CN1626599A - 抛光组合物和抛光方法 - Google Patents
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- CN1626599A CN1626599A CN200410092531.4A CN200410092531A CN1626599A CN 1626599 A CN1626599 A CN 1626599A CN 200410092531 A CN200410092531 A CN 200410092531A CN 1626599 A CN1626599 A CN 1626599A
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 168
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 190
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 35
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims abstract description 8
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 54
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 33
- UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N beta-alanine Chemical compound NCCC(O)=O UCMIRNVEIXFBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-hydrazinyl-3-oxopropanoate Chemical compound CCOC(=O)CC(=O)NN HCPOCMMGKBZWSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 claims description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims description 4
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims description 4
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004438 BET method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 3
- 229940000635 beta-alanine Drugs 0.000 claims description 3
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 claims description 3
- HWHYRENKEFOPMV-UHFFFAOYSA-N P(=O)#CCCC(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O Chemical compound P(=O)#CCCC(C(=O)O)(C(=O)O)C(=O)O HWHYRENKEFOPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000001177 diphosphate Substances 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 2
- SZHQPBJEOCHCKM-UHFFFAOYSA-N 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CCC(P(O)(O)=O)(C(O)=O)CC(O)=O SZHQPBJEOCHCKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 abstract description 3
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 abstract description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxy-1-phosphonoethyl)phosphonic acid Chemical compound OCC(P(O)(O)=O)P(O)(O)=O BAERPNBPLZWCES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 abstract 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 abstract 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 abstract 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 abstract 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 abstract 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 abstract 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 abstract 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 13
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 102000004160 Phosphoric Monoester Hydrolases Human genes 0.000 description 5
- 108090000608 Phosphoric Monoester Hydrolases Proteins 0.000 description 5
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 5
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 3
