ処理後の付着性（１５μｍパターン）：ＪＩＳ−Ｋ５６００−５−６（１９９９年）に準じて行った。膜面に１５μｍの幅を有するパターンにテープを付着し、手で剥がした時の剥がれたパターンの本数が５％以上のときを×とし、５％未満のときを○とした。

（４）アルカリ処理後の付着性（４μｍパターン）：ＪＩＳ−Ｋ５６００−５−６（１９９９年）に準じて行った。膜面に４μｍの幅を有するパターンにテープを付着し、手で剥がした時の剥がれたパターンの本数が５％以上のときを×とし、５％未満のときを○とした。

例７および例１１は、下地層形成時のスパッタガスとしてＡｒガスのみを用いているため、パターニング前の付着性が劣り好ましくない。例１２は、ある程度の酸素を含有しているため、パターニング前の付着性は問題ないが、下地層としてＭｏを用いているため、アルカリ処理により付着性に劣り、特により厳しい条件である４μパターンの付着性が不充分である。

これに対し、例８、９および１０では、下地膜にＮｉ−Ｍｏ合金を用いており、かつ好適な量の酸素を含有しているため、パターニング前の付着性が優れ、また、６０℃という高温のアルカリ性の溶液に浸漬しても付着性が劣ることがない。また、４μｍパターンという非常に細いパターンであっても付着性が劣ることがなく、さらにエッチング速度も早く、特に有機ＥＬ素子として有用である。

本発明の配線付き基板形成用の積層体は、付着性に優れ、かつ低抵抗で、エッチング性に優れるため、有機ＥＬ素子の電極配線として有用である。

本発明の配線付き基板形成用の積層体をパターニングして得られる配線付き基板の１例を示す一部切り欠き正面図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線での断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面図である。

符号の説明

１：ガラス基板
２：配線
２ａ：導体層
２ｂ：下地層
３：ＩＴＯ陽極
４：有機質層
５：Ａｌ陰極

Claims (6)

1. 基板上に、Ｎｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層と、Ｍｏを主成分とする導体層とを有することを特徴とする配線付き基板形成用の積層体。
2. 下地層における酸素と窒素の合計含有率は３〜２５原子％である請求項１に記載の配線付き基板形成用の積層体。
3. 前記導体層と基板との間にＩＴＯ層を有する請求項１または２に記載の配線付き基板形成用の積層体。
4. 請求項１、２または３記載の積層体にパターニングを施してなる配線付き基板。
5. 請求項４に記載の配線付き基板を電極配線として用いた有機ＥＬ素子。
6. 基板上に、または基板上に形成されてなるＩＴＯ層の上に、スパッタ法によりＮｉ−Ｍｏ合金を主成分としかつ酸素および／または窒素を含む下地層を形成し、該下地層の上に、スパッタ法によりＭｏを主成分とする導体層を形成してなる配線付き基板形成用の積層体の製造方法。
   

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