CN102236229A - 用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板。用于液晶显示装置的阵列基板包含：基板；在基板上的栅线和数据线；与栅线平行且与该栅线隔开的公共线；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；在像素区中的多个像素电极；与多个像素电极交替的多个公共电极；在像素区的边缘部分处的至少一个最外部公共电极；对应于薄膜晶体管、栅线和数据线的黑矩阵，该黑矩阵包括无机材料并具有开口部；和在开口部中的滤色层。

Description

用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板
本申请要求于2010年5月4日申请的韩国专利申请No.10-2010-0042017的权益，据此通过援引该专利申请的全部内容而将其结合在此。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，尤其涉及一种用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置上的阵列基板。
背景技术
液晶显示(LCD)装置由于其在显示运动图像方面的优越性能和高对比度，已经被广泛用于电视或监视器。总体上，LCD装置利用液晶分子的光学各异性和偏振特性来产生图像。LCD装置包括具有两个基板的液晶面板和在该两个基板之间的液晶层。液晶层中的液晶分子通过电场重新取向。因此，液晶分子的取向(alignment)根据电场方向而改变且液晶面板的透光率也变化，由此显示图像。
在不同类型的LCD装置中，有源矩阵型液晶显示(AM-LCD)装置因为其高分辨率和显示运动图像的高品质已成为最近研究的主题。
在LCD装置中，液晶层通过两个基板之间产生的垂直电场驱动。尽管使用垂直电场的LCD装置提供了较高的透光率和高的孔径比，但LCD装置的视角(viewing angle)比较狭窄。因此，已开发了诸如面内切换(IPS)模式LCD装置之类的具有宽视角的其他各种类型的LCD装置。
图1是根据现有技术的面内切换模式液晶显示装置的截面图。图1中，下部基板1和上部基板3彼此相对并彼此隔开。液晶层5介于下部基板1与上部基板3之间。下部基板1和上部基板3可被分别称作阵列基板和滤色器基板(color filter substrate)。像素电极23和公共电极25形成在下部基板1上。液晶层5通过像素电极23和公共电极25之间的水平电场“L”驱动。
尽管图1中未示出，栅线、数据线和薄膜晶体管(TFT)形成在下部基板1的内表面上，黑矩阵(black matrix)和滤色层形成在上部基板3的内表面上。上部和下部基板1和3通过包括环氧树脂的密封图案彼此贴附。
当下部和上部基板1和3彼此贴附时，可能由于下部和上部基板1和3未对准即贴附错误而导致发生漏光并且IPS模式LCD装置的孔径比可能减小。结果，基于贴附误差余量(margin of attachment error)来制造IPS模式LCD装置。特别地，由于基于贴附误差余量形成的黑矩阵宽度大于设计宽度，因此IPS模式LCD装置的孔径比将被进一步减小。
为提高孔径比，滤色器上薄膜晶体管(TOC)型LCD装置和薄膜晶体管上滤色器(COT)型LCD装置已成为最近研究的主题，这里TFT和滤色层形成在单个基板上。
图2示出根据现有技术用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的阵列基板的截面图。在图2中，栅线(未显示)、公共线(common line)2和数据线4形成在基板10上。公共线2与栅线隔开且与其平行，并且数据线4与栅线交叉以限定像素区P。自公共线2延伸的最外部公共电极6形成在像素区P的边缘部分处。
连接到栅线和数据线4的薄膜晶体管(TFT)Tr包含栅极11、栅绝缘层13、半导体层15、源极17和漏极19。漏极19延伸以与公共线2重叠(overlap)。公共线2的重叠部分作为第一电容电极2a、漏极19的重叠部分作为第二电容电极19a、和在第一和第二电容电极2a和19a的栅绝缘层作为介电层构成存储电容StgC。
钝化层21形成在TFT Tr上，并且黑树脂的黑矩阵30形成在该钝化层21上。黑矩阵30对应于栅线、数据线4和TFT Tr。包括红、绿、蓝滤色器的滤色层33形成在黑矩阵30和钝化层21上。红、绿和蓝滤色器顺序且重复地设置在像素区P中。外覆层(overcoat layer)35形成在黑矩阵30和滤色层33上，并且像素电极24和公共电极26形成在外覆层35上。外覆层35和滤色层33具有暴露出TFT Tr的漏极19的漏极接触孔27。像素电极23通过漏极接触孔27电连接至漏极19。
