CN1619849A - 发光二极管及半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。

Description

发光二极管及半导体发光器件
技术领域
本发明涉及发光二极管以及半导体发光器件。
背景技术
近年来，实用的白光发光二极管(LED)正在得到迅猛发展。白光LED使用了短波长LED——蓝光LED或紫外LED——以及由于这些LED所发出的光的作用而发出荧光的磷光体。这些白光LED被用作液晶显示器背光光源等。参照示出了白光LED的示例截面图的图13A和13B。图13A中的白光LED 100a以及图13B中的LED 100b具有：蓝光LED 101；将蓝光LED 101容纳在空腔102a中的外壳102；以及覆盖空腔102a的固态磷光体103，该磷光体103接收来自蓝光LED 101的蓝光L5，并发出黄光L6。于是，通过LED 101所发出的蓝光L5与磷光体103所发出的黄光L6的颜色混合来实现白光。
除了图13A和13B所示的结构以外，在日本未审专利申请公开No.H07-99345和No.H10-93146中所公开的另一示例是其中以包含磷光材料的合成聚合物覆盖蓝光LED的结构。日本未审专利申请公开No.H11-31845和No.H11-46019中所公开的另一示例是其中以磷光材料涂覆蓝光LED的结构。在日本未审专利申请公开No.H11-46015中所公开的白光LED的另一结构中，采用溅射技术，在蓝光LED上形成磷光薄膜。
正如专利申请公开No.H07-99345和No.H10-93146所述，具有用含有磷光材料的合成聚合物来覆盖蓝光LED的结构的白光LED存在下列问题。当把磷光材料混合到合成聚合物中时，通常使用粉末状的磷光材料，但粉末状的磷光体倾向于在合成聚合物中结块，使得难以获得均匀的发光(黄光)。因此，白光不均匀，而是产生一些色斑。
同时，在专利申请公开No.H11-31845和No.H11-46019中所公开的结构中，将磷光材料散布到蓝光LED上的。然而，要将磷光材料以均匀的厚度散布到LED上是很困难的；此外，还需要用特殊的设备来将粉状或者膏状的磷光材料涂抹到LED上。最后，如专利申请公开No.H11-46015中所述的方法，使用溅射技术形成磷光薄膜，要形成所需厚度的磷光薄膜就需要大量的时间，这使得生产效率低下，从而也就使得该方法不太实用。
考虑到上述问题，本发明的发明人注意到如果使用固态的磷光材料，则容易对其厚度进行调整，从而产生均匀的发光，所发出的白光就不会有斑点。然而，例如，在图13A所示的结构中，为了让连接了引脚104a与蓝光LED101的导线105通过，空腔102a就不能被磷光体103完全覆盖，从而所发出的黄光L6的分布就有可能不匀称。类似地，在图13B所示的结构中，尽管磷光体103完全覆盖了空腔102a，但空腔102a是从蓝光LED 101延伸出去(flare out)的事实会使LED 101正上方的蓝光L5的光强与边缘的光强存在差别。所以，这些结构均会使白光产生色斑。
发明内容
考虑到前述问题，本发明的一个目的在于制造发光二极管和半导体发光器件，实现其中最小化斑点的发射谱。
为了解决上面所讨论的问题，根据本发明的第一发光二极管的特征在于具有：(1)由氮化物半导体组成的半导体叠片，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，用于发射第一波段的光；(2)设置在所述叠片的与所述第一导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第一光学反射层；(3)设置在所述叠片的与所述第二导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第二光学反射层；以及(4)设置在所述半导体叠片侧面的磷光体，用于接收所述第一波段的光，并发射第二波段的光。
