CN100389161C - 抛光组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及了一种更适于抛光磁盘基质的抛光组合物。此抛光剂抛光组合物含有二氧化硅，含有至少一种选自特殊组中化合物的含磷化合物，含有至少一种由每个具体的酸与氨发生中和反应生成盐的铵盐，过氧化氢和水。
Description
技术领域
本发明涉及一种可用于抛光诸如磁盘基质等的抛光组合物。
背景技术
鉴于磁盘可用作硬盘，而硬盘可作为计算机的存储设备，对于高记录密度有强烈的要求。因此，要求用于磁盘的基质具有优越的表面性能，例如，有较少的腐蚀或刮痕。
公开号为2002-327170的日本公开专利公开了一种改进的抛光组合物以满足基质的这种需要。这种抛光组合物含有磨料、氧化剂、有机磷酸(如二亚乙基三胺亚戊基磷酸)和水。当用这种抛光组合物抛光基质时，在基质的表面形成了一层由有机磷酸反应生成的保护膜，由此，抛光过程中在表面产生的腐蚀和刮痕得到了抑制。
然而，由于有机磷酸的保护膜形成作用并不很强烈，对腐蚀和刮痕的抑制程度还不是很高。因此，还有改进传统抛光组合物的空间。
发明内容
因此，本发明的一个目的就是提供一种更适用于抛光磁盘基质的抛光组合物。
为了达到前述的及其他目的，与本发明的目标一致，这里提供了一种抛光组合物。这种抛光组合物含有二氧化硅，第一化合物，它含有下列化合物组中的至少一个化合物：正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸、1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸、偏磷酸钠和酸性六偏磷酸钠，第二化合物，它含有至少一种由下列化合物与氨发生中和反应生成的盐：正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸、1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸；过氧化氢和水。
本发明的其他方面及优点将在下面的描述中阐明；并通过举例说明本发明的原理。
具体实施方式
现在介绍本发明的一个实施例。
根据本实施例，一种含有二氧化硅、含磷化合物、铵盐、过氧化氢和水的抛光组合物被用于抛光，例如，磁盘的基质。这个基质可以是一种在铝合金构成的空白构件上提供一层镍-磷构成的无电镀层形成的基质，或在一个空白构件上提供镍-铁构成的层，形成基质，或含有碳化硼或碳的基质。
上面所述的二氧化硅是一种磨料，用于一个物品的机械抛光。除了二氧化硅外，二氧化铈、金刚石、氧化铝和类似物都可作为磨料。然而，含有二氧化铈代替二氧化硅的抛光组合物不能用在高速下对基质的抛光。含有金刚石或氧化铝而不含二氧化硅的抛光组合物常常产生表面缺陷，例如，在抛光过程中在基质上产生刮痕或凹痕。相反的，根据本实施例含有二氧化硅作为磨料的抛光组合物，其磨料能够在高速下抛光基质，并且在抛光过程中几乎不会产生刮痕或凹痕。
抛光组合物可以含有两种或更多的二氧化硅。二氧化硅可以是胶体二氧化硅、锻制氧化硅或沉淀二氧化硅，最好是胶体二氧化硅。含有胶体二氧化硅的抛光组合物在抛光过程中几乎不会在基质上产生刮痕。胶体二氧化硅由无定形二氧化硅颗粒构成，其表面有电荷，并且在水中分散呈胶体状。胶体二氧化硅是通过以下方法获得的，例如，通过离子交换除掉硅酸钠和硅酸钾而得到超细胶体二氧化硅，并进行颗粒增长过程，或用酸或碱来水解烷氧基硅烷；或加热有机硅化合物并在湿体系中分解。
二氧化硅的平均颗粒尺寸由采用BET方法测量的二氧化硅的特定表面积来决定，在0.005至0.5μm范围内较为适宜，最好在0.01至0.3μm范围内。如果平均颗粒尺寸小于0.005μm，抛光组合物不能在高速下抛光基质。换句话说，抛光组合物对于基质的抛光速度减小。此外，由于大的抛光阻力会导致抛光机器的振动，从而难以实现精密抛光。如果平均颗粒尺寸超过0.5μm，在抛光组合物中会产生沉淀，并且在许多情况下导致在抛光过程中抛光的基质表面变得粗糙或在基质上产生刮痕。
抛光组合物中二氧化硅的含量在0.01至40％重量范围内较为适宜，包括0.01％和40％最好在0.1至10％重量范围内，包括0.1％和10％。如果含量少于0.01％重量，抛光组合物对于基质的抛光速率减小，此外由于大的抛光阻力会导致抛光机器的振动，从而难以实现精密抛光。如果含量超过40％重量，二氧化硅将在抛光组合物中凝结，导致存储稳定性遭到破坏，并且在许多情况下出于二氧化硅的凝结而在抛光过程中在基质上产生刮痕。此外，抛光组合物中含有大量的二氧化硅在成本上也是不利的。
上述含磷化合物在化学抛光及增加抛光组合物的酸性以加速过氧化氢对物品的氧化中起到了作用。含磷化合物含有正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸、1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸，、偏磷酸钠和六偏磷酸钠中至少一种化合物。与已知的作为抛光加速剂的柠檬酸不同，含磷化合物在抛光过程中有保护膜形成，在基质的表面形成了一层耐刮和耐腐蚀的保护膜。，而且含磷化合物较二亚乙基三胺亚戊基磷酸所形成的保护膜更牢固。