在薄膜晶体管上滤色器(COT)型面内切换(IPS)模式液晶显示(LCD)装置中，黑矩阵30防止红、绿和蓝滤色器色彩混合以提高对比度。另外，黑矩阵30屏蔽掉TFT Tr的入射光以防止TFT Tr误操作。为实现足够的光屏蔽特性，需要黑矩阵30具有等于或大于4.0，优选地，等于或大于约5.0的光密度。当黑树脂形成黑矩阵30时，对于大于或等于4.0的光密度黑矩阵30具有大约为1μm至2μm的厚度。
此外，形成滤色层33以与相对厚的黑矩阵30的边缘部分重叠，并且在相对厚的黑矩阵30的边缘部分产生台阶差。由于台阶差而可导致诸如摩擦工艺(rubbing process)这样的随后工艺变差。因此，在滤色层33和黑矩阵30上形成外覆层35以防止因台阶差而导致的变差。然而，由于外覆层35导致制造工艺复杂且制作成本增加。
通过对用诸如炭黑之类的黑色素而着色的树脂层进行构图来形成黑矩阵30。黑树脂黑矩阵30的电阻率等于或小于约1X107Ωcm。因此，当黑矩阵30设置于诸如栅线、数据线4和公共线2这样的导线上方时，在导线中会产电阻电容(RC)延迟，并且由于串扰而导致显示质量变差。
图3A和3B分别是示出根据现有技术薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的电阻电容延迟和显示质量变差。
在图3A和3B中，第一和第二数据信号DS1和DS2对应于COT型IPS模式LCD装置的上部UP和下部LP。当黑矩阵30形成在数据线4上时，与第一数据信号DS1相比，第二数据信号DS2被延迟，使得第二数据信号DS2的上升和下降时间长于第一数据信号DS1的上升和下降时间。结果，与上部UP的图像相比，下部LP的图像具有较差的显示质量，例如低对比度和低亮度。因此，COT型IPS模式LCD装置具有不均匀的显示质量。
发明内容
因此，本发明涉及一种用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板充分消除了由于现有技术局限性和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的优点是提供一种用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，这里，防止了由于滤色器和黑矩阵导致的台阶差并且通过使用无机材料黑矩阵省略了平面化工艺(planarization process)。
本发明的另一个优点是提供一种用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，这里，防止了电阻电容延迟并且通过使用无机材料黑矩阵提高了显示质量。
本发明的其他特征和优点将在下面的说明中阐明，且其部分可以根据所述说明将显而易见，或者可从本发明的实践中领会到。通过所撰写的说明书、其权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些或其他优点。
正如所具体表示和概括描述的，为达到这些和其他优点，并根据本发明的目的，用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板包括：基板；在基板上的栅线和数据线，栅线和数据线相互交叉以限定像素区；与栅线平行且与栅线隔开的公共线；连接到栅线和数据线的薄膜晶体管；在像素区中的多个像素电极，该多个像素电极连接到薄膜晶体管且与数据线平行；与多个像素电极交替的多个公共电极；在像素区边缘部分的至少一个最外部公共电极，该至少一个最外部公共电极连接到公共线且与数据线平行；对应于薄膜晶体管、栅线和数据线的黑矩阵，该黑矩阵包括无机材料并具有开口部；和在开口部中的滤色层。
应理解，前面的概括性描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
包含的附图提供了对本发明的进一步理解且其结合到说明书中并构成说明书的一部分，其示出了本发明的实施方式并与描述一起用于解释本发明的原理。
在图中：
图1是示出根据现有技术的面内切换模式液晶显示装置的截面图；
图2是示出根据现有技术用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的截面图；