在上述第一发光二极管中，半导体叠片夹在第一和第二反射层之间的事实意味着从有源层发出的波段#1的光会在第一和第二反射层处被反射，并从叠片的侧面发射出去。由于磷光体位于半导体叠片的侧面，所以磷光体就会被波段#1的光所泵浦，并发出波段#2的光。从而产生依照波段#1和波段#2的光进行调谐的发射谱。依照上述的第一发光二极管，将有源层所发出的波段#1的光聚集在半导体叠片的侧面上，由于这时半导体叠片的该侧面上有磷光体，所以通过任意调整磷光体的厚度，可以使波段#2的光的光强与波段#1的光的光强相匹配。因此，获得了色彩不均匀性最小化的发射谱。
所述发光二极管的特征还在于，所述半导体叠片还具有位于所述第一导电半导体层和所述第一光学反射层之间的、由GaN基化合物构成的衬底。衬底一般要比用外延技术生长的半导体层厚得多。这就意味着，通过在衬底上设置第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层，提供给这些层的电流就会在有源层中、沿有源层平面的方向(也就是向着半导体叠片的侧面)发生扩散。依照该发光二极管，波段#1的光就可以更加高效地从半导体叠片的侧面被提取出来。
所述发光二极管的特征还在于，所述磷光体是被粘合到所述半导体叠片的所述侧面上的磷光片。由于磷光片的厚度很容易被调节，所以用磷光片给发光二极管作磷光体就可以产生斑点化被最小化的发射谱。
根据本发明的第二发光二极管的特征在于，它包括：(5)由氮化物半导体组成的半导体叠片，该半导体叠片包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，用于发射第一波段的光；(6)设置在{所述叠片的}与所述第一导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第一光学反射层；以及(7)设置在{所述叠片的}与所述第二导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第二光学反射层；其特征还在于所述半导体叠片还包括由GaN基化合物构成的衬底，所述衬底位于所述第一导电半导体层和所述第一光学反射层之间，以及所述衬底包括发光源，用于接收第一波段的光，并发射第二波段的光。
在上述第二发光二极管中，由于半导体叠片包括含有发光源的衬底，所以这些发光源会被有源层所发出的波段#1的光的一部分所泵浦，然后在衬底中产生波段#2的光。这就意味着，波段#1和波段#2的光都会在第一和第二反射层被反射，彼此混合，并从半导体叠片的侧面发射出去。这样就产生了根据波段#1和波段#2的光进行调谐的发射谱。依照上述的第二发光二极管，由于有源层所发出的波段#1的光与衬底内所产生的波段#2的光会聚集在半导体叠片的侧面上，所以就可以很容易地使从半导体叠片侧面发射出的波段#1的光的光强与波段#2的光的光强相匹配。这样就可以得到色彩不均匀性被最小化的发射谱。
所述发光二极管特征还在于还具有设置在所述半导体叠片除发光面以外的多个侧面中的一个侧面上的光学反射膜。这样就可以在半导体叠片的侧面中的某一个(发光面)上聚集波段#1的光(以及波段#2的光)，从而就限制了发光的方向，也就提高了光的提取效率。
此外，根据本发明的第一半导体发光器件的特征在于沿层压方向排列多个上述发光二极管。该半导体发光器件可以产生较大的发光能量，同时该结构还可以使器件的尺寸减小。
此外，根据本发明的第二半导体发光器件是一种配备有至少一个上述发光二极管的半导体发光器件，其特征在于还具有矩形光导，具有：光提取表面；光学反射表面，位于光导的与所述光提取表面相反的一侧，用于反射第一和第二波段的光；以及侧表面，与所述光提取表面延伸的方向以及与所述反射表面延伸方向相交。这里的器件的特征在于将所述发光二极管安装在所述光导上，从而使所述半导体叠片的所述侧面与所述光导的所述侧面彼此相对。由于从发光二极管的半导体叠片侧面发出的光出现在光导的侧面，所以光导的厚度就可以与半导体叠片的厚度一样。相应地，光导就可以比传统的背光以及类似发光器件做得更薄。此外，所述发光二极管、第二半导体发光器件是配备有上述发光二极管的事实可以使从光提取表面上发出光的发射谱的色彩不均匀性变得最小。
根据本发明，通过发光二极管和半导体发光器件，可以实现色彩不均匀性最小化的发射谱。