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000001384 succinic acid Substances 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNEHKUCSURWDGO-UHFFFAOYSA-N aluminum sodium Chemical compound [Na].[Al] DNEHKUCSURWDGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 description 1
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 description 1
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ce+3].[Ce+3] DRVWBEJJZZTIGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N dilithium oxido-[oxido(oxo)silyl]oxy-oxosilane Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])=O WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052634 enstatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N magnesium;dihydroxy(oxo)silane Chemical compound [Mg+2].O[Si](O)=O BBCCCLINBSELLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009991 scouring Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 235000020354 squash Nutrition 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明的抛光组合物含有二氧化硅、酸和水。二氧化硅是例如胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。酸是例如盐酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亚磷酸，硼酸，乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，柠檬酸，马来酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，苹果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羟基亚乙基二磷酸，氮基三(亚甲基磷酸)，或磷酰基丁烷三羧酸。该抛光组合物的pH值优选在0.5～6范围内。该抛光组合物非常适用于抛光玻璃基片。
Description
技术领域
本发明涉及对硬盘等作为信息记录介质的玻璃基片抛光用的抛光组合物。本发明还涉及用所述抛光组合物的抛光方法。
背景技术
传统上已知一种用于信息记录介质用玻璃基片的抛光的抛光组合物。日本公开专利公报NO.2001-89748披露了一种抛光组合物(下文称第一先前技术的抛光组合物)，其含有：以稀土金属氧化物如氧化铈作为主要成分的磨料；以及水。日本公开专利公报NO.2000-144112披露了一种抛光组合物(下文称第二先前技术的抛光组合物)，其含有：由选自含铁的氧化物和含铁基的化合物中的至少一种组成的磨料；以及水。第一先前技术和第二先前技术的抛光组合物通过研磨对玻璃基片进行机械式抛光。
玻璃基片抛光所用的抛光组合物应当满足以下要求：
(1)抛光后，玻璃基片的表面粗糙度变小；
(2)抛光组合物容易被洗去，即，通过清洗很容易把抛光组合物从玻璃基片上除去；
(3)磨料在抛光组合物中具有很好的分散性；以及
(4)抛光组合物具有较高的切削率，也就是，抛光组合物对玻璃基片具有很强的抛光能力。
然而，第一先前技术和第二先前技术的抛光组合物并不能满足上述要求，应当加以改善。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种非常适合在抛光玻璃基片中使用的抛光组合物。本发明的另一个目的在于提供使用所述抛光组合物的抛光方法。
根据本发明的目的，为了达到上述以及其它目标，提供了一种抛光组合物。这种用于玻璃基片抛光用的抛光组合物含有二氧化硅、酸和水。
本发明还提供了一种抛光玻璃基片的抛光方法。该方法包括制备上述抛光组合物，以及使用所制备的抛光组合物抛光玻璃基片的表面。
本发明的其他方面和优点将通过下面对本发明原理所举实施例的描述得以显而易见。
具体实施方式
下面描述本发明的一个实施方式。
用作信息记录介质如磁盘的玻璃基片由例如铝硅酸盐玻璃、钠钙玻璃、钠铝硅酸盐玻璃、铝硼酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、石英玻璃或微晶玻璃所构成。微晶玻璃的主晶相可以是锂辉石，莫来石，硼酸铝晶体，β-石英固熔体，α-石英，堇青石，顽辉石，钡长石，钙硅石，钙长石，镁橄榄石，硅酸锂，或焦硅酸锂。玻璃基片通常经过化学机械抛光(CMP)而获得镜面加工面。
为了提高切削率以及改善抛光后玻璃基片的表面质量，一般把玻璃基片的抛光过程分成数个抛光步骤进行。这数个抛光步骤包括，例如，玻璃基片表面的粗抛步骤和玻璃基片表面的超细抛步骤。换句话说，数个抛光步骤包括，例如，玻璃基片表面的预抛步骤和玻璃基片表面的精抛步骤。本实施方式的抛光组合物用于，例如，这数个抛光步骤中的最终抛光步骤(精抛步骤)。为了提高抗冲击和抗振动性，抛光后的玻璃基片通常还要进行低温离子交换法等化学增强处理。
本实施方式的抛光组合物包含二氧化硅，酸，以及水。
二氧化硅是作为机械抛光玻璃基片的磨料。二氧化硅可以是胶体二氧化硅，热解法二氧化硅，或沉淀法二氧化硅。其中，因胶体二氧化硅和热解法二氧化硅能在抛光后降低玻璃基片的表面粗糙度而受到优选，且进一步优选胶体二氧化硅。抛光组合物中可含有一种或多种二氧化硅。
