CN1640974A - 抛光组合物和抛光方法 - Google Patents

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Abstract

一种抛光组合物，它包括热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、第一有机酸、第二有机酸、氧化剂和水。当第二有机酸是柠檬酸时，第一有机酸优选为苹果酸，而当第二有机酸是苹果酸时，第一有机酸优选为柠檬酸。当第二有机酸是琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸时，第一有机酸优选为柠檬酸或苹果酸。该抛光组合物适用于抛光磁盘基片的表面。

Description

抛光组合物和抛光方法
                        技术领域
本发明涉及一种用于抛光磁盘基片等物体的抛光组合物，以及使用所述抛光组合物抛光物体的抛光方法。
                        背景技术
一张磁盘基片的制造通常要经过若干个抛光步骤。一般而言，在第一抛光步骤中，所用抛光组合物含有氧化铝、有机酸和水(如参见日本公开专利Nos.2-84485和2003-170349)。为达到所得基片不含凹陷等表面缺陷的目的，抛光组合物所含氧化铝的颗粒尺寸要尽可能的小。但是，绝大多数含有小颗粒尺寸氧化铝的抛光组合物却不能对基片进行快速的抛光。另一方面，随着磁盘容量越来越大，要求其基片平整度也越高。导致基片平整度下降的一个因素是表面缺陷，布满缺陷的基片其平整度会较差。
                        发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种适合用于抛光磁盘基片表面的抛光组合物，以及提供使用所述抛光组合物的抛光方法。
根据本发明的目的，为了达到上述以及其它目的，提供了一种抛光组合物。这种抛光组合物含有热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、第一有机酸、第二有机酸、氧化剂和水。第一有机酸是柠檬酸或苹果酸。
本发明还提供了一种抛光磁盘基片的抛光方法。该方法包括制备上述抛光组合物，以及使用所制备的抛光组合物抛光基片表面。
本发明的其他方面和优点将通过下面对本发明原理所举实施例的描述得以显而易见。
                    具体实施方式
下面描述本发明的第一实施方式。
第一实施方式的抛光组合物由热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、柠檬酸或苹果酸中的一种(第一有机酸)、非柠檬酸或苹果酸的有机酸(第二有机酸)、氧化剂和水组成。
热解法氧化铝是作为机械抛光物体的磨料。如果热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸太小，抛光组合物有时会没有足够的抛光能力。因此，热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸优选5nm或更大，进一步优选10nm或更大。另一方面，如果热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸太大，抛光组合物中有时会产生沉淀。因此，热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸优选0.5μm或更小，进一步优选0.1μm或更小。热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸是通过如使用BET法测量热解法氧化铝的比表面积而得到的。
如果热解法氧化铝的平均二次颗粒尺寸太大，抛光组合物中有时会产生沉淀。因此，热解法氧化铝的平均二次颗粒尺寸优选1.5μm或更小。热解法氧化铝的平均二次颗粒尺寸是通过如激光衍射散射法测得的。
如果抛光组合物中热解法氧化铝的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中热解法氧化铝的含量优选为0.02wt％或更多，进一步优选0.06wt％或更多，最优选0.1wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中热解法氧化铝的含量太大，对抛光组合物的处理会因其粘度太大而变得困难。因此，抛光组合物中热解法氧化铝的含量优选为3wt％或更小，进一步优选2wt％或更小，最优选0.6wt％或更小。
与热解法氧化铝相类似，非热解法氧化铝在抛光组合物中也是作为机械抛光物体的磨料。平均颗粒尺寸为0.1μm或更大的氧化铝具有较强的抛光能力，而平均颗粒尺寸为0.2μm或更大的氧化铝具有特别强的抛光能力。因此，非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸优选为0.1μm或更大，进一步优选为0.2μm或更大。
另一方面，如果非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸超过1.0μm，用该抛光组合物抛光的物体表面的粗糙度会变大，并出现刮擦痕迹；如果非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸超过1.2μm，这种不利效果会频繁出现。如果非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸为0.8μm或更小，用该抛光组合物抛光的物体表面状况就特别令人满意。因此，非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸优选为1.2μm或更小，进一步优选1.0μm或更小，最优选0.8μm或更小。
如果抛光组合物中非热解法氧化铝的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中非热解法氧化铝的含量优选为0.01wt％或更多，进一步优选0.1wt％或更多，最优选0.2wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中非热解法氧化铝的含量太大，对抛光组合物的处理会因其粘度太大而变得困难。因此，抛光组合物中非热解法氧化铝的含量优选为8wt％或更小，进一步优选7wt％或更小，最优选5wt％或更小。
胶体二氧化硅也是作为机械抛光物体的磨料。如果胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸小于10nm，用该抛光组合物抛光的物体的表面有时会产生凹陷；平均颗粒尺寸为15nm或更大的胶体二氧化硅具有强的抛光能力。因此，胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸优选为10nm或更大，进一步优选15nm或更大。
另一方面，平均颗粒尺寸为200nm或更小的胶体二氧化硅很容易获取，而平均颗粒尺寸为100nm或更小的胶体二氧化硅具有令人满意的稳定性。因此，胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸优选为200nm或更小，进一步优选为100nm或更小。
