JPH02230601A - 高効率真空紫外光源装置 - Google Patents
高効率真空紫外光源装置Info
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- JPH02230601A JPH02230601A JP4993189A JP4993189A JPH02230601A JP H02230601 A JPH02230601 A JP H02230601A JP 4993189 A JP4993189 A JP 4993189A JP 4993189 A JP4993189 A JP 4993189A JP H02230601 A JPH02230601 A JP H02230601A
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Landscapes
- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の11的1
(産業−1二の利用分〒f)
本発明は、放電からの1il射光を利用し・た高効率真
空紫外光III装置に関する。
空紫外光III装置に関する。
(従来の技術》
取汲い十、貞空雰囲気を必要と1るいわゆる真空紫外光
を得るための、例えば、波良180nm以下のム1空紫
外光源装lとしては、従来から用いられているものにパ
イ型lll電管ど叶ばれるものがある。第9図に代表的
’Ci fiM造例を示づ。以下に、この構造と動作に
ついて説明する。
を得るための、例えば、波良180nm以下のム1空紫
外光源装lとしては、従来から用いられているものにパ
イ型lll電管ど叶ばれるものがある。第9図に代表的
’Ci fiM造例を示づ。以下に、この構造と動作に
ついて説明する。
π(パイ)字形状の放電管1には雷I4i13.14が
設けられている。また、一般的に封入ガスは、希ガス、
水素あるいは重水素ぐある。放電管1の他喘から−1−
分に排気された後、ガスGが封入される。M電管1の外
側は水Wの流れる冷7JI n 2 5で冷却されてい
る。直流電源11から蓄積mlンfンサ9を充電しスイ
ッチ10により電極13.14にパルスM圧を印加しバ
ルスtllMを起こし、放電から允牛した紫外線(真空
紫外光)を放射窓4から取り出す。
設けられている。また、一般的に封入ガスは、希ガス、
水素あるいは重水素ぐある。放電管1の他喘から−1−
分に排気された後、ガスGが封入される。M電管1の外
側は水Wの流れる冷7JI n 2 5で冷却されてい
る。直流電源11から蓄積mlンfンサ9を充電しスイ
ッチ10により電極13.14にパルスM圧を印加しバ
ルスtllMを起こし、放電から允牛した紫外線(真空
紫外光)を放射窓4から取り出す。
(発明が解決しようとする課題)
このような従来装置において、高出力の紫外線を得よう
どプると電流の立ち」二がりが早くしかもピーク電流の
大きな高密度放電で放電動作されることが要求されるが
、第9図に示す従来の構成であると電流の立ち」一がり
が余り♀くなく真空紫外光のtli射効率が低下する欠
点があった。また、一般的にガスを封入しておくので不
純ガスの発生により真空紫外光の光強度が低下し、その
結果放射効率が低下する欠点も有していた。
どプると電流の立ち」二がりが早くしかもピーク電流の
大きな高密度放電で放電動作されることが要求されるが
、第9図に示す従来の構成であると電流の立ち」一がり
が余り♀くなく真空紫外光のtli射効率が低下する欠
点があった。また、一般的にガスを封入しておくので不
純ガスの発生により真空紫外光の光強度が低下し、その
結果放射効率が低下する欠点も有していた。
即ち、従来の真空紫外光源装置において、放射効率の高
い真空紫外光源を実現するためには、前述のように立ち
上がり時間が早くしかもピーク電流の大きな1li電が
要求される。真空紫外光、たとえばキセノンガスの共鳴
線である147nl1の波長の光を放電プラズマから取
り出す場合を考える。
い真空紫外光源を実現するためには、前述のように立ち
上がり時間が早くしかもピーク電流の大きな1li電が
