TWI242199B - Recording method using reactive diffusion, recording medium using the recording method, and recording/reproducing apparatus using the recording medium - Google Patents

Recording method using reactive diffusion, recording medium using the recording method, and recording/reproducing apparatus using the recording medium Download PDF

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TWI242199B
TWI242199B TW092107059A TW92107059A TWI242199B TW I242199 B TWI242199 B TW I242199B TW 092107059 A TW092107059 A TW 092107059A TW 92107059 A TW92107059 A TW 92107059A TW I242199 B TWI242199 B TW I242199B
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Joo-Ho Kim
Junji Tominaga
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Samsung Electronics Co Ltd
Nat Inst Of Advanced Ind Scien
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Description

1242199 i號 92107059 五 '發明說明（1) 修正 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於—種利用反應擴散之記錄方法、利用 此方法的記錄媒體以及利用此記錄媒體的記錄再生裝置， 更詳而言之，係有關於一種利用藉由雷射光以使得介電體 層以及由稀土族過渡金屬或稀土族金屬及過渡金屬之組成 物所構成的圮錄層之間的反應擴散，而可完成以相變化方 法及/或光磁性方法記錄之利用反應擴散之記錄方法，利 用上述方法之記錄媒體以及可將資訊記錄於上述記錄媒
體、並可將上述記錄媒體所記錄的資訊再生之記錄再生裝 置。 、 、 【先前技術】
習知之記錄媒體可大致分為光磁性方式之記錄媒體及 相變化方式之§己錄媒體。光磁性方式之記錄媒體係如Μ ρ (M i n i D i sk )般，為若令直線偏光入射於磁性體，則資 訊就可對應磁性體之磁化大小及磁化方向而利用其之反射 光旋轉現象的磁性克爾（Kerr)效應來再生之的記錄媒體。 相變化方式之記錄媒體係如DVD (Digital versatile D i sk )般，為藉由利用根據記錄媒體之已記錄部分及未記 錄部分的非晶質及結晶質之結晶狀態所導致的光常數之吸 光係數之差而產生的反射率之差來進行再生的記錄媒體。 第1圖係表示習知光磁性方式之記錄媒體及記錄原理 之圖。如第1圖所示般，記錄媒體係具有如下依序沉積的 結構：作為反射層之鋁（A 1 )層1 11 (也可使用銀（Ag ) 層）、諸如SiN介電體之介電體層112、諸如TbFeCo磁性體
11153pifl.ptc 第9頁 1242199 案號 92107059- 五、發明說明（2) 之記錄層113、諸如SiN介電體之介電體層114、透明的聚 碳酸酷層1 1 5。於上述記錄媒體’以收斂稜鏡119將來自具 有約5 m W程度輸出之雷射1 1 8的雷射光予以收斂而照射於記 錄媒體並把記錄層加熱至2 〇 〇 °C〜4 0 0 °C ’同時藉由被施加 來自於電流源1 1 7之電流的磁性線圈1 1 6而使得被雷射光照 射到的部分產生磁場，而令磁性旋轉之方向往跟未記錄狀 態下的磁性旋轉方向相反之方向改變。藉此，以光磁性方 式所記錄的資訊就可由光磁性方式予以再生。在此處，未 記錄部分的磁性旋轉方向係朝下，而已記錄部分的磁性旋 轉方向係朝上。 第2圖係表示習知相變化方式之記錄媒體及記錄原理 之圖。如第2圖所示般，記錄媒體係具有如下依序沉積的 結構：作為反射層之鋁（A 1 )層1 2 1 (也可使用銀（Ag ) 層）、諸如ZnS-Si02介電體之介電體層122、諸如GeSbTe之 記錄層123、諸如ZnS-Si02介電體之介電體層124、透明的 聚碳酸酯層1 2 5。此外，為了停止記錄層1 2 3及介電體層 1 2 2、1 2 4之間的反應擴散，亦可在記錄層1 2 3及介電體層 1 22、1 24之間形成保護膜。於上述記錄媒體，以收斂稜鏡 129將來自具有約1〇〜i5mW程度輸出之雷射128的雷射光予 以收斂而照射於記錄媒體並使記錄層丨2 2加熱至約6 〇 〇 〇c， 而使得被雷射光照射到的部分轉變為非晶質，跟光常數 (η、k )之折射率n的變化有關之吸光係數让變小。藉此， 以相變化方式所記錄的資訊就可由相變化方式予以再生。 在·此’吸光係數k變小這件事，意味了為了資訊之記錄，
11153pifl.ptc
第10頁
被雷射光照射到的非晶質部分之透明度會變大、反射率會 變小。一般未記錄部分的記錄層之結晶質部分之吸收係數 約為3 · 0左右’經雷射照射而已記錄有資訊之非晶質部分 之吸收係數約為1 · 5左右，兩者之差約為1 5。 然而，目刚光磁性方式之冗錄媒體跟相變化方式之記 錄媒體互不相同。因此’光磁性方式及相變化方式乃分別 利用互不相同之記錄媒體。
相變化方式中之一種，是利用微小記號（mark )將資 訊記錄於記錄媒體’再將記錄媒體所記錄的資訊於繞射界 限以下再生’此方式已有各式各樣的方法被揭露出來。其 中最受到矚目的利用超解析度鄰近場結構之再生方式乃
