CN1637553A - 液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器件的制造方法，该方法包括：在基板上形成栅线和数据线；形成与所述栅线和数据线相连的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；在所述薄膜晶体管的上方形成黑矩阵，该黑矩阵具有一开口；在具有黑矩阵的基板上形成第一导电层，使得该第一导电层与部分漏极相连接；在对应于黑矩阵开口部分处的第一导电层上形成滤色片层；部分蚀刻对应于黑矩阵的第一导电层的表面；在滤色片层上形成第二导电层，使得该第二导电层与部分蚀刻的第一导电层相连；以及通过对所述第一和第二导电层构图形成像素电极。

Description

液晶显示器件及其制造方法
本申请要求享有2003年12月27日在韩国递交的申请号为No.2003-0098130的韩国专利申请的优先权，该申请在此包含引作参考。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，尤其涉及一种在阵列基板上设有滤色片层的液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
基于液晶材料的光学各向异性和极化特性驱动液晶显示(LCD)器件。通常，LCD器件包括两个分隔开并彼此相对的基板以及插入在所述两个基板之间的液晶材料层。每个基板包括彼此相对的电极，使得为每个电极施加的电压能在所述电极之间形成垂直于基板的电场。液晶材料层中液晶分子的排列可通过改变所施加电场的强度或方向进行变化。因此，LCD器件根据液晶分子的排列，通过改变透过液晶材料层的光透射比显示图像。
图1为说明现有技术LCD器件的放大透视图。如图1所示，LCD器件11包括称作滤色片基板的上基板5，以及称作阵列基板的下基板22，并在两个基板之间设有液晶材料层14。在上基板5上，以阵列矩阵的形状形成黑矩阵6和滤色片层8，所述阵列矩阵包含多个由所述黑矩阵6对应部分所围绕的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)滤色片层。另外，在所述上基板5上形成公共电极18以覆盖滤色片层8和黑矩阵6。
在下基板22上，按照对应滤色片层8的阵列矩阵形式形成多个薄膜晶体管(TFT)T。多条横向栅线13与多条数据线15垂直交叉。TFT T设置在一条栅线13和一条数据线15的交叉点附近。而且，在下基板22的栅线13和数据线15限定的像素区域P上形成多个像素电极17。所述像素电极17包含具有高透射比的透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
进一步如图1所示，存储电容CST设置在各像素P中并与所述像素的像素电极17并行连接。所述存储电容CST由作为第一电容器电极的部分栅线13和作为第二电容器电极的金属层30构成。由于金属层30通过接触孔与像素电极17相连，所以存储电容CST与像素电极17电连接。所述金属层30可用与数据线15相同的材料制成。当制造图1的LCD器件11时，上基板5与下基板22对准并与其粘接。在此工序中，所述上基板5可能与下基板22没有对准并且由于粘接上基板5和下基板22中的误差幅度(margin)而使得完成后的LCD器件11中存在漏光现象。
图2为沿图1中的II-II线提取的截面图，说明了现有技术中液晶显示(LCD)器件的一个像素。如图2所示，现有技术中的LCD器件包括上基板5、下基板22和液晶层14。上基板5和下基板22彼此分隔开，并在其中插入液晶层14。因为在上基板上形成有滤色片层8而在下基板22上形成有多个阵列元件，所以上基板5和下基板22通常分别称作滤色片基板和阵列基板。进一步如图2所示，薄膜晶体管T形成在下基板22的内表面上，并在该薄膜晶体管T上形成钝化层40。所述薄膜晶体管T包括栅极32、有源层34、源极36和漏极38。
参照图1，所述栅极32从栅线13延伸出，而源极36从数据线15延伸出。所述栅极32、源极36和漏极38由金属材料形成而有源层34由硅形成。由透明导电材料形成的像素电极17设置在像素区域P内。
如图2所示，像素电极17与漏极38和金属层30相连。如上所述，栅极13用作存储电容CST的第一电极，而金属层30用作存储电容CST的第二电极。因此，所述栅极13和金属层30限定存储电容CST。
仍参照图2，上基板5在所述薄膜晶体管T上方与第一基板22分隔开。在上基板5的后表面上，黑矩阵6设置在与薄膜晶体管T和栅线13相对应的位置处。所述黑矩阵6形成于上基板5的整个表面上，并如图1所示，具有与下基板22的像素电极17相对应的开口。所述黑矩阵6防止了像素电极17部分以外的LCD板中的漏光。所述黑矩阵6保护所述薄膜晶体管T免受光照射，进而该黑矩阵6阻止了薄膜晶体管T中光电流的产生。所述滤色片层8形成在上基板5的后表面上以覆盖黑矩阵6。各滤色片层8具有红色、绿色和蓝色中的一种颜色，并对应设置有像素电极17的一个像素区域。由透明导电材料形成的公共电极18设置在上基板5上方的滤色片层8上。
