CN1656547A - 使用反应和扩散的记录方法、利用该记录方法记录的记录介质、以及用于该记录介质的记录/再现装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种利用记录介质的记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散的相变和/或磁光记录法、一种使用该方法在其上记录的记录介质、以及一种用于该记录介质的记录和再现装置。相变记录法包括通过激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数。磁光记录法包括在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层中的磁化方向。还提供了一种基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的记录方法。

Description

使用反应和扩散的记录方法、利用该记录方法记录的记录介质、 以及用于该记录介质的记录/再现装置
技术领域
本发明涉及一种使用反应和扩散的记录方法、利用该记录方法记录的记录介质、以及用于该记录介质的记录/再现装置，更加特别地，涉及一种利用通过激光照射在电介质层和由稀土过渡金属或稀土金属和过渡金属的合金和过渡金属形成的记录层中引发的且使得能够进行相变记录和/或磁光记录的反应和扩散的记录方法、使用该方法记录的记录介质、以及用于在该记录介质上记录信息和由该记录介质再现信息的记录/再现装置。
背景技术
传统的记录介质可分为磁光记录介质或相变记录介质。在诸如小型盘(MD)的磁光记录介质中，通过探测由磁性膜反射的入射直线偏振光的依据磁性膜的磁力和磁化方向的旋转来读取信息。反射光的旋转称为“克尔效应(Kerr effect)”。在诸如数字多功能盘(DVD)的相变记录介质中，基于由于记录介质的非晶记录区与晶态非记录区之间光学常数的不同吸收系数导致的反射率的差异来读取信息。
图1示出了传统磁光记录介质及其记录原理。参照图1，磁光记录介质包括一个在另一个上顺序叠置的作为反射层的铝(Al)层111(其可以由银(Ag)形成)、由例如SiN形成的电介质层112、由TbFeCo形成的磁记录层113、由例如SiN形成的电介质层114、以及透明聚碳酸酯层115。以激光源118发射的经过聚焦透镜119和其上利用电流源117施加有电流的磁线圈116的约5mW的激光束照射此记录介质，使得记录层113加热至200至400℃的温度，且在激光照射区中产生磁场。结果，激光照射区沿着与非激光照射区相反的方向磁化。磁光记录的信息可以磁光地再现。图1中，非记录区和记录区中的磁化方向分别由向下和向上的箭头表示。
图2示出了传统相变记录介质及其记录原理。参照图2，相变记录介质包括一个在另一个上顺序叠置的作为反射层的铝(Al)层121(其可以由Ag形成)、由例如ZnS-SiO2形成的电介质层122、由例如GaSbTe形成的记录层123、由例如ZnS-SiO2形成的电介质层124、以及透明碳酸酯层125。相变记录介质还可以包括记录层123与每个电介质层122和124之间的保护层(未示出)，从而阻挡这些层之间的反应扩散。以激光源128发射的经过聚焦透镜129的约10至15mW的激光束照射相变记录介质，使得记录层123加热至约600℃，激光照射区变为非晶的。此非晶的激光照射区具有减小的吸收系数k，而不管光学常数(n，k)的折射系数n的变化。可以通过相变来再现通过相变记录的信息。吸收系数k的减小表示其上通过激光照射记录有信息的非晶区变得更加透明并具有更小的反射率。通常，对于记录层的晶态非记录区，吸收系数约为3.0，对于非晶的激光照射记录区，吸收系数约为1.5。
磁光记录和相变记录的原理彼此不同，从而其仅可应用于特定介质。
已经提出了与衍射极限无关的使用如相变法中的微标记(凹陷)记录信息并由记录介质再现信息的多种方法。这些方法中最引人注意的一种为使用超分辨率近场结构的再现方法，其公开于Applied Physics Letters，Vol.73，No.15，Oct.1998和Japanese Journal of Applied Physics，Vol.39，Part I，No.2B，2000，pp.980-981。
图3示出了具有超分辨率近场结构(super-resolution near-field structure)的传统记录介质。参照图3，该记录介质包括一个在另一个上顺序叠置的由例如ZnS-SiO2形成的电介质层132-2、由例如GeSbTe形成的记录层133、作为保护层的由例如ZnS-SiO2或SiN形成的电介质层134-2、由例如Sb或AgOx形成的掩蔽层(mask layer)137-2、由例如ZnS-SiO2或SiN形成的电介质层134-1、以及透明聚碳酸酯层135。当掩蔽层137-2由Sb形成时，与掩蔽层137-2接触的电介质层134-1和134-2由SiN形成。当掩蔽层137-2由AgOx形成时，与掩蔽层137-2接触的电介质层134-1和134-2由ZnS-SiO2形成。以自激光源138发射的经过聚焦透镜139的约10至15mW的激光束照射该记录介质，使得记录层133被加热至约600℃，激光照射区变为非晶的，且具有与光学常数(n，k)的折射系数n的变化无关的更小的吸收系数k。在Sb或AgOx掩蔽层137-2的照射区中，Sb的晶体结构改变或者AgOx分解，形成指向记录层133的一个区域的作为近场结构的探针(probe)。结果，记录在高密度记录介质上的被记录为超出衍射极限的微标记的信息可以使用这种超分辨率近场结构再现。