Physics Letters，ν〇1· 73，No. 15，Oct. 1 998” 及”japanese journal of AppUed physics，ν〇1· 39， Part I’ No· 2B， 2000， ρρ· g80一981” 中所揭示者。
第3圖係表示習知利用超解析度鄰近場結構之記錄媒 體之圖。如第3圖所示般，記錄媒體係具有以下依序沉積 的結構··諸如ZnS-Si〇2介電體之介電體層132_2、諸如 GeSbTe之記錄層133、作為保護膜之諸如ZnS —Si A或SiN介 電體之介電體層134_2、讥或“1之罩幕層137 —2、諸如 ZnS-Si〇2或SiN介電體之介電體層134 —1、透明的聚碳酸酯 層135。在此處，當罩幕層〖π — 2為Sb時，鄰接於罩幕層 13 7-2之介電體層134-1、134-2係為SiN ;當罩幕層137 - 2 為Ag〇x時，鄰接於罩幕層137 —2之介電體層134_ι、ι34_2係 為ZnS-Si〇2。於上述記錄媒體，以收斂稜鏡丨39將來自具有
11153pifl.ptc 第11頁 1242199
-lS-J21〇I〇59_ 五、發明說明（4) 約10〜15mW程度輪出之雷射138的 記錄媒體並使記錄層133加熱至 =予=收斂而照射於 照射到的部分轉變為#日t 、 C，而使得被雷射光 !#t (n'k)
Sb或峨之罩幕層137_2會發生Sb?:之=射:照射到的 解，變成對記錄層而言猶如探針之。之而定匕或Ag〇,之分 構。因此’繞射界限以下之微小成鄰近場結 結構予以再生。之。己錄媒體也可以藉由超解析度鄰近場 然而，由於超解析度鄰近場结 過渡溫度類似，故於所記錄的資 ^幕^及記錄層之 成是重要的課冑。用以解決上述課題之U安全性就變 ί層過渡溫度之方法及提高記有降低罩 容易達成。节層之過渡溫度的差，在材料特性上並不 【發明内容】 本發明係提供I & 及記錄層之間產2反應;而=2之照射以使得介電體層 光磁性方法咋样 κ η 可元成以相變化方法及/式 =注方法δ己錄之利用反 ：忐及/或 法之記錄媒體、 —政之忑錄方法、利用上述方 將記錄媒體所記 代二：5己錄於上述記錄媒體、並可 發明以-記錄媒之記錄再生裝置。藉此，本 相變化記錄再生 ^ 用於光磁性記錄再生方式及 將.記錄媒體所記錚=資A S=超解析度鄰近場結構可 的貝5fi其再生時因罩幕層及記錄層之間
11153pifl.ptc 第12頁 案號 92]〇7〇59 ^年〉月工I a 修正 _ 五、發明說明（5) 過渡溫度類似性所導致的熱安全性問題解決，而將資訊記 錄於記錄媒體，並玎將記錄媒體所記錄的資訊於繞射界限 以下再生。 以利用相變化記錄方式將資訊記錄於記錄媒體之觀點 來看，本發明係可如申請專利範圍第1項所述般，藉由： 利用由記錄層及介電體層之間的反應擴散所導致之光常數 的吸光係數變化而將資訊以相變化方式記錄於記錄媒體的 利用反應擴散之記錄方法來達成。 本發明係可如申請專利範圍第2項所述般，於申請專 利範圍第1項中，藉由：令上述記錄層為豨土族過渡金屬 的利用反應擴散之記錄方法來達成。 本發明係可如申請專利範圍第3項所述般，於申請專 利範圍第2項中，藉由：令上述稀土族過渡金屬為TbFeC〇 的利用反應擴散之記錄方法來達成。 本發明係可如申請專利範圍第4項所述般，於申請專 利範圍第1項中，藉由：令上述記錄層為稀土族金屬及過 渡金屬之組成物的利用反應擴散之記錄方法來達成。 本發明係可如申請專利範圍第5項所述般，於申請專 利圍第1、2、3或4項中，藉由··令上述反應擴散之溫度 為4 9 0〜5 8 0 C的利用反應擴散之記錄方法來達成。 可如申請專利範圍第6項所述般，於申請專 、3、4或5項中，藉著：藉由令上述介電體 本發明係 利範圍第1、2 層形成為由上述記錄層依序沉積有作為保護膜之介電體 層、Sb之罩幕層及介電體層所成之結構，而將利用上述反
11153pifl.ptc 第13頁 ^7059 1242199 丨 _ 修正 曰 五、發明說明（6) 應擴散時之卜、+、^ 的反應擴散和：:己錄層及上述作為保護膜之介電體層之間 繞射界限以下A述罩幕層之結晶的變化所記錄下的資訊於 本發明传飞生的利用反應擴散之記錄方法來達成。 利範圍第1、净2可=申請專利範圍第7項所述般，於申請專 層形成為由上 4或5項中’藉I:藉由令上述介電體 層、Ag〇x之罩ίι己錄層依序沉積有作為保護膜之介電體 反應擴散時之μ㈢、及介電體層所成之結構，而將利用上述 間的反應擴散τ π己錄層及上述作為保護膜之介電體層之 界限以下再生二述罩幕層之分解所記錄下的資訊於繞射 本發明i;:用反應擴！之記錄方法來達成。 利範圍第1 /2 °申请專利犯圍第8項所述般，於申請專 介電體層係辑 ^或5項中’藉著··上述記錄層及上述 用反應擴散之記錄方法=成混合… 2本發明係以於記錄媒體之觀點來 c錄層及介電體Ϊ:利叙圍第9項所述般，藉由：在 變化而將資二’使產生磁力旋轉方 ，記錄方法記錄於記錄媒體的利用反 利範固苐9項中如Λ請專利範圍第〗0項所述般，於申往直 :同時成與而形成错者.上述記錄層及上述介電體声传； …本發日ί錄方法來達成。 匕口、、、口構的利 月係可如申請專利範圍第 -^弟項所迷般，於申請專 IU53pifl.ptc 第14頁 1242199 ---—_ Q21Q7059 五、發明說明（7) 東 曰 - 利範圍第9項或第1〇項中，藉由：令上逃兮 過渡金屬的利用反應擴散之記錄方法來達己錄層為稀土族 本發明係可如申請專利範圍第丨2項 $ ° 利範圍第11項中，藉由：令上述稀土族、局、'I ’於申請專 的利用反應擴散之記錄方法來達成。、^瘦金屬為TbFeCo 本發明係可如申請專利範圍第1 3項 利範圍第9項或第1 0項中，藉由：令上述—迷般，於申請專 金屬及過渡金屬之組成物的利用反應1。己錄層為稀土族 成。 ^ 3之記錄方法來達 本發明係可如申請專利範圍第丨4 利範圍第9、10、U、12或13項中，藉斤迷般，於申請專 散之溫度為4 0 0〜49 0 °c的利用反應擴^ ·令上述反應擴 成。 〜Κ θ冗錄方法來達 以藉由反應擴散部分鼓起成 用依據產生的雷射光之入射角所造物理特性，而利 訊記錄於記錄媒體之觀點來看，本明射角之特性將資 圍第15項所述般，藉由：利用圮 ，可如申請專利範 擴散時，反應擴散部分鼓 ^ s及1丨電體層之間反應 記錄於記錄媒體的夂;支=凸狀之物理特性而將資訊 本發明係可如申記錄方法來達成。 利範圍第1 5項中，藉由：令^第1 6項所述般，於申請專 的利用反應擴散之記錄方‘來=:錄層為稀土族過渡金屬 本發明係可如申請專利範 利範圍第16項中，藉由：令 ^17項所述般，於申請專 a稀土族過渡金屬為TbFeCo ins 11153pi fl.ptc 第15頁
