CN1623121A - 包含添加剂用于深uv辐射的光刻胶组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及对深紫外中的辐射敏感的光刻胶组合物，特别是在100－200纳米(nm)范围中敏感的正性光刻胶组合物。光刻胶组合物包括a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中聚合物基本是非酚类的；b)在辐射时能够产生酸的化合物；和c)降低电子和离子对光刻胶图像影响的添加剂。

Description

包含添加剂用于深UV辐射的光刻胶组合物
发明领域
本发明涉及新颖的光刻胶组合物，该组合物并不经历光刻胶在电子或离子存在下的图像劣化，特别是当在扫描电镜中观察或在固化期间曝光于电子束时。
发明背景
在微光刻工艺中使用光刻胶组合物用于制备微型化电子部件，如在计算机芯片和集成电路的制造中。一般情况下，在这些工艺中，首先将光刻胶组合物膜的薄涂层涂敷到衬底材料，如用于制造集成电路的硅晶片上。然后焙烧涂敷的衬底以蒸发光刻胶组合物中的任何溶剂和在衬底上固定涂层。然后将在衬底上涂敷的光刻胶进行对辐射的成像曝光。
辐射曝露引起涂敷表面的曝露区域中的化学转化。可见光、紫外(UV)光、电子束和X射线放射能是现在微光刻工艺中通常使用的辐射类型。在此成像曝光之后，采用显影剂溶液处理涂敷的衬底以溶解和除去光刻胶的辐射曝露或未曝露区域。
对半导体器件微型化的倾向导致对越来越低辐射波长敏感的新光刻胶的使用，和也导致用于克服与这种微型化有关的困难的复杂多级体系的使用。
有两种类型的光刻胶组合物，正性光刻胶和负性光刻胶。当将负性光刻胶组合物对辐射成像曝光时，对辐射曝露的光刻胶组合物区域较不溶于显影剂溶液(如发生交联反应)，而光刻胶涂层的未曝露区域保持相对溶于这样的溶液。因此，采用显影剂对曝露负性光刻胶的处理引起光刻胶涂层未曝露区域的脱除和涂层中负像的产生，因此暴露了沉积有光刻胶组合物的下层衬底表面的所需部分。
另一方面，当将正性光刻胶组合物对辐射成像曝光时，对辐射曝露的光刻胶组合物的那些区域变得更溶于显影剂溶液(如发生解保护反应)，而未曝露的那些区域保持相对不溶于显影剂溶液。因此，采用显影剂对曝露正性光刻胶的处理引起涂层曝露区域的脱除和光刻胶涂层中正像的产生。再次，暴露下层表面的所需部分。
正性光刻胶组合物目前相对于负性光刻胶较受欢迎，因为前者一般具有更好的分辩率能力和图案转印特性。光刻胶分辩率定义为在曝露和显影之后，光刻胶组合物可采用高图像边缘锐度程度从光掩模向衬底转移的最小特征。目前在许多制造应用中，需要在小于一微米数量级的光刻胶分辩率。此外，几乎总是需要显影的光刻胶壁轮廓接近垂直于衬底。在光刻胶涂层显影和未显影区域之间的这样分界转化为掩模图像到衬底上的精确图案转移。由于向微型化的推动降低器件上的临界尺寸，这变得甚至更为苛刻。
也可以使用对在约100nm和约300nm之间的短波长敏感的光刻胶，其中要求亚半微米的几何尺寸。对于200nm以下曝光特别优选是包括非芳族聚合物，光酸产生剂，非必要的溶解性抑制剂，和溶剂的光刻胶。
高分辩率，化学放大的，深紫外(100-300nm)正色性和负色性光刻胶可用于将具有小于四分之一微米几何尺寸的图像形成图案。迄今为止，有三种主要的提供微型化中显著进步的深紫外(uv)曝露技术，和这些技术使用在248nm，193nm和157nm下发射辐射的激光。这种光刻胶的例子在如下专利中给出和在此引入作为参考，US4,491,628、US5,350,660、US5,843,624、GB232,0718、WO00/17712和WO00/67072。用于248nm曝光的光刻胶已典型地使用取代的聚羟基苯乙烯和它的共聚物。另一方面，由于芳族物质在此波长下是不透明的，用于在200nm以下波长曝光的光刻胶要求非芳族聚合物。一般情况下，将脂环族烃引入聚合物以代替芳族官能度的耐蚀刻性。已经设计用于200nm以下的光刻胶迄今为止已使用在聚合物主链中引入了脂环族化合物(烯烃)的取合物或具有侧脂环族官能度的丙烯酸酯聚合物。在157nm下敏感的光刻胶可使用氟化聚合物，该氟化聚合物在该波长下是基本透明的。