如果抛光组合物中胶体二氧化硅的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中胶体二氧化硅的含量优选为0.2wt％或更多，进一步优选0.6wt％或更多，最优选1wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中胶体二氧化硅的含量太大，对抛光组合物的处理会因其粘度太大而变得困难。因此，抛光组合物中胶体二氧化硅的含量优选为14wt％或更小，进一步优选12wt％或更小，最优选10wt％或更小。
胶体二氧化硅可以是单分散的，还可以包含高纵横比的联合颗粒。
第一和第二有机酸具有通过对物体发生化学作用而促进磨料抛光物体的功能。第二有机酸，即非柠檬酸或苹果酸的有机酸，是例如琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸，优选琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸或丙二酸，进一步优选琥珀酸。这是因为琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸或丙二酸对用磨料抛光物体的促进作用很强，而琥珀酸对用磨料抛光物体的促进作用尤其强。
如果抛光组合物中第一有机酸的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中第一有机酸的含量优选为0.02wt％或更多，进一步优选0.1wt％或更多，最优选0.2wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中第一有机酸的含量太大，抛光组合物的抛光能力有时会过剩而不经济，同时还会减弱胶体二氧化硅在抛光组合物中的稳定性。因此，抛光组合物中第一有机酸的含量优选为3wt％或更小，进一步优选2wt％或更小，最优选1.4wt％或更小。
如果抛光组合物中第二有机酸的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中第二有机酸的含量优选为0.002wt％或更多，进一步优选0.02wt％或更多，最优选0.1wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中第二有机酸的含量太大，抛光组合物的抛光能力有时会过剩而不经济，同时还会减弱胶体二氧化硅在抛光组合物中的稳定性。因此，抛光组合物中第二有机酸的含量优选为2wt％或更小，进一步优选1wt％或更小，最优选0.6wt％或更小。
氧化剂具有氧化物体以促进磨料对物体抛光的作用。氧化剂的具体例子包括过氧化氢、硝酸铁、硝酸铝、过二硫酸、高碘酸、高氯酸和次氯酸。这些氧化剂中，优选过氧化氢和高碘酸，更优选过氧化氢。这是因为过氧化氢和高碘酸对用磨料抛光物体的促进作用很强，而过氧化氢易于处理。
如果抛光组合物中氧化剂的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中氧化剂的含量优选为0.02wt％或更多，进一步优选0.2wt％或更多，最优选0.5wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中氧化剂的含量太大，抛光组合物的抛光能力有时会过剩而不经济，有时还会减弱抛光组合物的稳定性，对其处理也变得困难起来。因此，抛光组合物中氧化剂的含量优选为12wt％或更小，进一步优选10wt％或更小，最优选8wt％或更小。
上文提及的水是作为分散介质，用来分散热解法氧化铝、非热解法氧化铝和胶体二氧化硅，同时水还作为用于溶解有机酸和氧化剂的溶剂。优选的是水中的杂质要尽可能的少。水的优选例包括离子交换水、纯水、超纯水以及蒸馏水。
下面描述本发明的第二实施方式。
第二实施方式的抛光组合物由热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、柠檬酸(第一有机酸)、苹果酸(第二有机酸)、氧化剂和水组成。
如果第二实施方式的抛光组合物中柠檬酸的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中柠檬酸的含量优选为0.02wt％或更多，进一步优选0.1wt％或更多，最优选0.2wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中柠檬酸的含量太大，抛光组合物的抛光能力有时会过剩而不经济，同时还会减弱胶体二氧化硅在抛光组合物中的稳定性。因此，抛光组合物中柠檬酸的含量优选为3wt％或更小，进一步优选2wt％或更小，最优选1.4wt％或更小。
如果第二实施方式的抛光组合物中苹果酸的含量太小，抛光组合物的抛光能力有时会不足。因此，抛光组合物中苹果酸的含量优选为0.02wt％或更多，进一步优选0.1wt％或更多，最优选0.2wt％或更多。另一方面，如果抛光组合物中苹果酸的含量太大，抛光组合物的抛光能力有时会过剩而不经济，同时还会减弱胶体二氧化硅在抛光组合物中的稳定性。因此，抛光组合物中苹果酸的含量优选为3wt％或更小，进一步优选2wt％或更小，最优选1.4wt％或更小。
根据第一和第二实施方式的抛光组合物用于抛光如磁盘基片的表面。该抛光组合物优选在通常制造基片工艺中数个抛光步骤的第一步骤中使用。
当使用本第一和第二实施方式的抛光组合物抛光物体时，即使非热解法氧化铝的颗粒尺寸很小，也可对物体进行快速抛光；此外，抛光后物体的表面缺陷减少了。对于这些事实，可能有下面两种主要原因。
一个主要原因是，抛光组合物中胶体二氧化硅可能与热解法氧化铝的表面和非热解法氧化铝的表面发生静电键合，从而适当削弱了热解法氧化铝和非热解法氧化铝的抛光能力。当物体被抛光时，可以推断，分别与胶体二氧化硅发生键合的热解法氧化铝和非热解法氧化铝对受到有机酸和氧化剂作用而发生脆化的物体进行抛光。
另一个主要原因可能是，同胶体二氧化硅键合的热解法氧化铝的抛光与同胶体二氧化硅键合的非热解法氧化铝的抛光相结合了起来；由于热解法氧化铝的颗粒尺寸相对较小，因此前者的抛光较精细，而非热解法氧化铝的颗粒尺寸相对较大，所以后者的抛光较粗糙。
对熟知该技术领域的人而言，显而易见的是本发明可以在不违背其精神或范围的条件下，以其他许多具体形式来实施。特别应当了解，本发明可以以下列形式实施。
根据本第一实施方式的抛光组合物可包含两个或更多除柠檬酸和苹果酸以外的有机酸。
根据本第二实施方式的抛光组合物可进一步包含除柠檬酸和苹果酸以外的有机酸。
每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物可进一步包含已知的传统抛光组合物中通常使用的添加剂如表面活性剂、螯合剂、防腐剂等。
每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物可以被分成两个或多个包含至少一种抛光组合物组分的部分来运输或保存。在这种情况下，在使用之前，将两个或多个部分混合在一起而制得每种抛光组合物。
