CN1637531B - 透射反射型液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

透射反射型液晶显示器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1637531B
CN1637531B CN2004100115270A CN200410011527A CN1637531B CN 1637531 B CN1637531 B CN 1637531B CN 2004100115270 A CN2004100115270 A CN 2004100115270A CN 200410011527 A CN200410011527 A CN 200410011527A CN 1637531 B CN1637531 B CN 1637531B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulation course
data line
electrode
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2004100115270A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1637531A (zh
Inventor
林柄昊
李仙花
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN1637531A publication Critical patent/CN1637531A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1637531B publication Critical patent/CN1637531B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133504—Diffusing, scattering, diffracting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

透射反射型液晶显示器件及其制造方法。一种透射反射型液晶显示器件的基板包括：基板上的多条选通线；至少一条数据线，所述数据线与所述多条选通线交叉而限定了像素区域，所述像素区域包括透射部分和反射部分；与所述多条选通线中的一条和所述至少一条数据线相连的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极；覆盖所述薄膜晶体管的一部分的第一绝缘层，所述第一绝缘层不覆盖所述像素区域和所述漏极的一部分；所述像素区域中的透明电极，所述透明电极直接接触所述漏极和所述半导体层；以及所述反射部分中的反射电极，所述反射电极具有第一不平坦表面。

Description

透射反射型液晶显示器件及其制造方法
本发明要求2003年12月30日提交的韩国专利申请No.2003-100667的优先权，在此以引用的方式并入其内容。
技术领域
本发明涉及液晶显示器件，更具体地，涉及透射反射型液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
总体而言，透射反射型液晶显示(LCD)器件既作为透射型LCD器件又作为反射型LCD器件。透射反射型LCD器件更加通用，因为它们可以同时使用背光和环境光作为光源。另外，透射反射型LCD器件的功耗较低。
图1是根据现有技术的LCD器件的分解透视图。参照图1，液晶显示(LCD)器件10具有包含黑底17的上基板12。LCD器件10的滤色器层16包含多个子滤色器。LCD器件10包括滤色器层16上的公共电极13，以及具有开关元件、薄膜晶体管(TFT)T和与TFT T连接的透明电极20a的下基板14。在上基板12和下基板14之间夹有液晶材料18。由于下基板14上形成有线阵列(包括选通线25和数据线27)，所以下基板14也被称为阵列基板。选通线25和数据线27相互交叉而形成矩阵。TFTT与一条选通线25和一条数据线27相连。在选通线25和数据线27之间限定了像素区域P。TFT T形成在选通线25和数据线27的交点附近。透明电极20a由透明的导电材料(比如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO))在像素区域P中形成。因为在上基板12上形成有滤色器层16，所以上基板12也被称为滤色器基板。
在像素区域P中形成有由铝(Al)或Al合金等反光金属构成的反射电极20b。反射电极20b具有透射孔H，从而像素区域P被分成了反射部分D和透射部分B。透射部分B对应于透射孔H，而反射部分D对应于反射电极20b。
透射反射型LCD器件被制造为有选择地采用反射模式(依靠自然光)或透射模式(依靠光源)。在反射模式中，光的利用效率低于透射模式。因此，在从反射模式过渡到透射模式时会出现亮度变化。为了解决这个问题，在现有技术的LCD器件中，在反射部分上形成了不平坦的反射层，以通过减小入射环境光的镜面反射来产生不规则的反射，从而改善反射模式和透射模式中的亮度不均匀性。
图2是根据现有技术的具有不平坦反射层的透射反射型LCD器件的像素区域的平面图。参照图2，在基板30上沿第一方向形成有选通线34。数据线46与选通线34相交而限定了像素区域P。在选通线34和数据线46的交点附近形成有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括栅极32、半导体层41、源极42和漏极44。
在像素区域P中形成有透明电极50。透明电极50连接到薄膜晶体管T上。在像素区域P中还形成有反射电极56。反射电极56具有露出透明电极50的中心部分的透射孔H。
像素区域P的反射部分D对应于透射孔H。像素区域P的透射部分B对应于透明电极50的除反射部分D之外的部分。具体而言，位于透明部分B中并且与漏极44相连的透明电极50隔着液晶层18(图1中示出)与公共电极13(图1中示出)产生垂直电场。反射电极56反射入射的光。