要求される。真空紫外光、たとえばキセノンガスの共鳴
線である147nl1の波長の光を放電プラズマから取
り出す場合を考える。
共鳴線の励起エネルギは8.4eVであるので、その場
合、電子の平均エネルギを大きくずることにより共鳴線
の励起速度をあげ励起原子密度を大きくとる必要がある
。そのためには、立ち上がりが早くしかも電流ピークの
大きなパルス放電が右効となる。しかし、大きな電流を
流し続けるとグ[1一放Mモードからアーク放電モード
となり電子の平均■ネルギが低くなり励起速度が低トす
る、,従って、アークtIi電が発生する前に放電を停
止しないと、放電電力は、貴空紫外発生にとって無駄な
電力となりその結果、放射効率の低下となる。
合、電子の平均エネルギを大きくずることにより共鳴線
の励起速度をあげ励起原子密度を大きくとる必要がある
。そのためには、立ち上がりが早くしかも電流ピークの
大きなパルス放電が右効となる。しかし、大きな電流を
流し続けるとグ[1一放Mモードからアーク放電モード
となり電子の平均■ネルギが低くなり励起速度が低トす
る、,従って、アークtIi電が発生する前に放電を停
止しないと、放電電力は、貴空紫外発生にとって無駄な
電力となりその結果、放射効率の低下となる。
ガスの種類およびガス圧力により巽なるが、グロー放電
からアークM電への移行時間はおよそ0.1μs〜1μ
s (マイクロ秒)程度である。したがって、パルス放
電電流幅が長くても1μs以内にする必要がある。ただ
し、電流の立ら十がり時において、電子の平均エネルギ
が高いのでff[速度が大きい。したがって出来るだけ
電流の専ら上がり時間は、短い方が良い。実験的な検討
によればパルス放電の電流半値幅が1マイクロ秒稈庶以
下が良いことが分かった。また、繰り返し放電において
次の放電が始まるまでに十分にプラズマインピーダンス
が大きくなっていなければパルス電流の立ち上がりが早
くならない。したがって、パルス間隔をある値より大き
くしなければならない。
からアークM電への移行時間はおよそ0.1μs〜1μ
s (マイクロ秒)程度である。したがって、パルス放
電電流幅が長くても1μs以内にする必要がある。ただ
し、電流の立ら十がり時において、電子の平均エネルギ
が高いのでff[速度が大きい。したがって出来るだけ
電流の専ら上がり時間は、短い方が良い。実験的な検討
によればパルス放電の電流半値幅が1マイクロ秒稈庶以
下が良いことが分かった。また、繰り返し放電において
次の放電が始まるまでに十分にプラズマインピーダンス
が大きくなっていなければパルス電流の立ち上がりが早
くならない。したがって、パルス間隔をある値より大き
くしなければならない。
実験的な検討によれば、30マイクロ秒より大きくする
ことが良いことが分かった。また、この様な電流の立ち
上がり時間の早いパルス放電を実現するためには、容か
移行型のパルス回路用いれば、比較的簡単に電流の立ち
上がりが早くしかも高密度の放電を行うことができるこ
とが分かった。従来のものは、構成[不十分であり、従
って真空紫外光の放射効率が低いしのであった。本発明
は、このような従来のものの欠点を解決ずるために行わ
れたもので、従来の真空票外光源装置より放射効率の高
い真空紫外光源装置を捉供することを目的とする。
ことが良いことが分かった。また、この様な電流の立ち
上がり時間の早いパルス放電を実現するためには、容か
移行型のパルス回路用いれば、比較的簡単に電流の立ち
上がりが早くしかも高密度の放電を行うことができるこ
とが分かった。従来のものは、構成[不十分であり、従
って真空紫外光の放射効率が低いしのであった。本発明
は、このような従来のものの欠点を解決ずるために行わ
れたもので、従来の真空票外光源装置より放射効率の高
い真空紫外光源装置を捉供することを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するだめの手段)
本発明は、前記目的を達成1るため、t1i雷管に対向
配jした電極間にバルスIli電を行ない放電プラズマ
から真空紫外光を発生させる真空紫外光源装置において
、電流パルスの半値幅が1マイクロ秒以下で、かつ、該