然而，在具有这种超分辨率近场结构的记录介质中，由于其掩蔽层和记录层具有相似的转变温度，因此在信息再现过程中确保掩蔽层和记录层两者的热稳定性十分重要。解决此问题的可能的方法包括降低掩蔽层的转变温度并提高记录层的转变温度。然而，由于构成这两层的材料的性质，不易使掩蔽层与记录层之间的转变温度的差异较大。
发明内容
本发明提供一种使用通过激光照射在记录层和电介质层中被引发并使得能够进行相变记录和/或磁光记录的反应和扩散的记录方法、一种使用该记录方法进行记录的记录介质、以及一种用于在该记录介质上记录信息和由该记录介质再现信息的记录和再现装置。可以使用磁光再现或相变再现法由根据本发明的记录介质再现信息。再现过程中在传统超分辨率近场记录介质内因其掩蔽层和记录层的相近转变温度而发生的热不稳定问题得以消除，使得记录在根据本发明的记录介质上的信息可以再现，而与衍射极限无关。
根据本发明的一个方面，如权利要求1所述，提供一种相变方法，其通过以激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数而在记录介质上记录信息。
根据权利要求1的相变记录法的一个具体实施例，记录层由稀土过渡金属形成，如权利要求2所述。在此情况下，该稀土过渡金属可以为TbFeCo，如权利要求3所述。
根据权利要求1的相变记录法的另一个具体实施例，该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成，如权利要求4所述。
根据权利要求1至4中任意一项的相变记录法的另一个具体实施例，在490至580℃的温度引发反应和扩散，如权利要求5所述。
根据权利要求1至5中任意一项的相变记录法的另一个具体实施例，当记录介质的电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在记录层和保护电介质层中引发反应和扩散并改变掩蔽层的晶体结构，使得可以由该记录介质再现信息，而与衍射极限无关，如权利要求6所述。
根据权利要求1至5中任意一项的相变记录法的另一个具体实施例，当记录介质的电介质层被构造为保护电介质层、堆叠的AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在记录层和保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以由该记录介质再现信息，而与衍射极限无关，如权利要求7所述。
根据权利要求1至5中任意一项的相变记录法的另一个具体实施例，记录层和电介质层同时形成，使得记录层和电介质层具有包括用于记录层和电介质层的材料的混合结构，如权利要求8所述。
根据本发明的另一方面，如权利要求9所述，提供一种磁光法，其通过在利用激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变记录层内的磁自旋方向而在记录介质上记录信息。
根据权利要求9的磁光记录法的一个具体实施例，记录层和电介质层同时形成，使得记录层和电介质层具有包括用于记录层和电介质层的材料的混合结构，如权利要求10所述。
根据权利要求9或10的磁光记录法的另一个具体实施例，记录层由稀土过渡金属形成，如权利要求11所述。在此情况下，该稀土过渡金属可以为TbFeCo，如权利要求12所述。
根据权利要求9或10的磁光记录法的另一个具体实施例，记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成，如权利要求13所述。
根据权利要求9至13中任意一项的磁光记录法的另一个具体实施例，在400至490℃的温度引发反应和扩散，如权利要求14所述。
根据本发明的另一方面，如权利要求15所述，提供一种记录方法，其基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记(protruding record mark)的物理性质。
根据权利要求15的记录方法的一个具体实施例，记录层由稀土过渡金属形成，如权利要求16所述。在此情况下，该稀土过渡金属可以为TbFeCo，如权利要求17所述。
根据权利要求15的记录方法的另一个具体实施例，该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成，如权利要求18所述。
根据权利要求15至18中任意一项的记录方法的另一个具体实施例，在400至490℃的温度引发反应和扩散，如权利要求19所述。