已经发现某些类型的光刻胶，特别是开发用于在200nm以下成像和缺乏芳族官能度的那些，当在成像光刻胶尺寸检查期间在扫描电镜中观察，或在固化期间曝光于电子或离子束时，经历光刻胶图像尺寸的不希望的变化。此特定图像畸变的一个方面，一般称为线宽减轻(LWS)，观察到为线的减轻或空穴和沟槽的膨胀。时常地成像光刻胶特征的测量要花费显著数量的时间，在此时间期间图像尺寸可变化和导致错误的测量。当印刷尺寸变得更小时，电子和离子对光刻胶线宽的影响已成为关键问题。已经发现与衍生自环烯烃基光刻胶的光刻胶相比，基于丙烯酸酯聚合物的光刻胶更易于发生线宽减轻。
尽管并没有清楚地理解LWX的原因，和希望不受理论的约束，本领域技术人员相信在采用电子或离子处理光刻胶，特别是设计用于在200nm以下的那些时，某些机理是可能的。一些可能的机理是聚合物的交联、热退火、分解、光刻胶膜中组分的蒸发、聚合物的链断裂、溅射等。在过去的设备中，改进或工艺变化已帮助改进了LWS。本申请通过向光刻胶中引入添加剂解决了问题，因此避免额外的设备和加工成本。已经发现抑制一些先前讨论的机理的添加剂改进了图像轮廓的降解。发现具有芳族官能度的单体添加剂、自由基猝灭剂、和交联剂是特别有效的。本发明的目的是通过向光刻胶中引入单体添加剂，降低电子和离子对可用于在200nm以下成像的光刻胶的影响。
发明概述
本发明涉及一种对深紫外中的辐射敏感的光刻胶组合物，其中光刻胶组合物包括a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中聚合物基本是非酚类的，b)在辐射时能够产生酸的化合物，和c)选自蒽、取代蒽、醌、取代醌、交联剂和碘取代芳族化合物和它们衍生物的添加剂。优选采用波长为193nm或157nm的光照射光刻胶。本发明也涉及一种形成图像的方法，该图像耐在电子和离子存在下的图像劣化，该方法包括如下步骤：形成新颖组合物的光刻胶膜的涂层，成像式曝光光刻胶膜，显影光刻胶膜和在电子和/或离子的环境中放置成像的光刻胶膜。电子和/或离子的环境可以扫描电镜或固化工艺。
发明描述
本发明涉及对深紫外中的辐射敏感的光刻胶组合物，特别是在100-200纳米(nm)范围敏感的正性光刻胶。光刻胶组合物包括a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中聚合物基本是非酚类的，b)在辐射时能够产生酸的化合物，和c)降低电子和离子对光刻胶图像影响的添加剂。优选采用波长为193nm或157nm的光照射光刻胶。添加剂选自多环芳族化合物如蒽和蒽醛、自由基猝灭剂如醌和取代醌、交联剂、含碘化合物如碘取代芳族物质和它们的衍生物。本发明也涉及将新颖光刻胶成像的方法。
本发明的聚合物是含有基团的聚合物，该基团使聚合物不溶于碱性水溶液，但在酸存在下这样的聚合物催化解保护聚合物，其中聚合物然后变得溶于碱性水溶液。聚合物在200nm以下是透明的，和基本是非酚类的，和优选丙烯酸酯和/或环烯烃聚合物。这样的聚合物是，例如，但不限于，描述于如下文献的那些：US5,843,624、US5,879,857、WO97/33,198、EP789,278和GB2,332,679。优选用于200nm以下照射的非芳族聚合物是取代丙烯酸酯、环烯烃、取代聚乙烯等。
基于丙烯酸酯的聚合物一般基于含有侧脂环族基团的聚(甲基)丙烯酸酯。侧脂环族基团的例子，可以是金刚烷基、三环癸基、异冰片基和_基。这样的聚合物描述于R.R.Dammel等人，抗蚀剂技术和加工的进展，SPIE，Vol.3333，144页，(1998)。这些聚合物的例子包括聚(2-甲基-2-金刚烷甲基丙烯酸酯-共-甲羟戊酸内酯甲基丙烯酸酯)、聚(羧基-四环十二烷基甲基丙烯酸酯-共-四氢吡喃基羧基四十二烷基甲基丙烯酸酯)、聚(三环癸基丙烯酸酯-共-四氢吡喃基甲基丙烯酸酯-共-甲基丙烯酸)、聚(3-氧代环己基甲基丙烯酸酯-共-金刚烷基甲基丙烯酸酯)。
