CN101435967B - 有源矩阵液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

所公开的是一种有源矩阵液晶显示装置，该装置包括：常黑模式的有源矩阵液晶显示装置，其包括有源矩阵基板和相对基板，并且其中在相对基板上没有设置黑色矩阵，其中，不透明电极之间的间隙由设置在该间隙的上层中的恒定电势透明电极所覆盖，所述不透明电极在有源矩阵基板的显示区域周围的框部中紧密定位并且其电势互不相同。

Description

有源矩阵液晶显示装置
本申请基于2007年11月16日提交的日本专利申请No.2007-297822并且要求其优先权，其公开内容通过引用全部结合于此。
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵液晶显示装置(Active Matrix LiquidCrystal Display Device)，且尤其是涉及一种具有在相对基板上未设置黑色矩阵(Black Matrix)的结构的有源矩阵液晶显示装置。
背景技术
在有源矩阵液晶显示装置中，多条扫描线和多条信号线设置在一个基板中。显示像素设置在信号线和扫描线的每个交叉点处。每个显示像素包括切换元件，并且能够单独将电势施加到液晶。未包括显示像素的周边区域(框部)布置在包括每个显示像素的显示区域周围。相对基板包括黑色矩阵，以防止框部中的背光的透射(光泄漏)。
为了减少上述液晶显示装置的生产成本，消除设置在相对基板上的黑色矩阵是有效的。为了这一目的，包括色彩层的层叠图案设置在框部中，以用作遮光层。然而，通过使用包括色彩层的层叠图案而形成的遮光层的遮光能力是不足的。因此，在使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)系统的常白模式的液晶显示装置中，框部会有颜色产生。结果，不能获得足够的显示质量。
为了解决上述的问题，日本专利特许第3327508号(专利文献1)公开了一种具有下述结构的液晶显示装置，在该结构中，由不透明电极16构成的遮光层覆盖扫描线之间的间隙或者信号线之间的间隙(在图16中为信号线之间的间隙)，所述间隙被布置在周边区域(框部)中，如图16中所示。日本专利申请特开平9-73101号公布公开了一种具有下述结构的液晶显示装置，在该结构中，透明电极布置在不透明电极的上层中，以便改善液晶面板的透射率，以及减少来自显示表面的光反射。
近几年，诸如IPS(In-Plane Switching：面内切换)系统的常黑模式的液晶显示装置已经发展为一种具有广视角显示的显示装置。在该显示装置中，黑色被显示在下述区域中，在该区域中，尽管其中没有遮光层，配线之间也不会形成电场。因此，上述液晶显示装置仅通过使用叠层色彩层制成的遮光层就能够保持足够的显示质量。然而，在具有互不相同的电势的两种配线交叉的位置处生成有电场。结果，光仅通过该部分透射。因此，具有特定图案的光泄漏不利地出现在框部处。
当为了防止切换元件的静电击穿而将保护晶体管设置或将配线设置在周边区域(框部)中时，有必要获得每个具有不同电势的配线的交叉。
例如，如图17中所示，在显示区域周围的框部中，当将公共电极3布置在其中设置有多条扫描线2的部分上时，在扫描线2和公共电极3之间的交叉部处生成强电场，如图17中所示的箭头表示的。如图18中所示，图18中示出了沿着图17中的线F1-F2的剖面结构，强电场穿透液晶层10。因此，液晶旋转并且导致光泄漏。
通过设置如专利文献1(图16)中所示的由不透明电极16构成的遮光层，能够避免光泄漏。然而，两配线堆叠在交叉部处。当除了这些堆叠的配线之外还将由不透明电极构成的遮光层添加在该部分处时，制造工序增加。
发明内容
本发明的一个示例性目的是提供一种有源矩阵液晶显示装置，其中，能够减少显示区域周围的框部中的光泄漏。
根据本发明的一个示例性方面的有源矩阵液晶显示装置包括一种常黑模式的有源矩阵液晶显示装置，包括有源矩阵基板和相对基板，并且在所述有源矩阵液晶显示装置中在相对基板上没有设置黑色矩阵，其中，不透明电极之间的间隙由恒定电势透明电极所覆盖，所述不透明电极在所述有源矩阵基板的显示区域周围的框部中紧密定位并且所述不透明电极的电势互不相同，所述恒定电势透明电极布置在所述间隙的上层中。
