CN1650676A - 产生远紫外辐射的方法 - Google Patents

产生远紫外辐射的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1650676A
CN1650676A CNA038096706A CN03809670A CN1650676A CN 1650676 A CN1650676 A CN 1650676A CN A038096706 A CNA038096706 A CN A038096706A CN 03809670 A CN03809670 A CN 03809670A CN 1650676 A CN1650676 A CN 1650676A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma
halide
lithium
radiation
euv
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA038096706A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100342759C (zh
Inventor
G·H·德拉
U·尼曼恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips Electronics NV
Publication of CN1650676A publication Critical patent/CN1650676A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100342759C publication Critical patent/CN100342759C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/12—Selection of substances for gas fillings; Specified operating pressure or temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
    • H01J61/02—Details
    • H01J61/24—Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J61/28—Means for producing, introducing, or replenishing gas or vapour during operation of the lamp
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
    • H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Discharge Lamp (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

一种产生远紫外辐射的方法，其中辐射介质是对基本材料进行处理产生的等离子体，辐射介质的基本材料配置包括金属锂(Li)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲(Te)、铝(Al)的卤化物中至少一种，和/或卤素，和/或惰性气体，以锂(Li)和氯(Cl)以及锂和氟(F)为基础的卤化物除外。

Description

产生远紫外辐射的方法
本发明涉及一种产生远紫外辐射的方法，其中的辐射介质是根据基本材料的配置而产生的等离子体。
这种方法早已问世。例如，在制造半导体的光刻投影中就使用这种方法。对于光刻投影今后的换代产品来说，需要使用远紫外区大约5～50nm波长的短波辐射加强光源，远紫外区在下文中称作EUV。确切地说，由于可以使用有效的多层反射器，最有希望的设想是采用13.5nm范围内的一个非常狭窄的波段。一般来说，目的在于获得用于光刻的EUV光源，该光源在50W到100W范围内，具有较高的、全面的有效EUV输出。在进入光学照明系统时就可以得到这种输出，而且这是为了满足光刻方法的生产能力条件所必不可少的。