可以由开环易位、自由基聚合或使用金属有机催化剂聚合从环烯烃，与降冰片烯和四环十二碳烯衍生物合成的聚合物。环烯烃衍生物也可以与马来酸酐或与马来酰亚胺或它的衍生物共聚。这样的聚合物描述于如下参考文献和在此引入，M-D.Rahman等人，抗蚀剂技术和加工的进展，SPIE，Vol.3678，1193页，(1999)。这些聚合物的例子包括聚(叔丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共-2-羟乙基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共-5-降冰片烯-2-羧酸-共-马来酸酐)、聚(叔丁基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共-异冰片基-5-降冰片烯-2-羧酸酯-共-2-羟乙基5-降冰片烯-2-羧酸酯-共-5-降冰片烯-2-羧酸-共-马来酸酐)、聚(四环十二碳烯-5-羧酸酯-共-马来酸酐)等。
用于157nm曝光的氟化非酚类聚合物也显示LWS和得益于本发明中所述添加剂的引入。这样的聚合物描述于WO00/17712和WO00/67072和在此引入作为参考。一种这样的聚合物的例子是聚(四氟乙烯-共-降冰片烯-共-5-六氟异丙醇-取代2-降冰片烯)。
从环烯烃和含氰基的烯属单体合成的聚合物描述于US专利申请09/854,312和在此引入作为参考。
根据使用的化学类型和根据所需的光刻性能优化聚合物的分子量。典型地，重均分子量为3,000-30,000和多分散性为1.1-5，优选1.5-2.5。
尽管可以使用在辐射时产生酸的感光化合物，产生酸的感光化合物的合适例子包括鎓盐，如二偶氮鎓盐、碘鎓盐、锍盐、卤化物和酯。鎓盐通常以溶于有机溶剂的形式使用，主要用作碘鎓或锍盐，它们的例子是三氟甲磺酸二苯基碘鎓、九氟丁磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸三苯基锍、九氟丁磺酸三苯基锍等。可以使用在辐射时形成酸的其它化合物，如三嗪、噁唑、噁二唑、噻唑、取代2-吡喃酮。也优选是酚类磺酸酯、双磺酰基甲烷、双磺酰基甲烷或双磺酰基二偶氮甲烷。
引入本发明光刻胶的特定添加剂是这样的添加剂，当光刻胶图像曝光于电子或离子环境时该添加剂防止光刻胶图像的降解。已经不可预料地发现当将光刻胶图像在扫描电镜中观察或采用电子束固化时，某些添加剂降低光刻胶的降解。这样的添加剂是多环芳族物质、醌或它的衍生物、交联剂、或碘取代的芳族化合物。非限制性地，多环芳族物质的例子可以是蒽、蒽甲醇和蒽醛，特别是9-蒽甲醇和9-蒽醛；醌的例子是对苯二酚和叔丁基对苯二酚；交联剂的例子是N，O缩醛，如甘脲，具体地四甲氧基甲基甘脲；和碘取代芳族化合物的例子是碘苯，具体地1，4-二碘四氟苯。
添加剂的数量是0.1wt％-5wt％，相对于总光刻胶固体。更优选地，使用0.3wt％-2wt％。
将本发明的固体组分溶于有机溶剂。溶剂或溶剂混合物中的固体数量为约5wt％-约50wt％。聚合物可以为固体的5wt％-90wt％和光酸产生剂可以为固体的2wt％-约50wt％。用于这样的光刻胶的合适溶剂可包括丙二醇单烷基醚、丙二醇烷基(如甲基)醚乙酸酯、3-乙氧基丙酸乙基酯、二甲苯、二甘醇二甲醚、乙酸戊酯、乳酸乙酯、乙酸丁酯、2-庚酮、乙二醇单乙基醚乙酸酯、及其混合物。
可以在将溶液涂敷到衬底上之前，向光刻胶组合物中加入各种其它添加剂如着色剂、非光化染料、抗条纹剂、增塑剂、粘合促进剂、涂敷助剂、速度增强剂和表面活性剂。从特定波长范围向不同曝光波长转移能量的敏化剂也可以加入到光刻胶组合物中。通常将碱也加入到光刻胶中以阻止图像表面的t顶。碱的例子是胺、氢氧化铵、和感光碱。特别优选的碱是三辛胺、二乙醇胺和氢氧化四丁基铵。