每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物各自可通过用水稀释未稀释溶液制得，所制备的未稀释溶液仅包含较高浓度的组分而不含有水。每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物的未稀释溶液中热解法氧化铝的含量优选为0.01～5wt％，进一步优选0.05～4wt％，最优选0.1～3wt％。每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物的未稀释溶液中非热解法氧化铝的含量优选为0.05～40wt％，进一步优选0.5～35wt％，最优选1～25wt％。每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物的未稀释溶液中胶体二氧化硅的含量优选为1～70wt％，进一步优选3～60wt％，最优选5～50wt％。根据本第一实施方式的抛光组合物的储备溶液中第一有机酸的含量优选为0.1～15wt％，进一步优选0.5～10wt％，最优选1～7wt％。根据本第一实施方式的抛光组合物的储备溶液中第二有机酸的含量优选为0.01～10wt％，进一步优选0.1～5wt％，最优选0.5～3wt％。每种根据本第一和第二实施方式的抛光组合物的储备溶液中氧化剂的含量优选为0.1～10wt％，进一步优选1～8.5wt％，最优选2.5～7.5wt％。
根据本第一和第二实施方式的抛光组合物可用于非磁盘基片物体的抛光。
下面描述本发明的实施例和对照例。
将磨料和有机酸用水混合，而后混入氧化剂，如有需要，制备抛光组合物的未稀释溶液。然后，每份未稀释溶液用5份水稀释以制得抛光组合物。每种未稀释溶液中的磨料、有机酸和氧化剂由表1～3详细显示。表1～3中的“热解法氧化铝”是指一次平均颗粒尺寸为13nm、二次平均颗粒尺寸为1μm的热解法氧化铝。表1中的“氧化铝”是指非热解法氧化铝，其平均颗粒尺寸为0.6μm。表2中的“氧化铝”是指非热解法氧化铝，其平均颗粒尺寸为0.8μm。表3中的“氧化铝”是指非热解法氧化铝，其平均颗粒尺寸为0.3μm。表1～3中的“胶体二氧化硅”是指平均颗粒尺寸为40nm的胶体二氧化硅。
抛光条件
抛光机：双面抛光机“9.5B-5P”，System Seiko有限公司制造。
抛光板：聚安酯板“CR200”，Kanebo有限公司制造。
被抛光物体：15片直径3.5英寸(约95mm)的磁盘用基片，其是通过在由铝合金制成的空白材料的表面上镀覆无电镀磷化镍而形成的。
抛光载荷：10kPa
上压盘转速：24rpm
下压盘转速：16rpm
抛光组合物供给速率：150mL/分钟
切削量：总共2μm厚，包括每个基片的两个表面
表1～3中标题为“切削率”的一栏显示当在上述抛光条件下分别使用抛光组合物抛光物体(磁盘基片)时，用下面的计算式得到的切削率。
RP＝(WS1-WS2)/(AS×DS×TP×10-4)
在上面的计算式中，RP表示切削率(μm/分钟)，WS1表示基片抛光前的重量(g)，WS2表示基片抛光后的重量(g)，AS表示被抛基片表面的面积(cm2)，DS表示基片的密度(g/cm3)，TP表示抛光时间(分钟)。
表1～3中标题为“凹陷”的一栏显示评价的结果，基于当在上述抛光条件下分别使用抛光组合物抛光物体时在每个物体表面上观察到凹陷的数目，分为“好”(G)和“不好”(NG)两个级别。
表1～3中标题为“微波纹”的一栏显示当在上述抛光条件下分别使用抛光组合物抛光物体时在每个物体表面上测得的微波等级。表1～3中标题为“微波纹”一栏中的连字符“-”表示不可测量。微波等级是粗糙度Ra之值，使用Phase Shift公司制造的非接触性表面形貌测量仪，在物镜放大率为10、测量波长为80～450μm的条件下测量。微波纹是个降低基片平整度的因素，类似于如凹陷的表面缺陷；基片的微波纹越大，平整度越差。
                                表1
    磨料[重量百分比]     有机酸[重量百分比]     氧化剂[重量百分比]   切削率[μm/min] 凹陷 微波纹[_]
实施例1     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.1     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.70 G 2.7
实施例2     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.3     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.72   G   2.6
实施例3     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.78 G 2.5
实施例4     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.77 G 2.3
实施例5     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸亚氨乙酰乙酸   31  31％过氧化氢水溶液 5 0.76 G 2.5
实施例6     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸衣康酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.75 G 2.4
实施例7     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸乙醇酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.74 G 2.4
实施例8     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸苹果酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.75   G   2.3
实施例9     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸苹果酸 13 31％过氧化氢水溶液 5 0.70 G 2.4
实施例10     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31 硝酸铁 5 0.65 G 2.5
实施例11     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   过二硫酸   5     0.64   G   2.5
对照例1     氧化铝胶体二氧化硅  1510     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.68 G 3.0
对照例2     氧化铝胶体二氧化硅  1510     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.67 G 2.7
对照例3     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 琥珀酸 1   31％过氧化氢水溶液   5     0.55   G   2.3
对照例4     氧化铝热解法氧化铝  152     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.25 NG -
对照例5     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 3   31％过氧化氢水溶液 5 0.50 G 3.1