为了能够满足这些极高的要求，该系统需要具有很高的整体效率。就光源而论，最重要的因素是辐射源体积的紧密度，以及电功率输入到EUV辐射的高转化效率。
能够实现上述目的的各种思路一般都很熟悉：同步辐射X射线源，激光产生等离子体(在下文中称作LPP)，以及放电源。
同步辐射X射线源有一些缺点。如果要把这种射线源用在半导体制造过程中，这些缺点是无法接受的。这些缺点包括极为昂贵的造价，以及射线源及其周围相关设备所需占有的庞大空间地位。
用于EUV范围的激光产生等离子体源采用高功率激光束，激光束聚焦在气态、液态或固态靶上，产生可以发出EUV辐射的热等离子体。
目前一般建议采用的系统，其最重要的缺点是由等离子区发射出的以离子、原子或颗粒形式而形成的大量杂质。
这一缺点可能会使收集EUV辐射的光学系统迅速损坏。对于固态靶来说，这是十分关键的问题。在液态或气态靶的情况下，也是很严重的，液态和气态靶通常是由一种特殊类型的喷嘴发出的。最经常和LPP一起使用的氧和Xe靶所引起的问题是输入电功率转化为可用的EUV输出功率的效率只能达到大约0.25％，效率很低。
要达到必要的EUV水平，必须有脉冲频率大于1kHz的许多千瓦的激光束输出。目前还无法得到这样的激光系统，即使能得到，也是引人注目的研制成果，将会非常昂贵。
最后，放电源通过一个电力驱动的放射等离子体，来产生EUV辐射。目前正在讨论的各种设想，例如，有毛细管放电，z箍缩放电(z-pinchdischarge)，以及DE 19922566中公布的空心阴极触发放电。
放电源的主要优点是体积小，成本比较低，并且储存的电能可以直接转化，形成可以产生EUV的热等离子体。
在大部分LPP和放电EUV源中，都用Xe作辐射介质。尽管与其他辐射气体相比，Xe的转化效率比较高，但Xe源的绝对转化效率最多只有约0.5％。考虑到用来收集光与投射光的光学系统内大量EUV的光损耗，以及薄片级别所必需的EUV强度，放电源必须以很小的辐射体积提供大约100W EUV功率。用上述转化效率除以必需的功率，得出所有Xe源所必需的输入功率至少为20kW，该功率必须通过激光或放电提供。这样就引起了严重的技术问题。
如果在等离子体形成过程中能够使用效率很高的辐射体，则由激光系统或电极放电系统实现的条件能够显著减轻。
有些作者提出用锂金属蒸气作为高效EUV辐射体，例如，Partlo等人在美国专利6,064,072、6,051,841、5,763,930中，Silfvast等人在美国专利6,031,241、5,963,616、5,499,282及WO 99/34395中都提出这一方法。同样，锡也被提出作为激光发生等离子体源的有效EUV辐射体，例如，由T.Tomie等人于2000年10月在旧金山的第二届国际Sematec EUV光刻专题研讨会上提出。
按照上述现有技术，只有锂或锡的金属蒸气被用作辐射介质。然而，已经知道，锂蒸发要求放电系统具有很高的温度。锡蒸发需要的温度甚至更高，在可能采用的气体放电源中不可能轻易达到这样高的温度。金属蒸气不仅存在于等离子体体积中，而且存在于放电源至少部分的内部元件体积中。如果与金属蒸气接触的放电源内部元件不够热，金属就会凝结。很可能这样就会迅速导致系统错误。即使能够防止凝结，也可能出现其他关于金属热蒸气引起内部元件腐蚀的严重问题，这是普遍认为特别在锂蒸气的情况下存在的问题。
因此，本发明的目的是提供篇首段落中谈到的方法，能够利用简单的技术装置，制备用于产生EUV的可靠的等离子体，并能避免现有技术的缺点。
在篇首段落所谈到的方法中，按照本发明，实现这一目的辐射介质的基本材料配置包括金属锂(Li)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)，碲(Te)，铝(Al)等金属的至少一种卤化物，和/或卤素，和/或惰性气体，但以锂(Li)和氯Cl)以及锂和氟(F)为基础的卤化物除外。采用上述介质，通过等离子体产生EUV，有一个重大优点，即可以在大大低于采用纯金属蒸气所需的温度下，产生预定的蒸气压，这就使必需的功率显著降低。但是，如果必须在特定温度下生成等离子体，也可以借助于本发明提出的介质，在明显提高的蒸气压下完成。
按照本发明的一个更为有利的实施方案，可以产生大约5～50nm范围的EUV辐射。从而确保完成光刻所必需的波长。