如果二氧化硅是胶体二氧化硅，用BET法通过测定胶体二氧化硅的比表面积而得到的平均粒径DSA优选在5～300nm的范围内，进一步优选在5～200nm的范围内，最优选在5～120nm的范围内。用激光衍射散射法测得的胶体二氧化硅的平均粒径DN4优选在5～300nm的范围内，进一步优选在5～200nm的范围内，最优选在5～150nm的范围内。如果二氧化硅是热解法二氧化硅，热解法二氧化硅的平均粒径DSA优选在10～300nm的范围内，进一步优选在10～200nm的范围内，最优选在10～120nm的范围内。热解法二氧化硅的平均粒径DN4优选在30～500nm的范围内，进一步优选在40～400nm的范围内，最优选在50～300nm的范围内。如果胶体二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太小，或者热解法二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太小，则难以获得足够高的切削率。如果胶体二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太大，或者热解法二氧化硅的平均粒径DSA或DN4太大，则抛光后玻璃基片的表面粗糙度将极有可能变大，或者抛光后玻璃基片表面会出现刮擦痕迹。
二氧化硅在抛光组合物中的含量优选在0.1～50mass％的范围内，进一步优选在1～40mass％的范围内，最优选在3～30mass％的范围内。如果二氧化硅的含量小于0.1mass％，将难以获得足够高的切削率，或者由于较高的抛光阻力而难以对玻璃基片进行抛光。如果二氧化硅的含量大于50mass％，抛光组合物的粘度将会极大的增加，使抛光组合物易发生凝胶化，导致抛光组合物的操作性下降。
酸是作为用来促进二氧化硅机械抛光的抛光促进剂。酸促进机械抛光的原理被认为是酸作用于二氧化硅的表面，从而增大了二氧化硅的机械抛光力。作为副作用，酸还会对玻璃基片表面进行侵蚀或蚀刻，从而对玻璃基片表面进行化学抛光。酸的化学抛光作用比二氧化硅的机械抛光作用弱。酸可以是无机酸也可以是有机酸。
无机酸的例子包括盐酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亚磷酸，以及硼酸。有机酸的例子包括乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，柠檬酸，马来酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，苹果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羟基亚乙基二磷酸(缩写：HEDP)，氮基三(亚甲基磷酸)(缩写：NTMP)，以及磷酰基丁烷三羧酸(缩写：PBTC)。其中，优选盐酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亚磷酸，乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，柠檬酸，马来酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，苹果酸，葡萄糖酸，乳酸，HEDP，NTMP，或PBTC，因为这些酸对二氧化硅的机械抛光具有较强的促进作用。在这些优选的酸当中，进一步优选盐酸，磷酸，膦酸，酒石酸，柠檬酸，马来酸，或丙二酸。抛光组合物中可含有一种或多种酸。
酸在抛光组合物中的含量优选在0.05～10mass％的范围内，进一步优选在0.1～8mass％的范围内，最优选在0.3～5mass％的范围内。如果酸的含量小于0.05mass％，则难以获得足够高的切削率，因为酸促进二氧化硅机械抛光的作用很弱。如果酸的含量大于10mass％，抛光组合物的粘度将会极大的增加，使抛光组合物易发生凝胶化，这是不经济的，而且增大了玻璃基片在抛光后表面变粗糙的机会。
水用于溶解或分散抛光组合物中除水以外的各组分。水优选含有尽可能少的杂质，以避免阻碍其他组分的作用。具体说，优选用离子交换树脂除去杂质离子后再用过滤器除去污染物而得到的纯水或超纯水，或蒸馏水。
抛光组合物可根据需要进一步含有螯合剂，表面活性剂，防腐剂等。
抛光组合物是通过将除水以外的各组分与水混合而成的。混合中可使用叶片式搅拌器或超声波分散器。除水以外的备组分混合到水中的次序没有限定。
抛光组合物的pH值优选不超过9，进一步优选在0.5～6的范围内，更进一步优选在1～4的范围内，最优选在1～2.5的范围内。如果pH值大于9，将难以获得足够高的切削率。如果pH值小于0.5，抛光组合物的操作性将恶化。当抛光组合物的pH值设定在0.5～6的范围内，抛光组合物对玻璃基片的抛光能力很强，从而提高了切削率。抛光组合物的pH值是通过改变酸的含量来调节的。
本实施方式的抛光组合物可用水稀释后使用，也可不经稀释使用。当抛光组合物用水稀释，稀释比(体积比)优选不超过50倍，进一步优选不超过20倍，最优选不超过10倍。如果稀释比超过50倍，稀释后抛光组合物中二氧化硅和酸的含量会变得非常低，导致不能获得足够高的切削率。
下面描述通过进行包含粗抛步骤和超细抛步骤在内的二阶段抛光工艺抛光玻璃基片的情况。首先，在粗抛步骤中，使用含有氧化铈的抛光浆料对玻璃基片进行相对粗糙的抛光。其次，在作为最终抛光步骤的超细抛步骤中，使用本实施方式的抛光组合物对玻璃基片表面进行超细抛光。在超细抛光中，连有抛光头的玻璃基片以一定的压力被保持压在转盘上的抛光垫片，当抛光头和转盘转动时将抛光组合物供给抛光垫片的表面。
须注意的是，玻璃基片的分步抛光工艺可以被使用本实施方式的抛光组合物的单步抛光工艺所替代。
本实施方式具有如下优点。
本实施方式的抛光组合物含有二氧化硅作为磨料。与含有氧化铈作为磨料的抛光组合物相比，该抛光组合物在抛光后降低了玻璃基片的表面粗糙度。这被认为是由于氧化铈的基本粒子具有无定形而二氧化硅的基本粒子为球形之故。就是说，认为，由于具有球形的基本粒子，二氧化硅能够将玻璃基片表面抛得比氧化铈更细，从而降低了抛光后玻璃基片的表面粗糙度。
此外，二氧化硅对玻璃基片的反应性比氧化铈的低。由于这个原因，粘附在玻璃基片上二氧化硅不会与玻璃基片材料反应，也不会粘在玻璃基片上而很容易从玻璃基片上清洗掉。因此可以说本实施方式的抛光组合物具有易于清除的性质。
此外，二氧化硅的抗凝聚性和在抛光组合物中的分散性比氧化铈的好(比较后文的实施例1～37和对照例4和5)。因此可以说本实施方式的抛光组合物还含有分散性良好的粘结剂。
抛光组合物中的酸用于加速二氧化硅的机械抛光以及化学抛光玻璃基片表面。通过所述酸的作用，抛光组合物抛光玻璃基片的能力得到增强，并导致切削率的提高。须注意的是，在酸通过活化二氧化硅表面以及蚀刻玻璃基片表面而帮助提高切削率的同时，它并不被认为会氧化玻璃基片表面而使其变脆。
下面将描述本发明的实施例和对照例。
根据实施例1～37和对照例1～5，将磨料和抛光促进剂与水混合制得抛光组合物。所用磨料及抛光促进剂的种类如表1所示。对制备的实施例1～37和对照例1～5的抛光组合物的pH值进行测量，测量结果见表1。