反射层具有不平坦的表面，以提高反射效率。从而提高了LCD器件的亮度，并加宽了视角。但是，因为需要用于形成不平坦反射层的附加掩模工序，所以增加了透射反射型LCD器件的制造复杂度。
图3A是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第一掩模工序。参照图3A，限定了像素区域P作为显示图像的单位区域。在基板30上的开关区域S中有开关器件(图2所示)。像素区域P包括透射部分B和反射部分D。通过第一掩模工序，使用低电阻率的金属材料在基板30上形成选通线34(图2中示出)和栅极32。栅极32连接到选通线34上。
尽管没有示出，但是第一掩模工序(光刻工序)包括在金属材料层上涂布光刻胶、使用光掩模对光刻胶进行曝光、以及对光刻胶进行显影以形成光刻胶图案(未示出)。形成光刻胶图案以在后续的工序中遮蔽金属材料。第一掩模工序还包括使用光刻胶图案作为屏蔽来对金属材料进行刻蚀，以构出选通线34(图2中示出)和栅极32。第一掩模工序中的各个步骤也适用于后续的掩模工序。
图3B是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第二掩模工序。参照图3B，通过第二掩模工序，利用无机绝缘材料在包含选通线34(图2中示出)和栅极32的基板30的整个表面上形成栅绝缘层36。通过第二掩模工序，对栅绝缘层36上的本征非晶硅和掺杂非晶硅进行构图，从而形成有源层38和欧姆接触层40。换句话说，有源层38和欧姆接触层40分别由本征非晶硅和掺杂非晶硅构成。有源层38和欧姆接触层40构成了半导体层41。
图3C是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第三和第四掩模工序。参照图3C，通过第三掩模工序，利用和图3A中提到的类似的金属材料在半导体层41上形成源极42和漏极44。通过第四掩模工序，利用有机或无机绝缘材料在具有源极42和漏极44的基板30的整个表面上形成具有露出一部分漏极44的漏极接触孔49的钝化层48。
图3D是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第五掩模工序。参照图3D，通过第五掩模工序，利用透明导电材料在钝化层48上形成透明电极50。透明电极50通过漏极接触孔49连接到漏极44上。
图3E是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第六掩模工序。参照图3E，通过第六掩模工序，利用有机绝缘材料在包含透明电极50的基板30的整个表面上形成有机绝缘层51。该有机绝缘材料具有良好的台阶覆盖特性。
在同一掩模工序中形成接触孔C1、透射孔C2和不平坦部分52。接触孔C1露出一部分透明电极50。透射孔C2露出像素区域P中的透明电极50的主要部分。不平坦部分52形成在包括开关区域S在内的反射部分D中的有机绝缘层51的表面上。可以通过熔化本来具有锯齿形截面的构图有机绝缘层51而形成不平坦部分52。
图3F是图2中的III-III截面的剖视图，显示了根据现有技术的用于制造透射反射型LCD器件的第七掩模工序。参照图3F，通过第七掩模工序，利用具有良好反光性的金属材料形成反射电极56。反射电极56形成在具有不平坦部分52的基板30上。反射电极56位于反射部分D中并连接到透明电极50上。
现有技术的制造透射反射型LCD器件的方法存在几个问题。其掩模工序非常复杂。另外，形成不平坦反射图案的附加工序降低了生产率。
发明内容
因此，本发明的方向是能够避免由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的透射反射型LCD器件及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种具有高反射率的透射反射型LCD器件。
本发明的另一个目的是提供一种制造具有高反射率的LCD器件的方法。
本发明的另一个目的是减少制造透射反射型LCD器件的掩模工序的数目。
本发明的其他特征和优点将在随后的说明中进行阐述，一部分可以通过说明书而明了，或者可以通过本发明的实践而体验到。通过说明书、权利要求书和附图中具体指出的结构，可以实现或获得本发明的这些和其它优点。
为了实现这些和其它的优点，根据本发明的目的，如这里所实施并加以广义描述的，一种透射反射型液晶显示器件的基板包括：基板上的多条选通线；至少一条数据线，其与该多条选通线交叉从而限定了包含透射部分和反射部分的像素区域；薄膜晶体管，其与所述多条选通线中的一条和所述至少一条数据线相连接，该薄膜晶体管包括栅极、第一半导体层和第二半导体层、源极和漏极；第一绝缘层，其覆盖薄膜晶体管的一部分，该第一绝缘层不覆盖像素区域、一部分漏极、以及所述第一和第二半导体层的一部分；像素区域中的透明电极，该透明电极直接接触漏极和半导体层；以及反射区域中的反射层，该反射层具有第一不平坦表面。
在另一个方面，一种制造透射反射型LCD器件的基板的方法包括：在基板上形成多条选通线；形成至少一条数据线、包含源极、漏极、第一半导体层和第二半导体层的薄膜晶体管，该至少一条数据线与所述多条选通线交叉而限定了包含透射部分和反射部分的像素区域，源极连接到该至少一条数据线上，并且漏极与源极分隔开；形成覆盖一部分薄膜晶体管的第一绝缘层，该第一绝缘层不覆盖像素区域、一部分漏极以及所述第一和第二半导体层的一部分；在像素区域中形成透明电极，该透明电极直接接触漏极、第一和第二半导体层；在该透明电极上形成第二绝缘层，该第二绝缘层具有第一不平坦表面；以及在反射部分中形成反射层，该反射层具有与所述第一不平坦表面相对应的第二不平坦表面。
可以理解，前面的概述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，旨在为权利要求所限定的本发明提供进一步的解释。
附图说明
附图帮助更好地理解本发明，并构成本申请的一部分，附图显示了本发明的实施例，并与说明书一起解释本发明的原理。