附图说明
从下面结合附图的详细描述，本发明的示例性特征及优点将变得显而易见，其中：
图1是示出了本发明的示例性实施例的有源矩阵液晶显示装置的结构的剖面图；
图2是示出了根据本发明的第一示例的有源矩阵液晶显示装置的框部中的连接至信号线的保护晶体管附近的结构的平面图；
图3是示出了图2中的线A1-A2的剖面结构的剖面图；
图4是示出了根据本发明的第一示例的有源矩阵液晶显示装置的框部中的保护晶体管的详细结构的平面图；
图5是示出了图4中的线B1-B2的剖面结构的剖面图；
图6是示出了图4中的线C1-C2的剖面结构的剖面图；
图7是示出了根据本发明的第一示例的有源矩阵液晶显示装置的框部的另一结构的平面图；
图8是示出了在保护晶体管附近和配线的交叉部中生成的电场的平面图；
图9是示出了根据本发明的第二示例的有源矩阵液晶显示装置的框部中的连接至扫描线的保护晶体管附近的结构的平面图；
图10是示出了对保护晶体管和配线的交叉部生成的电场；
图11是示出了根据本发明的第三示例的有源矩阵液晶显示装置的框部的结构的平面图；
图12是示出了图11中的线D1-D2的剖面结构的剖视图；
图13是示出了根据本发明的第三示例的有源矩阵液晶显示装置的周边框部的结构的平面图；
图14是示出了图13中的线E1-E2的剖面结构的剖视图；
图15是示出了根据本发明的第四示例的有源矩阵液晶显示装置的显示区域周围的框部的结构的剖视图；
图16是示意性地示出了相关技术(专利文献1)的液晶显示装置的框部的结构的平面图；
图17是示出了在相关技术的液晶显示装置的框部的配线的交叉部中生成的电场的平面图；
图18是示出了图17中的线F1-F2的剖面结构的剖视图。
具体实施方式
现在将根据附图详细地描述本发明的示例性实施例。
将参照图1描述本发明的一个优选示例性实施例。图1是示出了本发明的一个示例性实施例的有源矩阵液晶显示装置的结构的剖面图。
如图1中所示，本发明涉及一种具有常黑模式的有源矩阵液晶显示装置，其中，没有给相对基板30设置黑色矩阵。此外，该装置包括下面的结构。
在显示区域周围的框部中，不透明电极(例如，信号线5)之间的间隙50由布置在其上层中的恒定电势透明电极8所覆盖，在有源矩阵基板20上，所述不透明电极紧密定位并且它们的电势互不相同。
覆盖不透明电极之间的间隙的具有恒定电势的透明电极8的边缘部可以布置在不透明电极上，所述不透明电极的电势互不相同，并且恒定电势透明电极和不透明电极可以被布置成彼此重叠1μm或更多(优选地，2μm或更多)(例如，参照后文描述的图5和图6中的重叠量和重叠部分42)。
扫描线可以连接至不透明金属层，所述不透明金属层在框部的扫描线引出侧形成信号线。而且，在框部中，不透明金属层可以在与扫描线延伸的方向基本正交的方向上延伸，并且可与邻近于所连接的扫描线的扫描线之一重叠(例如，参照下文描述的图9)。对于具有上述结构的液晶显示装置，恒定电势透明电极8的边缘的一部分可以设置在上述的不透明金属层上，恒定电势透明电极8被布置成覆盖不透明电极之间的间隙，所述不透明电极每个都具有不同电势。
本发明可适用于一般在相对基板上不包括黑色矩阵的、常黑模式的液晶显示装置。特别地，当将本发明适用于IPS系统(具有宽视角的液晶模式)或VA(垂直配向)系统时。能够以低成本提供具有高性能的液晶显示装置。
[第一示例]
将更加详细地描述上述的本发明的示例性实施例。将参照图2至图8来描述根据本发明的第一示例的有源矩阵液晶显示装置。图2是示出了根据本发明的第一示例的有源矩阵液晶显示装置的显示区域周围的框部中的连接至信号线的保护晶体管附近的结构的平面图。图3是示出了图2中的线A1-A2的剖面结构的剖面图。图4是示出了设置在框部中的保护晶体管的详细结构的平面图。图5是示出了图4中的线B1-B2的剖面结构的剖面图。图6是示出了图4中的线C1-C2的剖面结构的剖面图。图7是示出了框部的另一结构的平面图。图8是示出了在保护晶体管附近和配线的交叉部中生成的电场的平面图。