使用实施例1～37和对照例1～5的每个抛光组合物按照下述抛光条件对玻璃基片表面进行抛光。这里，测量了玻璃基片在抛光前后的质量，切削率按照下述公式计算。根据得到的切削率，将每个抛光组合物按四个级别评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当切削率不小于0.12μm/分钟时将抛光组合物评为非常好；当切削率不小于0.08μm/分钟但小于0.12μm/分钟时评为好；当切削率不小于0.05μm/分钟但小于0.08μm/分钟时评为稍差；当切削率小于0.05μm/分钟时评为差。评定结果显示在表1中的“切削率”一栏中。
抛光条件
抛光机：φ15”的单面抛光机(3片/盘)，Engis公司(日本)生产。
被抛光材料：2.5英寸(外径：63.5mm)玻璃基片，其通过使用含氧化铈的抛光浆料粗抛增强玻璃表面而制得，得到的表面粗糙度Ra为0.8nm。
抛光垫片：绒面革型抛光垫片“Belatrix N0058”，Kanebo公司制造
抛光压力：100g/cm2(＝9.8kPa)
转盘转速：102rpm
抛光组合物供给速率：50ml/分钟
抛光时间：20分钟
计算公式
切削率[μm/分钟]＝(玻璃基片抛光前后质量差[g]÷(30.02625[cm2]×2.52[g/cm3])×10000[μm/cm])÷抛光时间[分钟]
抛光后的玻璃基片经过30秒的擦洗和45秒的超声清洗，再进行180秒的甩干。而后，用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力显微镜(扫描面积：10μm×10μm，扫描频率：1.00Hz，样品管线：256，Digital Instruments公司制造)观察玻璃基片的表面。根据观察到的玻璃基片表面上粘着物的数目将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当观察到的玻璃基片表面上粘着物的数目为0时将抛光组合物评为非常好；当粘着物数目小于3时评为好；当粘着物数目不小于3但小于5时评为稍差；当粘着物数目不小于5时评为差。评定结果显示在表1中的“清除难易度”一栏中。
玻璃基片在甩干后使用“NanoScope IIIa Dimension 3000”原子力显微镜(扫描面积：10μm×10μm，扫描频率：1.00Hz，样品管线：256，脱机滤光器：平直自动指令2)测定其表面粗糙度Ra。根据测得的玻璃基片的表面粗糙度Ra，将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当表面粗糙度Ra小于0.2nm时将抛光组合物评为非常好；当表面粗糙度Ra不小于0.2nm但小于0.25nm时评为好；当表面粗糙度Ra不小于0.25nm但小于0.3nm时评为稍差；当表面粗糙度Ra不小于0.3时评为差。评定结果显示在表1中的“表面粗糙度”一栏中。
将实施例1～37和对照例1～5的每个抛光组合物加入到内径2.5cm的比色管中静置1小时。而后，测量每个比色管内抛光组合物的沉淀高度。根据沉淀物的高度，将每个抛光组合物按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，当沉淀高度小于1cm时将抛光组合物评为非常好；当沉淀高度不小于1cm但小于2cm时评为好；当沉淀高度不小于2cm但小于3cm时评为稍差；当沉淀高度不小于3cm时评为差。评定结果显示在表1中的“分散性”一栏中。
根据对上述四项(切削率、清除难易度、表面粗糙度以及分散性)的评定结果，将每个抛光组合物综合按四个等级评定：非常好(1)；好(2)；稍差(3)；和差(4)。具体而言，5点、3点、1点和0点分别代表非常好、好、稍差和差，并相应的为每个抛光组合物计算总评价点数。当四项的总点数为20时将抛光组合物评为非常好，总点数在16～19之间评为好，总点数在10～15之间评为稍差，总点数为9或更少评为差。评定结果显示在表1中的“综合等级”一栏中。
表1
| 磨料[质量百分比] | 抛光促进剂[质量百分比] | pH | 切削率 | 清除难易度 | 表面粗糙度 | 分散性 | 综合等级 | |
| 实施例1 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸3％ | 1.3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例2 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸1％ | 1.6 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例3 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸0.1％ | 2.2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例4 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸0.04％ | 5.0 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例5 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸0.01％ | 8.5 | 3 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例6 | 胶体二氧化硅10％ | 马来酸1％ | 1.5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例7 | 胶体二氧化硅1％ | 马来酸1％ | 1.4 | 3 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例8 | 热解法二氧化硅20％ | 马来酸1％ | 1.7 | 1 | 1 | 3 | 1 | 2 |
| 实施例9 | 胶体二氧化硅40％ | 马来酸1％ | 2.6 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例10 | 胶体二氧化硅20％ | 磷酸3％ | 1.6 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例11 | 胶体二氧化硅20％ | 磷酸1％ | 1.9 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例12 | 胶体二氧化硅20％ | 磷酸0.1％ | 2.5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 磨料[质量百分比] | 抛光促进剂[质量百分比] | pH | 切削率 | 清除难易度 | 表面粗糙度 | 分散性 | 综合等级 | |
