CN101344697B - 像素结构及液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

一种像素结构，其适于配置于一基板上，并包括一第一像素电极、一第二像素电极以及一顶栅极薄膜晶体管。第一像素电极与第二像素电极配置于基板上方，其中第一像素电极与第二像素电极彼此分离。顶栅极薄膜晶体管配置于基板与第一像素电极之间，并包括一图案化半导体层以及一栅极。

Description

像素结构及液晶显示面板

技术领域

本发明是有关于一种液晶显示面板，且特别是有关于一种液晶显示面板中的像素结构。

背景技术

目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)皆朝向高对比度(contrastratio)、无灰阶反转(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色饱和度(colorsaturation)、快速反应(response)以及广视角(viewing angle)等方向发展。目前常见的广视角技术包括：扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plane Switching，IPS)液晶显示器、边际场切换式(Fringe FieldSwitching，FFS)液晶显示器与多象限垂直配向(Multi-domain VerticalAlignment，MVA)液晶显示器。以多象限垂直配向液晶显示面板为例，其可通过一些配向图案(alignment patterning)，如配向凸起物(alignment protrusion)或狭缝(slit)，以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排列，进而得到多个不同的配向象限(domain)。对于公知的多象限垂直配向液晶显示面板而言，由于形成于彩色滤光基板或薄膜晶体管阵列基板上的配向凸起物(alignment protrusions)或狭缝(slits)可以使得液晶分子呈多方向排列，而得到多个不同的配向象限(domains)，因此多象限垂直配向液晶显示面板能够达成广视角的要求。

图1A为公知液晶显示面板的上视示意图，而图1B是沿着图1A中的I1-I1’剖面线所示的剖面示意图。在公知的半穿透半反射式多象限垂直配向液晶显示面板100中，其彩色滤光基板上会设置有多个配向凸起物P，且这些配向凸起物P会分布于反射电极103以及穿透电极104上方。且反射电极103与穿透电极104中间会有主狭缝(main slit)SS，其目的是使穿透电极104与反射电极103边缘的液晶LC往配向凸起物P倾倒。由于配向凸起物P是设置于反射电极103与穿透电极104的中间，其能够改变电力线的分布，而使液晶LC往配向凸起物P方向倾倒，以达到广视角的目的。此外，反射电极103与穿透电极104间也会有连接部105，以使反射电极103与穿透电极104彼此电性连接，此连接部105可与反射电极103或穿透电极104使用相同的电极材料。

然而，连接部105会改变液晶层中电力线的分布。在一般的操作下，液晶分子可以稳定的排列，但是当有外力压迫液晶面板时，连接部105就会成为液晶分子排列不好的主要原因。也就是说，当液晶面板在遭受外力压迫之后，液晶分子受到上述扭曲的电场影响，无法快速回复到原本的排列状态，造成指压色不均(finger press mura)的现象，严重影响液晶显示面板的品质。

发明内容

本发明提供一种像素结构，其应用于液晶显示面板时可有效地改善指压色不均(finger press mura)的现象。

本发明提供一种液晶显示面板，其遭受外力压迫之后，液晶分子能够快速地回复到原本的排列状态。

本发明提供一种像素结构，其适于配置于一基板上，并包括一第一像素电极、一第二像素电极以及一顶栅极薄膜晶体管。第一像素电极与第二像素电极配置于基板上方，其中第一像素电极与第二像素电极彼此分离。顶栅极薄膜晶体管配置于基板与第一像素电极之间，并包括一图案化半导体层以及一栅极。图案化半导体层配置于基板上，且具有多个导电掺杂区以及至少一连接于导电掺杂区之间的通道区，而其中一个导电掺杂区由第一像素电极下方延伸至第二像素电极下方，且同时与第一像素电极以及第二像素电极电性连接。栅极则配置于通道区上方。