在上述提及的现有技术的LCD板中，各像素电极17对应各滤色片。进一步，为了阻止像素电极17与栅线13和数据线15之间的串扰，像素电极17与数据线15间隔以距离A，并与栅线13间隔以距离C，如图2所示。像素电极17与数据线15和栅线13之间的开口空间A和C会引发功能异常，如LCD器件中的漏光。典型地，漏光主要发生在开口空间A和C中。但是，形成在上基板5上的黑矩阵6应该可以覆盖该开口空间A和C。可是，当将上基板5和下基板22设置在一起或者将下基板22与上基板5设置在一起时，可能会在上基板5和下基板22之间发生未对准的情况。因此，延长黑矩阵6，使得该黑矩阵仍然还能够覆盖开口空间A和C。也就是说，设计黑矩阵以提供防止漏光的对准幅度。可是，由于延伸所述黑矩阵，使得液晶显示板孔径比的减少量与黑矩阵6的对准幅度增加量一样多。而且，如果在黑矩阵6的对准幅度中存在误差，则在开口空间A和C中会发生漏光，进而降低LCD器件的图像质量。
发明内容
因此，本发明涉及一种在阵列基板上具有滤色片层的液晶显示(LCD)器件及其制造方法，基本消除了由于现有技术的局限和缺陷所引起的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有高孔径比的液晶显示器件。
本发明的另一目的是提供一种制造液晶显示器件的方法，其改进了第一和第二导电层之间的接触以防止第一和第二导电层与滤色片层的损坏。
本发明的其他特征和优点将在以下的说明中予以阐述，并且其根据该说明部分地变得清楚，或可通过本发明的实施而了解。本发明的目的和其它优点可通过已写的说明书及其权利要求书以及附图中特殊指定的构造予以了解和实现。
为了实现这些和其它优点并根据本发明的目的，正如具体和广泛描述的，一种液晶显示器件的制造方法包括：在基板上形成栅线和数据线；形成与所述栅线和数据线相连的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；在所述薄膜晶体管的上方形成黑矩阵，该黑矩阵具有一开口；在具有黑矩阵的基板上形成第一导电层，使得该第一导电层与部分漏极相连接；在对应于黑矩阵开口部分的第一导电层上形成滤色片层；部分蚀刻对应于黑矩阵的第一导电层的表面；在滤色片层上形成第二导电层，使得该第二导电层与部分蚀刻的第一导电层相连；以及通过对所述第一和第二导电层构图形成像素电极。
在另一方面，一种液晶显示器件的制造方法包括：在基板上形成栅线和栅极；在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；在栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层；形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅线相交叉并限定出像素区域，而源极和漏极设置在所述半导体层上并彼此分隔开，并且所述栅极、半导体层、源极和漏极形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层；在所述第一钝化层上形成黑矩阵，该黑矩阵具有对应于像素的第一开口，并且该第一开口暴露出部分漏极上方的第一钝化层；在具有黑矩阵的基板表面上形成第二钝化层；通过对所述第二钝化层、第一钝化层以及栅绝缘层构图形成第二开口，使得该第二开口暴露出部分漏极；在所述第二钝化层上形成第一导电层，使得该第一导电层与部分漏极相连；在所述第二开口中的第一导电层上形成滤色片层；部分蚀刻黑矩阵上方第一导电层的表面；在所述滤色片层的上面形成第二导电层，使得该第二导电层与部分蚀刻的第一导电层相连；以及通过对第一和第二导电层构图形成像素电极，该像素电极设置于像素区域内。
另一方面，一种液晶显示器件包括：基板；设置在所述基板上并彼此交叉以限定像素区域的栅线和数据线；设置在所述栅线和数据线交叉点附近的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极、半导体层、源极和漏极；设置在薄膜晶体管上并具有一开口的黑矩阵；设置在所述黑矩阵上并处于像素区域内部的第一像素电极，该第一像素电极与部分漏极相连；设置在像素区域中第一像素电极上的滤色片层；以及设置在滤色片层上与第一像素电极相连的第二像素电极，所述第一像素电极与第二像素电极相连的部分比第一像素电极处于所述滤色片层下面的部分薄。
应当理解，上述简要说明和以下详细说明都是示例性和说明性的，意欲对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
用于提供本发明进一步的理解并包含在本申请中而构成本申请一部分的附图，示出了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1为说明现有技术液晶显示器件的放大透视图。
图2为说明现有技术液晶显示器件沿图1中的II-II线提取的截面图。
图3为根据本发明一示例性实施例的液晶显示器件的示意性平面图。