| 实施例13 | 胶体二氧化硅20％ | 磷酸0.01％ | 9.0 | 3 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例14 | 胶体二氧化硅10％ | 磷酸1％ | 1.7 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例15 | 胶体二氧化硅1％ | 磷酸1％ | 1.7 | 3 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例16 | 热解法二氧化硅20％ | 磷酸1％ | 1.9 | 1 | 1 | 3 | 1 | 2 |
| 实施例17 | 胶体二氧化硅40％ | 磷酸1％ | 2.8 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例18 | 胶体二氧化硅20％ | 甲基磺酸1％ | 1.1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例19 | 胶体二氧化硅20％ | HEDP1％ | 1.4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例20 | 胶体二氧化硅20％ | NTMP1％ | 1.4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例21 | 胶体二氧化硅20％ | 盐酸1％ | 1.4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例22 | 胶体二氧化硅20％ | PBTC1％ | 1.5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例23 | 胶体二氧化硅20％ | 马来酸1％ | 1.5 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例24 | 胶体二氧化硅20％ | 亚磷酸1％ | 1.7 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例25 | 胶体二氧化硅20％ | 酒石酸1％ | 2.1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例26 | 胶体二氧化硅20％ | 丙二酸1％ | 2.2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例27 | 胶体二氧化硅20％ | 柠檬酸1％ | 2.4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例28 | 胶体二氧化硅20％ | 苹果酸1％ | 2.4 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例29 | 胶体二氧化硅20％ | 甲酸1％ | 2.6 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例30 | 胶体二氧化硅20％ | 乙醇酸1％ | 2.8 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例31 | 胶体二氧化硅20％ | 衣康酸1％ | 2.9 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例32 | 胶体二氧化硅20％ | 葡萄糖酸1％ | 2.9 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例33 | 胶体二氧化硅20％ | 丁二酸1％ | 3.2 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 实施例34 | 胶体二氧化硅20％ | 乙酸1％ | 3.8 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例35 | 胶体二氧化硅20％ | 硼酸1％ | 7.8 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例36 | 胶体二氧化硅20％ | 丙胺酸1％ | 8.6 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 实施例37 | 胶体二氧化硅20％ | 甘氨酸1％ | 8.6 | 2 | 1 | 1 | 1 | 2 |
| 对照例1 | 胶体二氧化硅20％ | - | 10.3 | 4 | 1 | 1 | 1 | 3 |
| 对照例2 | 胶体二氧化硅20％ | 硝酸铝1％ | 3.4 | 4 | 1 | 1 | 1 | 3 |
| 对照例3 | 胶体二氧化硅20％ | 钼酸铵1％ | 5.4 | 4 | 1 | 1 | 1 | 3 |
| 对照例4 | 氧化铈25％ | - | 6.9 | 1 | 4 | 3 | 4 | 4 |
| 对照例5 | 氧化铁25％ | - | 6.9 | 2 | 3 | 3 | 4 | 4 |
在表1中的“磨料”一栏内：
“胶体二氧化硅”为平均颗粒尺寸DSA为80nm和平均颗粒尺寸DN4为80nm的胶体二氧化硅；
“热解法二氧化硅”为平均颗粒尺寸DSA为30nm和平均颗粒尺寸DN4为90nm的热解法二氧化硅；
“氧化铈”为平均颗粒尺寸D50为450nm的氧化铈(Ce2O3)；
“氧化铁”为平均颗粒尺寸D50为450nm的氧化铁(α-Fe2O3)。
氧化铈和氧化铁的平均粒径D50是使用Beckman Coulter公司的Coulter计数器“LS-230”测定的。
如表1所示，实施例1～37的每个抛光组合物在任何评定项里都没有被评为差，在“综合等级”一栏中或者被评为非常好，或者被评为好。该结果表明实施例1～37的抛光组合物适用于玻璃基片的抛光。从实施例2、实施例6、实施例7和实施例9的抛光组合物的评定结果可以发现，当酸(抛光促进剂)为马来酸、有机酸时，通过把二氧化硅(磨料)的含量设定为不少于10mass％，更具体的在10～40mass％范围内，可显著提高切削率。从实施例11、实施例14、实施例15和实施例17的抛光组合物的评定结果可以发现，当酸为磷酸、无机酸时，通过把二氧化硅(磨料)的含量设定为不少于20mass％，更具体的在20～40mass％范围内，可显著提高切削率。从实施例1～5和实施例10～13的抛光组合物的评定结果还可以发现，把酸的含量设定为不少于0.1mass％，更具体的在0.1～3mass％范围内可显著提高切削率。
本实施例和实施方式仅是示范性而不具限制性，本发明并不受限于这里给出的细节，可对本发明在所附权利要求书中的范围和等同条件下做调整。