对照例6     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 5   31％过氧化氢水溶液   5     0.52   G   3.2
对照例7     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31 - - 0.63 G 2.5
对照例8     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.50   G   2.8
表2
    磨料[重量百分比]     有机酸[重量百分比]     氧化剂[重量百分比]   切削率[μm/min] 凹陷 微波纹[_]
实施例12     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.1 柠檬酸琥珀酸 31 31％过氧化氢水溶液 5 0.91 G 3.6
实施例13     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.3     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.94   G   3.6
实施例14     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     1.00   G   3.6
实施例15     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.99 G 3.3
实施例16     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸亚氨乙酰乙酸 31 31％过氧化氢水溶液 5 0.98 G 3.6
实施例17     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸衣康酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.97   G   3.6
实施例18     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸乙醇酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.98 G 3.6
实施例19     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸苹果酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.96   G   3.5
实施例20     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸苹果酸   13   31％过氧化氢水溶液   5     0.92   G   3.5
实施例21     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31     硝酸铁   5     0.95   G   3.6
实施例22     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31    过二硫酸   5     0.96   G   3.6
对照例9     氧化铝胶体二氧化硅  1510     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.88 G 3.6
对照例10     氧化铝胶体二氧化硅  1510     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.88 G 3.3
对照例11     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 琥珀酸 1     31％过氧化氢水溶液 5 0.73 G 3.6
对照例12     氧化铝热解法氧化铝  152     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.30 NG -
对照例13     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 3   31％过氧化氢水溶液 5 0.83 G 3.9
对照例14     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 5 31％过氧化氢水溶液 5 0.85 G 3.8
对照例15     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31 - - 0.83 G 3.6
对照例16     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.75 G 4
表3
    磨料[重量百分比]     有机酸[重量百分比]     氧化剂[重量百分比]   切削率[μm/min] 凹陷 微波纹[_]
实施例23     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.1     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.40 G 2.2
实施例24     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15100.3     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.42     G   2.2
实施例25     氧化铝  15     柠檬酸   3   31％过氧化氢   5     0.48     G   2.1
胶体二氧化硅热解法氧化铝  102     琥珀酸   1     水溶液
实施例26     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.47 G 1.9
实施例27     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸亚氨乙酰乙酸   31  31％过氧化氢水溶液 5 0.45 G 2.1
实施例28     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸衣康酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.43   G   2.1
实施例29     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸乙醇酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.42 G 2.2
实施例30     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸苹果酸   31   31％过氧化氢水溶液   5     0.43   G   2.1