根据权利要求15至19中任意一项的记录方法的另一个具体实施例，当记录介质的电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在记录层和保护电介质层中引发反应和扩散并改变掩蔽层的晶体结构，使得可以由该记录介质再现信息，而与衍射极限无关，如权利要求20所述。
根据权利要求15至19中任意一项的记录方法的另一个具体实施例，当记录介质的电介质层被构造为保护电介质层、AgOx形成的掩蔽层、以及记录层上的电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在记录层和保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以由该记录介质再现信息，而与衍射极限无关，如权利要求21所述。
根据权利要求15至19中任意一项所述的记录方法的另一个具体实施例，记录层和电介质层同时形成，使得记录层和电介质层具有包括用于记录层和电介质层的材料的混合结构，如权利要求22所述。
根据本发明的另一方面，如权利要求23至44所述，提供使用权利要求1至22的任何记录方法记录的记录介质。
根据本发明的另一方面，如权利要求45至66所述，提供用于权利要求23至44的任何记录介质的记录和再现装置。根据本发明的记录和再现装置为相变记录和再现装置或磁光记录和再现装置。根据本发明的记录和再现装置可以使用磁光再现法及相变再现法再现利用相变法记录在记录介质上的信息。根据本发明的记录和再现装置基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质记录和再现信息。
附图说明
图1示出了传统磁光记录介质及其记录原理；
图2示出了传统相变记录介质及其记录原理；
图3示出了具有超分辨率近场结构的传统记录介质；
图4示出了根据本发明的记录介质的结构；
图5示出了作为其中的反应和扩散的结果的根据本发明的记录介质的记录层和电介质层的结构的变化；
图6A和6B分别为示出不同温度下硫和氧在记录层中的扩散浓度的曲线图；
图7示出了根据本发明的记录介质的性能；(a)示出了调制特性对记录功率，(b)为用于调制测量的记录介质样品的原子力显微镜(AFM)照片，而(c)示出了载波噪声比(CNR)对标记长度；
图8示出了根据本发明的具有超分辨率近场结构的记录介质的性能；(a)示出了CNR对标记长度，(b)示出了CNR对再现数，(c)示出了CNR对再现激光的功率，而(d)为示出形成于超分辨率近场记录介质中的记录标记形状的顶视图；以及
图9A为使用相变再现法和磁光再现法再现信息时的CNR的曲线图，该信息通过根据本发明的相变法被记录为标记；图9B为使用相变再现法和磁光再现法再现信息时的CNR的曲线图，该信息分别通过根据本发明的相变法和磁光法被记录为标记。
具体实施方式
通过以下实施例更加详细地介绍用于解决现有问题的本发明的结构和操作。
图4示出了根据本发明的记录介质的结构。参照图4，根据本发明的记录介质包括一个在另一个上顺序叠置的起反射层作用的铝(Al)层221(其可以由银(Ag)形成)、由例如ZnS-SiO2形成的电介质层222、由对氧和硫具有高亲和性和反应性的材料(例如TbFeCo)形成的磁记录层223、由例如ZnS-SiO2形成的电介质层224、以及透明聚碳酸酯层225。用于记录层223的材料应能够通过向电介质层222中扩散并与其反应来形成硫化物或氧化物，例如稀土过渡金属、或稀土金属与过渡金属的合金。这种材料的示例包括磁光材料、Ag-Zn、Ag-Zn、W、W-Fe、W-Se、Fe等。
在具有图4的结构的记录介质中，可以用相变来记录信息，这参照图2说明。具体而言，以自激光源128(参照图2)发射的穿过聚焦透镜129的具有10至15mW输出功率的635nm红色激光束或405nm蓝色激光束照射该记录介质，使得记录层223被加热至490至540℃的温度，从而在记录层223和电介质层222和224中引发反应和扩散。与记录层的吸收系数k约为4的非照射区相比，记录层224的其中发生了反应和扩散的激光照射区的光学常数(n，k)中的吸收系数k较小，其几乎为0。因此，可以使用相变在该记录介质上记录信息。
根据本发明的记录介质的另一实施例可以具有如图3所示的超分辨率近场结构。在此情况下，从图4的记录介质中去除起反射层作用的铝层221，且取代电介质层224，保护电介质层、Sb或AgOx的掩蔽层、以及另一电介质层顺序沉积在记录层223上。当利用激光照射此记录介质时，在记录层223和保护电介质层中发生反应和扩散。此时，当掩蔽层由Sb形成时，Sb的晶体结构改变，而当掩蔽层由AgOx形成时，掩蔽层分解。由于记录介质中的这些现象，可以与衍射极限无关地再现所记录的信息。另外，由于Sb或AgOx掩蔽层和TbFeCo记录层之间的转变温度的差异较大，所以可以再现信息而没有传统的热不稳定问题。掩蔽层的发生结晶变化的区域起探针的作用。当掩蔽层由Sb形成时，保护电介质层和掩蔽层上的电介质层由SiN形成。当掩蔽层由AgOx形成时，保护电介质层和掩蔽层上的电介质层由ZnS-SiO2形成。