此外，可以便利地以相对于大约116,000K的至少10eV的电子温度产生等离子体。从而实现EUV范围内的有效辐射。
按照本发明的一个更为有利的实施方案，在基础材料配置中至少添加一种惰性气体。
为了进一步增加温度优势，在基础材料配置中还可以至少再添加一种被称为“蒸发器”的卤化物。
如果上述添加的卤化物是以金属为基础的卤化物，就更为有利了。
为了进一步减少等离子体生成组件的凝结或腐蚀的危险，还可以在基础材料配置中至少添加一种纯卤素，其用量可以使这种卤素达到过饱和状态，这样做也是有利的。
为了达到光刻照明以及投影光学系统的高光学效率，本发明还提出远紫外主要辐射的辐射体积小于30mm3。
此外，按照本发明的一个实施方案，远紫外辐射发出的波长范围是10～15nm。
这一点对采用了Mo-Si多层反射镜的较新型的光刻方法尤其有利。此外，用来产生可以发出EUV辐射的等离子体体积的装置是在两个电极之间进行放电的设备。
按照本发明，用来产生可以发出EUV辐射的等离子体体积的装置还可能至少是一个激光束。
如果金属卤化物、碘或别的金属卤化物的平均压力在大约1～1000Pa范围内，则特别有利。
如果在基础材料配置中包括至少一种液相形式的金属卤化物，例如呈水滴状或水流状，则更容易生成等离子体。
此外，按照另一个实施方案，如果基础材料配置包括在气流中输送的固态金属卤化物颗粒，则更为有利。
如果基础材料配置中至少有一部分呈气态，则可大大扩展适用范围。
此外，可以方便地以脉冲方式产生等离子体，但是也可以按连续工作方式产生等离子体。
另外，等离子体还可以通过空心阴极触发放电产生。
按照本发明的另一个实施方案，等离子体可以通过箍缩放电形成。
WO 01/99143A1公开了以锂和氯以及锂和氟为基础的卤化物的形成情况。然而，这些卤化物的蒸气压明显劣于纯锂的蒸气压，见图1所示。
参考下文所描述的(各种)实施方案，本发明的这些特性及其他情况就可以明确起来，并将得到进一步阐述。
在附图中：
图1表示金属锂和锂的卤化物的蒸气压随温度的变化。
图2表示金属锡和锡的卤化物的蒸气压对温度的曲线。
图3表示可以发出EUV的各种卤化物和纯碘的蒸气压对温度的曲线。
图4表示在溴化锂和碘化铝具有相同克分子量的混合物的情况下，气相成分与蒸气压的关系曲线的示例。
图5表示在碘化锂和碘化铝具有相同克分子量的混合物的情况下，气相成分与蒸气压的关系曲线的示例。
在下文中，参考图1～5，给出了各种示例的说明。其中特别是，合成气相的化学平衡可以产生引人注目的新的可能性，与金属锂或金属锡蒸气有关的问题从而可以显著减少，虽然还不能完全解决。还提出了新的可能采用的EUV辐射体，这些辐射体以锂、锡或其他化合物为基础，或者也可以用纯元素为基础。
正如上文已部分提及，本发明的目的在于提供：
采用锂(Li)作为EUV源中辐射体的新方法；
采用锡(Sn)作为EUV源中辐射体的新方法；
采用锂(Li)和锡(Sn)作为EUV源中辐射体的新方法，其温度低于纯金属化合物所需的温度；
采用锂(Li)和锡(Sn)作为EUV源中辐射体的新方法，与采用纯金属相比，可以减小腐蚀的危险；
采用元素周期表第五族元素中其他元素作为有效EUV辐射体的新方法。
这些目的通过提供特别是带有锂(Li)和锡(Sn)的放电源来实现，锂(Li)和锡(Sn)不是采用纯金属蒸气的形式，而是采用各种锂和不同的卤化物的形式，不管是否还有其他现存的金属卤化物在一起。
首先考虑单独的锂和锡的卤化物的蒸气压。如图1和图2所示，锂和锡的卤化物的蒸气压可大大高于纯金属的蒸气压。在图1中所示的锂的情况下，举例来说，碘化锂可用作辐射介质，碘化锂作为单体(LiJ)-二聚物(Li2J2)平衡存在于气相。含锂成分的总压力约为10-4～10-3巴，是通过气体放电电池产生EUV的标准压力范围，可以在比纯金属蒸发所必需的温度低约90K的温度下获得。在特定的温度下，含锂成分的总压力比纯金属在相应温度时的蒸气压高一个数量级。
图1所示的卤化物有Li2J2、Li1J1、Li2Br2、Li1Br1，与纯金属锂进行对比。如图1所示，碘化锂的二聚物，即Li2J2，是最有利的。但是以锂和氯或锂和氟为基础的卤化物的蒸气压明显劣于纯锂的蒸气压。