A 曰 Ά% 92107^ 1242199 五、發明說明（8) 的利用反應擴散之記錄方法來達成。 於申請專 本發明係可如申請專利範圍第1 8項所述般，；^甲呀今 利範圍第1 5項中，藉由··令上述記錄層為稀土族金屬及過 渡金屬之組成物的利用反應擴散之記錄方法來達成。 —本發明係可如申請專利範圍第1 9項所述般，於申請專 利祀圍第1 5、1 6、1 7或1 8項中，藉由：令上述反應擴散之 溫度為40 0〜4 9 0。(：的利用反應擴散之記錄方法來達成。 本發明係可如申請專利範圍第2 0項所述般，於申請專 利範圍第15、16、17、18或19項巾，藉著：藉由令上述介 ί ΐ層:ί成為由上述記錄層依序沉積有作為保護膜之介電 u: i幕層及介電體層所成之結構，而將利用上述 門二反i沪ίί述記錄層及上述作為保護膜之介電體層之 间的仅^應擴月欠矛口 μ、+、# 述罩幕層之、、、σ θθ的變化所記錄下的咨1 於繞射界限以下Αm 4。己錄下的貝Λ 本發明係可如由U 應擴記錄方法來達成。 ” Τ如申請專利範圍第2 1項所述 利範圍第1 5、1 6、】7 , 0 ^ t n '吓$叙，於申請專 17、18或19項中，藉著· μ山人 電體層形成為由上、十、〜技成& Λ .精由令上述介 體層、AgOx之罩暮具錄層4沉積有作為保言蒦膜之介電 述反應擴散時之上述記錄層及上 、、^^而將利用上 散和上述罩幕層之分解所ΐίΐΐΪ電體層 射界：：：：生的利用反應擴散之記錄方法U·:訊於繞 利r is第15 Λ可如申請專利範圍第22項所述#成。 係错由同時成膜而形成，且為 己=及 _ 幵成混合妝
11153pifl.ptc 第16頁 利犯γ15、16、17、18或19項中藉巧，於申請專 1242199 92107059 - ^年〉月‘二丨 a ix_ 五、發明說明（9) 態之混合結構的利用反應擴散之記錄方法來達成。 同時，以藉由申請專利範圍第1項至第2 2項的利用反 應擴散之記錄方法將資訊記錄於記錄媒體之觀點來看，本 發明可藉由申請專利範圍第2 3項至第4 4項的利用反應擴散 之記錄媒體來達成。 接著，以可將資訊記錄於申請專利範圍第2 3項至第44 項的利用反應擴散之記錄媒體，並可將上述記錄媒體所記 錄的資訊再生之記錄再生裝置之觀點來看，本發明可藉由 申請專利範圍第45項至第項的利用反應擴散之記錄媒體 來達成。在此處，由於記錄再生裝置不僅可將藉由相變化 方式於記錄媒體所記錄的資訊利用相變化記錄再生裝置予 以再生，亦可利用光磁性記錄再生裝置予以再生，故記錄 再生裝置可為相變化記錄再生裝置及光磁性記錄再生裝置 之任一種再生裝置，此外，也可利用已記錄有資訊的記錄 媒體其記錄層部分鼓起成為凸狀之物理特性的記錄再生裝 置。 ’ 【實施方式】 為了達成上述的目的，以下針對實施可用以解決習知 問題點的課題之本發明的構成及其作用，利用所附圖式來 進行詳細的說明。 第4圖係表示本發明的記錄媒體之結構圖。 如第4圖所示般，記錄媒體係具有以下依序沉積的結 構：作為反射層之鋁（Α1 )層221 (也可使用銀（Ag ) 層）、諸如ZnS-Si 〇2介電體之介電體層222、對於氧及硫的
11153pifl.ptc 第17頁 1242199
案號 921070M 五、發明說明（1〇) 親和力與反應力大之諸如TbFeC〇磁性體之記錄層223、諸 如ZnS-Si〇2介電體之介電體層224、透明的聚碳酸酯層 22 5。、記錄層之材料可為如同稀土族過渡金屬或稀土族金 屬=過渡金屬之組成物般，跟介電體層進行反應擴散能形 成硫化物或氧化物之材料。上述等之材料可舉例如：光磁 性材料、銀-鋅（Ag-Zn )、銀—鋅（Ag —Zn )化合物、鎢 (w)、鎢化合物（W-Fe、W_Se等）、鐵（Fe)等。 ^ 在如第4圖般構成之記錄媒體中，以相變化方式而言 係如第2圖所示般，藉由以收斂稜鏡129將來自具有約1〇〜 15mW程度輸出之波長635nm的紅色或波長4〇5nm的綠色雷射 1 28之雷射光予以收斂而照射於記錄媒體，將記錄層加熱 至490 C〜540 °C，而使得記錄層223及介電體層222、224發 生反應擴散。此時，反應及擴散乃全部產生。由於在已反 f擴散的記錄層中光常數（η、k )之吸光係數k變得低到 幾乎為0 ’而在未被雷射光照射到的部分中光常數（η、 k )之吸光係數k約為4，故可利用相變化方式來將資訊記 錄於記錄媒體。 又，去掉作為反射層之鋁（A1)層221，藉由令介電 體層224形成為由記錄層223依序沉積有作為保護膜之介電 體層、Sb或AgOx之罩幕層及介電體層所成之結構，即可構 成如第3圖般之超解析度鄰近場結構。藉此，一旦雷射光 照射時之記錄層2 2 3及作為其保護膜之介電層之間發生反 應擴散’就可利用當上述罩幕層為s b時所產生之結晶的變 化·或為AgOx時所產生之分解，而將已記錄的資訊於繞射界