正磷酸可用分子式H3PO4表示。双磷酸可用分子式H4P2O7表示，也可称为焦磷酸。多磷酸是一种线性聚合的磷酸，由正磷酸脱水缩合制得，可用分子式Hn+2PnO3n+1表示，其中n代表2至4范围内的整数，包含2和4。多磷酸是线性聚合的磷酸的混和物，它们彼此n的数值不同。更为具体地是，至少混合两种从双磷酸，三磷酸(H5P3O10)和四磷酸(H6P4O13)中选出的化合物。多磷酸的聚合比率，更为具体地是，由多磷酸水解产生的正磷酸基于多磷酸重量的重量比，可以是105％或116％或其它值。偏磷酸是一种由正磷酸缩合生成的环状磷酸，可用分子式(HPO3)m表示，其中m代表3至8范围内的整数，包括3和8。甲基酸式磷酸盐也称为甲基磷酸。乙基酸式磷酸盐也称为乙基磷酸。肌醇六磷酸也称为乙基肌醇六磷酸。1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸缩写为HEDP。偏磷酸钠可用分子式(NaPO3)m表示，其中m代表3至8范围内的整数，包括3和8。酸性的六偏磷酸钠可用分子式NaxHy(PO3)x+y表示，其中x，y分别代表1至7范围内的一个整数，包括1和7；并且x与y的和在3至8范围内，包括3和8。抛光组合物中含磷化合物的含量在0.01至40％重量范围内较为适宜，包括0.01％和40％，最好是在1至20％重量范围内，包括1％和20％。如果含量少于0.01％重量，抛光组合物对基质的抛光速率降低。如果含量超过40％重量，在有些情况下，在抛光过程中在基质上会产生腐蚀，而且也是不经济的。
上述铵盐包括由以下至少一种酸与氨发生中和反应所生成的盐：正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙甲基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸磷、肌醇六磷酸和1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸，最好包含至少一种由下列化合物中选出的一种盐：磷酸三铵((NH4)3PO4)，磷酸氢二铵((NH4)2HPO4)和磷酸二氢铵(NH4H2PO4)。
在抛光过程中，铵盐具有保护膜形成作用，在基质表面形成一层耐刮和耐磨的保护膜。以下每一种酸的金属盐也可具有与铵盐类似的保护膜形成作用：正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸和1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸。但是，在含有金属盐的抛光组合物中，抛光组合物中的二氧化硅由于金属盐衍生出金属离子而发生凝结，从而在抛光过程中由于凝结的二氧化硅而导致在基质上产生刮痕。
抛光组合物中铵盐的含量在0.01至30％重量范围内较为适宜，包括0.01％和30％，最好在1至10％重量范围内，包括1％和10％。如果含量少于0.01％重量，在许多情况下抛光组合物的保护膜形成作用不强。当抛光组合物的保护膜形成作用不够强时，在抛光过程中在基质上会产生腐蚀和刮痕。抛光组合物中铵盐含量超过30％重量时，其稳定性差。
上述过氧化氢是一种氧化剂，起到氧化物品来加速磨料的机械抛光。除了过氧化氢之外的已知氧化剂还有硝酸，高锰酸钾，过硫酸和相似物。但是，硝酸的氧化性不强，而含有高锰酸钾或过硫酸的抛光组合物作为氧化剂在抛光过程中在基质上产生刮痕。相反，过氧化氢具有足够的氧化能力，环境适宜且相对便宜。过氧化氢可以水溶液的形式加到抛光组合物中，该水溶液中过氧化氢的含量为30至35％重量。
抛光组合物中过氧化氢的含量在0.1至5％重量范围内较为适宜，包括0.1％和5％，最好是在0.3至1％重量范围内，包括0.3％和1％。如果含量低于0.1％重量，抛光组合物对基质的抛光速率会降低，且一些情况下在抛光过程中在基质上产生刮痕，。如果含量高于5％重量，在有些情况下，在抛光过程中在基质上产生腐蚀，并且抛光组合物对基质的抛光速率不稳定。
上述水起到媒介作用，用以分散或溶解抛光组合物中除水之外的组分。水中所含杂质越少越好。更为特殊的是，净化水，超纯水和蒸馏水较为适宜。
抛光组合物的pH值在0.5至5范围内较为适宜，包括0.5和5，最好是在1.0至3.0范围内，包括1.0和3.0。如果pH值小于0.5，一些情况下在抛光过程中在基质上会产生腐蚀。如果pH值超过5.0，由于过氧化氢所产生的对基质的氧化被抑制，结果是抛光组合物对基质的抛光速率降低。
根据本实施例的抛光组合物可通过混合二氧化硅，一种含磷化合物，铵盐，过氧化氢和水制备。在混合过程中，哪种化合物先加的顺序是任意的，或所有化合物可以同时加入。
当使用根据本实施例的抛光组合物来抛光基质表面时，例如，当将抛光组合物用于基质表面前，用抛光垫打磨基质表面。抛光后的基质需清洗和干燥。