在具有图4结构的记录介质中，可以使用磁光法记录信息，这参照图1说明。具体而言，以自激光源118(参照图1)发射的穿过聚焦透镜119的输出功率为10至15mW的635nm红色激光束或405nm蓝色激光束照射该记录介质，使得记录层被加热至400至490℃的温度，从而在记录层223和电介质层222和224中引发反应和扩散。由于激光束经过磁性线圈116照射，自电流源117将电流施加在磁性线圈116上，因此在激光照射区中产生了磁化方向与非激光照射区相反的磁场。此处，反应明显发生在记录层223和电介质层222和224中，但扩散不是这样。由于记录介质的发生了反应和扩散的激光照射区和非激光照射区沿相反的方向磁化，因此可以磁光地记录信息。
当使用相变在具有图4的结构的记录介质中记录信息时，如图2所示，通过自激光源128发射的输出功率为10至15mW的635nm红色激光或405nm蓝色激光的照射，记录层可以被加热至400至490℃的温度，从而在记录层223和电介质层222和224中引发反应和扩散。在此情况下，实际仅发生了反应，而未发生扩散。在记录层223和电介质层222和224的激光照射区中，作为记录层223和电介质层222和224中反应和扩散的结果，发生了物理形变，如图5所示。激光照射区中这种由反应产生的、导致突出记录标记的物理形变以与磁光再现装置中所用的再现光的反射角相似的角度反射入射激光束。换言之，由于作为激光照射区中反应的结果而形成的突出记录标记的物理性质，可以通过相变在记录介质上记录信息，并可使用磁光记录/再现装置自该介质再现信息。这些记录和再现操作将在以下说明。
在根据本发明的记录介质的TbFeCo记录层223和ZnS-SiO2电介质层222和224中，作为硫化的结果得到Tb2S3、FeS、CoS、CoS2和Co2S3，作为氧化的结果得到TbO2、Tb2O3、FeO、Fe2O3、Fe3O4和CoO，作为结晶的结果产生α-Fe、α-Co、α-Tb和α-Fe-Tb。Si、Fe和Co在记录层223与电介质层222和224之间扩散，硫和氧扩散至记录层223中。
图6A和6B分别为硫和氧在记录层中的扩散浓度对温度的曲线图。如图6A所示，记录层中硫的浓度在490℃和510℃饱和。如图6B所示，记录层中氧的浓度在490℃未饱和，但在510℃饱和。当以如图3所示的超分辨率近场结构制造根据本发明的记录介质时，其中记录层由稀土过渡金属、或稀土金属与过渡金属的合金形成，由于记录层的转变温度与Sb或AgOx掩蔽层的转变温度差别很大，因此可以与衍射极限无关地再现记录在该记录介质上的信息，而没有传统超分辨率近场记录介质中发生的热不稳定问题。
图7示出了根据本发明的记录介质的性能，其中(a)示出了调制特性与记录功率的关系曲线，(b)为用于调制测量的记录介质样品的原子力显微镜(AFM)照片，(c)示出了载波噪声比(CNR)与标记长度的关系曲线。(a)的调制特性通过将因照射区与非照射区之间不同吸收系数k导致的反射率的差异转化为电信号来测量。(c)的CNR在使用通常的相变再现装置通过15mW激光束的照射再现记录在根据本发明的记录介质上的信息的同时测量。
由图7的(a)显见，与在ZnSiO2形成的电介质层之间具有GeSbTe形成的记录层的传统相变记录介质和在SiN形成的电介质层之间具有TbFeCo形成的记录层的传统磁光记录介质相比，其中TbFeCo形成的记录层插在ZnSiO2形成的电介质层之间的根据本发明的记录介质在约10mW或更大的记录功率下表现出了良好的调制特性。由图7的(b)显见，随着记录功率增大，由于记录层的更大程度的反应性在记录介质中出现更大的记录标记。由图7的(c)显见，在500nm的标记长度下，CNR为45dB或更大。这种良好的信息再现性质归功于反射率的急剧下降，其使得激光照射区透明。
图8示出了根据本发明的具有超分辨率近场结构的记录介质的性能；(a)示出了CNR与标记长度的关系曲线；(b)示出了CNR与再现数的关系曲线；(c)示出了CNR与再现激光的功率的关系曲线；(d)为示出该记录介质中的记录标记的形状的顶视图。本发明记录介质的超分辨率近场结构与图3的传统超分辨率近场结构相同，不同之处在于记录层由稀土过渡金属TbFeCo形成。采用635nm红色激光进行记录，该激光对于传统记录介质具有10mW的输出功率，对于根据本发明的记录介质具有15mW的输出功率。
比较根据本发明的超分辨率近场记录介质与传统超分辨率近场记录介质之间的信息再现性能，如图8A所示，在根据本发明的记录介质中，对于所有的标记长度，CNR比传统记录介质高约5至10dB，这表示根据本发明的超分辨率近场记录介质提供了比传统的更好的信息再现性能。参照图8B，显见根据本发明的超分辨率近场记录介质的按CNR测量的信息再现性能保持稳定，而与重复了多少次再现操作无关，但是传统记录介质的信息再现性能在重复一定次数的再现后明显降低。图8C表明根据本发明的超分辨率近场记录介质的信息再现性能在3.3mW或更大的再现激光功率下保持稳定，而传统的信息再现性能在预定的再现激光功率下迅速下降，没有小的容限。因此，根据本发明的超分辨率近场记录介质可以用不同制造者制造的任何再现装置再现，没有再现性能的下降，即使在较高的再现功率下。参照图8D，200nm的记录标记明显可见。还可预期，使用405nm蓝色激光可以将信息记录成100nm或更小长度的标记。