关于图2所示采用锡的情况，举例来说，采用氯化锡(SnCl2)或溴化锡(SnBr2)在大约550K～600K的温度下的蒸气压可以达到10-4～10-3巴。四价锡卤化物，例如SnCl4、SnBr4、SnJ4，甚至可以在低于400K的温度下达到这一蒸气压。此温度大大低于纯金属蒸发所必需的温度。在特定温度下，图2中所示大约900K时，SnCl2或SnBr2的蒸气压比纯金属锡的蒸气压高10个数量级。
图2表示卤化物氟化锡(SnF2)、氯化锡(SnCl2和SnCl4)、溴化锡(SnBr2和SnBr4)以及碘化锡(SnJ2和SnJ4)与纯金属锡的对比。
正如图3中所示，除了已知用作EUV辐射体的卤素或锂和锡的卤化物之外，还有其他卤化物也可用作有效的EUV辐射体。特别是元素铟(In)、锑(Sb)、碲(Te)都显示出在EUV范围的辐射波带。这些元素也都有具有高蒸气压的卤化物，可以在放电体积中简单地产生足够大数量的蒸发。为了使可以发出EUV的等离子体蒸发足够的金属卤化物所必需的温度范围为300K～600K。
除所述金属卤化物之外，单质碘(J)也可用作EUV辐射体。碘的蒸气压即使在室温时也很高(参照图1)。因此，纯卤素也引人注目地可以用作辐射体。
图3所示的卤化物是溴化锑(SbBr3)、碘化碲(Te2J2)、碘化锑(SbJ3)、溴化碲(TeBr4)、溴化铟(InBr，InBr3，InBr6)、碘化铟(InJ)，并与纯碘进行对比，在此处纯碘为J2。
除了纯金属卤化物，也可以采用金属卤化物的混合物。令人意外地发现，采用金属卤化物的混合物可以进一步改进锂或锡的有效压力，达到的数值甚至超过了仅用一种卤化物或用纯卤化物所能达到的压力。这一作用可以认为是在气相中由于所谓的“杂络物”  的形成而造成的。
图4表示溴化锂和碘化锡的混合物的示例，溴化锂和碘化锡具有相同克分子量，采用已知的计算化学平衡的方法。图4详细展示了两种卤化物对比下合成气相的复合成分。就EUV放电源来说，最有实质性的的曲线是那些与含锂或含锡的化学成分有关的曲线。
正如箭头所示，与图1相比，在10-4巴蒸气压下将含锂物质转化为气相所需的温度从800K降低到670K，这一点可以认为是复合物碘化锡锂(LiSnJ3)的形成而造成的。换句话说，含锂成分的有效压力被改进或增加了不止两个数量级。
关于提高含锂成分的有效压力的一个更有效的实例示于图5。可以用碘化铝(AlJ3)替代碘化锡(SnJ2)作为所谓的“蒸发器”，来建立锂的高气相复合压力。如图5中箭头所示，与图1对比，通过碘化铝锂复合物(LiAlJ4)气相的形成，使气相中含锂成分的蒸气压达到10-4巴所必需的温度从800K降到380K。和纯碘化锂相比，锂的蒸气压改善了几个数量级，其原因在于形成了带有铝的气相复合物。
本发明并不局限于上述两个示例。也可以采用其他克分子配比的卤化物，并且得到很好的效果。此外，含锂或锡的金属卤化物的选择，以及“可蒸发的”金属卤化物的选择，比如锡卤化物或铝卤化物，并不局限于上文给出的金属卤化物示例。全部金属卤化物及其组合，包括“蒸发器”卤化物，例如镓、铟、铊等，都可能充分增加用来产生EUV辐射的等离子体体积中含锂或含锡成分的压力。
已经知道，用于产生EUV的等离子体内部的高温可能使微小颗粒，比如金属卤化物，分解为其基本成分。在离开等离子区后，上述各种成分可以重新结合，成为其初始的金属卤化物形式。这种情况可能出现在气体体积中或器件的壁上，例如出现在电气放电的电极上。但是，在很多情况下，工作压力是很低的。例如，原子和微粒的平均自由路径可能比放电源系统的尺寸大。因此，初始金属卤化物成分的重新结合可能进行得不完全。这样可能导致在靠近等离子区的地方，例如电气放电装置的电极，形成金属成分的分层或薄膜。
通过系统中卤素的过饱和可以防止出现这种问题。添加的卤素使金属和卤素重新结合的可能性增加，从而通过形成暂时的金属卤化物，除去金属成分。用这种方式，可以防止出现不希望有的金属卤化物成分的污染层。此外，还可以增加等离子区金属卤化物的有效浓度。
在以等离子体为基础而产生EUV辐射的原理及操作方面，采用上述成分，可以有以下优点：
蒸发辐射成分所必需的温度大大降低，相当于辐射成分的压力或密度显著增加。这样就使关于产生和保持金属热蒸气的技术问题显著减少。
可以大大降低为了防止出现不希望有的金属蒸气的凝结所必需的温度等级。使放电源的设计在技术上更简化，并且放电源材料上的热负载更小。
由于可以降低温度等级，可以避免由腐蚀性金属蒸气所造成的腐蚀问题。因此可以显著减小放电源失效的危险。
辐射成分的压力增加或密度增加都可以提高EUV的产生效率。

Claims (19)

1、一种产生远紫外辐射的方法，其中辐射介质是根据基本材料配置产生的等离子体，其特征在于辐射介质的基本材料配置包括金属锂(Li)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)、碲(Te)、铝(Al)的卤化物中的至少一种，和/或卤素，和/或惰性气体，以锂(Li)和氯(Cl)以及锂和氟(F)为基础的卤化物除外。
2、权利要求1的方法，其特征在于远紫外辐射在大约5nm～50nm范围内产生。
3、权利要求1或权利要求2的方法，其特征在于产生了一个电子温度至少为10eV的等离子体。
4、权利要求1到权利要求3中的任意一种方法，其特征在于在基本材料配置中至少添加一种惰性气体。
5、权利要求1到权利要求4中的任意一种方法，其特征在于在基本材料配置中至少再添加一种被称为“蒸发器”的卤化物。
6、权利要求1到权利要求5中的任意一种方法，其特征在于所述再添加的卤化物是以金属为基的卤化物。
7、权利要求1到权利要求6中的任意一种方法，其特征在于在基本材料配置中至少添加一种纯卤素，其数量足以使之达到过饱和状态。
8、权利要求1到权利要求7中的任意一种方法，其特征在于远紫外辐射的主要辐射体积低于30mm3。
9、权利要求1到权利要求8中的任意一种方法，其特征在于远紫外辐射在10～15nm波长范围内发出。
10、权利要求1到权利要求9中的任意一种方法，其特征在于产生用来发出EUV辐射的等离子体体积的装置是在两个电极之间进行放电的设备。
11、权利要求1到权利要求10中的任意一种方法，其特征在于产生用来发出EUV辐射的等离子体体积的装置是至少一个激光束。
12、权利要求1到权利要求11中的任意一种方法，其特征在于金属卤化物、碘或别的金属卤化物的平均压力在大约1～1000Pa的范围内。
13、权利要求1到权利要求12中的任意一种方法，其特征在于基本材料配置至少包含一种液态金属卤化物，呈水滴状或水流状。
14、权利要求1到权利要求13中的任意一种方法，其特征在于基本材料配置包含在气流中输送的固态和/或液态金属卤化物颗粒。
15、权利要求1到权利要求14中的任意一种方法，其特征在于基本材料配置至少部分是气体。
16、权利要求1到权利要求15中的任意一种方法，其特征在于等离子体以脉冲方式产生。
17、权利要求1到权利要求15中的任意一种方法，其特征在于等离子体以连续工作方式产生。
18、权利要求1到权利要求15中的任意一种方法，其特征在于等离子体通过空心阴极触发放电产生。
19、权利要求1到权利要求18中的任意一种方法，其特征在于等离子体通过箍缩放电形成。
CNB038096706A 2002-04-30 2003-04-22 产生远紫外辐射的方法 Expired - Lifetime CN100342759C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10219173A DE10219173A1 (de) 2002-04-30 2002-04-30 Verfahren zur Erzeugung von Extrem-Ultraviolett-Strahlung
DE10219173.5 2002-04-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1650676A true CN1650676A (zh) 2005-08-03
CN100342759C CN100342759C (zh) 2007-10-10

Family

ID=29264908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB038096706A Expired - Lifetime CN100342759C (zh) 2002-04-30 2003-04-22 产生远紫外辐射的方法

Country Status (10)