Claims (20)
1.一种用于抛光玻璃基片的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物由二氧化硅、酸和水组成。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅为胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。
3.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅为胶体二氧化硅。
4.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，用BET法通过测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的所述胶体二氧化硅的平均粒径DSA为5～300nm。
5.如权利要求3所述的抛光组合物，其特征在于，用激光衍射散射法测得的所述胶体二氧化硅的平均粒径DN4为5～300nm。
6.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒径DSA为10～300nm的热解法二氧化硅，所述平均粒径DSA是用BET法测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的。
7.如权利要求2所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅是平均粒径DN4为30～500nm的热解法二氧化硅，所述平均粒径DN4是用激光衍射散射法测得的。
8.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中二氧化硅的含量为0.1～50mass％。
9.如权利要求8所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中二氧化硅的含量为3～30mass％。
10.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述酸为盐酸，磷酸，硫酸，膦酸，硝酸，亚磷酸，或硼酸。
11.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述酸为乙酸，衣康酸，丁二酸，酒石酸，柠檬酸，马来酸，乙醇酸，丙二酸，甲基磺酸，甲酸，苹果酸，葡萄糖酸，丙胺酸，甘氨酸，乳酸，羟基亚乙基二磷酸，氮基三(亚甲基磷酸)，或磷酰基丁烷三羧酸。
12.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中酸的含量为0.05～10mass％。
13.如权利要求12所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物中酸的含量为0.3～5mass％。
14.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物的pH值为0.5～6。
15.如权利要求14所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物的pH值为1～2.5。
16.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，其进一步含有螯合剂、表面活性剂或防腐剂。
17.一种抛光玻璃基片的方法，其特征在于：
根据权利要求1～16中任一项制备抛光组合物；以及
使用所制备的抛光组合物抛光玻璃基片表面。
18.如权利要求17所述的抛光玻璃基片的方法，其特征在于，所述玻璃基片的表面抛光包括：
对玻璃基片表面的预抛；以及
对预抛后的玻璃基片表面的精抛，其特征在于，
所述抛光组合物是用于对预抛后的玻璃基片表面的精抛。
19.如权利要求17所述的抛光玻璃基片的方法，其特征在于，所述抛光组合物的制备包含用水稀释所述抛光组合物。
20.如权利要求19所述的抛光玻璃基片的方法，其特征在于，稀释抛光组合物所用的水的体积不超过稀释前抛光组合物体积的50倍。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003374664A JP2005138197A (ja) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| JP2003-374664 | 2003-11-04 | ||
| JP2003374664 | 2003-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1626599A true CN1626599A (zh) | 2005-06-15 |
| CN1626599B CN1626599B (zh) | 2010-11-03 |
Family
ID=34674788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200410092531.4A Expired - Fee Related CN1626599B (zh) | 2003-11-04 | 2004-11-04 | 抛光组合物和抛光方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20050136803A1 (zh) |
| JP (1) | JP2005138197A (zh) |
| CN (1) | CN1626599B (zh) |
| MY (1) | MY146039A (zh) |
| TW (1) | TW200528548A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101208399B (zh) * | 2005-06-29 | 2011-07-06 | 英特尔公司 | 用于铝的化学机械抛光的浆液 |
| CN102358825A (zh) * | 2011-08-05 | 2012-02-22 | 清华大学 | 一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物 |
| CN107429121A (zh) * | 2015-03-05 | 2017-12-01 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 含有铈土颗粒的抛光组合物及使用方法 |