实施例31     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸苹果酸   13   31％过氧化氢水溶液 5 0.40 G 2.1
实施例32     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31     硝酸铁   5     0.40   G   2.2
实施例33     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸琥珀酸 31 过二硫酸 5 0.40 G 2.1
对照例17     氧化铝胶体二氧化硅  1510     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.35 G 2.5
对照例18     氧化铝胶体二氧化硅  1510     苹果酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.34 G 2.3
对照例19     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 琥珀酸 1 31％过氧化氢水溶液 5 0.30 G 2.3
对照例20     氧化铝热解法氧化铝  152     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.15 NG -
对照例21     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 3   31％过氧化氢水溶液 5 0.30 G 2.6
对照例22     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102 柠檬酸 5   31％过氧化氢水溶液 5 0.32 G 2.6
对照例23     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31 - 0.30 G 2.2
对照例24     氧化铝胶体二氧化硅热解法氧化铝  15102     柠檬酸琥珀酸   31   31％过氧化氢水溶液 5 0.31 G 2.2
如表1～3所示，总体而言，基于实施例的抛光组合物的切削率大于基于对照例的抛光组合物的切削率。此外，总体而言，使用实施例的抛光组合物抛光的基片的表面状况好于用对照例的抛光组合物抛光的基片的表面状况。其中，在实施例1～11和实施例23～33中，非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸为0.7μm或更小，其微波纹等级明显比相应的对照例的小。
本实施例和实施方式仅用于说明而非限制本发明，本发明不受限于这里提到的细节，而可以在所附权利要求书的范围内或同等条件下做改变。

Claims (20)

1.一种抛光组合物，它由热解法氧化铝、非热解法氧化铝、胶体二氧化硅、第一有机酸、第二有机酸、氧化剂和水组成，所述第一有机酸是柠檬酸或苹果酸。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二有机酸为琥珀酸、亚氨乙酰乙酸、衣康酸、马来酸、丙二酸、巴豆酸、葡糖酸、乙醇酸、乳酸或扁桃酸。
3.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二有机酸为琥珀酸。
4.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述第一有机酸在抛光组合物中的含量为0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
5.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二有机酸在抛光组合物中的含量为0.002wt％或更多以及2wt％或更少。
6.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述第一有机酸为琥珀酸而所述第二有机酸为苹果酸。
7.如权利要求6所述的抛光组合物，其特征在于，所述第一有机酸在抛光组合物中的含量为0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
8.如权利要求6所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二有机酸在抛光组合物中的含量为0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
9.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述热解法氧化铝的平均一次颗粒尺寸为5nm或更大以及0.5μm或更小。
10.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述热解法氧化铝的平均二次颗粒尺寸为1.5μm或更小。
11.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述热解法氧化铝在抛光组合物中的含量为0.02wt％或更多以及3wt％或更少。
12.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述非热解法氧化铝的平均颗粒尺寸为0.1μm或更大以及1.2μm或更小。
13.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述非热解法氧化铝在抛光组合物中的含量为0.01wt％或更多以及8wt％或更少。
14.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸为10nm或更大以及200nm或更小。
15.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述胶体二氧化硅在抛光组合物中的含量为0.2wt％或更多以及14wt％或更少。
16.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂包括过氧化氢、硝酸铁、硝酸铝、过二硫酸、高碘酸、高氯酸或次氯酸。
17.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述氧化剂在抛光组合物中的含量为0.02wt％或更多以及12wt％或更少。
18.如权利要求1到权利要求17中任一项所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物是用于抛光磁盘基片的表面。
19.一种抛光磁盘基片的抛光方法，该方法包括：
制备如权利要求1到权利要求17中任一项所述的抛光组合物；以及
使用所制备的所述抛光组合物抛光基片表面。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述抛光组合物的制备包括：
制备所述抛光组合物的未稀释溶液；以及
稀释所制备的所述未稀释溶液而制得所述抛光组合物。
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