图4A至4I为沿图3中的IV-IV线提取的截面图，其说明制造根据本发明第一示例性实施例的阵列基板的工序步骤。
图5A至5I为沿图3中的V-V线提取的截面图，其说明制造根据本发明第一示例性实施例的阵列基板的工序步骤。
图6A至6I为沿图3中的VI-VI线提取的截面图，其说明制造根据本发明第一示例性实施例的阵列基板的工序步骤。
图7为根据本发明放大的第一透明导电层的示意性截面图。
图8为图4I中区域D的放大截面图。
图9A和9B、图10A和10B以及图11A和11B为说明制造根据本发明第二示例性实施例的阵列基板的工序步骤的截面图。
具体实施方式
现在参照附图详细说明本发明的优选实施例。
图3为根据本发明实施例的液晶显示器件的示意性平面图，特别示出了具有在薄膜晶体管上设有滤色片层(COT)结构的阵列基板。如图3所示，沿第一方向形成栅线112，并沿与第一方向垂直的第二方向形成数据线126。所述栅线112和数据线126彼此交叉以限定其间的像素区域P。栅焊盘117形成在栅线112的一端，而数据焊盘128形成在数据线126的一端。
薄膜晶体管T作为开关元件形成在所述栅线112和数据线126的交叉点邻近。所述薄膜晶体管T包括与栅线112相连并用于接收扫描信号的栅极114、与数据线126相连并用于接收数据信号的源极122以及与源极122分隔开的漏极124。所述漏极124与像素电极142相连。
像素电极142也形成在像素区域P内。该像素电极142覆盖一部分栅线112使得覆盖有像素电极142的这部分栅线112成为第一电容电极116。可由与数据线126相同材料制成的第二电容电极130形成在所述第一电容电极116上方，并与所述像素电极142电连接。所述第一电容电极116和第二电容电极130形成存储电容CST。
对应于栅线112、数据线126、薄膜晶体管T以及像素电极142的边缘，形成由图3中阴影线示出的黑矩阵134。所述黑矩阵134具有对应于像素区域P的开口134a。该开口134a暴露出部分第二电容电极130和漏极124。因此，所述像素电极142能够在没有接触孔的情况下直接与漏极124和第二电容电极130相连。栅焊盘端子144和数据焊盘端子146分别形成在栅焊盘117和数据焊盘128上。所述栅焊盘端子144和数据焊盘端子146可由与像素电极142相同的材料制成。尽管在图3中未示出，但对应于黑矩阵134的开口134a形成滤色片层。
在此，LCD器件包括在薄膜晶体管上具有滤色片层(COT)结构的阵列基板。在该COT结构中，由于所述黑矩阵134和滤色片层与像素电极142形成在相同的基板上，所以能够最小化黑矩阵134和像素电极142之间的对准幅度。以下，参照图4A至4I、图5A至5I和图6A至6I详细说明用于COT结构的LCD阵列基板的制造工序。
图4A至4I、图5A至5I和图6A至6I为说明根据本发明第一示例性实施例的阵列基板的工序步骤的截面图。图4A至4I对应沿图3中的IV-IV线提取的截面图，图5A至5I对应沿图3中的V-V线提取的截面图，而图6A至6I对应沿图3中的VI-VI线提取的截面图。
参照图4A、5A和6A，通过沉积第一金属材料并随后通过掩模工艺，如包括曝光和显影光敏材料步骤的光刻工艺对该金属构图，在基板110上形成栅极114、栅线112和栅焊盘117。部分栅线112用作第一电容电极116。所述栅极114从栅线112延伸出，而栅焊盘117位于栅线112的一端。
参照图4B、5B和6B，通过在具有栅线112、栅极114和栅焊盘110的基板110上顺序沉积第一绝缘材料、非晶硅和掺杂非晶硅，形成栅绝缘层118、有源层120a和欧姆接触层120b。所示掺杂非晶硅和非晶硅通过掩模工艺被构图。所述有源层120a和欧姆接触层120b设置在栅极114上方以限定半导体层120。
参照图4C、5C和6C，通过沉积第二金属材料并经由掩模工艺对其构图，形成源极122、漏极124和数据线126。所述源极122和漏极124设置在所述半导体层120上并彼此分隔开。所述数据线126与源极122相连并与栅线112交叉。同时，在栅绝缘层118上形成数据焊盘128和第二电容电极130。所述数据焊盘128位于数据线126的一端。岛形的第二电容电极130设置在第一电容器电极116上方。所述栅极114、半导体层120、源极122和漏极124形成薄膜晶体管T。所述栅焊盘117和数据焊盘128设置在不显示图像的非图像区域内。
接下来，将源极122和漏极124用作蚀刻掩模，去除暴露在源极122和漏极124之间的部分欧姆接触层120b，以便暴露出部分有源层120a。在所述源极122和漏极124之间暴露的部分有源层120a成为薄膜晶体管T的沟道CH。
参照图4D、5D和6D，使用第二绝缘材料在源极122和漏极124、数据线126和第二电容电极130上形成第一钝化层132。所述第一钝化层132防止了在所述薄膜晶体管T和之后形成的黑矩阵之间可能发生的不良接触。所述第一钝化层132可由无机材料，如氮化硅(SiNx)制成。