图1是根据现有技术的LCD器件的分解透视图；
图2是根据现有技术的具有不平坦反射层的透射反射型LCD器件的像素区域的平面图；
图3A是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第一掩模工序；
图3B是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第二掩模工序；
图3C是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第三和第四掩模工序；
图3D是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第五掩模工序；
图3E是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第六掩模工序；
图3F是沿图2中的III-III线截取的剖视图，显示了制造根据现有技术的透射反射型LCD器件的第七掩模工序；
图4是根据本发明一个实施例的具有不平坦反射层的透射反射型LCD器件的示例性像素区域的平面图；
图5A是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了对图4所示的根据本发明实施例的透射反射型LCD器件的第一金属层进行构图的示例性第一掩模工序；
图5B是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序对透射反射型LCD器件的第一光刻胶层进行曝光；
图5C是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的光刻胶图案；
图5D是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的第二金属图案和半导体图案；
图5E是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序露出透射反射型LCD器件的第二金属图案和半导体图案；
图5F是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的有源层和欧姆接触层；
图5G是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的第二光刻胶层的示例性第三掩模工序；
图5H是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第三掩模工序形成透射反射型LCD器件的透明金属层；
图5I是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第三掩模工序形成透射反射型LCD器件的透明电极；
图5J是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的有机绝缘层上的孔和不平坦图案的示例性第四掩模工序；
图5K是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的有机绝缘层上的反射电极的示例性第五掩模工序。
具体实施方式
下面对附图中所示的本发明实施例进行详细说明。
图4是根据本发明一个实施例的具有不平坦反射层的透射反射型LCD器件的示例性像素区域的平面图。参照图4，在基板100上沿第一方向形成有多条选通线134。至少一条数据线129与这多条选通线134交叉而限定了像素区域P。
在这多条选通线134和至少一条数据线129的交点附近形成有薄膜晶体管T。薄膜晶体管T包括栅极102、半导体层125、源极122和漏极128。尽管没有示出，但是第一绝缘层覆盖了薄膜晶体管T的一部分。像素区域P和一部分漏极128通过第一绝缘层露出。
在像素区域P中有透明电极136。透明电极136直接接触漏极128。在像素区域P中形成有反射电极142。反射电极142具有露出透明电极136的中心部分的透射孔H。像素区域P的反射区域D对应于由透射孔H露出的部分。由透明电极136的除反射部分D之外的部分限定了像素区域的透射部分B。
图5A是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例对透射反射型LCD器件的第一金属层进行构图的示例性第一掩模工序。参照图5A，在基板100上限定了像素区域P和开关区域S。像素区域P是显示图像的单位区域。在基板100上的开关区域S中有开关器件。像素区域P包括透射部分B和反射部分D。
在包含像素区域P和开关区域S的基板100上淀积具有低电阻率的金属材料。利用第一掩模工序把所淀积的金属材料构图成多条选通线134(图4中示出)和栅极102。栅极102连接到这多条选通线134上。
第一掩模工序是光刻工序。尽管没有示出，第一掩模工序包括：在金属材料层上涂布光刻胶、利用光掩模对光刻胶进行曝光，以及对光刻胶进行显影以形成遮蔽金属材料的光刻胶图案(未示出)。第一掩模工序还包括：利用光刻胶图案作为屏蔽来对金属材料进行刻蚀，以构图形成多条选通线134和栅极102。其它掩模工序也可通过与第一掩模工序类似的步骤来进行。
所述的具有低电阻率的金属材料可以是单金属材料(如铝(Al)、Al合金、钨(W)和铬(Cr))和双金属材料(如Al/Cr和Al/钼(Mo))中的一种。在本发明的使用双金属材料的一个实施例中，Al材料比另一种金属材料更接近基板100。本征Al具有较弱的耐化学腐蚀性，当后面进行高温处理时会在本征Al的顶面上形成小丘。
随后通过淀积无机绝缘材料或通过涂布有机绝缘材料在包括多条选通线134和栅极102的基板100的整个表面上形成栅绝缘层106。无机绝缘材料可以是氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种。有机绝缘材料可以是苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂中的一种。