在基质的制造过程中，通常要进行许多道抛光工序，根据本实施例的一种抛光组合物最好在抛光的最后一道工序中应用。
本实施例具有以下优点。
根据本实施例的一种抛光组合物含有一种含磷化合物和铵盐，它们都具有形成保护膜的作用，因此，在抛光过程中在一种物品上产生的腐蚀和刮痕被有效地抑制，特别是对于磁盘基质的抛光。相应的，根据本实施例的一种抛光组合物非常适用于在基质的抛光中，特别是用在对基质的最后抛光中。使用根据本实施例的抛光组合物来抛光的基质，具有良好的表面特性，如较少的腐蚀和刮痕，以及表面粗糙程度很低。相应的，根据本实施例的抛光组合物对于实现磁盘的高记录密度做出了贡献。
根据本实施例的抛光组合物含有用于机械抛光物品的二氧化硅，用于化学抛光物品的含磷化合物，以及加速二氧化硅机械抛光的过氧化氢。因此，此抛光组合物可用于抛光物品，特别是在高速下抛光磁盘的基质。换句话说，根据本实施例的抛光组合物对于基质具有很高的抛光速率。
当抛光组合物中的铵盐含有至少一种从由磷酸三铵，磷酸氢二铵和磷酸二氢铵组成的组中的盐时，抛光组合物在基质抛光过程中对腐蚀和刮痕的抑制效果可以持续很长一段时间。这是因为磷酸三铵，磷酸氢二铵和磷酸二氢胺在抛光组合物中具有很好的稳定性。
对于那些对本领域非常熟悉的人来说，很明显，在不背离本发明的精神下，本发明可通过许多其他特殊形式实现。特别地，应该理解本发明可采用下列方式来实现。
抛光组合物可以进一步包含可用于加速二氧化硅机械抛光的抛光加速剂。抛光加速剂最好包含下列化合物中的一种：柠檬酸，马来酸，马来酐，羟基丁二酸，羟基乙酸，琥珀酸，衣康酸，丙二酸，亚氨基二乙酸，葡萄糖酸，乳酸，苯乙醇酸，酒石酸，丁烯酸，烟酸，醋酸，己二酸，甘氨酸，丙氨酸，组胺酸，甲酸和草酸。抛光加速剂在抛光组合物中的含量在0.01至40％重量范围内较为适宜，包括0.01％和40％，最好是在1至20％重量范围内，包括1％和20％。如果其含量低于0.01％重量，二氧化硅的机械抛光加速不明显。如果含量超过40％重量，在抛光过程中在基质上会产生腐蚀。
如果有必要的话，抛光组合物可进一步含有表面活性剂，增稠剂，螯合剂或消泡剂。表面活性剂可以是聚羧酸盐表面活性剂，或者可以是聚磺酸盐表面活性剂。具体地，表面活性剂可以是聚苯乙烯磺酸钠或聚丙烯酸钠。表面活性剂增加了二氧化硅在抛光组合物中的分散能力。增稠剂可以是水溶性纤维素或聚乙烯醇。
抛光组合物可在使用前，立即通过用水稀释储备液来配制。
抛光组合物可在使用前，立即通过将过氧化氢与二氧化硅，含磷化合物，铵盐和水的混合物混合来制备。在这种情况下，可以防止由于抛光组合物中过氧化氢分解而导致的储备液稳定性的破坏。
抛光组合物还可用于磁盘基质之外物品的抛光。磁盘基质之外的物品可以是含有钨，铜，硅，玻璃或陶瓷。更特别的是，此物品可以是半导体芯片或光学透镜。
现在通过参考实施例和比较实施例来对本发明进行更详细的介绍。
在实施例1至22中，抛光组合物是通过混合胶体二氧化硅，含磷化合物，铵盐，过氧化氢和水制得。在实施例23至26中，抛光组合物是通过混合胶体二氧化硅，含磷化合物，铵盐，过氧化氢，抛光加速剂和水制得。在比较实施例1至5中，抛光组合物是通过将含磷化合物，铵盐和过氧化氢中至少两种化合物与胶体二氧化硅和水混合制得。在比较实施例6至11中，抛光组合物是通过将含磷化合物，铵盐和过氧化氢中至少两种化合物与胶体二氧化硅，抛光加速剂和水混合制得。在比较实施例12和13中，制备了含有二亚乙基三胺亚戊基磷酸代替含磷化合物的抛光组合物。各种抛光组合物的详细组成列于表1和表2。
需要指出的是，实施例1至9，12至26，和比较实施例1至13中的胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸为30nm；实施例10中的胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸为50nm；实施例11中的胶体二氧化硅的平均颗粒尺寸为10nm。进一步的，多磷酸的缩合比率为116％。
使用实施例1至26和比较实施例1至13中每一种抛光组合物，在下列抛光条件下对基质表面进行抛光。
抛光条件：
抛光基质：以镍-磷无电镀层方式提供的直径3.5英寸(约95mm)的基质，该平板镀层首先进行抛光，表面粗糙度(Ra)约为6埃，这是用数字式仪器有限公司制造的扫描探测显微镜“Nanoscope III”测得。
抛光机：一种双面抛光机“SFDL-9B”，由SPEEDFAM有限公司制造。
抛光垫：一种麂皮抛光垫“Belatrix N0058”，由Kanebo公司制造。
抛光负荷：80mg/cm2
较低固定基座的旋转速率为：30rpm
抛光剂抛光组合物的供给速率：40毫升/分钟
抛光时间：8分钟
抛光基质数：10
当抛光加工是在上述条件下进行时，抛光速率可根据下面的公式计算。表1和表2中标题为″抛光速率″一栏说明由计算的抛光速率决定的评价结果，这基于表3中标题为″抛光速率″一栏的四个等级。
方程：