图3A和3B分别是示出根据现有技术用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的电阻电容延迟和显示质量变差的图；
图4显示根据本发明实施方式的用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的阵列基板的平面图；
图5是沿图4的线V-V截取的截面图；
图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图；和
图7是示出根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施方式，在附图中示出了其实例。在任何可能之处，将使用相似的参考数字表示相同或相似的部件。
图4显示根据本发明实施方式的用于薄膜晶体管上滤色器型面内切换模式液晶显示装置的阵列基板的平面图，图5是沿图4的线V-V截取的截面图，和图6是沿图4的线VI-VI截取的截面图。
图4中，公共线102、栅线103和数据线104形成在基板101上。公共线102与栅线103平行，并且栅线103和数据线104相互交叉以限定像素区P。薄膜晶体管(TFT)Tr连接到栅线103和数据线104。TFT Tr包括栅极111、栅绝缘层113(图5)、半导体层(图5)、源极117和漏极119。栅极111连接到栅线103，源极117连接到数据线104。源极117和漏极119彼此隔开。
另外，漏极11延伸以与公共线102重叠。公共线102和漏极119的重叠部分分别作为第一和第二电容电极102a和109a，使得第一和第二电容电极102a和109a以及第一和第二电容电极102a和109a之间的栅绝缘层113构成存储电容StgC。
最外部公共电极106、多个公共电极125和辅助公共电极125a形成在像素区P中。最外部公共电极106、多个公共电极125和辅助公共电极125a与数据线104平行并与公共线102连接。最外部公共电极106设置在像素区P的边缘部分处且与数据线104隔开。最外部公共电极106自公共线102延伸并与公共线102具有相同层。多个公共电极125彼此隔开，并且辅助公共电极125a与最外部公共线106重叠。辅助公共电极125a与多个公共电极125具有相同层。此外，辅助公共电极125a和多个公共电极125的端部连接到公共连接图案125b。
辅助公共电极125a通过公共线接触孔129电连接到公共线102并与数据线104部分重叠以覆盖数据线104和最外部公共电极106之间的间隔。因此，辅助公共电极125a传送施加到公共线102的公共电压至多个公共电极125，并防止由于数据线104和最外部公共电极106之间所产生的电场而导致的诸如串扰这样的变差。
多个像素电极123形成在像素区P。多个像素电极123和多个公共电极125相互交替设置。多个像素电极123通过漏极接触孔127电连接到从漏极119延伸出来的第二电容电极119a。此外，多个像素电极123可与多个公共电极125有相同层。
多个像素电极123和多个公共电极125可具有至少一个弯曲部分以获得多域结构。例如，多个像素电极123和多个公共电极125的每个关于其中心部分对称弯曲以使得像素区可具有2域结构(two-domain structure)。由于2域结构，可以防止变差诸如在特定视角的颜色反相(color conversion)并进一步改善COT型IPS模式LCD装置的视角。尽管图4中数据线104、多个像素电极123、多个公共电极125和辅助公共电极125a均形成为具有弯曲部分，在另一个实施方式中数据线、多个像素电极、多个公共电极和辅助公共电极也可形成为直线形而没有弯曲部分。
黑矩阵200和滤色层133形成在具有TFT Tr的基板上(图5)。黑矩阵200对应于公共线102、栅线103、数据线104和TFT Tr。滤色器133包括红、绿和蓝滤色器，并且红、绿和蓝滤色器中的每一个交替设置在像素区P中。
黑矩阵200包括无机材料。例如，该无机材料可包含锗(Ge)、碳化锗(GeC)和硅化锗(GeSi)中的一种。由于无机材料薄膜的透光率小于有机材料薄膜的透光率，因此与根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30(图2)相比，无机材料的黑矩阵200具有相对较小的厚度。结果，使由于黑矩阵200导致的台阶差减至最小，且防止了由于台阶差导致的诸如摩擦工艺(rubbing process)之类的随后工艺变差。因此省去了用于平坦化的外覆层且简化了制造工艺。