本发明提供一种液晶显示面板，其包括一薄膜晶体管阵列基板、一对向基板以及一液晶层。薄膜晶体管阵列基板具有多个上述的像素结构。对向基板配置于薄膜晶体管阵列基板上方。液晶层配置于薄膜晶体管阵列基板与对向基板之间。

在本发明的一实施例中，上述第一像素电极为一反射像素电极，而第二像素电极为一穿透像素电极。

在本发明的一实施例中，上述第一像素电极为一第一穿透像素电极，而第二像素电极为一第二穿透像素电极。

在本发明的一实施例中，上述第一像素电极为一第一反射像素电极，而第二像素电极为一第二反射像素电极。

在本发明的一实施例中，上述图案化半导体层实质上呈L形。

在本发明的一实施例中，上述图案化半导体层具有三个导电掺杂区以及二个通道区，且各通道区分别连接于二导电掺杂区之间。

在本发明的一实施例中，上述栅极为一具有分支的导线，而导线同时覆盖于通道区上方。

在本发明的一实施例中，上述同时与第一像素电极以及第二像素电极电性连接的导电掺杂区包括一第一型掺杂区以及一第二型掺杂区。第二型掺杂区与第一型掺杂区连接，其中第一像素电极同时与第一型掺杂区以及第二型掺杂区电性连接，而第二像素电极仅与第二型掺杂区电性连接。

在本发明的一实施例中，上述像素结构更包括一缓冲层，其配置于基板与图案化半导体层之间。

在本发明的一实施例中，上述像素结构更包括一栅绝缘层、一第一介电层、一第一接触导体、一第二接触导体以及一第二介电层。栅绝缘层配置于基板上以覆盖图案化半导体层，其中栅极配置于栅绝缘层上，且栅绝缘层与第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗。第一接触导体配置于第一介电层上，并通过第一接触窗与图案化半导体层电性连接。第二接触导体配置于第一介电层上，并通过第二接触窗与图案化半导体层电性连接。第二介电层配置于第一介电层上，其中第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露第一接触导体以及第二接触导体，而第一像素电极通过第三接触窗与第一接触导体电性连接，且第二像素电极通过第四接触窗与第二接触导体电性连接。

在本发明的一实施例中，上述像素结构更包括一共用电极，其配置于栅绝缘层上，其中共用电极与部分的导电掺杂区重叠。

在本发明的一实施例中，上述共用电极具有一开口(aperture)，而开口的位置对应于第一接触窗的位置。

在本发明的一实施例中，上述共用电极呈十字形。

在本发明的一实施例中，上述像素结构更包括一栅绝缘层、一第一介电层、一第一接触导体、一第二接触导体、一第二介电层以及一垫高层。栅绝缘层配置于基板上以覆盖图案化半导体层，其中栅极配置于栅绝缘层上，且栅绝缘层与第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗。第一接触导体配置于第一介电层上，并通过第一接触窗与图案化半导体层电性连接。第二接触导体配置于第一介电层上，并通过第二接触窗与图案化半导体层电性连接。第二介电层配置于第一介电层上。垫高层配置于至少部分的第二介电层上，其中垫高层与第二介电层具有一第三接触窗以暴露第一接触导体，而第二介电层具有一第四接触窗以暴露第二接触导体。第一像素电极通过第三接触窗与第一接触导体电性连接，且第二像素电极通过第四接触窗与第二接触导体电性连接。

在本发明的一实施例中，上述图案化半导体层的材质为多晶硅、单晶硅、微晶硅或非晶硅。

由于本发明采用图案化半导体层直接将影像数据导至第一像素电极以及第二像素电极，使得第一像素电极与第二像素电极之间不需通过连接部直接连接，有助于液晶显示面板在遭受外力按压之后，较不容易有色不均(Mura)的问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举具体实施例，并配合所附附图，作详细说明如下，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1A为公知液晶显示面板的上视示意图；