图9A为使用相变再现法和磁光再现法再现通过根据本发明的相变法被记录成标记的信息时的CNR的曲线图；图9B为使用相变再现法和磁光再现法分别再现通过根据本发明的相变法和磁光法被记录为标记的信息时的CNR的曲线图。对于图9A的CNR测量，使用Pulse Tec.Co.(日本)制造的相变再现装置和磁光再现装置。对于图9B的CNR测量，使用采用630nm光和具有0.60数值孔径(NA)的透镜的常规相变再现装置和采用780nm光和具有0.53NA的透镜的常规磁光再现装置。
参照图9A，对于250nm或更大的标记长度，在使用相变再现装置和使用磁光再现装置时，CNR都为约40dB或更大。因此，根据本发明的记录介质兼容相变再现装置和磁光再现装置两者。其中通过反应和扩散形成了记录凸块(bump)的激光照射区的物理特性被认为使得能进行磁光再现，该特性即激光在记录凸块处相对于入射角的反射角，该反射角提供了与克尔效应相似的效应。当通过激光引发的反应和扩散记录信息时，通常在传统磁光记录中使用的额外的磁性线圈可用于改变磁化方向。在此情况下，可以以较高的CNR再现信息。
尽管将使用780nm激光和具有0.53NA的透镜的磁光记录装置用于图9B的测量，但通过将磁光记录装置中采用的再现激光的波长和NA分别改变为与相变再现装置中相同的630nm和0.60，可以实现与使用相变再现装置时几乎相同的性能。对于400nm的标记长度，在使用相变再现装置时和使用磁光再现装置时CNR都约为40dB或当大。显见，根据本发明的记录介质兼容相变记录装置和磁光再现装置两者。
如上所述，在根据本发明的记录方法中，反应和扩散通过激光照射在记录介质的电介质层和记录层中被引发，并使得能够进行相变记录和/或磁光记录。当根据本发明的方法在记录介质上记录信息和利用根据本发明的信息记录和再现装置再现信息时，与传统技术相比改善了信息再现性能。另外，利用上述基于相变记录和磁光记录原理的方法在其上进行记录的根据本发明的记录介质兼容相变再现装置和磁光再现装置两者。另外，传统超分辨率近场记录介质中由于其掩蔽层和记录层类似的转变温度而产生的热退化问题得到解决，使得可以自根据本发明的超分辨率近场记录介质再现信息，而与衍射极限无关。

Claims (66)

1.一种相变方法，通过借助于激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数而在该记录介质上记录信息。
2.如权利要求1所述的方法，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
3.如权利要求2所述的方法，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
4.如权利要求4所述的方法，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的方法，其中在490至580℃的温度引发该反应和扩散。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为该记录层上的保护电介质层、由Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
7.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、堆叠的AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
8.如权利要求1至5中任意一项所述的方法，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
9.一种磁光方法，通过在以激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变该记录层中的磁自旋方向而在该记录介质上记录信息。
10.如权利要求9所述的方法，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
11.如权利要求9或10所述的方法，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
12.如权利要求11所述的方法，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
13.如权利要求9或10所述的方法，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
14.如权利要求9至13中任意一项所述的方法，其中在400至490℃的温度引发该反应和扩散。
15.一种方法，基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质在记录介质上记录信息。
16.如权利要求15所述的方法，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