可以由用于光刻胶领域的任何常规方法，将制备的光刻胶组合物溶液涂敷到衬底上，该常规方法包括浸渍、喷涂、回转和旋涂。例如当旋涂时，给定采用的旋转设备类型和旋转过程允许的时间量，可以在固体内容物的百分比方面调节光刻胶溶液，以提供所需厚度的涂层。合适的衬底包括硅、铝、聚合物树脂、二氧化硅、掺杂的二氧化硅、氮化硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物、砷化镓和其它这样的III/V族化合物。光刻胶也可以涂敷在抗反射涂层上。
由所述过程生产的光刻胶涂层特别适于应用于硅/二氧化硅晶片，如用于微处理器和其它微型化集成电路部件的生产。也可以使用铝/氧化铝晶片。衬底也可以包括各种聚合物树脂，特别是透明聚合物如聚酯。
然后将光刻胶组合物溶液涂敷到衬底上，和将衬底在约70℃-约150℃的温度下，在热板上处理约30秒-约180秒或在对流烘箱中处理约15-约90分钟。选择此温度处理以降低光刻胶中残余溶剂的浓度，同时不引起固体组分的基本热降解。一般情况下，人们需要最小化溶剂的浓度和此第一温度处理进行直到基本上蒸发了所有的溶剂和在衬底上保留厚度在半微米(微米)数量级的光刻胶组合物薄涂层。在优选的实施方案中，温度是约95℃-约120℃。进行处理直到溶剂脱除的变化速率变得相对不显著的。温度和时间选择依赖于用户所需的光刻胶性能，以及使用的设备和商业所需的涂敷时间。然后可以采用任何所需的图案，将涂敷的衬底对光化辐射，如波长为约100nm(纳米)-约300nm的紫外辐射、x射线、电子束、离子束或激光辐射成像曝光，该图案通过使用合适的掩模、负片、模版、模板等产生。
然后在显影之前将光刻胶进行后曝露第二次焙烧或热处理。加热温度可以为约90℃-约150℃，更优选约100℃-约130℃。可以在热板上进行加热约30秒-约5分钟，更优选约60秒-约90秒或由对流烘箱进行加热约30-约45分钟。
通过浸入显影溶液或由喷涂显影工艺而显影，将曝露的光刻胶涂敷衬底显影以除去成像曝光的区域。例如，优选由氮气爆搅拌将溶液搅拌。允许衬底在显影剂中保留直到所有或基本上所有的光刻胶涂层已经从曝露区域溶解。显影剂包括氢氧化铵或碱金属氢氧化物的水溶液。一种优选的显影剂是氢氧化四甲基铵的水溶液。在涂敷晶片从显影溶液脱除之后，人们可以进行非必要的后显影热处理或焙烧以增加涂层粘合力和对蚀刻条件和其它物质的耐化学品性能。后显影热处理可包括在涂层软化点以下涂层和衬底的烘箱焙烧或UV硬化工艺。在工业应用中，特别是在硅/二氧化硅类型衬底上的微型电路单元的制造中，可以将显影的衬底采用缓冲的、氢氟酸基础蚀刻溶液处理或由干蚀刻处理。在干蚀刻之前，可以将光刻胶对电子束固化处理以增加光刻胶的耐干蚀性。提供电子束固化的设备是市售的，如购自ElectronVision Corp.San Diego，CA92131的ElectroncureTM4000。当电子束固化标准光刻胶时，没有临界尺寸的损失，例如，对于在标准光刻胶膜中成像的接触空穴，角是圆的，它在干蚀刻期间导致差的图像转印。然而，当使用本发明的新颖光刻胶时，临界尺寸的损失得以最小化和接触空穴不再是圆的。根据使用的设备和光刻胶，优化用于得到最有效电子束固化以增加耐干蚀性和/或降低LWX的精确工艺条件。
如下的具体实施例会提供生产和利用本发明组合物的方法的详细说明。然而，这些实施例并不以任何方式用于限制或限定本发明的范围和不应当解释为提供必须唯一地采用以实施本发明的条件，参数或数值。除非另外说明，所有的份数和百分比按重量计。
实施例
对比例1