此外，无机材料薄膜的介电常数小于有机材料薄膜的介电常数，且无机材料的电阻率大于有机材料薄膜的电阻率。结果，即使无机材料的黑矩阵200形成在公共线102、栅线103和数据线104上方，也能最小化电阻电导(resistive-conductive，RC)延迟。
图5和6中，公共线102、栅线103(图4)、栅极111和辅助公共电极106形成在具有像素区P的基板101上。栅极111连接到栅线103，并且公共线102与栅线103平行且与其隔开。辅助公共电极106自公共线102延伸且设置在像素区P的边缘部分处。
栅绝缘层113形成在公共线102、栅线103、栅极111和辅助公共电极106上。半导体层115形成在栅极111上方的栅绝缘层113上。半导体层115包括本征硅的有源层115a和杂质掺杂硅的欧姆接触层115b。此外，源极和漏极117和119形成在半导体层115上，数据线104形成在栅绝缘层113上。源极和漏极117和119彼此隔开，并且数据线104与栅线103交叉以限定像素区P。数据线104可与最外部公共电极106隔开。栅极111、栅绝缘层113、半导体层115、源极117和漏极119构成了薄膜晶体管(TFT)Tr。
漏极119延伸以与公共线102重叠。公共线102和漏极119的重叠部分分别用作第一和第二电容电极102a和109a，使得第一和第二电容电极102a和109a以及在第一和第二电容电极102a和109a之间的栅绝缘层113构成存储电容StgC。尽管图5和6中包括有源层115a和欧姆接触层115b的半导体层115进一步被插入在栅绝缘层113和第二电容电极109a之间，但是在另一实施方式中可通过不同的制造工艺省去在第二电容电极109a下方的半导体层。此外，尽管图5和6中包括有源层115a和欧姆接触层115b的半导体层115进一步被插入在栅极113和数据线104之间，但是在另一实施方式中可通过不同的制造工艺省去在数据线104下方的半导体层。
无机绝缘材料的钝化层121形成在数据线104、源极117和漏极119上，并且无机材料的黑矩阵200形成在钝化层121上。黑矩阵200可对应于公共线102、栅线103、数据线104和TFT Tr。而且，黑矩阵200由包括锗(Ge)的无机材料形成。例如，无机材料可包括锗(Ge)、碳化锗(GeC)和硅锗(GeSi)中的一种。由于无机材料薄膜的透光率小于诸如黑树脂这样的有机材料薄膜的透光率，因此与根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30(图2)相比，无机材料的黑矩阵200具有相对小的厚度。结果，使由于黑矩阵200导致的台阶差减至最小，且防止了由于台阶差导致的诸如摩擦工艺之类的随后工艺变差。因此，可省掉用于平坦化的上覆层且简化了制造工艺。
为实现充分的遮光特性，需要黑矩阵200具有在预定范围内的光密度。根据以下等式I，光密度OD被限定为透射光(transmitted light)的输出强度Iout与入射光的输入强度Iin的比率。
OD＝-log(Iout/Iin)-----等式I
对于给定的入射光输入强度，随着透射光的输出强度降低，光密度增加。
例如，可需要黑矩阵200具有等于或大于4.0，优选等于或大于约5.0的光密度，以使黑矩阵200能够防止滤色器色彩混合并防止由于漏光导致的TFTTr的误操作。对于等于或大于约4.0的光密度，尽管根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30具有约1μm至约2μm的厚度，但是无机材料的黑矩阵200可具有约
Figure BSA00000494070000081
至约
Figure BSA00000494070000082
的厚度。例如，具有约
Figure BSA00000494070000083
厚度的无机材料黑矩阵200具有等于或大于约4.0的光密度。因此，降低了无机材料黑矩阵200的厚度且减小了由于黑矩阵200导致的台阶差。
表1示出了根据本发明第一实施方式的黑矩阵200关于COT型IPS模式LCD装置中入射光波长的光密度。
<表1>
  波长   450nm   550nm   610nm
  光密度   5.3   5.3   4.0
表1中，黑矩阵200由锗(Ge)形成且具有约
Figure BSA00000494070000084
的厚度。