如图3、图5和图6中所示，有源矩阵液晶显示装置包括一个基板(有源矩阵基板20)、另一基板(相对基板30)和夹持在两个基板之间的液晶(液晶层10)，并且还包括端部密封件11(参照下文描述的图14)，所述端部密封件11接合基板并且将液晶密封于其间。有源矩阵基板20包括偏振板14、基板1、绝缘层4、绝缘层6和恒定电势透明电极8。相对基板30包括色彩层12、基板13和偏振板15。而且，显示像素的矩阵布置在有源矩阵基板20中，所述显示像素每个都具有诸如TFT(薄膜晶体管)的切换元件，并且与显示像素相对应的各种色彩层12布置在相对基板30中。
由金属等构成的扫描线(即“栅极电极线”)和信号线5(即“数据线”)形成在有源矩阵基板20中。扫描线和信号线在显示区域周围的区域(下文中，称为“框部”)中延伸，并且连接至布置在框部的边缘处的端子电极，所述显示区域包括显示像素。由ITO(铟锡氧化物)等构成的恒定电势透明电极8形成在扫描线和信号线5的上层中。
这里，如果未将电场施加到框部的液晶，那么，即使在相对基板30中没有设置黑色矩阵时，常黑模式的液晶显示装置也能够维持足够的显示质量。然而，当在保护晶体管7附近或配线的交叉部中生成强电场时，液晶的配向方向改变，所述保护晶体管7设置在有源矩阵基板20的框部中，所述配线每个都具有不同电势。结果，背光穿透并且在框部中发生光泄漏。因此，不能获得足够的显示质量。当将专利文献1中所示的遮光层布置在液晶显示装置中时，需要附加的生产工序，以在除了上述的扫描线和信号线之外还形成遮光层。这种附加的工序增加了生产成本。
因此，在第一示例中，提出了用于阻挡强电场的方法。在常黑模式的液晶显示装置中，将形成在有源矩阵基板20的上层中的透明电极(恒定电势透明电极8)用于遮光。未形成覆盖有源矩阵基板20的框部的新的遮光层。因此，框部中的保护晶体管附近或者配线的交叉部中的强电场未被屏蔽。下文将参照附图进行具体描述。
图2表示第一示例的有源矩阵液晶显示装置的框部中的连接至信号配线的保护晶体管附近的构造。如图2中所示，每条信号线5连接至两个保护晶体管7，信号线5是从图的下部分向上画至其左上方。
设置保护晶体管7，以防止由绝缘击穿等引起的故障。当在液晶面板的制造工艺中信号线5中生成静电荷时，保护晶体管7释放该电荷。保护晶体管7(图2下部分所示的保护晶体管7)之一的栅极电极和源极电极连接至信号线5，并且它的漏极电极连接至公共电极3。另一个保护晶体管7(图2上部分所示的保护晶体管7)的栅极电极和漏极电极连接至公共电极3，并且它的源极电极连接至信号线5。当将液晶保持在相对基板30和保护晶体管7之间时，在保护晶体管7上形成液晶层10。
这里，由于信号线5的电势不同于公共电极3的电势，所以，如图8所示，在保护晶体管7的源极电极和栅极电极之间的间隙以及漏极电极和栅极电极之间的间隙中生成水平指向的强电场。此外，在信号线5和公共电极3之间的间隙中生成水平指向的强电场。当将点反转驱动方法用于驱动液晶显示时，因为通常将正电势和负电势分别施加到邻近的信号线5，所以在彼此相邻的信号线5之间的间隙中生成水平指向的强电场。由于该强电场，所以在其中没有由金属等构成的电极或配线(下文中，将这些总称为不透明电极41)的部分处产生光泄漏。
因此，在第一示例中，不透明电极41之间的间隙由其电势被固定至公共电势的透明电极(下文称之为恒定电势透明电极8)所覆盖，所述不透明电极41紧密定位，并且其电势互不相同。
在上述构造中，由于在保护晶体管7附近以及配线的交叉点中生成的强电场由恒定电势透明电极所屏蔽，所以该强电场不会穿透到液晶层10中。因此，基于偏振板15和液晶层10之间的关系，维持黑色状态。因此，在第一示例中，框部的光泄漏未发生，并且能够维持高显示质量。
上面描述了第一示例的基本结构。当布置有上述的恒定电势透明电极8时，电场(边缘电场)产生于不透明电极41和恒定电势透明电极8的边缘之间。因此，在第一示例中，为了避免由于边缘电场而产生的影响，如下布置恒定电势透明电极8。
首先，将恒定电势透明电极8的边缘设置成与布置在下层中的不透明电极41(这里为信号线5)重叠。因而，如图3中所示，即使当液晶10被生成于恒定电势透明电极8边缘处的边缘电场所旋转时，也可利用不透明电极41遮蔽该部分中的背光光。因此，能够防止光泄漏。
如图4、图5以及图6中所示——图4示出了保护晶体管7的详细结构，图5示出了图4中的线B1-B2的剖面结构，图6示出了图4中的线C1-C2的剖面结构——在保护晶体管7的沟道部分7a中，通孔部分8a设置在恒定电势透明电极8中，并且进一步将通孔部分8a的边缘布置成与不透明电极41(7b)重叠。因而，即使当液晶被产生于恒定电势透明电极8边缘处的边缘电场所旋转时，也可利用不透明电极41(7b)遮蔽该部分中的背光光。因此，能够防止光泄漏。当将通孔部分8a布置在保护晶体管7的沟道部分7a的恒定电势透明电极8中时，该晶体管的截止特性能够得到改善。结果，也能够防止经由保护晶体管7产生的漏电流所导致的消耗电流的增加。
在第一示例中，作为特定的重叠量，将恒定电势透明电极8设置成与不透明电极41重叠2μm。得到证实的是，由于在恒定电势透明电极8边缘处产生的边缘电场引起液晶旋转而导致的光泄漏，能够被充分抑制。此外，得到证实的是，如果重叠量等于或大于1μm，则光泄漏能够被有效抑制。
此外，与上述恒定电势透明电极8边缘重叠的不透明电极41能够被设置在任意层中，如果不透明电极41的该布局是可能的。例如，对于设置其以将信号线5连接至保护晶体管7的栅极电极7b的通孔部分8a，该通孔部分的边缘可以与下层(例如，其中存在连接至信号线5的扫描线2的层中的金属层)中的不透明电极41重叠，如图2和图3中所示(参照重叠部分42)，或者通孔部分8a的边缘可以与在上层中的不透明部分41(例如，信号线5)重叠，如图7中所示。
在第一示例中，由于能够减少在框部中的保护晶体管7附近和配线的交叉部中的光泄漏，所以不必在相对基板30中设置诸如黑色矩阵的遮光层。因此，在第一示例中，能够实现使用透明电极的高质量有源矩阵液晶显示装置的成本削减。
在上面的实施例中，利用恒定电势透明电极8覆盖配线的交叉部和保护晶体管7附近。然而，对于其中电势互不相同的配线之间的间隙等于或大于30μm的部分，不必覆盖该间隙。原因如下所述。
当将光泄漏减少至黑色亮度时，该光泄漏变成不可见。因此，例如，当将本发明应用于其对比度为800的产品时，将光泄漏的亮度降低至白色亮度的八百分之一(1/800)是足够的。此处，由于通过使用将色彩层堆叠的层叠技术而能够将透射率减小至等于或小于百分之一(1/100)，所以即使没有设置黑色矩阵也不必屏蔽其中产生相当于白色亮度的八分之一(1/8)的亮度的电场。例如，在其中叉指电极间距为8.5μm且其白色电压为5[V]的横向电场型面板中，产生具有相当于白色亮度的八分之一(1/8)的亮度的电压为3[V]。因此，不必屏蔽等于或小于3/8.5[V/μm]的电场。
由于在周边区域中电势互不相同的电极之间的电势差至多为大约10[V]，所以当电势互不相同的电极之间的距离至少为满足等式10/x<3/8.5的x[μμm]时，通过利用恒定电势透明电极8覆盖来屏蔽是不必要的。在不等式x>10×8.5/3＝28中，必要的是，电势互不相同的电极之间的距离等于或大于30μm。得到证实的是，当电势互不相同的电极之间的距离为大约30μm时，即使在未设置恒定电势透明电极8的屏蔽时，用眼睛也无法观察到光泄漏。
[第二示例]
接下来，将参照图9和图10来描述根据本发明的第二示例的有源矩阵液晶显示装置。图9是示出了根据第二示例的有源矩阵液晶显示装置的显示区域周围的框部中的连接至扫描线的保护晶体管附近的结构的平面图。图10是示出了在保护晶体管附近和配线的交叉部中生成的电场的平面图。
在上述的第一示例中，描述了框部中的连接至信号线的保护晶体管附近的结构。如图10中所示，在连接至扫描线的保护晶体管附近，水平指向的强电场也生成在保护晶体管的源极电极和栅极电极之间的间隙以及漏极电极和栅极电极之间的间隙中。此外，水平指向的强电场也生成在电势互不相同的配线之间的间隙中。
因此，为了屏蔽生成在保护晶体管7附近以及配线的交叉部中的水平电场，如图9中所示，布置恒定电势透明电极8，所述恒定电势透明电极8的电势被固定至公共电势。在第二示例中，其许多部分与第一示例的那些相同。然而，与第一示例不同的部分是：恒定电势透明电极8未延伸至线引出部分。
将描述原因。对于彼此邻近的扫描线2中的每条扫描线的电势，仅在将信号写入到沿着扫描线2定位的显示像素这一非常短的时间期间施加“ON”电势，而在显示像素保持信号电势时施加“OFF”电势。因为信号写入时间的范围为从扫描线总数的倒数至保持时间的数百分之一，所以，在彼此邻近且其电势对于一条扫描线为“ON”电势而对于另一条扫描线为“OFF”电势的扫描线2之间生成电场的时间，是在其电势对于两条扫描线均为“OFF”电势的扫描线2之间未生成电场的时间的数百分之一。因此，在彼此邻近的扫描线之间瞬间生成水平电场。在这一时刻，液晶不能旋转，并且两条扫描线的电势均返回至原始相等的电势。因此，液晶迅速返回至常黑状态。在这种返回期间产生的光泄漏可以忽略。
如上所述，由于能够采用邻近的扫描线2具有基本相等的电势，所以不必用恒定电势透明电极8覆盖上层用于屏蔽电场。
此外，将扫描线2经由接触孔连接至由形成信号线的金属构成的不透明电极41，以便连接至保护晶体管。将具有扫描线电势的不透明电极41延伸至邻近的扫描线部分。在具有邻近的扫描线的电势的两个不透明电极41之间没有生成有效的水平电场。因此，在其周边不发生光泄漏。
恒定电势透明电极8的边缘的一部分设置在具有扫描线电势的不透明电极41上，所述恒定电势透明电极8被布置成使得在保护晶体管7的栅极电极7b和源极电极/漏极电极7c之间生成的水平电场被屏蔽。在这种布置下，具有扫描线电势的不透明电极41的外侧可以是下述区域，在所述区域中，在所有扫描线2之间都没有生成有效水平电场。因此，在其附近没有发生光泄漏。
在第二示例中，能够减少框部中的保护晶体管7附近以及配线的交叉部中的光泄漏。因此，在第二示例中，不必在相对基板中设置诸如黑色矩阵的遮光层。因而，能够实现使用透明电极的高质量有源矩阵液晶显示装置的成本削减。
[第三示例]
接下来，将参照图11至图14来描述根据本发明的第三示例的有源矩阵液晶显示装置。图11是示出了根据第三示例的有源矩阵液晶显示装置的框部的结构的平面图。图12是示出了图11中的线D1-D2的剖面结构的视图。图13是示出了根据第三示例的有源矩阵液晶显示装置的周边框部的另一结构的平面图。图14是示出了图13中的线E1-E2的剖面结构的视图。
在上述第一示例的图2中，如图11和图12中所示，能够将恒定电势透明电极8的边缘延伸至偏振板15的边缘的外侧。结果，在整个区域中电场被屏蔽，该区域在周边区域中由偏振板15所覆盖。因此，能够提供高质量的液晶显示装置，在该装置中未发生从周边区域的光泄漏。
相似地，在第一示例的图2中，如图13和图14所示，能够将恒定电势透明电极8的边缘延伸至端部密封件11的外侧。结果，在整个区域中电场被屏蔽，在该区域中，液晶被保持在周边区域中，并且能够提供高质量的液晶显示装置，在该装置中未发生从周边区域的光泄漏。
[第四示例]
接下来，将参照图15来描述根据本发明的第四示例的有源矩阵液晶显示装置。图15是示出了根据第四示例的有源矩阵液晶显示装置的结构的剖视图。
在上述的示例中，描述了应用于横向电场型有源矩阵液晶显示装置的本发明的结构。然而，也能够将本发明应用于下述液晶显示装置，所述液晶显示装置属于垂直配向且是常黑的。
例如，如图15中所示，在显示区域周围的框部中，恒定电势透明电极8设置在有源矩阵基板20中，并且也将恒定电势透明电极9设置在相对基板30中，所述恒定电势透明电极9具有与恒定电势透明电极8的电势相同的电势。因而，能够在整个区域中屏蔽电场，在该区域中，液晶保持在周边区域中，并且未将电场施加到液晶层10。因此，对于垂直配向的液晶显示装置，能够实现其中在相对基板中没有设置由黑色矩阵构成的遮光层的高质量有源矩阵液晶显示装置，并且能够降低生产成本。
此外，在上述的每个示例中，描述了具有下述结构的液晶显示装置，在该结构中，扫描线2设置在下层侧，信号线5设置在上层侧。本发明不限于上述示例，并且能够将本发明应用于具有下述结构的液晶显示装置，在该结构中，扫描线2设置在上层侧，信号线5设置在下层侧。
本发明能应用于有源矩阵液晶显示装置、使用有源矩阵液晶显示装置的用于计算机的监视器、液晶电视、移动电话、GPS(全球定位系统)终端、汽车导航系统、游戏机、用于银行和便利店的终端、医疗诊断设备等。
在本发明的常黑模式的有源矩阵液晶显示装置中，能够减少在显示区域周围的框部中的光泄漏。这是因为，当在框部中不透明电极之间的间隙由设置在上层中的恒定电势透明电极覆盖时，其中所述不透明电极紧密定位并且其电势互不相同，在不透明电极之间生成的电场被屏蔽，并且能够防止不期望的液晶旋转。
利用上述优点，没有必要在相对基板中设置诸如黑色矩阵的遮光层。因此，能够降低生产成本。
虽然已经参考本发明的示例性实施例和示例，对本发明做出了具体示出和描述，但本发明不限于这些实施例和示例。本领域的技术人员将理解的是，在不背离如权利要求书所定义的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对其做出各种修改。
此外，本发明人的意图在于：即使在审查期间对权利要求书进行修改，也要保留所申请的发明的全部等同物。

Claims (9)

1.一种常黑模式的有源矩阵液晶显示装置，包括有源矩阵基板和相对基板，并且在所述有源矩阵液晶显示装置中在所述相对基板上没有设置黑色矩阵，其中
不透明电极之间的间隙由恒定电势透明电极所覆盖，所述不透明电极在所述有源矩阵基板的显示区域周围的框部中紧密定位并且所述不透明电极的电势互不相同，所述恒定电势透明电极布置在所述间隙的上层中，
其中，所述不透明电极是指公共电极、信号线、以及保护晶体管的源极电极、漏极电极和栅极电极的总称。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
所述恒定电势透明电极的边缘的一部分被布置在所述电势互不相同的不透明电极的上方。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
所述恒定电势透明电极和所述电势互不相同的不透明电极彼此重叠至少1μm。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
在所述框部的从其引出扫描线的引出侧，所述扫描线连接至由形成信号线的金属构成的所述不透明电极，所述不透明电极在与所述扫描线延伸的方向基本正交的方向上延伸并与邻近于所述连接的扫描线的所述扫描线中的一条扫描线重叠，并且所述恒定电势透明电极的边缘的一部分布置在所述不透明电极的上方。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
所述恒定电势透明电极的边缘的一部分布置在偏振板的边缘的外侧，所述偏振板设置在所述有源矩阵基板侧或所述相对基板侧。
6.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
所述恒定电势透明电极的边缘的一部分布置在端部密封件的外侧，所述端部密封件密封夹持在所述有源矩阵基板和所述相对基板之间的液晶。
7.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
保护晶体管设置在所述框部中，
所述恒定电势透明电极包括通孔部分，所述通孔部分被形成为避免与所述保护晶体管的沟道部分重叠，并且
所述通孔部分的边缘被布置成与所述保护晶体管的栅极电极重叠。
8.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
垂直配向的液晶夹持在所述有源矩阵基板和所述相对基板之间，并且
透明电极布置在所述相对基板侧，所述透明电极具有与所述有源矩阵基板中的所述恒定电势透明电极的电势相同的电势。
9.根据权利要求1所述的有源矩阵液晶显示装置，其中
所述液晶显示装置是IPS系统液晶显示装置或VA系统液晶显示装置。
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