参照图4E、5E和6E，通过掩模工艺形成遮光材料以及对该遮光材料构图，在所述第一钝化层132上形成黑矩阵134。接下来，在包括黑矩阵134的基板110的整个表面上，用第三绝缘材料形成第二钝化层135。所述黑矩阵134覆盖除焊盘117以外的栅线112，并且所述黑矩阵134覆盖除数据焊盘128以外的数据线126。该黑矩阵也覆盖所述薄膜晶体管T。所述黑矩阵134具有对应于像素区域的开口134a。该黑矩阵134可由不透明的有机材料制成。黑矩阵134不仅阻挡光线也保护薄膜晶体管T。所述开孔134a也暴露出部分漏极124和第二电容器电极130上的第一钝化层132。
为了防止黑矩阵134氧化，可通过在低温条件下形成薄膜的等离子体增强型化学汽相淀积(PECVD)方法，用氮化硅(SiNx)制成所述第二钝化层135。作为一种选择，可通过溅射方法，用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)之一制成所述第二钝化层135。作为另一种选择，所述第二钝化层135可用氧氮化物(OxNy)和包含碳(C)的氮化物(Nx)之一制成，其可由将3MS(3-甲氧基硅)用作前体(precursor)气体的PECVD方法形成。
参照图4F、5F和6F，通过掩模工艺对第二钝化层135、第一钝化层132和栅绝缘层118构图以形成开口133、栅焊盘接触孔119和数据焊盘接触孔129。在此，部分漏极124和第二电容电极130以及数据焊盘128起到蚀刻掩模的作用，并因此，使得在该部分漏极124和第二电容电极130以及数据焊盘128下面的栅绝缘层118未被蚀刻。所述开口133暴露出基板110以及像素区域P中的所述部分漏极124和第二电容电极130。所述栅焊盘接触孔119暴露出栅焊盘117，而数据焊盘接触孔129暴露出数据焊盘128。
参照图4G、5G和6G，在包含所述第二钝化层135的基板110的整个表面上形成第一透明导电层136。所述第一透明导电层136可由透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锌锡(ITZO)形成。所述第一透明导电层136与暴露出的部分漏极124和第二电容电极130相连。而且，所述第一透明导电层136通过栅焊盘接触孔119与栅焊盘117相连接，并通过所述数据焊盘接触孔129与数据焊盘128相连接。另外，所述第一透明导电层136也与暴露出的基板110相连接。在此，所述第一透明导电层136沿黑矩阵134的侧壁形成。
参照图4H、5H和6H，采用彩色树脂在第一透明导电层136上形成滤色片层138。所述滤色片层138包括红色、绿色和蓝色三种颜色的滤色片层，并且所述黑矩阵134成为所述滤色片之间的边界。
参照图4I、5I和6I，第二透明导电层140形成在所述滤色片层138上并随后通过掩模工艺与第一透明导电层136一起被构图，以便形成像素电极142、栅焊盘端子144和数据焊盘端子146，其中每一个都包括第一透明导电层136和第二透明导电层140。所述第二透明导电层140可由透明导电材料，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锌锡(ITZO)形成。所述像素电极142设置在像素区域内并与所述漏极124和第二电容电极130相连。所述栅焊盘端子144与栅焊盘117相连，而所述数据焊盘端子146与数据焊盘128相连。
图7是本发明第一透明导电层的放大的示意性截面图。在图7中，第一透明导电层136由于裂缝而具有粗糙的表面，且因为不同深度而是不均匀的。因此，当在所述第一透明导电层136上形成滤色片层时，彩色树脂保持在所述第一透明导电层136的裂缝中。接着，在该滤色片层上形成第二透明导电层并随后使其与第一透明导电层136一起被构图。此时，由于保持在第一透明导电层136的裂缝中的彩色树脂，使得第一和第二透明导电层彼此接触不良，并且用于蚀刻第一和第二透明导电层的蚀刻剂可在所述第一和第二透明导电层之间渗透，进而损坏第一和第二透明导电层以及所述滤色片层。
图8为图4I中区域D的放大截面图。图8示出了由按照所述第一透明导电层136的裂缝中保留的彩色树脂的蚀刻剂所损坏的第一透明导电层136和第二透明导电层140以及滤色片层138。因此，所述第一透明导电层136和第二透明导电层140可能连接不良或彼此断开。
为了解决上述问题，部分蚀刻第一透明导电层的表面，进而去除剩余在本发明第二示例性实施例中的所述第一透明导电层裂缝内的彩色树脂。
图9A和9B、图10A和10B以及图11A和11B为说明制造根据本发明第二实施例的阵列基板的工序步骤的截面图，并使用了根据图4A至4H、图5A至5H以及图6A至6H所述的一些相同步骤。因此，省略对于也在图4A至4H、图5A至5H以及图6A至6H中使用的步骤的说明。只要可能，在整个附图中使用相同的参考数字指代相同或相似的部件。
参照图9A、10A和11A，在所述开口133中的第一透明导电层136上形成滤色片层138之后，部分蚀刻第一透明导电层136的顶表面。此时，可以使用干蚀刻方法或湿蚀刻方法。在此，所述滤色片层138下面的透明导电层136未被蚀刻，而未由滤色片层138覆盖的透明导电层136被部分蚀刻。优选地，所述第一透明导电层136可被蚀刻得大于平均表面粗糙度。所述平均表面粗糙度是相应于所述裂缝深度的均方根。