如表1中所示，锗(Ge)的黑矩阵200在约450nm和约550nm的波长处具有约5.3的相对高的光密度。此外，锗(Ge)的黑矩阵200具有约4.0的光密度，这与在610nm的波长处具有约1μm至约2μm厚度的黑树脂的黑矩阵30的光密度相似。因此，与根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30相比，即使无机材料的黑矩阵200具有较小厚度，也具有优良的遮光特性。
此外，与根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30相比，无机材料的黑矩阵200具有较小的介电常数和较大的电阻率。结果，降低了在诸如公共线102、栅线103和数据线104这样的导线中的电阻电容(RC)延迟。例如，无机材料的黑矩阵200可具有等于或大于约1X1015Ωcm的电阻率。
表2示出了在根据本发明第一实施方式的COT型IPS模式LCD装置中通过数据线104传输的信号的上升时间和下降时间。
<表2>
Figure BSA00000494070000091
表2中，对于通过其上顺序形成有钝化层和黑矩阵的数据线传输的信号测量上升时间和下降时间。当根据现有技术的黑树脂的黑矩阵30形成在数据线上方时，信号的上升时间、下降时间和上升和下降时间的总和分别为约1.6、约1.6和约3.2，其约为基准值的两倍。当无机材料的黑矩阵200形成在数据线上方时，信号的上升时间、下降时间和上升时间和下降时间的总和分别为约1.0、约0.8和约1.8，其与基准值相似。因此，通过数据线104传输的信号的RC延迟被最小化且防止了诸如不均匀对比度和不均匀亮度这样的显示质量变差。
包括红、绿和蓝滤色器的滤色层133形成在黑矩阵200和钝化层121上。尽管图5和6中示出了滤色层133与黑矩阵200的侧表面接触，但是滤色层133的边缘部分可形成在黑矩阵200上以与黑矩阵200重叠。红、绿和蓝滤色器可在经由黑矩阵200暴露的钝化层121上形成，且可顺序且重复地设置在像素区P中。滤色层133和钝化层121具有暴露出自漏极119延伸的第二电容电极119a的漏极接触孔127，并且黑矩阵200、钝化层121以及栅绝缘层113具有暴露出公共线102的公共线接触孔129。
多个像素电极123、多个公共电极125和辅助公共电极125a形成在黑矩阵200和滤色层133上。多个像素电极123、多个公共电极125和辅助公共电极125a可包括透明导电材料且可设置成与数据线104平行。多个像素电极123经由漏极接触孔127连接到第二电容电极119a，使得多个像素电极123电连接到漏极119。多个公共电极125与多个像素电极123交替设置在像素区中。辅助公共电极125a设置在像素电极P的边缘部分处以与最外部公共电极106重叠，且经由公共线接触孔129连接到公共线102。辅助电极125a和多个公共电极125的端部连接到公共连接图案125b(图4)。
在COT型IPS模式LCD装置中，由于黑矩阵200和滤色层133形成在具有TFT Tr的基板101上，因此使黑矩阵200的宽度最小化且防止了由于贴附误差导致的孔径比减小。此外，由于黑矩阵200包括无机材料，因此即使黑矩阵200具有相对小的厚度，也具有足够的遮光特性(相对大的光密度)。结果，使由于黑矩阵200导致的台阶差减至最小且防止了由于台阶差导致的诸如摩擦工艺之类的随后工艺变差。此外，通过省掉用于平坦化的上覆层而简化了制造工艺。而且，由于无机材料的黑矩阵200具有相对大的电阻率和相对小的介电常数，因此最小化了RC延迟且改善了显示质量。
图7是示出根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管上滤色器型面内转换模式液晶显示装置的截面图。由于其他部分与第一实施方式的那些相似，因此图7示出了与数据线相邻的部分。
图7中，最外部公共电极206形成在基板201上的像素区的边缘部分处，并且栅绝缘层213形成在最外部公共电极206上。数据线204形成在栅绝缘层213上。最外部公共电极206设置在数据线204的两侧。钝化层221形成在数据线204上，并且无机材料的黑矩阵300形成在钝化层221上。黑矩阵300覆盖数据线204和最外部公共电极206之间的间隙从而防止经由该间隙漏光。此外，黑矩阵300具有对应于数据线204的通孔THA，从而暴露出在数据线204上方的钝化层221。
包括红、绿和蓝滤色器的滤色层233形成在钝化层221和黑矩阵300上，并且辅助公共电极225a形成在滤色层233和黑矩阵300上。尽管图7中示出滤色层233接触黑矩阵300的侧表面，但是滤色层233的边缘部分可形成在黑矩阵300上以与该黑矩阵300重叠。红、绿和蓝滤色器可形成在经由黑矩阵300暴露的钝化层221上且可顺序和重复地设置在像素区P中。辅助公共电极206与最外部公共电极225a重叠。