| CN110976883A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 昆明理工大学 | 一种降低选区熔化3d打印金属复杂结构表面粗糙度的方法 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5090633B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2012-12-05 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
| JP4801437B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2011-10-26 | 昭和電工株式会社 | 研磨装置 |
| GB2433516B (en) * | 2005-12-22 | 2010-11-03 | Kao Corp | Polishing composition for glass substrate |
| JP5008350B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2012-08-22 | 花王株式会社 | ガラス基板用の研磨液組成物 |
| JP5332249B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-11-06 | 旭硝子株式会社 | ガラス基板の研磨方法 |
| JP5013986B2 (ja) * | 2007-06-22 | 2012-08-29 | 花王株式会社 | ガラス基板の製造方法 |
| CN101451044B (zh) * | 2007-11-30 | 2013-10-02 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| US20100038584A1 (en) * | 2008-08-13 | 2010-02-18 | Fujimi Incorporated | Polishing Composition and Polishing Method Using the Same |
| JP2011208261A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Dowa Metals & Mining Co Ltd | カソード板及びカソード板の製造方法、並びに金属電解精錬方法 |
| JP5386036B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-01-15 | Ｈｏｙａ株式会社 | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
| JP5940278B2 (ja) * | 2010-10-27 | 2016-06-29 | 花王株式会社 | ガラスハードディスク基板の製造方法 |
| JP2013030235A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Alphana Technology Co Ltd | 回転機器および回転機器を製造する方法 |
| WO2014208414A1 (ja) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | コニカミノルタ株式会社 | 酸化セリウム研磨材、酸化セリウム研磨材の製造方法及び研磨加工方法 |
| JP2013214095A (ja) * | 2013-07-03 | 2013-10-17 | Hoya Corp | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
| JP6730859B2 (ja) * | 2015-07-15 | 2020-07-29 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6236542B1 (en) * | 1994-01-21 | 2001-05-22 | International Business Machines Corporation | Substrate independent superpolishing process and slurry |
| US5993686A (en) * | 1996-06-06 | 1999-11-30 | Cabot Corporation | Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same |
| US5958288A (en) * | 1996-11-26 | 1999-09-28 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
| JPH10204416A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-08-04 | Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk | 研磨用組成物 |
| US6248143B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-06-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Composition for polishing glass and polishing method |
| JP4090589B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2008-05-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP3983949B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2007-09-26 | 昭和電工株式会社 | 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法 |
| JP4132432B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2008-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
| US6602111B1 (en) * | 1999-07-16 | 2003-08-05 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Abrasive |