所述第一透明导电层136可以具有大约450至大约550范围内的厚度。例如，如果第一透明导电层的平均表面粗糙度为大约15，则蚀刻深度可大于15。此时，滤色片层138起蚀刻掩模的作用。
参照图9B、10B和11B，第二透明导电层140形成在所述滤色片层138上并随后与所述第一透明导电层136一起被构图以形成像素电极142、栅焊盘端子144和数据焊盘端子146，这些都包括第一透明导电层136和第二透明导电层140。
所述第一透明导电层136与第二透明导电层140相接触的部分比第一导电层136在滤色片层138下方的部分薄。第一透明导电层136与第二透明导电层140相接触的部分与第一透明导电层136在滤色片层138下方的部分之间的厚度差，可以等于或大于所述第一透明导电层136的平均表面粗糙度。
在此，如果在形成所述第一透明导电层的部分形成反射器，则该LCD器件可用作反射型LCD。所述反射器可由反光性能好的金属材料，如铝(Al)、钼(Mo)或铬(Cr)形成。
根据本发明，所述黑矩阵、滤色片层和阵列元件形成在同一基板上，使得该液晶显示器件由于最小化对准幅度而具有高孔径比。进一步，部分蚀刻第一透明导电层的表面，并去除所述第一透明导电层上的彩色树脂，进而改进第一和第二透明导电层之间的接触。因此，能够防止第一和第二透明导电层以及滤色片层的损坏，并可良好地对所述第一和第二透明导电层构图。另外，由于所述像素电极具有双层结构，所以改善了阵列基板的制造过程中的操作稳定性。
本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，能在本发明的液晶显示器件及其制造方法中进行各种修改和变化，其中所述液晶显示器件具有薄膜晶体管结构的阵列基板。因此，本发明意欲涵盖所述权利要求及其等同物的范围内所做的本发明的修改和变化。

Claims (16)

1、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
在基板上形成栅线和数据线；
形成与所述栅线和数据线相连接的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；
在所述薄膜晶体管的上方形成黑矩阵，该黑矩阵具有开口；
在具有所述黑矩阵的基板上形成第一导电层，使得该第一导电层与部分漏极相连接；
在对应于所述黑矩阵开口部分的第一导电层上形成滤色片层；
部分蚀刻对应于所述黑矩阵的第一导电层的表面；
在所述滤色片层上形成第二导电层，使得该第二导电层与部分蚀刻的第一导电层相连；以及
通过对所述第一和第二导电层构图形成像素电极。
2、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一导电层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(ITZO)、铝、铬和钼中的一种。
3、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二导电层包含一种透明导电材料。
4、根据权利要求1所述的方法，还进一步包括在所述薄膜晶体管和黑矩阵之间形成第一钝化层。
5、根据权利要求4所述的方法，还进一步包括在所述黑矩阵和第一导电层之间形成第二钝化层。
6、根据权利要求1所述的方法，其特征在于，与所述第二导电层接触的部分蚀刻的第一导电层部分比所述滤色片层下方的第一导电层部分薄。
7、根据权利要求6所述的方法，其特征在于，与所述第二透明导电层相接触的部分蚀刻的第一透明导电层部分与所述滤色片层下方的第一导电层部分之间的厚度差，等于或大于所述第一透明导电层的平均表面粗糙度。
8、一种液晶显示器件的制造方法，包括：
在基板上形成栅线和栅极；
在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层；
在所述栅极上方的栅绝缘层上形成半导体层；
形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅线交叉以限定像素区域，而所述源极和漏极设置在所述半导体层上方并彼此分隔开，并且所述栅极、半导体层、源极和漏极形成薄膜晶体管；
形成覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层；
在所述第一钝化层上形成黑矩阵，该黑矩阵具有对应于所述像素的第一开口，并且该第一开口暴露出部分所述漏极上方的第一钝化层；
在具有所述黑矩阵的基板表面上形成第二钝化层；
通过对所述第二钝化层、第一钝化层以及栅绝缘层构图形成第二开口，使得该第二开口暴露出部分漏极；
在所述第二钝化层上形成第一导电层，使得该第一导电层与部分所述漏极相连；
在所述第二开口中的第一导电层上形成滤色片层；
部分蚀刻所述黑矩阵上方的第一导电层的表面；