图1B是沿着图1A中的I1-I1’剖面线所示的剖面示意图；

图2A是本发明第一实施例的液晶显示面板的上视示意图；

图2B是沿着图2A中的I2-I2’剖面线所示的剖面示意图；

图2C为图2B中部份第一接触导体与图案化半导体层在第一接触窗附近的放大示意图；

图3A是本发明第二实施例的液晶显示面板的上视示意图；

图3B是沿着图3A中的I3-I3’剖面线所示的剖面示意图；

图4A是本发明第三实施例的液晶显示面板的上视示意图；

图4B是沿着图4A中的I4-I4’剖面线所示的剖面示意图；

图5A是本发明第四实施例的液晶显示面板的上视示意图；

图5B是沿着图5A中的I5-I5’剖面线所示的剖面示意图；

图6A是本发明第五实施例的液晶显示面板的上视示意图；

图6B是沿着图6A中的I6-I6’剖面线所示的剖面示意图。

其中，附图标记

101：半导体层

102：像素结构

103：反射电极

104：穿透电极

105：连接部

106、203：液晶层

200、200b、200c、200d、200e：液晶显示面板

201：薄膜晶体管阵列基板

202：对向基板

204：像素结构

205：第一像素电极

206：第二像素电极

207：顶栅极薄膜晶体管

208：图案化半导体层

208a、208b、208c：导电掺杂区

208’、208”：通道区

209：栅绝缘层

210：缓冲层

211：第一介电层

212：第二介电层

213：垫高层

214：开口

BM：黑矩阵

COM：共用电极

Cst：储存电容

D1：第一型掺杂区

D2：第二型掺杂区

DL：数据线

G：栅极

I1-I1’、I2-I2’、I3-I3’、I4-I4’、I5-I5’、I6-I6：剖面线

J：二极管接面

M：接触导体

M1：第一接触导体

M2：第二接触导体

P：配向突起物

R：反射区

SCF：配向图案

SS：主狭缝

T：穿透区

W：接触窗

L：空乏区

W1：第一接触窗

W2：第二接触窗

W3：第三接触窗

W4：第四接触窗

具体实施方式

第一实施例

图2A是本发明第一实施例的液晶显示面板的上视示意图，而图2B是沿着图2A中的I2-I2’剖面线所示的剖面示意图。请同时参照图2A及图2B，本实施例的液晶显示面板200包括一薄膜晶体管阵列基板201、一对向基板202以及一液晶层203。薄膜晶体管阵列基板201具有多个像素结构204，而图2A仅示出薄膜晶体管阵列基板201的一个像素结构204及其对向基板202。

对向基板202配置于薄膜晶体管阵列基板201上方。液晶层203配置于薄膜晶体管阵列基板201与对向基板202之间。对向基板202具有多个配向凸起物P，其目的是使液晶层203中的液晶分子往配向凸起物P倾倒，以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排列，进而得到多个不同的配向象限。另外，配向凸起物P上方更有一黑矩阵(Black matrix)BM，其配置于对向基板202上，其中黑矩阵BM的材质例如是由金属、有机材料、彩色光阻或其上述的组合的单层或多层结构所构成，举例而言，黑矩阵BM可由多个彩色光阻叠加而成。

由图2B可知，薄膜晶体管阵列基板201包括像素结构204，其包括一第一像素电极205、一第二像素电极206以及一顶栅极(Top Gate)薄膜晶体管207。在本实施例中，像素结构204具有一反射区R与一穿透区T。第一像素电极205为一位于反射区R内的反射像素电极，而第二像素电极206为一位于穿透区T内的穿透像素电极。此外，对向基板202的配向凸起物P则分别位于第一像素电极205以及第二像素电极206上方。

本实施例的半穿透半反射式像素结构在显示影像时，穿透区T内的像素电极206为透明电极，以利于让背光源所发出的光线穿透而达到显示的效果，而反射区R内的像素电极205为金属或其他具有良好反射特性材质的反射电极，以利于反射前光源(front-light)或是外界光源搭配而达到显示的效果。在本实施例中，第一像素电极205为表面具有凸块(bump)的铝电极，而穿透像素电极第二像素电极206为可透光的铟锡氧化物(Indium-tin oxide，ITO)。

值得注意的是，在第一像素电极205与第二像素电极206之间存在一连续的主狭缝(continuous main slit)SS使得两像素电极205、206彼此分离。此外，本实施例所描述的像素电极的材料与数目并非用以限定本发明。举例而言，当穿透区T的面积较大时，可将穿透区T的数量增加为2个或是2个以上。另外，像素结构204可进一步包括一栅绝缘层209、一缓冲层210、一第一介电层211、一第一接触导体M1、一第二接触导体M2、一第二介电层212以及一共用电极COM。

顶栅极薄膜晶体管207配置于薄膜晶体管阵列基板201与第一像素电极205之间，且顶栅极薄膜晶体管207包括一图案化半导体层208以及一栅极G。其中，图案化半导体层208由第一像素电极205下方延伸至第二像素电极206下方，且同时与第一像素电极205以及第二像素电极206电性连接。在本实施例中，图案化半导体层208的材质为多晶硅、单晶硅、微晶硅或非晶硅。由图2B可知，缓冲层210是配置于基板201与图案化半导体层208之间。

栅绝缘层209配置于基板201上以覆盖图案化半导体层208，其中栅极G配置于栅绝缘层209上。栅绝缘层209与第一介电层211具有一第一接触窗W1以及一第二接触窗W2。第一接触导体M1配置于第一介电层211上，且第一接触导体M1通过第一接触窗W1与图案化半导体层208电性连接。第二接触导体M2配置于第一介电层211上，且第二接触导体M2通过第二接触窗W2与图案化半导体层208电性连接。第二介电层212配置于第一介电层211上，其中第二介电层211具有一第三接触窗W3以及一第四接触窗W4以分别暴露第一接触导体M1以及第二接触导体M2，而第一像素电极205通过第三接触窗W3与第一接触导体M1电性连接，且第二像素电极206通过第四接触窗W4与第二接触导体M2电性连接。

从图2B可知，第二接触窗W2、第四接触窗W4以及第二接触导体M2的位置与对向基板202的配向凸起物P的位置相对应，如此，配向凸起物P上方的黑矩阵BM可有效地遮蔽第四接触窗W4的漏光，而第二接触导体M2可有效地遮蔽配向凸起物P的漏光。在一些实施例中，依据不同的面板工艺，第二接触窗W2可与第四接触窗W4对准或是稍有错位，同样地，第一接触窗W1亦可与第三接触窗W3对准或稍有错位。在本实施例中，共用电极COM配置于栅绝缘层209上且与图案化半导体层208重叠。详言之，共用电极COM与图案化半导体层208的一部份重叠，且两者之间存在有栅绝缘层209，以形成一储存电容Cst。

请同时参照图2A及图2B，依据上述像素结构204各层之间的配置关系，底下将针对影像信号的传递路径做详细的描述。首先，当经扫描线GL传递一导通信号给栅极G使得顶栅极薄膜晶体管207处于导通状态(ON)时，影像信号由数据线DL传递至第一介电层211上接触窗W的位置，再通过一位于接触窗W位置的接触导体(未示出)与图案化半导体层208电性连接并将信号由数据线DL导入图案化半导体层208。接着，影像信号通过顶栅极薄膜晶体管207后，由图案化半导体层208分别将信号传递至第一介电层211上的第二接触窗W2及第一接触窗W1的位置，再将信号分别导入第二接触导体M2与第一接触导体M1。最后，由于第一像素电极205通过第三接触窗W3与第一接触导体M1电性连接，且第二像素电极206通过第四接触窗W4与第二接触导体M2电性连接，因此通过图案化半导体层208可以将信号成功由数据线DL传递至第一像素电极205与第二像素电极206。在本实施例中，图案化半导体层208将数据线DL的信号，通过多个接触窗W1～W4与接触导体M1、M2直接同时导通到穿透区T与反射区R的电极206、205中，而不是利用公知的连接部105将第一像素电极205的电位导至第二像素电极206。