图5B是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序对透射反射型LCD器件的第一光刻胶层进行曝光。参照图5B，通过在栅绝缘层106上分别淀积本征非晶硅和掺杂非晶硅而顺序地形成第一和第二半导体层108和110。从而，第一半导体层108包含本征非晶硅。第二半导体层110包含掺杂非晶硅。
和图5A类似，通过在包括半导体层108和110的基板100的整个表面上淀积导电金属材料而形成金属层112。接着，在包括该金属层112的基板100的整个表面上涂布感光材料，如光刻胶，从而学成光刻胶层114。然后，在包括光刻胶层114的基板100的上方布置掩模M。
掩模M包括透光区域F1、遮光区域F2和半透区域F3。掩模M的半透区域F3降低光的强度或者减小光的透射量。半透区域F3包括多个狭隙或半透层。
然后通过掩模M照射光，从而对光刻胶层114的各个部分进行曝光。光刻胶层114的与掩模M的透光区域F1相对应的第一部分完全暴露在所照射的光中。光刻胶层114的与掩模M的遮光区域F2相对应的第二部分被遮住。光刻胶层114的与掩模M的半透区域F3相对应的第三部分仅部分地曝光。
图5C是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的光刻胶图案。参照图5C，光刻胶层114的遮住部分(图5B所示)被显影而形成第一光刻胶图案116。第一光刻胶图案116覆盖开关区域S。通过去除光刻胶层的完全曝光部分而露出了金属层112的一部分。金属层112的露出部分对应于像素区域P，并且将第一光刻胶图案116排除在外。
第一光刻胶图案116包括第一部分G1和第二部分G2。第一部分G1对应于光刻胶层114(图5B所示)的通过掩模M(图5B所示)的半透区域F3而部分曝光的部分。第二部分G2对应于光刻胶层114(图5B所示)的被掩模M(图5B所示)的遮光区域F3遮住的部分。在显影过程中部分地去除了第一光刻胶图案116的第一部分G1。从而，第一部分G1中的第一光刻胶图案116比第二部分G2中的薄。
图5D是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的第二金属图案和半导体图案。参照图5D，去除金属层112的露出部分。从而，在第一光刻胶图案116的下面形成了金属图案120。顺序地去除第一和第二半导体层108和110的对应于金属层112的露出部分且位于它们之下的部分。从而，在金属图案120和第一光刻胶图案116下面形成了第一和第二半导体图案118a和118b。从而，第一半导体图案118a、第二半导体图案118b和金属图案120从下到上顺序地设置在基板100上。
图5E是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序露出透射反射型LCD器件的第二金属图案和半导体图案。参照图5E，通过灰化处理去除第一光刻胶图案116的第一部分G1。从而露出了金属图案116的与第一部分G1相对应的部分。利用第一光刻胶图案116作为屏蔽去除金属图案120的露出部分。然后，去除第二半导体图案118b的与露出的金属图案120相对应的部分，从而形成沟道区。在去除金属图案120的露出部分和第二半导体图案118b之后，利用剥离剂剥离第一光刻胶图案116。
图5F是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第二掩模工序形成透射反射型LCD器件的有源层和欧姆接触层。参照图5F，在剥离处理之后，将第一和第二半导体图案118a和118b(图5E所示)分别构图成有源层122和欧姆接触层124。另外，将之前构图的金属图案120(图5E所示)构图成相互隔开的源极126和漏极128。有源层122和欧姆接触层124构成了半导体层125。
根据本发明的一个实施例，有源层122、欧姆接触层124、源极126、漏极128和数据线129是在同一工序(即参照图5B至5F所述的第二掩模工序)中形成的。数据线129是利用与源极126和漏极128相同的金属形成的，并且连接到源极126上。数据线129覆盖第一和第二半导体图案118a和118b(图5E所示)的相应部分。
图5G是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的第二光刻胶层的示例性第三掩模工序。参照图5G，通过在包括源极126和漏极128的基板100的整个表面上淀积或涂布绝缘材料而形成钝化层130。钝化层130可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)中的一种。
接下来形成覆盖包括一部分薄膜晶体管T的钝化层130的一部分的第二光刻胶图案132。钝化层130的剩余部分(与像素区域P和一部分漏极128重叠)不被第二光刻胶图案132覆盖。去除钝化层130的露出部分，从而露出漏极128的被覆盖部分和栅绝缘层106的位于像素区域P之内的部分。另外，第二光刻胶图案132包括俯视漏极128的露出部分的肩部L。
图5H是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第三掩模工序形成透射反射型LCD器件的透明金属层。参照图5H，通过在基板100的整个表面上(包括构图的钝化层130和栅绝缘层106的露出部分)淀积透明导电材料(如氧化铟锡(ITO)、氧化锌(IZO)或氧化铟锌(ITZO))而形成透明金属层134。在第二光刻胶图案132的侧边，特别是在肩部L处不均匀地淀积透明金属层134。从而，透明金属层134在肩部L中的部分可以分开，从而露出第二光刻胶图案132。
将具有透明金属层134的基板100浸在剥离剂溶液中，以去除第二光刻胶图案132。因为剥离剂可以接触到肩部L的第二光刻胶图案132，所以可以容易地去除第二光刻胶图案132上的部分透明金属层134。从而，与第二光刻胶图案132一起去除了淀积在第二光刻胶图案132的顶面和侧面上的部分透明金属层134。