電流パルスの間隔が30マイクロ秒以上でパルス放電を
動作させたこと、また、前記放電管に4−t?ノン等の
希ガス、酸素、窒素、水素、重水累、または前記二種類
以j−のガスを含んだ混合ガスを封入したこと、また、
前記放電管にガスを流すことを特徴とする高効率真空紫
外光源菰買を提供するものである。
配jした電極間にバルスIli電を行ない放電プラズマ
から真空紫外光を発生させる真空紫外光源装置において
、電流パルスの半値幅が1マイクロ秒以下で、かつ、該
電流パルスの間隔が30マイクロ秒以上でパルス放電を
動作させたこと、また、前記放電管に4−t?ノン等の
希ガス、酸素、窒素、水素、重水累、または前記二種類
以j−のガスを含んだ混合ガスを封入したこと、また、
前記放電管にガスを流すことを特徴とする高効率真空紫
外光源菰買を提供するものである。
(作用)
/l5[雷々流パルスの半埴幅が1マイク[]秒以下の
知かい時間であるため、グロー放電が、電力消費人なる
アーク放電に移行せずに終了P;1+l: ?Jる。
知かい時間であるため、グロー放電が、電力消費人なる
アーク放電に移行せずに終了P;1+l: ?Jる。
叉、パルス間隔は、30マイク[】秒以1二の長い時間
であるため、次の11i電が始まるまでにプラズマイン
ピーダンスが十分人きくなっている、,これらの埋山で
、パルス電流の立ら上がりが早く、しかも電流のピーク
値が人となり、放電効率の高い真空票外光を得ることが
できる。
であるため、次の11i電が始まるまでにプラズマイン
ピーダンスが十分人きくなっている、,これらの埋山で
、パルス電流の立ら上がりが早く、しかも電流のピーク
値が人となり、放電効率の高い真空票外光を得ることが
できる。
又、放電管の封入ガスを特定のガスに設定し、更にはそ
のガスを流すようにしてあるので、不純ガスが発生ぜず
、従って光強度の低下をIR <ことがない。
のガスを流すようにしてあるので、不純ガスが発生ぜず
、従って光強度の低下をIR <ことがない。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実fM [lil )
第1図に、本発明の一実施例を示す。1は放電管、2お
よび3はガスを通す中空のホロー電極、4は放o4窓で
ある。5は雷!4i端子とガス導入管を兼ねているもの
である。6は電極端子とガス導出管を兼ねているもので
ある。ガスG G.t導入管5および左側のホロー電極
3を経て放電管1に導かれ、右側のホ[1一電極2、及
び導出管6を通して排出される。又、7は冷却板、8は
ピーキングコンデンリ”、9は蓄積《充電》用コンデン
サ、10はスイッチ素子、11は直流電源である。ビー
キングコンデンサ8はfit極2,3に並列に接続され
ている。ピーキングコンデンサ8は蓄積コンデンサ9よ
り容吊を小さくしてある。ガスは定常的に流される。本
実施例では、ガスの種類としてキセノンガスを使用した
。
よび3はガスを通す中空のホロー電極、4は放o4窓で
ある。5は雷!4i端子とガス導入管を兼ねているもの
である。6は電極端子とガス導出管を兼ねているもので
ある。ガスG G.t導入管5および左側のホロー電極
3を経て放電管1に導かれ、右側のホ[1一電極2、及
び導出管6を通して排出される。又、7は冷却板、8は
ピーキングコンデンリ”、9は蓄積《充電》用コンデン
サ、10はスイッチ素子、11は直流電源である。ビー
キングコンデンサ8はfit極2,3に並列に接続され
ている。ピーキングコンデンサ8は蓄積コンデンサ9よ
り容吊を小さくしてある。ガスは定常的に流される。本
実施例では、ガスの種類としてキセノンガスを使用した
。
放電起動の動作を以十に示1−。直流電源11により蓄
積コンデンサ9を共振充電し、スイッチ素子10により
蓄積″コンデンサ9より容吊の小さいビーキングコンデ
ンザ8に電荷を移動しこれを充電することにより、ボロ
ー電極2と3に電圧が印加され、電流の立ち上がり時間
の♀いバルスfli雷が起動される。その実験結果を第
2図〜第4図に示づ。第2図にパルス放電電流どキセノ
ンガスの共鳴線147n一の光波形及び電流波形を示す