第18頁 1242199 身卩 _案號jgl〇7p59 X月丛/日 鉻不_ 五、發明說明（11) 限以下再生。因此，由於罩幕層之Sb或Ag Ox跟記錄層之 TbFeCo的過渡溫度之差很大，故可解決習知之熱安全性問 題，同時並可將資訊由記錄媒體中再生。利用罩幕層之結 晶變化的部分，於再生時係擔任探針之作用。在此處，當 罩幕層為Sb時，作為保護膜之介電體層及跟罩幕層鄰接之 介電體層係為S i N，當罩幕層為A gOx時，作為保護膜之介電 體層及跟罩幕層鄰接之介電體層則為ZnS-Si02。 然後，在如第4圖般構成之記錄媒體中，以光磁性方 式而言係如第1圖所示般，藉由以收斂稜鏡1 1 9將來自具有 約10〜1 5mW程度輸出之波長6 35nm的紅色或波長4 05nm的綠 色雷射11 8之雷射光予以收斂而照射於記錄媒體，將記錄 層加熱至40 0 °C〜49 0 °C，而使得記錄層223及介電體層 2 2 2、2 2 4發生反應擴散，同時藉由被施加來自於電流源 11 7之電流的磁性線圈11 6，使得被雷射光照射到的部分產 生磁場，而令磁性旋轉之方向往跟未記錄狀態下的磁性旋 轉方向相反之方向改變。此時雖然有反應產生，但幾乎未 產生擴散。藉由如上述般的反應擴散，利用磁性旋轉方向 已變化的記錄層及未被雷射光照射到的部分之磁性旋轉方 向變為相反方向，就可以光磁性方式將資訊記錄於記錄媒 再者，在如第4圖般構成之記錄媒體中’以光磁性方 式而言係如第2圖所示般，藉由以收斂稜鏡1 2 9將來自具有 約10〜1 5mW程度輸出之波長6 35nm的紅色或波長4 05nm的綠 色雷射1 2 8之雷射光予以收斂而照射於記錄媒體，將記錄
11153pi fl.ptc 第19頁 修正 1242199 ^ --——案號 921070591 五、發明說明（12) 層加熱至4 0 0 C〜4 9 0 °C，而使得記錄層2 2 3及介電體層 2 2 2、2 2 4發生反應擴散。此時雖然有反應產生，但幾乎未 產生擴散。已被雷射光照射之記錄層2 2 3及介電體層2 2 2、 224之間’乃藉由記錄層223及介電體層222、224之間的反 應擴散而變成如第5圖般的型態。如此，照射雷射光而產 生反應的部分其鼓起成為凸狀之物理特性的變化，係幾乎 類似於如下所不關係：依再生時雷射光之入射角而得之反 射角乃為依光磁性再生裝置中之雷射光的入射角而得之 J :角。因此，藉由利用照射雷射光而產生反應的部分會 Ϊ ί ίί狀之物理特#，就能以相變化方式將資訊記錄 媒體’並且還可利用光磁性記錄再生裝置將記錄媒 體中所記錄的資訊再生。其性能如後所述。 又，去掉作為反射層之鋁（A1 )層221， 由記錄層223依序沉積有作為保賴之介電 成二第3罩幕層及介電體層所成之結搆’即可構 成如第3圖般之超解析度鄰近場結構。藉此，一 照射時之記錄層22 3及作A豆佴嘈賊々入命& ^ 應擴散，就可利用當上述罩幕V二電… ^ ^ Α π .用田上述罩幕層為Sb時所產生之結晶的變 化或為AgOx時所產生之分解， 限以下再生。因此，由於罩幕===訊於繞射界 麻。的過渡溫度之差仿：：之以或峨跟記錄層之 願，η日# *二:？ 可解決習知之熱安全性問 ί變二t ::由記錄媒體中再生1用罩幕層之結 1. ^ β . I ;再生時係擔任探針之作用。在此處，當 罩.幕層為Sb時’作為保護膜之介電體層及跟罩幕層鄰接之
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第20頁 1242199 案號 92107059
修正 五、發明說明（13) 介電體層係為SiN，當罩幕層為AS〇x時，作為保護膜之介電 體層及跟罩幕層鄰接之介電體層則為ZnS — Si〇2。 若本發明的記錄媒體之記錄層（T b F e C 〇 )跟介電體層 (ZnS-Si02)以及介電體層（ZnS-Si02)產生反應擴散的 話，藉由硫化反應會生成Tb2S3、FeS、CoS、CoS2等，藉由 氧化反應會生成Tb02、Tb2〇3、FeO、Fe2 03、Fe3 04、C〇0 等， 藉由結晶化會生成α-Fe、《—Co、a-Tb以及α-Fe-Tb 等，S i、F e及C o會在記錄層及介電體層之間相互擴散，硫 及氧則擴散至記錄層。 第6圖係表示隨溫度變化之記錄層的硫及氧之擴散濃 度曲線圖。在此處’第6A圖為硫之擴散濃度’第6B圖為氧 之擴散濃度。 如第6 A圖所示’記錄層之硫的）辰度係在4 9 0 C及5 1 0 C 下呈飽和狀態，如第6 B圖所示’記錄層之氧的濃度雖在 4 9 0 °C下不呈飽和狀態，但在5 1 〇 °C下呈飽和狀態。因此， 同第3圖所示，藉由令超解析度鄰近場結構之記錄層由稀 土族過渡金屬、或稀土族金屬及過渡金屬之組成物來構 成，則如第3圖所示的記錄層就會因為跟由Sb或AgOx所構 成的罩幕層兩者間之過渡溫度差很大，而沒有熱安全性之 問題，因此可將記錄媒體所記錄下的資訊利用超解析度鄰 近場結構於繞射界限以下再生。 第7圖係表示利用本發明之記錄媒體的性能圖。在此 處’第7A圖為依據記錄電力之調變（modulation)特性， 第7B圖為調變檢測樣品之AFM (Atomic Force
11153pi fl.ptc 第21頁 1242199 案號 92107059 曰 五、發明說明（14) Μ1 c r 〇 s c 〇 p e，原子間力顯微鏡）照片，第7 C圖為依據記號 (mark)長之 CNR (Carrier to Noise Ratio，載波 / 噪聲 比）。又，第7A圖之調變特性係將依據光常數（η、k )中 之吸光係數k所得之反射率的差換算成電信號來表現，第 7C圖係把本發明之記錄媒體以具有1 5mW電力之雷射光施行 記錄之後，利用一般的相變化方式之再生裝置進行資訊再 生時之CNR。 由第7A圖所示可得知，介電體層/記錄層/介電體層為 由Z n S i 〇2 / T b F e C 〇 / Z n S i 〇2所沉積而成的結構，比起利用習 知之介電體層/記錄層/介電體層係為由 Z n S i 〇2 / G e S b T e / Z n S i 〇2所沉積而成的結構之相變化方式以 及介電體層/記錄層/介電體層係為由SiN/TbFeCo/SiN所沉 積而成的結構之光磁性方式而言，於記錄媒體所記錄的資 訊再生時，在約1 0 mW的記錄電力以上之調變特性非常優 秀。由第7 B圖所示可得知，記錄電力變大、記錄層之反應 程度亦變大。又，由第7C圖所示可得知，由於在5〇〇11111記 號長度的情況下CNR為45 dB以上，故因著利用雷射光之照 射而記錄下的部分之透明化，反射率會急遽地降低，因而 表現出優秀的資訊再生特性。 第8圖係表示本發明之利用超解析度鄰近場結構之記 錄媒體之性能圖。-第8A圖為依據超解析度鄰近場結構之記 錄媒體之§己號長度之CNR ’第8B圖為依據超解析度鄰近場 結構之記錄媒體之再生回收之CNR，第8C圖為依據超解析 度·鄰近場結構之記錄媒體的再生時雷射光電力，第