图5I是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例通过第三掩模工序形成透射反射型LCD器件的透明电极。参照图5I，透明金属层134(图5H所示)的剩余部分作为像素区域P中的透明电极136。透明电极136直接接触漏极128、欧姆接触层124和有源层122。从而，可以通过上面参照图5G-5I所述的第三掩模工序构图来形成钝化层130和透明电极136，而无需另外的掩模工序。
图5J是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的有机绝缘层上的孔和不平坦图案的示例性第四掩模工序。参照图5J，通过在包括透明电极136的整个基板100上涂布具有良好阶梯覆盖特性的有机绝缘材料而形成有机绝缘层。有机绝缘材料可以包括光敏丙烯酸树脂。
通过第四掩模工序形成了接触孔C1、透射孔C2和第一不平坦表面140。接触孔C1露出透明电极136的接近开关区域S的一部分。透射孔C2露出像素区域P中的透明电极136的中心部分。第一不平坦表面140在包括开关区域S的反射部分D内的有机绝缘层139的一部分表面上延伸。
透明电极136的隔着有机绝缘层139与透射孔C2相对的中心部分限定了透射部分B。由第一不平坦表面140覆盖并包含开关区域S在内的一部分有机绝缘层139限定了反射区域D。透明电极136的通过接触孔C1露出的部分可以对应于图5J所示的透明电极136和漏极128的接触部分。可以通过在最初形成剖视图中所示的多个锯齿形之后，在约350℃的温度下熔化构图后的有机绝缘层139而形成半球形的第一不平坦表面140。
图5K是沿图4中的V-V线截取的剖视图，显示了根据图4所示的本发明实施例的用于形成透射反射型LCD器件的有机绝缘层上的反射电极的示例性第五掩模工序。参照图5K，通过在包括第一不平坦表面140的基板100上淀积具有良好反光特性的金属材料并进行构图而形成反射电极142。反射电极142位于反射区域D中。反射电极142所使用的金属材料可以包括铝(Al)和银(Ag)。
根据本发明的一个实施例，如图5K所示，反射电极142通过接触孔C1连接到透明电极136上。反射电极142包括与第一不平坦表面140相对应的第二不平坦表面143。根据本发明的另一个实施例，不平坦反射层可以与透明电极电隔离。
根据本发明实施例的透射反射型LCD器件具有以下优点。可以利用五道掩模工序或光刻工序形成透射反射型LCD器件的阵列基板。因为与现有技术相比省去了两道掩模工序，所以缩短了加工时间并降低了制造成本。不平坦反射电极提高了反射效率，从而提供了高的亮度。减少掩模工序降低了缺陷概率，从而提高了成品率并增加了生产中的竞争优势。
对于本领域的技术人员，很显然在不脱离本发明的实质和范围的情况下可以对本发明的透射反射型液晶显示器件及其制造方法进行各种改进和变化。因此，如果对本发明所作的改进和变化落在所附权利要求及其等同的范围内，则本发明涵盖这些改进和变化。

Claims (14)

1.一种透射反射型液晶显示器件的基板，包括：
基板上的多条选通线；
至少一条数据线，所述数据线与所述多条选通线交叉而限定了像素区域，所述像素区域包括透射部分和反射部分；
与所述多条选通线中的一条和所述至少一条数据线相连的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、第一半导体层和第二半导体层、源极和漏极；
覆盖所述薄膜晶体管的一部分的第一绝缘层，所述第一绝缘层不覆盖所述像素区域、所述漏极的一部分、以及所述第一和第二半导体层的一部分；
所述像素区域中的透明电极，所述透明电极直接接触所述漏极和所述第一半导体层和第二半导体层；
第二绝缘层，所述第二绝缘层具有第一不平坦表面；以及
位于所述反射部分中并位于所述第二绝缘层上的反射层，所述反射层具有与所述第一不平坦表面相对应的第二不平坦表面，所述反射层以在所述反射层与所述数据线之间插有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的方式覆盖所述数据线的一部分、并与所述数据线和所述透明电极电隔离，并且
其中所述第一绝缘层设置在所述数据线的一部分上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上，并且所述反射层设置在所述第二绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的基板，其中所述第一和第二不平坦表面具有半球形的形状。
3.根据权利要求1所述的基板，其中所述反射层包括露出所述透明电极的一部分的第二孔，所述第二孔对应于所述像素区域的所述透射部分。
4.根据权利要求1所述的基板，其中所述第二绝缘层是从苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂构成的有机材料组中选择的一种。
5.根据权利要求1所述的基板，其中所述透明电极直接接触不被所述第一绝缘层覆盖的所述漏极的一部分。
6.根据权利要求1所述的基板，其中所述反射层是从铝(Al)和银(Ag)中选择的一种。
7.根据权利要求1所述的基板，其中所述透明电极是从氧化铟锡(ITO)、氧化锌(IZO)和氧化铟锌(ITZO)中选择的一种。
8.根据权利要求1所述的基板，其中所述第一半导体层为有源层，所述第二半导体层为欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述漏极和所述有源层之间。
9.根据权利要求8所述的基板，其中所述透明电极与所述欧姆接触层相接触。
10.一种制造透射反射型液晶显示器件的基板的方法，包括：
在基板上形成多条选通线；
形成至少一条数据线、包含源极和漏极、第一半导体层和第二半导体层的薄膜晶体管，该至少一条数据线与所述多条选通线交叉而限定了包含透射部分和反射部分的像素区域，所述源极连接到该至少一条数据线上，并且所述漏极与所述源极分隔开；
形成覆盖所述薄膜晶体管的一部分的第一绝缘层，该第一绝缘层不覆盖所述像素区域、所述漏极的一部分以及所述第一和第二半导体层的一部分；
在所述像素区域中形成透明电极，该透明电极直接接触所述漏极和所述第一半导体层和第二半导体层；
在所述透明电极上形成第二绝缘层，该第二绝缘层具有第一不平坦表面；以及