。第2図(a )は0.5マイクロ秒で走査した場合(
b)は50マイクロ秒で走査した場合の波形である。電
流波形は約0.1マイクロ秒の立も上がりである。また
電流は1マイクq秒持続しているのに対して光はおよそ
30マイクロ秒アフターグ[l一として持続しているこ
とが分かる。電流の立ち十がり部分では電子の平均■ネ
ルギは大きいので直接励起が盛んに行われる。従って、
光強度も電流の時間変化に対応してピークが現れる.,
fli雷開始後0.1マイクロ秒で電流が減少し、それ
以後電子の平均エネルギが低下する。さらに1マイクロ
秒以後次のパルス電圧がかかるまで放電が停止している
が、アフターグローが前述したように30マイクロ秒程
度持続している。アフターグロ一が消えプラズマインピ
ーダンスが大きくなった状態で、つぎのパルス電圧が印
加されると電子の平均エネルギを十分大きくできる。し
たがって、実験結宋から電流パルス間隔を30マイクロ
秒以上にすれば放射効率が大きくなることが准定される
。第2図(l)》に示す如く電流波形は髭状rあるのに
対して光波形は三角波状であり、このため、図では平均
の光強度が強く放射効率が高いことを示している。また
、第3図はキセノンガスの共鳴線147nmのスペクト
ルを示寸。第3図(a )はガスを流した時、第3図(
b)はガスを流さない時のスベク1・ルである。ガスを
流さない時のスペクトルは、147nllのスベクl−
ル以外に不純物のスペクトルが梵生1るため、ガスを流
’l− 11iの光強度より半減し、放射効率が低下す
るものであることが理解できる。第4図に電流パルス半
値幅とキセノンガス共鳴線147na+の放射効率の関
係を示す。電流パルス半値幅が小さくなるにしたがって
、放射効率tま大ぎくなることが分かる。以上のような
数値による放電動作は、コンデンサと3及び9の容吊、
電源電圧その他回路設計を適切にづることにJこり達成
ざれる。
積コンデンサ9を共振充電し、スイッチ素子10により
蓄積″コンデンサ9より容吊の小さいビーキングコンデ
ンザ8に電荷を移動しこれを充電することにより、ボロ
ー電極2と3に電圧が印加され、電流の立ち上がり時間
の♀いバルスfli雷が起動される。その実験結果を第
2図〜第4図に示づ。第2図にパルス放電電流どキセノ
ンガスの共鳴線147n一の光波形及び電流波形を示す
。第2図(a )は0.5マイクロ秒で走査した場合(
b)は50マイクロ秒で走査した場合の波形である。電
流波形は約0.1マイクロ秒の立も上がりである。また
電流は1マイクq秒持続しているのに対して光はおよそ
30マイクロ秒アフターグ[l一として持続しているこ
とが分かる。電流の立ち十がり部分では電子の平均■ネ
ルギは大きいので直接励起が盛んに行われる。従って、
光強度も電流の時間変化に対応してピークが現れる.,
fli雷開始後0.1マイクロ秒で電流が減少し、それ
以後電子の平均エネルギが低下する。さらに1マイクロ
秒以後次のパルス電圧がかかるまで放電が停止している
が、アフターグローが前述したように30マイクロ秒程
度持続している。アフターグロ一が消えプラズマインピ
ーダンスが大きくなった状態で、つぎのパルス電圧が印
加されると電子の平均エネルギを十分大きくできる。し
たがって、実験結宋から電流パルス間隔を30マイクロ
秒以上にすれば放射効率が大きくなることが准定される
。第2図(l)》に示す如く電流波形は髭状rあるのに
対して光波形は三角波状であり、このため、図では平均
の光強度が強く放射効率が高いことを示している。また
、第3図はキセノンガスの共鳴線147nmのスペクト
ルを示寸。第3図(a )はガスを流した時、第3図(
b)はガスを流さない時のスベク1・ルである。ガスを
流さない時のスペクトルは、147nllのスベクl−
ル以外に不純物のスペクトルが梵生1るため、ガスを流
’l− 11iの光強度より半減し、放射効率が低下す
るものであることが理解できる。第4図に電流パルス半
値幅とキセノンガス共鳴線147na+の放射効率の関
係を示す。電流パルス半値幅が小さくなるにしたがって
、放射効率tま大ぎくなることが分かる。以上のような