由图2A可知，图案化半导体层208实质上呈L形，且其具有多个导电掺杂区208a、208b、208c以及两个连接于导电掺杂区之间的通道区208’、208”，而其中一个导电掺杂区208c由第一像素电极205下方延伸至第二像素电极206下方，且同时与第一像素电极205以及第二像素电极206电性连接。此外，栅极G例如为一具有分支的导线，而此分支导线同时覆盖于上述通道区208’、208”上方，以形成多个顶栅极薄膜晶体管207。

图2C为部份第一接触导体与图案化半导体层在第一接触窗附近的放大示意图。请参照图2C，第一接触导体M1配置于第一介电层211上，并通过第一接触窗W1与图案化半导体层208电性连接。同时与第一像素电极205以及第二像素电极206电性连接的导电掺杂区208c包括一第一型掺杂区D1以及一第二型掺杂区D2。第二型掺杂区D2与第一型掺杂区D1连接，其中第一像素电极205同时与第一型掺杂区D1以及第二型掺杂区D2电性连接，而第二像素电极206仅与第二型掺杂区D2电性连接。

举例而言，储存电容Cst的导电掺杂区208c同时具有N型与P型掺杂，此两种掺杂的分界位在第一接触窗W1正下方。由于第二型掺杂区D2与第一型掺杂区D1连接的接面为一二极管接面J(p-n junction)，在接面处会形成一空乏区L(depletion region)，不利于电流导通。因此本实施例利用第一接触导体M1通过第一接触窗W1与导电掺杂区208c电性连接，提供电流另一导通路径，使得图案化半导体层208将第一像素电极205的电位导至第二像素电极206时，可以不受二极管接面J的空乏区L影响。

由于本实施例采用图案化半导体层208直接将影像数据导至第一像素电极205以及第二像素电极206，使得第一像素电极105与第二像素电极106之间不需通过连接部105直接连接，可有效地避免电场在连接部105附近发生严重的扭曲，有助于改善指压色不均(finger press mura)的现象。

第二实施例

在以下的实施例与附图中，相同或相似的标号代表相同或相似的元件，以简化说明。

图3A是本发明第二实施例的液晶显示面板的上视示意图，而图3B是沿着图3A中的I3-I3’剖面线所示的剖面示意图。请同时参照图3A及图3B，本实施例的液晶显示面板200b与第一实施例的液晶显示面板200相似，二者主要差异之处在于：在液晶显示面板200b中，第一像素电极205上方具有一配向图案(alignment patterning)SCF。配向图案SCF配置于对向基板202上，且其下方具有一配向凸起物P。一般而言，多象限垂直配向液晶显示面板通过配向图案SCF搭配多个配向凸起物P，以使得每一像素中的液晶分子呈多方向排列，进而得到多个不同的配向象限，达成广视角的要求。

因此，通过在第一实施例的第一像素电极205上方配置一配位图案SCF，可改变反射区R中液晶层203的间隙(cell-gap)，使本实施例的半穿透半反射式像素结构204为双间隙(Dual cell-gap)结构。也就是说，穿透区T与反射区R分别具有不同厚度的液晶层203。举例而言，穿透区T的液晶层间隙为D1，而在第一实施例的穿透区R的液晶层间隙亦为D1，但在配置配位图案SCF后，本实施例的反射区R的液晶层间隙则变为D2，且D2相当于D1的二分之一。

本实施例的双间隙结构可使穿透区T与反射区R具有相同的相位延迟(phase retardation)，以进一步提升半穿透半反射式液晶显示面板200b的显示品质。

第三实施例

图4A是本发明第三实施例的液晶显示面板的上视示意图，而图4B是沿着图4A中的I4-I4’剖面线所示的剖面示意图。请同时参照图4A及图4B，本实施例的液晶显示面板200c与第二实施例的液晶显示面板200b相似，二者主要差异之处在于：在液晶显示面板200c的反射区R中，垫高层213是配置于部份第二介电层212上。