在所述滤色片层上形成第二导电层，使得该第二导电层与部分蚀刻的第一导电层相连；以及
通过对所述第一和第二导电层构图形成像素电极，该像素电极设置在所述像素区域内。
9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，与所述第二导电层接触的部分蚀刻的第一导电层部分比所述滤色片层下方的第一导电层部分薄。
10、根据权利要求9所述的方法，其特征在于，与第二透明导电层相接触的部分蚀刻的第一透明导电层部分与所述滤色片层下方的第一导电层部分之间的厚度差，等于或大于所述第一透明导电层的平均表面粗糙度。
11、一种液晶显示器件，包括：
基板；
设置在所述基板上并彼此交叉以限定出像素区域的栅线和数据线；
设置在所述栅线和数据线交叉点附近的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极、半导体层、源极和漏极；
设置在所述薄膜晶体管上并具有一开口的黑矩阵；
设置在所述黑矩阵上并位于所述像素区域内部的第一像素电极，该第一像素电极与部分所述漏极相连；
设置在所述像素区域中第一像素电极上的滤色片层；以及
设置在所述滤色片层上与所述第一像素电极相连的第二像素电极，所述第一像素电极与第二像素电极相连的部分比第一像素电极处于所述滤色片层下面的部分薄。
12、根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一像素电极包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(ITZO)、铝、铬和钼中的一种。
13、根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第二像素电极包括透明导电材料。
14、根据权利要求11所述的液晶显示器件，还进一步包括位于所述薄膜晶体管和黑矩阵之间的第一钝化层。
15、根据权利要求14所述的液晶显示器件，进一步包括位于所述黑矩阵和第一像素电极之间的第二钝化层。
16、根据权利要求11所述的液晶显示器件，其特征在于，所述第一像素电极与第二像素电极接触的部分与第一像素电极在所述滤色片层下方的部分之间的厚度差，等于或大于所述第一像素电极的平均表面粗糙度。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100437317C (zh) * 2005-09-26 2008-11-26 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
CN103296037A (zh) * 2012-07-12 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 接触垫、平板图像探测器及其制作方法
US8553182B2 (en) 2005-09-26 2013-10-08 Japan Display West Liquid crystal display device including a light-blocking member
WO2014146370A1 (zh) * 2013-03-19 2014-09-25 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN105990231A (zh) * 2015-02-25 2016-10-05 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 薄膜电晶体基板的导通孔、像素结构和制造方法
WO2017193632A1 (zh) * 2016-05-09 2017-11-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、以及显示装置
CN112394567A (zh) * 2020-12-11 2021-02-23 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN113568218A (zh) * 2021-08-13 2021-10-29 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种低电容阵列基板制作方法及液晶显示屏

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005086179A1 (ja) * 2004-03-05 2005-09-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 半透明・反射電極基板、及びその製造方法、及びその半透過・半反射電極基板を用いた液晶表示装置
CN103469167A (zh) * 2005-09-01 2013-12-25 出光兴产株式会社 溅射靶、透明导电膜、透明电极和电极基板及其制造方法