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第22頁 1242199 __案號 921070Μ_ 五、發明說明（15) 修正 8 D圖為纟發明之超解析纟鄰近#結構之記錄 號狀態。在此處，習知之超解析度鄰近場姓槿f之記録記 圖所示者，而本發明之超解析度鄰近場結^ f為如第3 所示之記錄層換成稀土族過渡金屬之邝“以者，。，、將第3圖 錄媒體而言，雷射光的記錄電力在習知之 ^相對於記 在本發明之情形下則為15mW。又，記錄媒體‘ T〇mw ’ 利用波長635 nm的紅色雷射來進行之。 。錄動作係 1再=A圖戶:示般，本發明之超解析度鄰近場、 二f知的超解析度鄰近場結構 特性而3，整體的CNR高出約5〜1〇dB。由胃讯再生 發明之超解析度鄰近場結構之記& — 利用本 係比習知之超解析度鄰 、八貝讯再生特性， 性優秀。如第“；記錄媒體的資訊再生特 之資訊再生特性係跟=解析度鄰近場結構 在達到既定的再生-欠數X 琢結構之貧讯再生特性卻 知，利用本發明之超；遽地下降。由此可 再生特性，係比習知之結構之記錄媒體的資訊 資訊再生特性更為優秀：近場結構之記錄媒體的 之超解析度鄰近場，士構 j，々°第8C圖所不* ’本發明 射光電力達到3. 3mW \δί1再生特性，若資訊再生時雷 的超解析度鄰近場結構的可維持一定的;°NR，然而習知 乎沒有雷射光電力之 貝Λ再生特性在資訊再生時卻幾 發明之超解析度鄰場：】m:rgln)寬度。由此可知’本 每、、、°構之記錄媒體，在既定的再生輸 WJli 11153pifl.ptc 第23頁 1242199 案號 92107059 ^年 ι 月^^ 修正 五、發明說明（16) ^ 出電力以上即可不受製造公司其記錄媒體特性變化之影響 而皆能適用之。由第8D圖所示可得知，即使是約2〇〇11〇]的_ 記錄記號，其記錄記號亦非常鮮明。由此可推知，若使用 波長40 5nm之綠色雷射，亦可以l0〇nm以下之記號長度來 錄資訊。 < 第9圖係依據記錄方式及再生方式之CNR，第9八圖為將 依據反應擴散之記錄以相變化方式記錄，並以相變化方文 及光磁性方式再生之CNR，第9B圖為將依據反應擴散之記X 錄以相變化方式及光磁性方式記錄，並以相變化方式及光 磁性方式再生之CNR。又，第9A圖之相變化方式的再生裝 置及光磁性方式之再生裝置，係利用日本脈衝科技 (PulseTec )公司之檢測用再生裝置。第9B圖之相變化方 式的再生裝置，為具有630nm的波長及〇·60的開口率之_ 般相變化方式之再生裝置；光磁性方式的再生裝置，為具 有78Onm的波長及〇· 53的開口率之一般光磁性方式之再生' 裝置。 如第9A圖所示般，在記號長度2 50nm以上的情形下， 相變化方式之再生裝置及光磁性方式之再生裝置兩方的 CNR皆顯示為約40dB以上。因此，以單一記錄媒體即可同 時用於相變化方式之再生裝置及光磁性方式之再生裝置。 在此處’光磁性再生乃係藉由反應擴散部分鼓起成為凸狀 之物理特性跟依據所產生的雷射光之入射角而得之反射角 的特性其克爾（K er r )效應相類似而發生。此外，藉由反應 擴·散而於記錄媒體進行記錄時，可利用跟習知的光磁性方
案號
1242199 五、發明說明（17) 式相同之磁場產生線圈來使磁性旋轉方向改變，而得到 高的CNR。接著，由第9B圖所示可得知，光磁性方式之 錄再生裝置雖係使用具有780nm的波長及〇·53的開口率之 雷射’然而即便是使用跟相變化方式之再生裝置相同之呈 有6 3 0nm的波長及〇· 60的開口率之雷射，其性能亦幾乎相、 同。此外’在記號長度4 0 0 n m的情況下，相變化方式之再 生裝置及光磁性方式之再生裝置兩者的CNR皆顯示約為 4 0 d B以上。由此可知，以單一記錄媒體即可同時用於相變 化方式之再生裝置及光磁性方式之再生裝置。 【發明效果】 如上所述般，本發明之藉由雷射光以使得介電體層及 記錄層之反應擴散產生而可完成以相變化方法及/或光磁 性方法記錄之利用反應擴散之記錄方法，利用上述方法之 記錄媒體以及可將資訊記錄於上述記錄媒體、並可將所記 錄的資訊，生之記錄再生裝置，其資訊再生特性係比習知 優秀’以單一記錄媒體即可同時適用於光磁性記錄及再生 方式和相變化記錄及再生方式。此外，利用超解析度鄰近 場結構，、即可解決因罩幕層及記錄層之間過渡溫度的類似 性所造成之記錄媒體所記錄的資訊於再生時會成為問題之 習知熱安全性問題，同時並具有可將資訊於繞射界限以下 i號 921Q7Q5彳丨 车 jL·
1242199 圖式簡單說明 第1
Fl 一修正 及記錄原理 及記錄原理 E係表示習知光磁性方式之記錄媒體 之圖。 第2圖係表示習知相變化方式之記錄媒體 之圖。 第3圖係表示習知利用超解析度鄰近場結構之記錄媒 體之圖。 ' 第4圖係表示本發明的記錄媒體之結構圖。 第5圖係表示利用記錄層及介電體層之反應擴散的記 錄層及介電體層之型態圖。 第6圖係表示隨溫度變化之記錄層的硫及氧之擴散濃 度曲線圖，第6A圖為硫之擴散濃度，第6B圖為氧之擴散濃 度。 / 第7圖係表示利用本發明之記錄媒體的性能圖，第7八 圖為依據記錄電力之調變（modu 1 at i on )特性，第γβ圖為 調變檢測樣品之AFM (Atomic Force Micr〇scope，原;間 力顯微鏡）照片，第7C圖為依據記號（mark )長之CNR曰 (Carrier to Noise Ratio，載波/ 噪聲比）。 第8圖係表示本發明之利用超解析度鄰近場結構之記 錄媒體之性能圖。第8 A圖為依據超解析度鄰近場^構之\己 錄媒體之記號長度之CNR，第8B圖為依據超解析度°鄰近場 結構之記錄媒體之再生回收之CNR，第8(：圖為依據超解析 度鄰近場結構之記錄媒體的再生時雷射光電力之cnr，第 8D圖^本發明之超解析度鄰近場結構之記錄媒體之記錄記 號·狀態。 ” σ