在所述反射部分中形成反射层，该反射层具有与所述第一不平坦表面相对应的第二不平坦表面，所述反射层以在所述反射层与所述数据线之间插有所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的方式覆盖所述数据线的一部分、并与所述数据线和所述透明电极电隔离，并且
其中所述第一绝缘层设置在所述数据线的一部分上，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上，并且所述反射层设置在所述第二绝缘层上。
11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述至少一条数据线和所述薄膜晶体管的步骤包括形成第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和第二半导体层位于所述至少一条数据线、所述源极和所述漏极下面，所述第一半导体层和第二半导体层的图案对应于所述至少一条数据线、所述源极和所述漏极的图案。
12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在包括所述多条选通线的所述基板的整个表面上形成栅绝缘层，其中，
形成所述至少一条数据线和所述薄膜晶体管的步骤包括：
顺序地在所述栅绝缘层上形成本征非晶硅层，在所述本征非晶硅层上形成掺杂非晶硅层，在所述掺杂非晶硅层上形成金属层；
形成包含第一部分和第二部分的第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的所述第一部分薄于所述第一光刻胶图案的所述第二部分，使用所述第一光刻胶图案作为屏蔽对所述金属层、所述掺杂非晶硅层和所述本征非晶硅层进行刻蚀；以及
去除所述第一光刻胶图案的所述第一部分，并且去除所述金属层的相应部分和所述掺杂非晶硅层的相应部分，从而限定与所述本征非晶硅层的露出部分相对应的沟道区。
13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第一绝缘层的步骤包括：
在包括所述薄膜晶体管的所述基板的整个表面上形成第一绝缘材料层；
形成第二光刻胶图案，以覆盖所述第一绝缘材料层的一部分，所述第一绝缘材料层的一部分盖住了所述薄膜晶体管的一部分，且所述第一绝缘材料层的剩余部分与所述像素区域和一部分漏极重叠，所述第一绝缘材料层的剩余部分没有被所述第二光刻胶图案覆盖；以及
去除所述第一绝缘材料层的未被所述第二光刻胶图案覆盖的剩余部分，以露出所述栅绝缘层在所述像素区域内的部分和所述一部分漏极。
14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述透明电极的步骤包括：
在包括所述第二光刻胶图案和所述第一绝缘层的所述基板的整个表面上形成透明材料层；以及
通过剥离所述第二光刻胶图案而同时去除所述第二光刻胶图案和形成在所述第二光刻胶图案上的一部分所述透明材料。
CN2004100115270A 2003-12-30 2004-12-28 透射反射型液晶显示器件及其制造方法 Expired - Fee Related CN1637531B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030100667 2003-12-30
KR1020030100667A KR100617290B1 (ko) 2003-12-30 2003-12-30 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR10-2003-0100667 2003-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1637531A CN1637531A (zh) 2005-07-13
CN1637531B true CN1637531B (zh) 2011-02-02

Family

ID=34698792

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2004100115270A Expired - Fee Related CN1637531B (zh) 2003-12-30 2004-12-28 透射反射型液晶显示器件及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7884909B2 (zh)
JP (1) JP4066193B2 (zh)
KR (1) KR100617290B1 (zh)
CN (1) CN1637531B (zh)
DE (1) DE102004063529B4 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007047533A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
KR101197223B1 (ko) 2005-09-09 2012-11-02 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
JP5252334B2 (ja) * 2006-06-02 2013-07-31 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
KR100978264B1 (ko) * 2006-12-26 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
CN101470309B (zh) * 2007-12-28 2011-08-17 上海天马微电子有限公司 反射透射型液晶显示装置及其制造方法
CN101556414B (zh) * 2008-04-10 2011-08-24 北京京东方光电科技有限公司 半透明半反射式液晶显示器阵列基板及其制造方法