17.如权利要求16所述的方法，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
18.如权利要求15所述的方法，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
19.如权利要求15至18中任意一项所述的方法，其中在400至490℃的温度引发该反应和扩散。
20.如权利要求15至19中任意一项所述的方法，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
21.如权利要求15至19中任意一项所述的方法，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、堆叠的AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
22.如权利要求15至19中任意一项所述的方法，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
23.一种记录介质，使用通过激光引发的反应和扩散改变该记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数的相变方法在其上记录。
24.如权利要求23所述的记录介质，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
25.如权利要求24所述的记录介质，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
26.如权利要求23所述的记录介质，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
27.如权利要求23至26中任意一项所述的记录介质，其中在490至580℃的温度引发该反应和扩散。
28.如权利要求23至27中任意一项所述的记录介质，其中在该记录层上该电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠，且照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
29.如权利要求1至5中任意一项所述的记录介质，其中在该记录层上该电介质层被构造为保护电介质层、堆叠的AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠，且照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
30.如权利要求23至27中任意一项所述的方法，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
31.一种记录介质，使用在以激光照射该记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变该记录层中的磁自旋的磁光方法在其上记录。
32.如权利要求31所述的记录介质，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
33.如权利要求31或32所述的记录介质，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
34.如权利要求33所述的记录介质，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
35.如权利要求31或32所述的记录介质，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
36.如权利要求31至35中任意一项所述的记录介质，其中在400至490℃的温度引发该反应和扩散。
37.一种记录介质，使用基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的方法在其上记录。
38.如权利要求37所述的记录介质，其中该记录层由稀土过渡金属形成。
39.如权利要求38所述的记录介质，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
40.如权利要求37所述的记录介质，其中该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
41.如权利要求37至40中任意一项所述的记录介质，其中在400至490℃的温度引发该反应和扩散。
42.如权利要求37至41中任意一项所述的记录介质，其中在该记录层上该电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠，且照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