抛光速率(μm/min)＝基质由于抛光而减少的量(g)/[被抛光的基质表面面积(cm2)×镍-磷平板镀层的密度(g/cm3)×抛光时间(min)]×104使用一种超精细缺陷显象宏观检测仪(由VISION PSYTEC公司制造的MicroMax VMX2100)来观察被抛光的基质，测量每个基质表面的刮痕数量。表1和表2中标题为″刮痕″一栏，说明使用10个样品测得得刮痕数的平均数目所决定的评价结果，这基于表3中标题为″刮痕″栏中所显示的四个等级。
为了调查实施例1至26中和比较实施例1至13中，对于每种抛光组合物，基质的腐蚀程度。将由镍-磷无电镀层提供的和直径为3.5英寸的基质在30℃下浸入抛光组合物中3小时。测量由于浸泡导致的基质重量减轻。根据由两个样品测得的重量减少量，根据表3中标题为″腐蚀程度″栏显示的四个等级来评价腐蚀程度。结果显示在表1和表2标题为″腐蚀程度″栏中。
表1
| 二氧化硅 | 含磷化合物 | 铵盐 | 过氧化氢 | 抛光加速剂 | 抛光速率 | 刮痕 | 腐蚀 | |
| 实施例1 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸0.5wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ○ | ◎ |
| 实施例2 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ◎ | ◎ |
| 实施例3 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸2.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ◎ | ○ |
| 实施例4 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ◎ | ◎ |
| 实施例5 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ◎ | ◎ |
| 实施例6 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.1wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ○ | ◎ |
| 实施例7 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.1wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例8 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>0.3wt％ | - | ○ | ○ | ◎ |
| 实施例9 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>0.3wt％ | - | ◎ | ◎ | ○ |
| 实施例10 | 胶体二氧化硅(50nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ○ | ◎ |
| 实施例11 | 胶体二氧化硅(10nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例12 | 胶体二氧化硅(30nm)1.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ○ | ◎ |
| 实施例13 | 胶体二氧化硅(30nm)1.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ○ | ◎ |
| 实施例14 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 焦磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | ◎ | ◎ |
| 实施例15 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 正磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ○ |
| 实施例16 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 偏磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例17 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 酸性六偏磷酸钠1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例18 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 甲基酸式磷酸盐1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例19 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 乙基酸式磷酸盐1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例20 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 乙基乙二醇酸式磷酸盐1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例21 | 胶体二氧化硅(30nm)5。