数値による放電動作は、コンデンサと3及び9の容吊、
電源電圧その他回路設計を適切にづることにJこり達成
ざれる。
本発明の伯の実施例として、次に示ザバルス回路も有矯
である。即ち、それは第5図に示す磁気補助IrB利用
のものである。電極2と電極3との間に、ビーキングコ
ンデンサ8が並列に接続され’T J3り、さらに可飽
和インダクタンス14と充電用コンデンサ9とスイッチ
ング素子10が直列に接続されている。この実施例では
、充電用コンデンサ9に充電を行った後、スイッチング
素子10により充電用コンデンサ9から可飽和インダク
タンス14を通してコンデンサ8に電荷を移fJ+ t
,、充電覆る。その場合、可飽和インダクタンス14の
飽和14i化作用により回路電流を制限しスイッチ素子
10でのエネルギ演費を少なくし、かつ電流パルス幅を
短くできるので、真空紫外光の放射効率を」Lげ、ざら
には長寿命化が可能となる。
である。即ち、それは第5図に示す磁気補助IrB利用
のものである。電極2と電極3との間に、ビーキングコ
ンデンサ8が並列に接続され’T J3り、さらに可飽
和インダクタンス14と充電用コンデンサ9とスイッチ
ング素子10が直列に接続されている。この実施例では
、充電用コンデンサ9に充電を行った後、スイッチング
素子10により充電用コンデンサ9から可飽和インダク
タンス14を通してコンデンサ8に電荷を移fJ+ t
,、充電覆る。その場合、可飽和インダクタンス14の
飽和14i化作用により回路電流を制限しスイッチ素子
10でのエネルギ演費を少なくし、かつ電流パルス幅を
短くできるので、真空紫外光の放射効率を」Lげ、ざら
には長寿命化が可能となる。
また、第6図に示す磁気圧縮回路利用のものも有効であ
る。これは、電極2と電極3との間に、コンデンザ8が
並列に接続されており、さらに可飽和インダクタンス1
4と]ンデンυ15が直列に接続されており、さらに該
]ンデンリ−15と並列にインダクタンス16、充電用
コンデンサ9およびスイッチ素子10の直列回路が接続
されているものである。これにより、前記コンデンサ9
に充電を行った後、スイツヂング素子10により」ンデ
ン4j9からまずコンデンサ15に、次に、可飽和イン
ダクタンス14を通して=lンデンサ8にN荷を移動し
、充電Jることにより、放@電流パルスを電w7i誘導
作用にリづき圧縮して、パルス放電を行なうことにより
スイッチ素子10でのエネルギ消費を少なくし、かつ電
流パルス幅を短くし放射効率を上げ、さらには長寿命化
が可能である。
る。これは、電極2と電極3との間に、コンデンザ8が
並列に接続されており、さらに可飽和インダクタンス1
4と]ンデンυ15が直列に接続されており、さらに該
]ンデンリ−15と並列にインダクタンス16、充電用
コンデンサ9およびスイッチ素子10の直列回路が接続
されているものである。これにより、前記コンデンサ9
に充電を行った後、スイツヂング素子10により」ンデ
ン4j9からまずコンデンサ15に、次に、可飽和イン
ダクタンス14を通して=lンデンサ8にN荷を移動し
、充電Jることにより、放@電流パルスを電w7i誘導
作用にリづき圧縮して、パルス放電を行なうことにより
スイッチ素子10でのエネルギ消費を少なくし、かつ電
流パルス幅を短くし放射効率を上げ、さらには長寿命化
が可能である。
また、第7図に示す反転分布回路利用のものもイ1効で
ある。これは、放電管1中に対向配買された雷樟3と電
極2との間に、コンデンサ8が並列に接続されており、
このコンデンサ8にさらにインダクタンス17ど二涸の
充電用]ンYン1118と15との直列回路が並列に1
と続され、またスイッヂング素子10が充電用コンデン
サ18.15の一方のコンデンサ15と並列(二接続さ
れているもの“Cあり、充電用コンデンサ18.15に
充電を行った後、スイツヂング素子10によりスイツヂ
ング素子10と並列に接続されたコンデンサ15を短絡
し、電圧を反転することにより、二倍の印加電圧を得て
スイッチ素子10でのエネルギ消費を少なくし、かつ電
流パルス幅を短< bfli用効率を十げ、さらには[
’命化がLl1能なものである1,ざらに第8図に示?