将163.9g聚(2-甲基金刚烷基甲基丙烯酸酯-共-2-甲羟戊酸内酯甲基丙烯酸酯)，2.76g九氟丁磺酸三苯基锍，7.75g二乙醇胺的1wt％乳酸乙酯溶液和1.74g表面活性剂(氟脂族聚合物酯，由3MCorporation，St.Paul，明尼苏达提供)的10wt％乳酸乙酸溶液溶于1273g乳酸乙酸以得到光刻胶溶液。使用0.2μm过滤器过滤光刻胶溶液。单独地，通过旋涂底部抗反射涂料溶液，AZ_EXP ArF-1 B.A.R.C.，(购自Clariant Corporation，Somerville，NJ08876)到硅衬底上和在175℃下焙烧60秒而制备具有抗反射涂层的硅衬底。保持B.A.R.C.膜厚度为39nm。然后将光刻胶溶液涂敷在B.A.R.C.涂敷的硅衬底上。调节旋转速度使得光刻胶膜厚度是390nm。将光刻胶膜在115℃下焙烧60秒。然后将它在193nm ISI微型步进投影曝光机(0.6的数字孔和0.7的相干性)上使用在石英二元掩模上的铬曝光。在曝光之后，将晶片在110℃下后曝光焙烧60秒。使用2.38wt％氢氧化四甲基铵水溶液进行显影60秒。然后在扫描电镜上观察线和空间图案。光刻胶配制剂的灵敏度为20mJ/cm2和线性分辩率为0.13μm。
对比例2
将19.85g聚合物(从100份马来酸酐，35份5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，10份5-降冰片烯-2-羧酸2-羟乙酯，5份5-降冰片烯-2-羧酸，25份2-甲基金刚烷基甲基丙烯酸酯，和25份2-羟戊酸内酯甲基丙烯酸酯制备)，0.33g九氟丁磺酸三苯基锍，6.32g三辛胺的1wt％丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶液和0.18g表面活性剂(氟脂族聚合物酯，由3M Corporation，明尼苏达提供)的10wt％丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶液溶于123g PGMEA。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例1所述相似的方式加工，区别在于将光刻胶膜在110℃下焙烧90秒，在130℃下后曝光焙烧90秒和进行显影30秒。配制剂的灵敏度为17mJ/cm2和线性分辩率为0.09μm。
实施例1
将0.01725g 9-蒽甲醇溶于30g对比例1中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例1所述相似的方式加工。在24mJ/cm2的剂量下获得0.12μm的线性分辩率。
实施例2
将0.01725g叔丁基对苯二酚溶于30g对比例1中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例1所述相似的方式加工。在28mJ/cm2的剂量下获得0.14μm的线性分辩率。
实施例3
将0.01725g四甲氧基甲基甘脲溶于30g对比例1中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例1所述相似的方式加工。在66mJ/cm2的剂量下获得0.14μm的线性分辩率。
实施例4
将0.0135g 9-蒽醛溶于20g对比例2中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例2所述相似的方式加工。在18.5mJ/cm2的剂量下获得0.08μm的线性分辩率。
实施例5
将0.0237g 1，4-二碘四氟苯溶于20g对比例2中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例2所述相似的方式加工。在18mJ/cm2的剂量下获得0.10μm的线性分辩率。
实施例6