Country Link
US (1) US7385211B2 (zh)
EP (1) EP1502485B1 (zh)
JP (1) JP4657709B2 (zh)
KR (1) KR101068677B1 (zh)
CN (1) CN100342759C (zh)
AT (1) ATE532390T1 (zh)
AU (1) AU2003216694A1 (zh)
DE (1) DE10219173A1 (zh)
TW (1) TWI304306B (zh)
WO (1) WO2003094581A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102106190A (zh) * 2008-07-07 2011-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括耐蚀材料的极端紫外辐射产生设备
CN102714911A (zh) * 2010-01-07 2012-10-03 Asml荷兰有限公司 Euv辐射源和光刻设备
CN101513135B (zh) * 2006-09-06 2013-03-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有输送带电极的euv等离子体放电灯
CN101444148B (zh) * 2006-05-16 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 提高euv和/或软x射线灯的转换效率的方法及相应装置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7465946B2 (en) * 2004-03-10 2008-12-16 Cymer, Inc. Alternative fuels for EUV light source
TWI275325B (en) * 2003-03-08 2007-03-01 Cymer Inc Discharge produced plasma EUV light source
EP1775756B1 (en) * 2004-06-24 2011-09-21 Nikon Corporation Euv light source, euv exposure equipment and semiconductor device manufacturing method
JP4337648B2 (ja) * 2004-06-24 2009-09-30 株式会社ニコン Ｅｕｖ光源、ｅｕｖ露光装置、及び半導体デバイスの製造方法
CN101065999B (zh) * 2004-11-29 2011-04-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于产生波长范围从大约1nm至大约30nm的辐射并在光刻装置或计量学中使用的方法和设备
DE102005007884A1 (de) 2005-02-15 2006-08-24 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter (EUV-) Strahlung
JP5176037B2 (ja) * 2005-05-30 2013-04-03 国立大学法人大阪大学 極端紫外光源用ターゲット
DE102005030304B4 (de) 2005-06-27 2008-06-26 Xtreme Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung
US7141806B1 (en) * 2005-06-27 2006-11-28 Cymer, Inc. EUV light source collector erosion mitigation
DE102005041567B4 (de) 2005-08-30 2009-03-05 Xtreme Technologies Gmbh EUV-Strahlungsquelle mit hoher Strahlungsleistung auf Basis einer Gasentladung
WO2008120171A2 (en) * 2007-04-03 2008-10-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Discharge lamp comprising a low stability halogen donor material
US8493548B2 (en) * 2007-08-06 2013-07-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2161725B1 (en) * 2008-09-04 2015-07-08 ASML Netherlands B.V. Radiation source and related method
DE102009020776B4 (de) 2009-05-08 2011-07-28 XTREME technologies GmbH, 37077 Anordnung zur kontinuierlichen Erzeugung von flüssigem Zinn als Emittermaterial in EUV-Strahlungsquellen
KR102306612B1 (ko) 2014-01-31 2021-09-29 램 리써치 코포레이션 진공-통합된 하드마스크 프로세스 및 장치
GB201609447D0 (en) * 2016-05-27 2016-07-13 Hanovia Ltd Mercury-free gas discharge lamp
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
JP2022507368A (ja) 2018-11-14 2022-01-18 ラム リサーチ コーポレーション 次世代リソグラフィにおいて有用なハードマスクを作製する方法
WO2021146138A1 (en) 2020-01-15 2021-07-22 Lam Research Corporation Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction
WO2023135322A1 (en) * 2022-01-17 2023-07-20 Isteq B.V. Target material, high-brightness euv source and method for generating euv radiation

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366836A (ja) * 1986-09-06 1988-03-25 Yoshiaki Arata 大出力軟ｘ線連続発生方法
JPH02230601A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Toshiba Corp 高効率真空紫外光源装置
US5499282A (en) * 1994-05-02 1996-03-12 University Of Central Florida Efficient narrow spectral width soft-X-ray discharge sources
US6031241A (en) 1997-03-11 2000-02-29 University Of Central Florida Capillary discharge extreme ultraviolet lamp source for EUV microlithography and other related applications
US5963616A (en) * 1997-03-11 1999-10-05 University Of Central Florida Configurations, materials and wavelengths for EUV lithium plasma discharge lamps
US6566668B2 (en) * 1997-05-12 2003-05-20 Cymer, Inc. Plasma focus light source with tandem ellipsoidal mirror units
US5763930A (en) * 1997-05-12 1998-06-09 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6586757B2 (en) * 1997-05-12 2003-07-01 Cymer, Inc. Plasma focus light source with active and buffer gas control
US6064072A (en) * 1997-05-12 2000-05-16 Cymer, Inc. Plasma focus high energy photon source
US6180952B1 (en) * 1998-04-03 2001-01-30 Advanced Energy Systems, Inc. Holder assembly system and method in an emitted energy system for photolithography
JP2000091096A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp Ｘ線発生装置
DE19922566B4 (de) 1998-12-16 2004-11-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erzeugung von Ultraviolettstrahlung
JP3317957B2 (ja) * 1999-03-15 2002-08-26 サイマー インコーポレイテッド ブラストシールドを備えるプラズマフォーカス高エネルギフォトン源
US6190835B1 (en) * 1999-05-06 2001-02-20 Advanced Energy Systems, Inc. System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process
FR2801113B1 (fr) * 1999-11-15 2003-05-09 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention et source de rayonnement extreme ultra violet, application en lithographie
DE10056623B4 (de) * 1999-11-19 2015-08-20 Panalytical B.V. Röntgenröhre mit einer Seltenerdanode
US7180081B2 (en) 2000-06-09 2007-02-20 Cymer, Inc. Discharge produced plasma EUV light source
JP2002020745A (ja) * 2000-07-13 2002-01-23 Nec Kansai Ltd 弗化物蛍光体及びこれを使用した蛍光ランプ
DE10205189B4 (de) * 2002-02-06 2012-06-28 Xtreme Technologies Gmbh Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas
DE10260458B3 (de) * 2002-12-19 2004-07-22 Xtreme Technologies Gmbh Strahlungsquelle mit hoher durchschnittlicher EUV-Strahlungsleistung
AU2003303542A1 (en) * 2003-01-02 2004-07-29 Jmar Research Inc. Method and apparatus for generating a membrane target for laser produced plasma