11153pifl.ptc 第26頁 1242199 案號 92107059 修正 圖式簡單說明 第9圖係依據記錄方式及再生方式之CNR，第9A圖為將 依據反應擴散之記錄以相變化方式記錄，並以相變化方式 及光磁性方式再生之CNR，第9B圖為將依據反應擴散之記 錄以相變化方式及光磁性方式記錄，並以相變化方式及光 磁性方式再生之CNR。 【圖式標示說明】 1 1 1、1 2 1、2 2 1 :鋁層 112 >114、122、124 ^ 131-2 ^ 134-1、134-2、222、 224 :介電體層 113、123、133、223 :記錄層 1 1 5、1 2 5、1 3 5、2 2 5 :聚碳酸酯 1 1 6 :磁場產生線圈 137-2 :罩幕層 1 1 7 ·電流源 118、128、138 :雷射 1 1 9、1 2 9、1 3 9 :收斂稜鏡
11153pifl.ptc 第27頁

Claims (1)

1242199 案號 92107059 修正 六、申請專利範圍 1 . 一種利用反應擴散之記錄方法，其特徵在於： 利用由記錄層及介電體層之間的反應擴散所導致之光 常數的吸光係數變化而將資訊以相變化方式記錄於記錄媒 體。 :稀 第為 圍層 範錄 Η己 =口 專述 請上 申中 如其 參 ？ 2 法 方 所 項 族 土 錄 己 *\=口 之 散 擴 應 反 用 利 之 屬 金 渡 3 法 方 :渡 第過 圍族 範土 利稀 專述 請上 中中 如其 項 金 4 法 方 稀 第為 圍層 範錄 Η 己 =口 專述 請上 申中 如其 項 所7：所 錄 己 古口 之 散 擴 應 反 用 利 之 為 屬 ο C 反 用 利 之 述 錄 記 之 散 成 組 之 金 渡 過 及 金 族 土 為3 度、 溫2 :之卜 第散第中 圍擴圍其 範應範， 利反利法 專述專方 請上請錄 申中申記 如其如之 5 6义月 。 法 擴 物方應 煩請委 _^^iro 反 用 利 之 述 所 項 項 5 或 應Ρ所 ο 員 錄 記 之 散 擴 反 用 利 之 述 有結 積之 沉成 序所 依層 層體 錄電 記介 述及 上層 由幕 為罩 成之 形b is 層、 體層 電體 ^fyn >XJ/ 述介 上之 令膜 由護 藉保 為 作 #Γ月 ;rjr-l-'cl^v?l 保變 為的 作晶 述結 上之 及層 層幕 錄罩。 記述生 述上再 上和下 之散以 時擴限 散應界 擴反射 應的繞 反間於 述之訊 上層資 用體的 利電下 將介錄 而之記 ，膜所 構護化 Ώ圻提之 第中 圍其 範 ， 利法 專方 請錄 申記 如之 7.散 擴 應 反 用 利 之 述 所 項 5 或 有之 積成 沉所 序層 依體 層電 錄介 記及 述層 上幕 由罩 為之 成OX 形Ag 層 、 體層 電體 AXJ/^亏 述介 上之 令膜 由護 藉保 為 作
11153pifl.ptc 第28頁 1242199 ， 修正 曰 ------- 921Π70Μ 六'申請專利範圍 Π而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及上 2膜之介電體層之間的反應•散和i述罩幕層之分解； $錄下的資訊於繞射界限以下再生。 解所 8·如申請專利範圍第丨、2、3、4或5項所述之利用 之記錄方法，其中上述記錄層及上述介電體層係 5日、成膜而形成，且為材料成混合狀態之混合結構。曰 9 ·二種利用反應擴散之記錄方法，其特徵在於： 於M在。己錄層及介電體層之間的反應擴散時，使產生磁力 疋方向之變化而將資訊以光磁性方式記錄於記錄媒體。 方、、1 〇 ·如申請專利範圍第9項所述之利用反應擴散之記錄 \ ’其中上述記錄層及上述介電體層係藉由同時成膜而 >成’且為材料成混合狀態之混合結構。 、、1 1 ·如申請專利範圍第9項所述之利用反應擴散之記錄 方法’其中上述記錄層為稀土族過渡金屬。 、12 ·如申請專利範圍第1 1項所述之利用反應擴散之記 錄方法，其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 、1 3 ·如申請專利範圍第9項所述之利用反應擴散之記錄 ^法’其中上述記錄層為稀土族金屬及過渡金屬之組成 物0 1 4 ·如申凊專利範圍第9、1 〇、1 1、1 2或1 3項所述之利 用反應擴散之記錄方法，其中上述反應擴散之溫度為4 0 0〜 4 9 0 C 〇 1 ^二種利用反應擴散之記錄方法，其特徵在於： 利用記錄層及介電體層之間反應擴散時，反應擴散部
1242199 修正 — 六、申請專利範圍 分鼓起成為凸狀之物理特性而將資訊記錄於記錄媒體。： 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之利用反應擴散之 錄方法，其中上述記錄層為稀土族過渡金屬。 > 1 7 ·如申請專利範圍第丨6項所述之利用反應擴散之。己 錄方法’其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 > 1 8 ·如申請專利範圍第1 &項所述之利用反應擴散之 錄方法，其中上述記錄層為稀土族金屬及過渡金屬之組成 物0 1 9 ·如申請專利範圍第丨5項所述之利用反應擴散之A 錄方法，其中上述反應擴散之溫度為4〇〇〜49〇aC。 2 0 ·如申請專利範圍第1 5、1 6、1 7、1 8或1 9項所述之 利用反應擴散之記錄方法，其中 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 作為保護膜之介電體層、Sl)之罩幕層及介電體層所成之結 而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為保 護膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之結晶的變 化所記錄下的資訊於繞射界限以下再生。 ，21·如申請專利範圍第15、16、17、18或19項所述之 利用反應擴散之記錄方法，其中 错由5上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 社姓保護膜之介電體層、AgOx之罩幕層及介電體層 =而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及丄 二、=膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之二為 。己.錄下的資訊於繞射界限以下再生。 刀解Θ