将5.89g聚合物(从100份马来酸酐，35份5-降冰片烯-2-羧酸叔丁酯，10份5-降冰片烯-2-羧酸2-羟乙酯，5份5-降冰片烯-2-羧酸，25份2-甲基金刚烷基甲基丙烯酸酯，和25份2-羟戊酸内酯甲基丙烯酸酯制备)，0.154g九氟丁磺酸二苯基碘鎓，2.80g三辛胺的1wt％PGMEA(丙二醇单甲醚乙酸酯)溶液和0.054g表面活性剂的10wt％PGMEA溶液溶于38g PGMEA。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例2所述相似的方式加工。在28mJ/cm2的剂量下获得0.08μm的线性分辩率。
实施例7
将0.0135g 9-蒽甲醇溶于20g实施例8中制备的光刻胶。将溶液使用0.2μm过滤器过滤和以对比例2所述相似的方式加工。在27mJ/cm2的剂量下获得0.08μm的线性分辩率。
线宽减轻(LWS)测量：
在KLA 8100 CD SEM上进行在扫描电镜(CD SEM)测量期间光刻胶临界尺寸的线宽减轻。使用50％阈值在600V加速电压下自动测量随时间的线宽变化速率。对于0.15μm的线取两次测量的平均值。立即和在30秒之后测量临界尺寸的变化百分比。对于所有的上述实施例在表1中总结结果。
表1.在CD SEM中30秒之后临界尺寸(CD)的变化
    实施例No.     CD的降低(％)
    对比例1     89.6
    对比例2     89.5
    实施例1     94.0
    实施例2     91.0
    实施例3     91.2
    实施例4     92.1
    实施例5     94.1
    实施例6     91.5
    实施例7     93.3
如表1所示，没有添加剂的光刻胶，如在对比例1和2中的情况，在CD SEM中30秒检查时间之后显示大于10％的临界尺寸降低。然而，当在相似条件下处理时，本发明的新颖光刻胶保持多于91％的临界尺寸。优选是临界尺寸的最小降低。优选此临界尺寸的降低小于10％。

Claims (13)

1.一种用于在200nm以下曝光和能够降低电子和离子对光刻胶劣化影响的光刻胶组合物，包括：
a)不溶于碱性水溶液和包括至少一个酸不稳定基团的聚合物，和此外其中该聚合物基本是非芳族的；
b)在辐射时能够产生酸的化合物；和
c)选自多环芳族物质、醌、取代醌、交联剂和碘取代芳族化合物的添加剂。
2.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中添加剂选自蒽、蒽甲醇蒽醛、对苯二酚、叔丁基对苯二酚、甘脲、和碘取代苯。
3.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中添加剂选自9-蒽甲醇、9-蒽醛、四甲氧基甲基甘脲、和1，4-二碘四氟苯。
4.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中聚合物包括脂环族基团。
5.根据权利要求4的光刻胶组合物，其中聚合物含有带侧脂环族基团的丙烯酸酯主链。
6.根据权利要求4的光刻胶组合物，其中聚合物含有脂环族基团的主链。
7.根据权利要求4的光刻胶组合物，其中聚合物是马来酸酐和取代和/或未取代脂环族单体的共聚物。
8.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中聚合物不包含芳族基团。
9.一种形成光刻胶图像的方法，包括如下步骤：
a)在衬底上形成权利要求1的光刻胶的涂层；
b)成像式曝光光刻胶的涂层；和
c)采用含水碱性显影剂显影光刻胶涂层。
10.权利要求9的方法，其中成像式曝光是在193nm或157nm的波长下。
11.权利要求9的方法，其中碱性水溶液包括氢氧化四甲基铵。
12.权利要求9的方法，进一步包括电子固化步骤。
13.权利要求9的方法，进一步包括在扫描电镜中光刻胶图像的检查。
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