CN101344697B (zh) * 2008-08-29 2010-04-21 友达光电股份有限公司 像素结构及液晶显示面板
CN101916006B (zh) * 2010-08-09 2012-04-04 信利半导体有限公司 一种液晶显示装置
CN102645774B (zh) * 2011-02-22 2016-05-04 上海天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
CN104934446B (zh) * 2015-06-24 2018-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN105223745A (zh) * 2015-11-03 2016-01-06 信利半导体有限公司 一种半透半反液晶显示阵列基板、制造方法及显示装置
CN105914183B (zh) * 2016-06-22 2019-04-30 深圳市华星光电技术有限公司 Tft基板的制造方法
US10802367B2 (en) * 2017-07-05 2020-10-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Display device
KR102645391B1 (ko) * 2017-07-05 2024-03-13 한국전자통신연구원 표시 장치
WO2020049690A1 (ja) * 2018-09-06 2020-03-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法及びアクティブマトリクス基板
KR102448852B1 (ko) 2020-09-08 2022-09-29 (주) 엔텍인더스트리 너트런너용 소켓교환장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002258300A (ja) * 2001-12-28 2002-09-11 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6466280B1 (en) * 1999-08-06 2002-10-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN1395140A (zh) * 2001-07-04 2003-02-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透反射(transflective)液晶显示装置的阵列面板

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06102528A (ja) * 1992-09-18 1994-04-15 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタマトリックスの製造方法
US5539551A (en) * 1992-12-28 1996-07-23 Casio Computer Co., Ltd. LCD TFT drain and source electrodes having ohmic barrier, primary conductor, and liquid impermeable layers and method of making
US6195140B1 (en) * 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP3527732B2 (ja) 1998-03-05 2004-05-17 シャープ株式会社 液晶表示パネル
KR100656696B1 (ko) 1999-12-21 2006-12-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치
TWI253538B (en) * 2000-09-30 2006-04-21 Au Optronics Corp Thin film transistor flat display and its manufacturing method
US6620655B2 (en) * 2000-11-01 2003-09-16 Lg.Phillips Lcd Co., Ltd. Array substrate for transflective LCD device and method of fabricating the same
JP2002196688A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Sony Corp 画像表示装置
KR100773239B1 (ko) * 2000-12-29 2007-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100710282B1 (ko) * 2000-12-29 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조방법
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2002323705A (ja) 2001-04-25 2002-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP4302385B2 (ja) * 2001-10-22 2009-07-22 三星電子株式会社 反射率向上のための液晶表示装置及びその製造方法
KR100820647B1 (ko) * 2001-10-29 2008-04-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시 장치용 어레이기판 및 이의 제조방법