0wt％ | 肌醇六磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ◎ |
| 实施例22 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | HEDP1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | ◎ | ○ |
| 实施例23 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 正磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 柠檬酸1.0wt％ | ◎ | ◎ | ○ |
| 实施例24 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 偏磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 柠檬酸1.0wt％ | ◎ | ◎ | ◎ |
| 实施例25 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 正磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 马来酸1.0wt％ | ◎ | ◎ | ○ |
| 实施例26 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 正磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 丙二酸1.0wt％ | ◎ | ◎ | ○ |
表2
| 二氧化硅 | 含磷化合物 | 铵盐 | 过氧化氢 | 抛光加速剂 | 抛光速率 | 刮痕 | 腐蚀 | |
| 比较例1 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | - | - | × | × | ○ |
| 比较例2 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 正磷酸1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | - | - | × | × | ○ |
| 比较例3 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 多磷酸1.0wt％ | - | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ◎ | △ | ○ |
| 比较例4 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | 焦磷酸1.0wt％ | - | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | ○ | △ | △ |
| 比较例5 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | × | × | ◎ |
| 比较例6 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 柠檬酸1.0wt％ | ○ | ◎ | △ |
| 比较例7 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 马来酸1.0wt％ | ○ | ◎ | △ |
| 比较例8 | 胶体二氧化硅(30nm)5.O wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 丙二酸1.0wt％ | ○ | ◎ | △ |
| 比较例9 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0 wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 琥珀酸二钠1.0wt％甲磺酸1.0wt％ | △ | ○ | △ |