BRPI0906409A2 (pt) * 2008-04-11 2015-10-06 Sharp Kk substrato de matriz ativa e dispositivo monitor de cristal líquido
KR101472280B1 (ko) * 2008-04-15 2014-12-15 삼성디스플레이 주식회사 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
TWI332593B (en) * 2008-06-02 2010-11-01 Au Optronics Corp Method for fabricating pixel structure
JP5392545B2 (ja) 2009-03-13 2014-01-22 ソニー株式会社 表示装置
WO2011013522A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8475872B2 (en) * 2009-08-19 2013-07-02 Apple Inc. Patterning of thin film layers
KR101695415B1 (ko) * 2010-01-25 2017-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
KR20130129008A (ko) * 2012-05-18 2013-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20140094880A (ko) * 2013-01-23 2014-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140137922A (ko) 2013-05-24 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR20150076878A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102529614B1 (ko) * 2016-03-18 2023-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20170110212A (ko) * 2016-03-22 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조방법
CN107482018A (zh) * 2017-08-03 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 制备阵列基板的方法、阵列基板及显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
US5976734A (en) * 1997-06-02 1999-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Preparation process of color liquid crystal display device
JP3738530B2 (ja) * 1997-06-30 2006-01-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JP3267271B2 (ja) * 1998-12-10 2002-03-18 日本電気株式会社 液晶表示装置およびその製造法
JP4538111B2 (ja) * 1999-05-14 2010-09-08 エーユー オプトロニクス コーポレイション カラー液晶表示装置製造方法
US6466281B1 (en) * 1999-08-23 2002-10-15 Industrial Technology Research Institute Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD
JP3498020B2 (ja) * 1999-09-29 2004-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリックス基板及びその製造方法
KR100635947B1 (ko) * 2000-06-13 2006-10-18 삼성전자주식회사 컬러 필터 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
TW573190B (en) * 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
JP4362250B2 (ja) * 2001-10-16 2009-11-11 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100839150B1 (ko) 2002-02-06 2008-06-20 삼성전자주식회사 반사전극을 갖는 액정표시장치의 제조방법