通过下面结合附图的详细描述，本发明的前述和其它目标、特征、方面和优点对于本领域的普通技术人员将是显而易见的。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的发光二极管的剖视斜视图；
图2是第一实施例中有源层结构的截面图；
图3到图6是用于解释制造发光二极管的方法的示意图；
图7A是根据第一实施例的发光二极管的斜视图，而图7B是根据第一实施例的修改例的发光二极管的斜视图；
图8是根据本发明第二实施例的发光二极管的部分剖视斜视图；
图9A是根据第二实施例的发光二极管的斜视图，而图9B是根据第二实施例的修改例的发光二极管的斜视图；
图10A和10B是根据本发明第三实施例的半导体发光器件的截面图；
图11是根据本发明第四实施例的半导体发光器件的斜视图；
图12A是图11中的半导体发光器件沿着I-I的截面图，而图12B是用于比较的传统背光的截面图；以及
图13A和13B是示出了白光LED的示例中的截面图。
具体实施方式
下面将通过参考附图来详细描述根据本发明的发光二极管以及半导体发光二极管器件的实施例。需要理解的是，在解释附图时，相同的元件将采用相同的附图标记，多余的解释将会被省略。
实施例1
图1是根据本发明实施例1的LED(发光二极管)的斜视图。根据图1，本发明的LED 1包括发光部分3以及附加在发光部分3侧面的磷光部分5。发光部分3包括半导体叠片6、设置在半导体叠片6上的光学反射层19(第一反射层)、设置在反射层19上的阴极电极21、设置在半导体叠片6与反射层19相反表面上的光学反射层17(第二反射层)、设置在半导体叠片6侧面上的绝缘层23、以及设置在绝缘层23上的反射薄膜25。
叠片6包括衬底7、层压到衬底7上且用作第一导电半导体层的n型包层9、设置在n型包层9上的有源层11、以及顺序层压到有源层11上且用作第二导电半导体层的p型包层13和p型接触层15。
衬底7是由导电的GaN基化合物构成的，在本实施例中的衬底是由GaN构成的。衬底7能够让在有源层11中产生的光L1透过它，其电阻率例如不大于0.5Ωcm，其厚度例如为100μm到200μm。在平面维度上，衬底7例如是边长为0.5mm到30mm的矩形。
n型包层9是由掺杂了n型杂质的氮化物半导体所组成的。例如，在本实施例中，n型包层9是由掺了Si的AlX1Ga1-X1N(0≤X1＜1)所组成的，并形成在衬底7的主平面7a上。
载流子被引入有源区11以产生第一波段的光L1。在本实施例中，第一波段例如为蓝光波段(420nm到490nm)。有源层11形成在n型包层9上，且具有多量子阱结构。图2是根据本实施例的有源层11的剖面图。根据图2，有源层11包括势垒层38a-38c以及阱层39a和39b。更具体地，有源层11包括顺序层压的势垒层38a、阱层39a、势垒层38b、阱层39b以及势垒层38c。
势垒层38a-38以及阱层39a和39b是由诸如化学方程AlX2InY2Ga1-X2-Y2N(0≤X2＜1；0≤Y2＜1；0≤X2+Y2＜1)所代表的GaN基半导体组成的。根据本实施例，在势垒层38a-38c的组份方程中0＜X2＜1且Y2＝0，而在阱层39a和39b的组份方程中，0＜X2＜1且0＜Y2＜1。此外，调整势垒层38a-38c以及阱层39a和39b的组份，从而使势垒层38a-38c的带隙比阱层39a和39b的带隙要大。这样的结构将引入到有源层11中的载流子被俘获在阱层39a和39b中。
根据图1，p型包层13是由掺有p型杂质的氮化物半导体作组成的。例如，在本实施例中，p型包层13是由掺杂了Mg的AlX1Ga1-X1N(0≤X1＜1)所组成的。所述p型包层13形成在有源层11上，从而将有源层11置于n型包层9与p型包层13之间。
所述p型接触层15用来实现p型包层13与阳极电极(下文描述)之间的电连接，它是由掺有p型杂质的氮化物半导体组成的。例如，在本实施例中，p型接触层15是由掺杂了Mg的GaN组成的。所述p型接触层15形成在p型包层13上。