在第二实施方式的COT型IPS模式LCD装置中，由于黑矩阵300未设置在数据线204正上方，并且暴露出在数据线204正上方的钝化层221，进一步改善了电阻电容(RC)延迟。如第一实施方式的表2所示，当黑矩阵200(图6)形成在数据线104(图6)正上方时，约1.8微秒(μsec)的上升时间和下降时间的总和稍长于约1.6μsec的基准值。在第二实施方式中，由于去除了在数据线204正上方的黑矩阵300，因此上升时间和下降时间的总和可基本与基准值相同。
因此，在本发明的COT型IPS模式LCD装置中，由于薄膜晶体管、黑矩阵和滤色层形成在单个基板上，因此不需要贴附误差余量。结果，最小化了黑矩阵宽度并且改善了孔径比。此外，由于黑矩阵由无机材料形成，因此即使具有相对小的厚度，黑矩阵也具有相对大的光密度。结果，最小化了由于黑矩阵导致的台阶差且防止了由于台阶差导致的诸如摩擦工艺之类的随后工艺变差。另外，通过省掉用于平坦化的上覆层简化了制造工艺。而且，由于无机材料黑矩阵具有相对大的电阻率和相对小的介电常数，因此最小化了电阻电容延迟并改善了显示质量。
本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可对本发明作出各种修改和变化。由此，只要落在所附的权利要求书及其等价物的范围内，本发明覆盖本发明的各种修改和变化。

Claims (11)

1.一种用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板，包含；
基板；
在所述基板上的栅线和数据线，该栅线和该数据线互相交叉以限定像素区；
与所述栅线平行且隔开的公共线；
连接到所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管；
在所述像素区中的多个像素电极，该多个像素电极连接到所述薄膜晶体管并与所述数据线平行；
与所述多个像素电极交替的多个公共电极；
在所述像素区的边缘部分处的至少一个最外部公共电极，该至少一个最外部公共电极连接至所述公共线并与所述数据线平行；
对应于所述薄膜晶体管、所述栅线和所述数据线的黑矩阵，该黑矩阵包括无机材料并具有开口部；和
在所述开口部中的滤色层。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述黑矩阵包含锗、碳化锗和硅化锗中的一种。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述黑矩阵的电阻率等于或大于约1X1015Ωcm。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述黑矩阵在波长约550纳米处具有约5.3的光密度。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述黑矩阵的厚度为约
Figure FSA00000494069900011
至约
Figure FSA00000494069900012
6.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述至少一个最外部公共电极设置在所述数据线的两侧。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其中所述黑矩阵具有对应于所述数据线的通孔。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述薄膜晶体管包括连接到所述栅线的栅极、在该栅极上的栅绝缘层、在该栅极上方的栅绝缘层上的半导体层、连接至所述数据线的源极、和与所述源极隔开且连接到所述多个像素电极的漏极。
9.如权利要求8所述的阵列基板，其中所述漏极通过插入在漏极和公共线之间的栅绝缘层与所述公共线重叠。
10.如权利要求1所述的阵列基板，还包括至少一个辅助公共电极，该至少一个辅助公共电极具有与所述多个公共电极相同的层和相同的材料，并连接到所述公共线。
11.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述黑矩阵对应于所述至少一个最外部公共电极和在所述数据线与所述至少一个最外部公共电极之间的间隙。
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