KR100857133B1 (ko) * 2002-06-28 2008-09-05 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
US6900856B2 (en) * 2002-12-04 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100938887B1 (ko) * 2003-06-30 2010-01-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100659912B1 (ko) * 2003-12-03 2006-12-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8553182B2 (en) 2005-09-26 2013-10-08 Japan Display West Liquid crystal display device including a light-blocking member
US8810757B2 (en) 2005-09-26 2014-08-19 Japan Display West Inc. Liquid crystal display device including a light-blocking member
CN100437317C (zh) * 2005-09-26 2008-11-26 爱普生映像元器件有限公司 液晶显示装置
CN103296037A (zh) * 2012-07-12 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 接触垫、平板图像探测器及其制作方法
CN103296037B (zh) * 2012-07-12 2016-06-15 上海天马微电子有限公司 接触垫、平板图像探测器及其制作方法
US9841639B2 (en) 2013-03-19 2017-12-12 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch display panel and fabrication method thereof, and display device
WO2014146370A1 (zh) * 2013-03-19 2014-09-25 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN105990231A (zh) * 2015-02-25 2016-10-05 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 薄膜电晶体基板的导通孔、像素结构和制造方法
CN105990231B (zh) * 2015-02-25 2019-10-18 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 薄膜电晶体基板的制造方法
WO2017193632A1 (zh) * 2016-05-09 2017-11-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、以及显示装置
US10175546B2 (en) 2016-05-09 2019-01-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and display device
CN112394567A (zh) * 2020-12-11 2021-02-23 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN112394567B (zh) * 2020-12-11 2022-07-22 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN113568218A (zh) * 2021-08-13 2021-10-29 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 一种低电容阵列基板制作方法及液晶显示屏

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Publication number Publication date
KR100995020B1 (ko) 2010-11-19
KR20050067251A (ko) 2005-07-01
US20050139922A1 (en) 2005-06-30
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