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101444148B (zh) * 2006-05-16 2013-03-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 提高euv和/或软x射线灯的转换效率的方法及相应装置
CN101513135B (zh) * 2006-09-06 2013-03-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有输送带电极的euv等离子体放电灯
CN102106190A (zh) * 2008-07-07 2011-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括耐蚀材料的极端紫外辐射产生设备
CN102106190B (zh) * 2008-07-07 2017-07-28 皇家飞利浦有限公司 包括耐蚀材料的极端紫外辐射产生设备
CN102714911A (zh) * 2010-01-07 2012-10-03 Asml荷兰有限公司 Euv辐射源和光刻设备

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003216694A1 (en) 2003-11-17
US20050167617A1 (en) 2005-08-04
EP1502485B1 (en) 2011-11-02
EP1502485A1 (en) 2005-02-02
US7385211B2 (en) 2008-06-10
DE10219173A1 (de) 2003-11-20
WO2003094581A1 (en) 2003-11-13
KR20040101571A (ko) 2004-12-02
CN100342759C (zh) 2007-10-10
JP2005524943A (ja) 2005-08-18
TW200404483A (en) 2004-03-16
JP4657709B2 (ja) 2011-03-23
TWI304306B (en) 2008-12-11
ATE532390T1 (de) 2011-11-15
KR101068677B1 (ko) 2011-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100342759C (zh) 产生远紫外辐射的方法
O'Sullivan et al. Tunable narrowband soft x-ray source for projection lithography
CN1771072A (zh) 用于euv光源的集光器
JPH027353A (ja) 高出力放射器
CN1670901A (zh) 高压放电灯照明装置
JP2005524943A5 (zh)
CN1061170C (zh) 用于摄影照明的金属卤化物放电灯
JP2011505668A (ja) レーザ加熱放電プラズマｅｕｖ光源
JP3654929B2 (ja) 高圧放電ランプ
CN1086510C (zh) 金属卤化物灯
EP0342762B1 (en) High-pressure metal halide discharge lamp
JP3447293B2 (ja) 光学系内に組込むためのメタルハライド高圧放電ランプ
Nagai et al. Nanoporous and low-density materials for laser produced extreme UV light source
JP2008519412A (ja) 向上されたルーメン維持を有する石英メタルハライドランプ
JP6929305B2 (ja) 無水銀ｕｖガス放電ランプ
CN1392588A (zh) 无水银填充气的低压气体放电灯
Cummings et al. Variable composition laser-produced Sn plasmas—a study of their time-independent ion distributions
JP4890809B2 (ja) メタルハライドランプ、メタルハライドランプ点灯装置および前照灯
JP3016061U (ja) 高圧水銀ランプ
JP3228090B2 (ja) 誘電体バリア放電ランプ
CN1717771A (zh) 具有包括限定氯含量的氯化汞的高压放电灯
JPH0750151A (ja) エキシマ放電ランプ
Hilbig et al. Molecular discharges as light sources
JPH0684498A (ja) 紫外線照射用低圧水銀蒸気放電灯
Yonezawa et al. Super-High-Power High Pressure Sodium Lamp

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Holland Ian Deho Finn

Patentee after: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: Koninklijke Philips Electronics N.V.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190806

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: USHIO DENKI Kabushiki Kaisha

Address before: Holland Ian Deho Finn

Patentee before: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20071010