KR100617029B1 (ko) * 2001-12-29 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 제조방법
TW562962B (en) * 2002-01-15 2003-11-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device
KR100456151B1 (ko) * 2002-04-17 2004-11-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100904270B1 (ko) * 2002-12-31 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100556701B1 (ko) * 2003-10-14 2006-03-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR100560405B1 (ko) * 2003-11-04 2006-03-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20050060963A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6466280B1 (en) * 1999-08-06 2002-10-15 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN1395140A (zh) * 2001-07-04 2003-02-05 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透反射(transflective)液晶显示装置的阵列面板
JP2002258300A (ja) * 2001-12-28 2002-09-11 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN1637531A (zh) 2005-07-13
US7884909B2 (en) 2011-02-08
DE102004063529B4 (de) 2009-01-08
KR100617290B1 (ko) 2006-08-30
JP4066193B2 (ja) 2008-03-26
JP2005196179A (ja) 2005-07-21
KR20050068852A (ko) 2005-07-05
DE102004063529A1 (de) 2005-08-04
US20050140874A1 (en) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1637531B (zh) 透射反射型液晶显示器件及其制造方法
CN1637530B (zh) 透反射型液晶显示装置的制造方法
US9523895B2 (en) TFT-LCD array substrate and manufacturing method thereof
US8345175B2 (en) Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR100661825B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
CN100507695C (zh) 液晶显示器件的制造方法
CN100529933C (zh) 透反射式液晶显示器件及其制造方法
CN102096250B (zh) 制造液晶显示装置的方法
KR100750872B1 (ko) 액정표장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR101127218B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
CN100430808C (zh) 透射反射型液晶显示器件及其制造方法
CN102087449A (zh) 液晶显示设备的阵列基板和制造该阵列基板的方法
KR100656696B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치
KR101281918B1 (ko) 반투과형 다이오드 기판 및 그 제조 방법
KR20080032290A (ko) 노광 마스크
KR20070001647A (ko) 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100611044B1 (ko) 반사투과형 액정 표시장치 및 그 제조방법
KR100832262B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20070072299A (ko) 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20070037014A (ko) 반사투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100916601B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법
KR101263725B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR20080052782A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법
KR20030057142A (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR20070080105A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110202

Termination date: 20201228