第30頁
1242199 修」 -----案號Q9in7nM 六、申請專利範圍 22.如申請專利範圍第15、10、17、18或19項所述之 利用反應擴散之記錄方法，其中上述記錄層及上述介電體 層係藉由同時成膜而形成，且為材料成混合狀態之混合結 構。 〜 2 3 · —種利用反應擴散之記錄媒體，其特徵在於： 利用由記錄層及介電體層之間的反應擴散所導致之光 常數的吸光係數變化而將資訊以相變化方式記錄於記錄媒 體。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項所述之利用反應擴散之言己 錄媒體，其中上述記錄層為稀土族過渡金屬。 2 5 ·如申請專利範圍第2 4項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 2 6 ·如申請專利範圍第2 3項所述之利用反應擴散之記 錄媒體，其中上述記錄層為稀土族金屬及過渡金屬之組成 物。 2 7 ·如申請專利範圍第2 3項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述反應擴散之溫度為490〜580 °C。 28.如申請專利範圍第23、24、25、26或27項所述之 利用反應擴散之記錄媒體，其中 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 作為保護膜之介電體層、Sl)之罩幕層及介電體層所成之錄 構’而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為保 護膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之結晶的參 化所記錄下的資訊於繞射界限以下再生。
η 1242199 案號 92107059 六、申請專利範圍 29.如中請專利範圍第23、24、25、26或2?項戶斤述之 利用反應擴散之記錄媒體，其中 、 藉由令上述介電體層形成為由上 ^ ^ ^ , 作為保護膜之介電體層、Ag〇x之罩^ σ 、亲θ依 :$ 結構，而將利用上述反應擴散；電體m 保護膜之介電體層之間的反摩n上己錄層及上边作為 ”俾πτ Μ次1认I 擴散和上述罩幕層之分解所 δ己錄下的負讯於繞射界限以下再生。 „田10·庙如Λ請專利範圍第23、24、25、26或27項所述之 ΐϋΐΐΐ記錄媒體’ ·中上述記錄層及上述介電體 層係錯由同時成臈而形& ’且為材料成混合狀態之混合結 構。 3 1 · —種利用反應擴散之記錄媒體，其特徵在於·· 在記錄層及介電體層之間的反應擴散時，使產生磁力 方疋轉方向之變化而將資訊以光磁性方式記錄於記錄媒體。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述記錄層及上述介電體層係藉由同時成膜 而形成，且為J才料成混合狀態之混合結構。 3 3 ·如申哨專利節圜第3 1項所述之利用反應擴散之記 錄媒體：其中上述二圍層第二 34 ·如申請專利範圍第3 3項所述之利用反應擴散之記 錄媒體，其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 3 5 ·如申請專利範圍第3 1項戶斤述之利用反應擴散之記 錄·媒體’其中上述記^層為稀土族金屬及過渡金屬之組成
11153pifl.ptc 第32頁 修正
1242199 〆: , ---^^-^92107059_9筝年〉 六、申請專利範圍 物0 36·如申請專利範圍第3丨、32、33、34或35項所述之 利用反應擴散之記錄媒體，豆中上述反應擴散之溫度為 40 0 〜49 0 °。。 ' ’、 3 7 · 一種利用反應擴散之記錄楳體，其特徵在於： 利用記錄層及介電體層之間反應擴散時，反應擴散部 刀政起成為凸狀之物理特性而將資訊§己錄於圮錄媒體。 3 8 ·如申請專利範圍第3 7項所述之利用反應擴散之記 錄媒體，其中上述記錄層為稀土族過渡金屬。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 40 ·如申請專利範圍第3 7項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述記錄層為稀土族金屬及過渡金屬之組成 物。 4 1 ·如申請專利範圍第3 7項所述之利用反應擴散之記 錄媒體’其中上述反應擴散之溫度為4〇〇〜490 °C。 4 2.如申請專利範圍第37、38、39、40或41項所述 利用反應擴散之記錄媒體，其中 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積 作為保護膜之介電體層、Sb之罩幕層及介電體層所成之姓 構’而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作、、° 護膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之結晶的2 化所記錄下的資訊於繞射界限以下再生。 9 、變
1242199 案號 92107059 贤年 曰 六、申請專利範圍 修正
43_如申請專利範圍第37、38、39、4〇或41項所述之 利用反應擴散之記錄媒體，其中 ' 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 作為保護膜之介電體層、Ag Ox之罩幕層及介電體層所成之 結構，而將利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為 保護膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之分解所 記錄下的資訊於繞射界限以下再生。 44·如申請專利範圍第37、38、39、40或41項所述之 利用^應擴散之記錄媒體，其中上述記錄層及上述介電體 層係藉由同時成膜而形成，且為材料成混合狀態之混合結 4 5 · —種利用反應擴散之記錄再生裝置，其特徵在 於： ^ 利用由記錄層及介電體層之間的反應擴散所導致之光 吊數的吸光係數變化而將資訊以相變化方式記錄於記錄媒 體，而再生該記錄媒體所記錄的資訊。 、 4 6 ·如申請專利範圍第4 5項所述之利用反應擴散之記 錄再生裝置’其中上述記錄層為稀土族過渡金屬。 4 7 ·如申請專利範圍第4 6項所述之利用反應擴散之記 錄再生裝置’其中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 4 8 ·如申請專利範圍第4 5項所述之利用反應擴散之記 錄再生裝置’其中上述記錄層為豨土族金屬及過渡金屬之 組成物。 …49 ·如申請專利範圍第4 5項所述之利用反應擴散之記
第34頁
錄再生裝置，其中上述反應 50·如由士主击w Θ^卜政之溫度為490〜5 80 X：。 1242199 ------EE 92107059 L」:l^ 修- 六、申請專利範圍 50.如申請專利範圍第45、4f度為490〜5 80 C。 利用，應擴散之記錄再生裝4，46:中47、48或49項所述之 藉由令上述介電體層形成為= 作為保護膜之介電體層、Sb之=述記錄層依序沉積f 構’ *將利用上述反應擴散時體層所成：： 護膜之介電體層之間的反應擴散和 化所記錄下的資訊於繞射界限罩幕層之結晶心 利用1庫如擴V1專利範圍第45、46、47，或49項所述之 j ^ =應擴散之記錄再生裝置，其中 作為ϊ ΐ i ΐ ϊ介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 結二電體層、AgQx之罩幕層及介電體層所成之 保護膜之八愛上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為 記錄下的:二體11間的反應擴散和上述罩幕層之分解所 的貝矾於繞射界限以下再生。 52·如申請專利範圍第45、46、47、48十>1〇适私、夕 禾用反應擴散之記錄再生裝置，豆中上5 八 電體層係藉由同時成膜而形成，1為材；述，: 合結構。 々何料成混合狀態之混 於：53. 一種利用反應擴散之記錄再生農置，其特徵在 在記錄層及介電體層之間的反應擴 此+1 、 旋轉方向之變化而將資訊以光磁性方式钵，產磁力 而再生該記錄媒體所記錄的資訊。^錄於記錄媒體，
11153pifl.ptc 第35頁 1242199 六、申請專利範
修正 54.如申請專利r阁第53項所述之利用反應擴散之記 錄再生裝置，甘~犯圍第5 d項尸.f八雷栌厣在拉ώ n砵 点眩而^ Ϊ其中上述記錄層及上述"電體層係藉由同犄 ,, 且為材料成混合狀®之此口、、、口稱 錄i 4 # 請專利範圍第53項所述之利用反應擴散之記 ，、SR置，其中上述記錄層為豨土族過渡金屬。 錄真·如申請專利範圍第5 5項所述之利用反應擴散之記 ^裝置1中上述稀土族過渡金屬為TbFeCo。 錄爯4 ·/申晴專利範圍第5 3項所述之利用反應擴散之記 έ: #札、置，其中上述記錄層為豨土族金屬及過渡金屬之 組成物。 58·如申請專利範圍第53、54、55、56或57項所述之 利用反應擴散之記錄再生裝置，其中上述反應擴散之溫度 為400 〜490 〇。。 59· —種利用反應擴散之記錄再生裝置，其特徵在 於· 八士利用記錄層及介電體層之間反應擴散時，反應擴散部 刀豉起成為凸狀之物理特性而將資訊記錄於記錄媒體，而 再生^記錄媒體所記錄的資訊。 6 0 ·如申請專利範圍述之利用反應擴散之記 錄再生裝詈，甘士， 61 ^ £ 八中上述記錄層為豨土族過渡金屬。 ^ ^ •如申請專-利範圍第6 0項所述之利用反應擴散之記 錄再6，裝f，<其中上述稀土族過渡金屬為TbFeC〇。 拉$ ^ ·如申請專利範圍第5 9項所述之利用反應擴散之記 、置’具中上述記錄層為豨土族金屬及過渡金屬之
第36頁 1242199 案號 92107059 / 年&月 曰__ 六、申請專利範圍 組成物。 6 3 .如申請專利範圍第5 9項所述之利用反應擴散之記 錄再生裝置，其中上述反應擴散之溫度為4 0 0〜4 9 0 °C。 6 4 ·如申請專利範圍第5 9、6 0、6 1、6 2或6 3項所述之 利用反應擴散之記錄再生裝置，其中 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 作為保護膜之介電體層、Sb之罩幕層及介電體層所成之結 構，利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為保護膜 之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之結晶的變化將 資訊記錄於記錄媒體，而將該記錄媒體所記錄下的資訊於 繞射界限以下再生。 65. 如申請專利範圍第59、60、61、62或63項所述之 利用反應擴散之記錄再生裝置，其中 藉由令上述介電體層形成為由上述記錄層依序沉積有 作為保護膜之介電體層、Ag Ox之罩幕層及介電體層所成之 結構，利用上述反應擴散時之上述記錄層及上述作為保護 膜之介電體層之間的反應擴散和上述罩幕層之分解將資訊 記錄於記錄媒體，而將該記錄媒體所記錄下的資訊於繞射 界限以下再生。 66. 如申請專利範圍第59、60、61、62或63項所述之 利用反應擴散之記錄再生裝置，其中上述記錄層及上述介 電體層係藉由同時成膜而形成，且為材料成混合狀態之混 合結構。
11153pifl.ptc 第37頁
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