7− J.うに、可飽和インダクタンス14、コンデン
サ8,15を含む回路にパルストランス19ど充電用]
ンデン1j20ど個体累子21とを用いて低圧側で個体
累子21でスイツブングすることにより高効率可能と見
ることもぐきる。
ある。これは、放電管1中に対向配買された雷樟3と電
極2との間に、コンデンサ8が並列に接続されており、
このコンデンサ8にさらにインダクタンス17ど二涸の
充電用]ンYン1118と15との直列回路が並列に1
と続され、またスイッヂング素子10が充電用コンデン
サ18.15の一方のコンデンサ15と並列(二接続さ
れているもの“Cあり、充電用コンデンサ18.15に
充電を行った後、スイツヂング素子10によりスイツヂ
ング素子10と並列に接続されたコンデンサ15を短絡
し、電圧を反転することにより、二倍の印加電圧を得て
スイッチ素子10でのエネルギ消費を少なくし、かつ電
流パルス幅を短< bfli用効率を十げ、さらには[
’命化がLl1能なものである1,ざらに第8図に示?
7− J.うに、可飽和インダクタンス14、コンデン
サ8,15を含む回路にパルストランス19ど充電用]
ンデン1j20ど個体累子21とを用いて低圧側で個体
累子21でスイツブングすることにより高効率可能と見
ることもぐきる。
また、キセノン以外の希ガス、窒素、水素、重水素また
は前記二種類以上のガスを含んだ混合ガスを使用しても
本発明と同様の効宋が朋I!1できる。
は前記二種類以上のガスを含んだ混合ガスを使用しても
本発明と同様の効宋が朋I!1できる。
なお、前述の各実施例ぐは放電管1にガスを流している
が、多少効率は落らるがガス月八式にしても本発明は適
用できる。本発明はこの914)に高効率であるので装
圃を小型化できる。
が、多少効率は落らるがガス月八式にしても本発明は適
用できる。本発明はこの914)に高効率であるので装
圃を小型化できる。
以上、本発明の効宋を逸脱しない範囲で、本発明はいろ
いろ(2真空票外光源装置に対して適用可能である。
いろ(2真空票外光源装置に対して適用可能である。
[発明の効果1
本発明は、Ili電管の対向配置1だ電極間に電流パル
スの半値幅が1マイクロ秒以下で、かつ、電流パルス間
隔が30マイクロ秒以−1−て゛バルス敢電初作さt!
、またjli電管内ガスを特定化し、ざらにガスを流す
ようにしたため、従来の貞空紫外光源より放射効率の大
きい高効率員空紫外光源装買を実現1ることが出来る。
スの半値幅が1マイクロ秒以下で、かつ、電流パルス間
隔が30マイクロ秒以−1−て゛バルス敢電初作さt!