| JP2001089748A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-04-03 | Seimi Chem Co Ltd | 研磨剤 |
| JP4273475B2 (ja) * | 1999-09-21 | 2009-06-03 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6280490B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-08-28 | Fujimi America Inc. | Polishing composition and method for producing a memory hard disk |
| US6258140B1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-07-10 | Fujimi America Inc. | Polishing composition |
| JP4238951B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2009-03-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 |
| US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
| US6328774B1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-12-11 | Fujimi America Inc. | Polishing composition and method for producing a memory hard disk |
| US6332831B1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-12-25 | Fujimi America Inc. | Polishing composition and method for producing a memory hard disk |
| JP3768401B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2006-04-19 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 化学的機械的研磨用スラリー |
| JP4009986B2 (ja) * | 2000-11-29 | 2007-11-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、およびそれを用いてメモリーハードディスクを研磨する研磨方法 |
| JP2002231666A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| MY133305A (en) * | 2001-08-21 | 2007-11-30 | Kao Corp | Polishing composition |
| JP4003116B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2007-11-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US20040065021A1 (en) * | 2002-10-04 | 2004-04-08 | Yasuhiro Yoneda | Polishing composition |
-
2003
- 2003-11-04 JP JP2003374664A patent/JP2005138197A/ja active Pending
-
2004
- 2004-11-02 TW TW093133333A patent/TW200528548A/zh unknown
- 2004-11-02 MY MYPI20044532A patent/MY146039A/en unknown
- 2004-11-03 US US10/980,446 patent/US20050136803A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-04 CN CN200410092531.4A patent/CN1626599B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-09-06 US US11/516,131 patent/US20070004323A1/en not_active Abandoned
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| CN102358825B (zh) * | 2011-08-05 | 2013-08-21 | 清华大学 | 一种用于蓝宝石晶片的抛光组合物 |
| CN107429121A (zh) * | 2015-03-05 | 2017-12-01 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 含有铈土颗粒的抛光组合物及使用方法 |
| CN107429121B (zh) * | 2015-03-05 | 2019-09-03 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 含有铈土颗粒的抛光组合物及使用方法 |
| CN110976883A (zh) * | 2019-12-10 | 2020-04-10 | 昆明理工大学 | 一种降低选区熔化3d打印金属复杂结构表面粗糙度的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200528548A (en) | 2005-09-01 |
| CN1626599B (zh) | 2010-11-03 |
| US20050136803A1 (en) | 2005-06-23 |
| JP2005138197A (ja) | 2005-06-02 |
| US20070004323A1 (en) | 2007-01-04 |
| MY146039A (en) | 2012-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20101103 Termination date: 20171104 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |