JPH0349052A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光記録媒体の保護層に係り、特に記録、再生
、消去特性と（ｆ転性に優れる光記録媒体に関する。

〔従来の技術〕

近年、情報記録の高密度化、大容量化に封する要求が高
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
とくにレーザを光源として用いる光記録媒体（光ディス
ク）は、従来の磁気記録媒体に比べておよそ１０〜１０
０倍の記録密度を存し、しかも記録、再生−、ラドと記
録媒体とがｊト接触状態で情報の記録、再生ができるた
めに記録媒体の損傷も少なく、長寿命であるなどの特徴
があることから、膨大な情轢量を記録、再生する高密度
大容量の記録方式として有望である。

この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記型、書
換え型の３種類に大別することができる。

再生専用型は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディ
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書換えることが可能であ
り、コンピュータ用のデータファイルとしての利用が望
まれ、最も期待の大きいものである。

言換え型のディスクについては、光磁気方式と相変化方
式の２つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材料や書込み１ｆｌｌなどの点でなお改良
の余地が残されている。これらのうち、相変化方式は一
般にレーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レ
ーザ光のパルス出力とパルス幅とを制御することによっ
て生ずる記録材料の相変化すなわち結晶状態から非晶質
状態・＼の移行または相転移などを起こさせ、それぞれ
の状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行う
ものである。

このような光記録媒体の記録層には融点が低く、また熱
伝導度が低くて光の１収効率が良く、記録。

消去の容易なＴｅ系材料が使用される。　Ｔｅ系記録層
を有する光記録媒体は記録、消去の特性は良好ではある
が大気中の酸素、水分により記録層が酸化を受は透過率
が変化しＣ／Ｎ比が低下しやすい。

そこで従来はＳｌｏｗ等の無機物や有機材料を用いて保
護層が形成される。このような保護層は通常必要な保護
作用を得るために５００Å以上の厚さが必要とされる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながらこのような保護層を用いた光記録媒体にあ
っては保護層における光吸収があるためにアクセスタイ
ムが長くなり、記録、消去の特性が低下するという問題
があった。

この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的はＴｅ系
記録層と密着性が良いうえに所定波長で光吸収のない材
料を用いて保護層を形成することにより、記録、消去特
性と信転性に優れる光記録媒体を提供することにある。

（課題を解決するための手段〕 上述の目的はこの発明によれば基板上のＴｅ系記録層を
光照射して、その変化により情報の記録再生、消去を行
う光記録媒体において、Ｓｅを主成分とし、副成分とし
てＳｂ＋　Ａｇ＋　Ｓｎ＋　Ｐｂ。

Ｃｕのうち少なくとも１つを含む保護層１５を備えるこ
とにより達成される。　Ｐｂ、　ＣｕはＳｓの光特性を
…なわない範囲で添加される。

〔作用〕

５ｇを主成分とする保ｍＮは半導体レーザの波長領域に
おいて光吸収を生じない、Ｐｂ等を添加すると結晶粒径
が小さくなり、保護作用が大きくなる。

〔実施例〕

次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図はこの発明の実施例に係る光記録媒体ヲ示す断面図で
ある。基板７の上に保護層１５．記１ｊＮｉ６．保護層
１５が順次積層され、媒体軸１６を介して対称に配置さ
れる。８はスペーサである。基板７はガラスまたはポリ
メチルメタクリレートが用いられる。このような光記録
媒体は第２図、第３図を参照して次のようにして調製さ
れる。第２図は蒸発源１１となる主成分であるＳｅや副
成分をヒータ１２の加熱により蒸発させ分子線１４を発
生させるクヌーセンセルの断面図である。クヌーセンセ
ルには熱干渉を防ぐ液体窒素１３が備えられる。第３図
は記録層や保護層の蒸着装置を示す配置図である。基板
７は真空容器２２内の支持体２１にセットされる。排気
装置２３により排気して真空度を１Ｏ−７ｔｏｒｒ以下
にしてクヌーセンセル２５より所要の材料を蒸発させる
。２４はシャッタである０Ｍ厚は水晶振動子を用いて測
定することができる。ｖＮ着は複数個のクヌーセンセル
を用いて同時にまたは連続して行う、シャッタ２４の開
閉により蒸着開始、終了時の材料の混濁を最小にする。

記録層はＴｅにＧｏを１原子％、　Ｓｅを４原子％添加
して２００人厚に調製した。保護層としては純５ｌｌ（
７）ものとＳｓにｐｂを１４５原子％添加したものとを
調製した。第４図、第５図に光記録媒体を温度５０〜７
０℃、温度８０〜９５％の空気中に放置したときの放置
時間（ｄ）と半導体レーザ光（７８０ｎｓ）の結晶質記
録層１平方ミクロンあたりの光透過率（χ）との関係が
示される。第４・図は純Ｓｅの保護層を含むときの特性
、第５図はＰｂを添加したＳｅ保護層を含む場合の特性
である。第４図中、曲＆Ｉ３１は保護層がない場合１曲
ｉ３２，３３．３４はそれぞれ純Ｓｓの保護層を５人厚
、１０人厚、３０人より大なる厚さに備える光記録媒体
の特性である。第５図中、曲ＮｉＡ３５は保護層を有し
ない場合１曲！３６．３７．３８はそれぞれｐｂを添加
したＳｅの保護層を５人厚、１０人厚、　３０人より大
なる厚さに備える媒体の特性である。第４図、第５図に
おいて放置時間と共に光透過率が増すのはＴｏの酸化が
おこっていることを示す、保護層によって記録層の酸化
が少なくなること、純Ｓ８よりもｐｂを添加したＳｅの
方が保護作用が大°きいこと、保護層の厚さが増大する
につれて保護作用が大きくなることなどがわかる。保護
層がない光記録媒体のアクセスタイムはほぼ１０−”〜
１０−’ｓｅｃの範囲にあるが、本発明の保護層を有す
る光記録媒体のアクセスタイムは従来のものと大差ない
こともわかった。これは保護層の光吸収作用が小さいの
でレーザ光のエネルギを記録層の加熱に有効に利用でき
るからである。　Ｓｅにｐｂを添加すると保護作用が太
き（なるのは、ｐｂの添加により結晶粒径が小さ°くな
りクラックの発生が少なくなるなどの理由によるものと
考えられる。またこの結晶粒径が小さいために媒体の表
面平滑性が良くなり、媒体のＣＺＮ比が改善される効果
も得られる。添加元素はｐｂの他Ｓｂ、　Ａｇ、　Ｓｎ
、　ＣｕにおいてもＰｂの場合と同様な効果が得られる
。

〔発明の効果〕

この発明によれば 基板上のＴｅ系記録層を光照射して、その変化により情
報の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、 Ｓｅを主成分とし、Ｓｂ、　Ａｇ、　Ｓｎ、　Ｐｂ、　
Ｃｕのうち少なくとも１つを含む保護層を備えるのでＳ
Ｏの〜［化性と添加元素の結晶粒微細化作用とによりＴ
ｅ系記録層に対する保護作用が得られ、Ｓｅ系金属のレ
ーザ光に対する透過性によりＴｅ系記録層の記録。

消去のアクセスタイムを短くでき、特性と信頼性に優れ
る光記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る光記録媒体を示す断面
図、第２図はこの発明の実施例に係る媒体の製造に使用
されるクヌーセンセルを示す断面図、第３図はこの発明
の実施例に係る媒体の製造に使用される蒸着装置を示す
配置図、第４図は純Ｓｅ保護層を用いる媒体の耐久性能
を示す線図、第５図はｐｂを添加したＳｓ保護層を用い
る媒体の耐久性能を示す線図である。 ６：記録層、７：基板、１５：保護層。 ７日基→王３し １５邑ｕｔ、ｉ　１６任体軸　ゝ６記ら１，１第１図 ２′３ 第３図 べｊｉ′呼闇（ｄ） 第２図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）基板上のＴｅ系記録層を光照射して、その変化によ
   り情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、 Ｓｅを主成分とし、副成分としてＳｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐ
   ｂ、Ｃｕのうち少なくとも１つを含む保護層を備えるこ
   とを特徴とする光記録媒体。