、またjli電管内ガスを特定化し、ざらにガスを流す
ようにしたため、従来の貞空紫外光源より放射効率の大
きい高効率員空紫外光源装買を実現1ることが出来る。
また、tIl射効率の向Lにより光源の小型化にもつな
がる。
がる。
第1図は本発明の−実施例による真空紫外光源装置の要
部構成を示す図、第2図は1 4 7 nllの光波形
および放電電流波形の時間変化を丞す図、第3図は14
7nmの光スベク1・ルを示す図、第4図は電流パルス
半値幅と147nmの放射光率の関係を示1図、第5図
、第6図、第7図及び第8図は本発明の他の実施例を示
す図、第9図は従来のものの図である、, 1・・・IJli電管 2,3・・・小
1ー電掩4・・・放射窓 5.6・・・電極端子兼ガス導入出管 7・・・冷却板 8・・・ビーキングコンデンサ 9・・・蓄積コンデンサ 10・・・スイッy−
県了11・・・直流電源 12.13・・・
電捗14・・・可飽和イングクタンス 15.1.’3.20・・・充i1f/rl−rンデン
リ16.17・・・インダクタンス 19・・・パルストランス 21・・・個体素子代
迎人J+’J江、三好9逮和 1二放電管 2.3:ホロー電極 4:IIi(ト)窓 5:電極兼ガス導入管 6:ffi極兼ガス導出管 8:ビーキングコンデンサ 9:蓄積コンデンサ 10:スイッチング素子 11:直流M源 0.5PS 央 図(01 50戸 処 図(b) 第3図ial 200nm l00nm 第3図lb+ 第6図 第 図
部構成を示す図、第2図は1 4 7 nllの光波形
および放電電流波形の時間変化を丞す図、第3図は14
7nmの光スベク1・ルを示す図、第4図は電流パルス
半値幅と147nmの放射光率の関係を示1図、第5図
、第6図、第7図及び第8図は本発明の他の実施例を示
す図、第9図は従来のものの図である、, 1・・・IJli電管 2,3・・・小
1ー電掩4・・・放射窓 5.6・・・電極端子兼ガス導入出管 7・・・冷却板 8・・・ビーキングコンデンサ 9・・・蓄積コンデンサ 10・・・スイッy−
県了11・・・直流電源 12.13・・・
電捗14・・・可飽和イングクタンス 15.1.’3.20・・・充i1f/rl−rンデン
リ16.17・・・インダクタンス 19・・・パルストランス 21・・・個体素子代
迎人J+’J江、三好9逮和 1二放電管 2.3:ホロー電極 4:IIi(ト)窓 5:電極兼ガス導入管 6:ffi極兼ガス導出管 8:ビーキングコンデンサ 9:蓄積コンデンサ 10:スイッチング素子 11:直流M源 0.5PS 央 図(01 50戸 処 図(b) 第3図ial 200nm l00nm 第3図lb+ 第6図 第 図
Claims (3)
- (1)放電管に対向配置した電極間にパルス放電を行な
い放電プラズマから真空紫外光を発生させる真空紫外光
源装置において、電流パルスの半値幅が1マイクロ秒以
下で、かつ、該電流パルスの間隔が30マイクロ秒以上
でパルス放電を動作させたことを特徴とする高効率真空
紫外光源装置。 - (2)前記放電管にキセノン等の希ガス、酸素、窒素、
水素、重水素、または前記二種類以上のガスを含んだ混
合ガスを封入したことを特徴とする請求項(1)記載の
高効率真空紫外光源装置。 - (3)前記放電管にガスを流すことを特徴とする請求項
(1)または(2)記載の高効率真空紫外光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4993189A JPH02230601A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 高効率真空紫外光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4993189A JPH02230601A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 高効率真空紫外光源装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02230601A true JPH02230601A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12844761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4993189A Pending JPH02230601A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 高効率真空紫外光源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02230601A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001001736A1 (de) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur erzeugung von extrem-ultraviolett- und weicher röntgenstrahlung aus einer gasentladung |
JP2005524943A (ja) * | 2002-04-30 | 2005-08-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線放射の発生方法 |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP4993189A patent/JPH02230601A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001001736A1 (de) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur erzeugung von extrem-ultraviolett- und weicher röntgenstrahlung aus einer gasentladung |
US6788763B1 (en) | 1999-06-29 | 2004-09-07 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Device for producing an extreme ultraviolet and soft x radiation from a gaseous discharge |
JP2005524943A (ja) * | 2002-04-30 | 2005-08-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線放射の発生方法 |
JP4657709B2 (ja) * | 2002-04-30 | 2011-03-23 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 極紫外線放射の発生方法 |
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