更详细的来说，本实施例的像素结构204进一步包括一栅绝缘层209、一第一介电层211、一第一接触导体M1、一第二接触导体M2、一第二介电层212以及一垫高层213。栅绝缘层209覆盖图案化半导体层208，其中栅极G配置于栅绝缘层209上，且栅绝缘层209与第一介电层211具有一第一接触窗W1以及一第二接触窗W2。第一接触导体M1配置于第一介电层211上，并通过第一接触窗W1与图案化半导体层208电性连接。第二接触导体M2配置于第一介电层211上，并通过第二接触窗W2与图案化半导体层208电性连接。第二介电层212配置于第一介电层211上。垫高层213配置于部分的第二介电层212上，其中垫高层213与第二介电层212具有一第三接触窗W3以暴露第一接触导体M1，而第二介电层212c具有一第四接触窗W4以暴露第二接触导体M2，第一像素电极205通过第三接触窗W3与第一接触导体M1电性连接，且第二像素电极206通过第四接触窗W4与第二接触导体M2电性连接。

垫高层213功用类似于第二实施例的配向图案SCF，可将本实施例的半穿透半反射式像素结构204c变为双间隙结构。也就是说，本实施例的穿透区T的液晶层间隙为D1，反射区R的液晶层间隙则变为D2’，且D2’相当于D1的二分之一，以提升半穿透半反射式液晶显示面板200c的显示品质。

第四实施例

图5A是本发明第四实施例的液晶显示面板的上视示意图，而图5B是沿着图5A中的I5-I5’剖面线所示的剖面示意图。请同时参照图5A及图5B，本实施例的液晶显示面板200d与第一实施例的液晶显示面板200相似，二者其中的一差异之处在于：液晶显示面板200d的第一像素电极205与第二像素电极206皆为穿透像素电极。也就是说，液晶显示面板200d的像素结构204具有两个穿透区T1、T2。值得注意的是，在其他实施例中，液晶显示面板的第一像素电极205与第二像素电极206亦可皆为反射像素电极。

由图5B可知，液晶显示面板200d与第一实施例的液晶显示面板200另一不同点在于：本实施例的共用电极COM配置于栅绝缘层209上且于第一接触窗W1的位置具有一开口214，其中共用电极COM与部分的导电掺杂区208重叠，以形成储存电容Cst。

第五实施例

图6A是本发明第五实施例的液晶显示面板中的一像素结构及其对向基板的上视示意图，图6B是沿着图6A中的I6-I6’剖面线所示的剖面示意图。请同时参照图6A及图6B，本实施例的液晶显示面板200e与第四实施例的液晶显示面板200d相似，但二者主要差异之处在于：本实施例的像素结构204的共用电极COM呈十字形。也就是说，共用电极COM除了分布在第一穿透区T1与第二穿透区T2之间的主狭缝SS下方之外，亦分布在第三接触窗W3与第四接触窗W4的连线上，此十字形的共用电极COM可增加储存电容Cst的大小。

综上所述，本发明的液晶显示面板至少具有下列优点：

1.由于本发明采用图案化半导体层直接将影像数据导至第一像素电极以及第二像素电极，使得第一像素电极与第二像素电极之间不需通过连接部直接连接，因此液晶分子不会受到公知连接部扭曲电场的影响，有助于液晶显示面板在遭受外力按压之后，较不容易有色不均(Mura)的问题。

2.在本发明的部分实施例中，设计者可视需求而将像素结构设计为双间隙结构，以提升半穿透半反射式液晶显示面板的显示品质。

3.在本发明的部分实施例中，利用十字形共用电极增加储存电容Cst的大小，以提升薄膜晶体管保持电位的能力，并可减少因电容耦合效应而产生的电压变化量，进一步改善面板的显示品质。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，该像素结构包括：