| 比较例10 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0 wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 硫酸1.0wt％ | ◎ | ○ | × |
| 比较例11 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0 wt％ | - | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | 甲磺酸1.0wt％ | ○ | ○ | × |
| 比较例12 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | PBTC1.0wt％ | (NH<sub>4</sub>)<sub>2</sub>HPO<sub>4</sub>0.4wt％ | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | △ | ◎ | △ |
| 比较例13 | 胶体二氧化硅(30nm)5.0wt％ | PBTC1.0wt％ | - | H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>1.0wt％ | - | △ | ○ | × |
表3
| 评价标准 | 抛光速率(μm/min) | 刮痕(数目) | 腐蚀度[埃] |
| ◎ | 低于0.10 | 低于20 | 低于5 |
| ○ | 0.07至0.10范围内 | 20至50范围内 | 5至8范围内 |
| △ | 0.04至0.07范围内 | 50至100范围内 | 8至10范围内 |
| × | 低于0.4 | 不低于100 | 不低于10 |
如表1和表2所示，在实施例1至26中，对抛光组合物速率，刮痕和腐蚀的所有评估结果都是好的。相反，在比较实施例1至13中，抛光速率，刮痕和腐蚀中至少有一项评估结果不好。
本实施例和实施方案是为了说明而不是限制本发明，本发明不被此处提供的细节所限制，但可以在所附权利要求书的范围和等效性之内改动。
Claims (12)
1.一种抛光组合物，其特征在于，含有：
二氧化硅；
第一化合物，该化合物含有至少一种选自由正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸、偏磷酸钠和酸性六偏磷酸钠构成的组中的化合物；
第二化合物，该化合物含有由正磷酸、焦磷酸、多磷酸、偏磷酸、甲基酸式磷酸盐、乙基酸式磷酸盐、乙基乙二醇酸式磷酸盐、肌醇六磷酸、1-羟乙基亚基-1，1-双磷酸中的每一个通过与氨的中和反应生成的盐中的至少一种盐；
过氧化氢；和
水。
2.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，进一步包含一种含有柠檬酸，马来酸，马来酐，羟基丁二酸，羟基乙酸，琥珀酸，衣康酸，丙二酸，亚氨基二乙酸，葡萄糖酸，乳酸，苯乙醇酸，酒石酸，丁烯酸，烟酸，醋酸，己二酸，甘氨酸，丙氨酸，组胺酸，甲酸和草酸中至少一种化合物的抛光加速剂。
3.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅是胶体二氧化硅。
4.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，由采用BET方法测量的二氧化硅比表面积所确定的所述二氧化硅的平均颗粒尺寸为0.005至0.5μm。
5.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述二氧化硅在抛光组合物中的含量为0.01至40％重量。
6.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述第一化合物在抛光组合物中的含量为0.01至40％重量。
7.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二化合物含有磷酸三铵，磷酸氢二铵和磷酸二氢铵中至少一种化合物。
8.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述第二化合物在抛光组合物中的含量为0.01至30％重量。
9.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述过氧化氢在抛光组合物中的含量为0.1至5％重量。
10.如权利要求1所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物的pH值为0.5至5.0。
11.如权利要求1至10中任何一项所述的抛光组合物，其特征在于，所述抛光组合物用在磁盘基质表面的最后抛光中。
12.一种抛光磁盘基质的方法，其特征在于，
制备如权利要求1至10中任何一项所述的抛光组合物；
用该抛光组合物抛光基质表面。
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