43.如权利要求37至41中任意一项所述的记录介质，其中在该记录层上该电介质层被构造为保护电介质层、AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠，且照射激光从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层，使得可以与衍射极限无关地由该记录介质再现信息。
44.如权利要求37至41中任意一项所述的记录介质，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
45.一种装置，用于通过借助于激光引发的反应和扩散改变记录介质的记录层和电介质层的光学常数的吸收系数的相变方法在该记录介质上记录信息，并由该记录介质再现所记录的信息。
46.如权利要求45所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土过渡金属形成。
47.如权利要求46所述的装置，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
48.如权利要求45所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
49.如权利要求45至48中任意一项所述的装置，其中在490至580℃的温度引发该记录介质中的该反应和扩散。
50.如权利要求45至49中任意一项所述的装置，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，通过激光照射从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构来记录信息，使得可以与衍射极限无关地再现所记录的信息。
51.如权利要求45至49中任意一项所述的装置，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，通过激光照射从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层来记录信息，使得可以与衍射极限无关地再现所记录的信息。
52.如权利要求45至49中任意一项所述的装置，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
53.一种装置，用于通过在以激光照射记录介质的记录层和电介质层从而在其中引发反应和扩散的同时改变该记录层中的磁自旋方向的磁光方法而在该记录介质上记录信息，并由该记录介质再现所记录的信息。
54.如权利要求53所述的装置，其中该记录介质的该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
55.如权利要求53或54所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土过渡金属形成。
56.如权利要求55所述的装置，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
57.如权利要求53或54所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
58.如权利要求53至57中任意一项所述的装置，其中在400至490℃的温度引发该记录介质中的该反应和扩散。
59.一种装置，用于使用基于通过记录层和电介质层中的激光引发的反应和扩散形成的突出记录标记的物理性质的方法在该记录介质上记录信息，并由该记录介质再现所记录的信息。
60.如权利要求59所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土过渡金属形成。
61.如权利要求60所述的装置，其中该稀土过渡金属为TbFeCo。
62.如权利要求59所述的装置，其中该记录介质的该记录层由稀土金属和过渡金属的合金形成。
63.如权利要求59至62中任意一项所述的装置，其中在400至490℃的温度引发该记录介质中的该反应和扩散。
64.如权利要求59至63中任意一项所述的装置，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、Sb形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，通过激光照射从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并改变该掩蔽层的晶体结构来记录信息，使得可以与衍射极限无关地再现所记录的信息。
65.如权利要求59至63中任意一项所述的装置，其中，当在该记录层上该记录介质的该电介质层被构造为保护电介质层、AgOx形成的掩蔽层、以及电介质层的顺序堆叠时，通过激光照射从而在该记录层和该保护电介质层中引发反应和扩散并分解该掩蔽层来记录信息，使得可以与衍射极限无关地再现所记录的信息。
66.如权利要求59至63中任意一项所述的装置，其中该记录层和该电介质层同时形成，使得该记录层和该电介质层具有包括用于该记录层和该电介质层的材料的混合结构。
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