一第一像素电极，配置于该基板上方；

一第二像素电极，配置于该基板上方，其中该第一像素电极与该第二像素电极彼此分离；以及

一顶栅极薄膜晶体管，配置于该基板与该第一像素电极之间，而该顶栅极薄膜晶体管包括：

一图案化半导体层，配置于该基板上，其中该图案化半导体层具有多个导电掺杂区以及至少一连接于所述导电掺杂区之间的通道区，而其中一个导电掺杂区由该第一像素电极下方延伸至该第二像素电极下方，且同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接；以及

一栅极，配置于该通道区上方。

2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该第一像素电极以及该第二像素电极分别为反射像素电极或穿透像素电极。

3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该图案化半导体层具有三个导电掺杂区以及二个通道区，且各该通道区分别连接于二导电掺杂区之间，其中该栅极为一具有分支的导线，而该导线同时覆盖于所述通道区上方。

4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接，其中同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接的导电掺杂区包括：

一第一型掺杂区；以及

一第二型掺杂区，与该第一型掺杂区连接，其中该第一接触导体同时与该第一型掺杂区以及该第二型掺杂区接触，而该第二接触导体仅与该第二型掺杂区电性接触。

5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。

6.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，还包括一共用电极，配置于该栅绝缘层上，其中该共用电极与部分的导电掺杂区重叠，其中该共用电极具有一开口，而该开口的位置对应于该第一接触窗的位置。

7.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上；以及

一垫高层，配置于至少部分的该第二介电层上，其中该垫高层与该第二介电层具有一第三接触窗以暴露该第一接触导体，而该第二介电层具有一第四接触窗以暴露该第二接触导体，该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。

8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：

一薄膜晶体管阵列基板，具有多个权利要求1所述的像素结构；

一对向基板，配置于该薄膜晶体管阵列基板上方；以及

一液晶层，配置于该薄膜晶体管阵列基板与该对向基板之间。

9.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，该图案化半导体层具有三个导电掺杂区以及二个通道区，且各该通道区分别连接于二导电掺杂区之间。

10.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，该栅极为一具有分支的导线，而该导线同时覆盖于所述通道区上方。

11.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，该像素结构还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接，其中同时与该第一像素电极以及该第二像素电极电性连接的导电掺杂区包括：

一第一型掺杂区；以及

一第二型掺杂区，与该第一型掺杂区连接，其中该第一接触导体同时与该第一型掺杂区以及该第二型掺杂区接触，而该第二接触导体仅与该第二型掺杂区电性接触。

12.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，该像素结构还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上，其中该第二介电层具有一第三接触窗以及一第四接触窗以分别暴露该第一接触导体以及该第二接触导体，而该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。

13.根据权利要求11所述的液晶显示面板，其特征在于，该像素结构还包括一共用电极，配置于该栅绝缘层上，其中该共用电极与部分的导电掺杂区重叠，其中该共用电极具有一开口，而该开口的位置对应于该第一接触窗的位置。

14.根据权利要求8所述的液晶显示面板，其特征在于，该像素结构还包括：

一栅绝缘层，配置于该基板上以覆盖该图案化半导体层，其中该栅极配置于该栅绝缘层上；

一第一介电层，其中该栅绝缘层与该第一介电层具有一第一接触窗以及一第二接触窗；

一第一接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第一接触窗与该图案化半导体层电性连接；

一第二接触导体，配置于该第一介电层上，并通过该第二接触窗与该图案化半导体层电性连接；以及

一第二介电层，配置于该第一介电层上；以及

一垫高层，配置于至少部分的该第二介电层上，其中该垫高层与该第二介电层具有一第三接触窗以暴露该第一接触导体，而该第二介电层具有一第四接触窗以暴露该第二接触导体，该第一像素电极通过该第三接触窗与该第一接触导体电性连接，且该第二像素电极通过该第四接触窗与该第二接触导体电性连接。

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