反射层17位于p型接触层15的与设置有有源层11的一侧相反的一侧。反射层17最好能够覆盖整个p型接触层15。反射层17可以是由Ag或Al这样的金属制成的，并反射在有源层11中产生的光L1。尽管在本实施例中，阳极是与反射层17结合在一起的，但阳极也可以被分开提供。此外，反射层17与p型接触层15之间可以是欧姆接触。
反射层19位于n型包层9的与设置有有源层的一侧相反的一侧。反射层19最好能够覆盖整个n型包层9。根据本发明，由于半导体叠片6包括衬底7，所以将反射层19置于衬底7的后表面7b上。与反射层17类似，反射层19也可以是由Ag或Al这样的金属制成的，并反射在有源层11中产生的光L1。尽管在本实施例中，反射层19是与阴极分开的，但反射层19与阴极也可以被结合在一起。此外，反射层19与衬底7之间可以是欧姆接触。
将反射薄膜25设置在半导体叠片6除发光表面6a以外的侧面上，绝缘层23被置于半导体叠片6和反射薄膜25之间。根据本实施例，将光学反射薄膜25和绝缘层23设置在半导体叠片6的四个侧面中的三个上，其中未设置光学反射薄膜25的那个侧面用作发光面6a。绝缘层23将反射层25与半导体叠片6、反射层17和19以及阴极电极21分开。与反射层17和19类似，反射薄膜25是由如Ag或Al等金属制成的，并反射由有源层11发出的光L1。
磷光部分5包括磷光片27和粘合层29。磷光片27是由固态的磷光体模制而成的，所述磷光体能够接收光L1，然后产生比光L1的波段更长的第二波段的光L2。根据本实施例，第二波段例如是黄光波段(500nm到700nm)，磷光体例如是ZnSSe。将磷光片27通过粘合层29粘贴到半导体叠片6的侧面上。根据本实施例，将磷光片27设置在四个表面中、没有光学反射薄膜25的一个表面上(换句话说，发光面6a)。应当理解的是，调整磷光片27沿与半导体叠片6的侧面相交的方向上的厚度，从而使磷光片27中所产生的光(黄光)L2与蓝光L1一起产生具有所需色调的白光。
具有上述结构的LED1的操作如下所述。当驱动电压从LED1外加到阴极电极21与作为阳极电极的反射层17之间的区域上时，阴极电极21与反射层17之间产生电场，从而使载流子聚集在有源层11中的阱层39a和39b中。相应地，在有源层11中产生蓝光L1，且在由反射层17和19以及反射薄膜25反射之后会聚在发射表面6a上。该蓝光L1的一部分泵浦磷光片27，并变成黄光L2，而剩下的部分仍将以蓝光的形式透过磷光片27。结果，蓝光L1与黄光L2组合在一起，形成了发射到LED 1外部的白光。
接着，将参考图3到图6来描述根据本实施例制作LED 1的方法。
首先，准备如图3A所示的由导电GaN制成的晶片形状的衬底7。接着，如图3B所示，在晶片形状的衬底7上按顺序外延生长n型包层9、有源层11、p型包层13以及p型接触层15。此后，如图3C所示，通过气相沉积工艺，将反射层17形成在p型接触层15上，以及通过气相沉积或类似工艺，将反射层19和阴极电极21按顺序形成在衬底7的背面7b上。
接着，如图4A所示，将光刻胶50a和50b分别沉积在阴极电极21和反射层17上。在图4B中，沿着厚度方向切开晶片形状的衬底7以及各层，从而得到预定大小的芯片4。至此，形成了包括衬底7、n型包层9、有源层11、p型包层13以及p型接触层15的半导体叠片6。如图5A所示，按照侧面朝下的方式放置每个芯片4，并通过溅射或气相沉积等工艺，将绝缘层23和反射薄膜25按顺序形成在每个芯片4露出的表面上。如图5B所示，在每个芯片4的除一个侧表面以外的其它所有表面上形成绝缘层23和反射薄膜25。
接着，如图6A所示，去除光刻胶50a和50b。这样去除了形成在阴极电极21和反射层17上的绝缘层23和反射薄膜25，这意味着绝缘层23和反射薄膜25只存在于半导体叠片6的三个侧面上。相应地，完成了发光部分3。接着，如图6B所示，在半导体叠片6既没有绝缘层23也没有反射薄膜25的一个侧面上涂覆粘合层29，并将磷光片27粘贴到粘合层29的顶部，从而形成磷光部分5，完成LED 1。
根据上述实施例，LED 1具有以下效果。首先，由于有源层11所发出的蓝光L1被会聚在半导体叠片6的侧面上，而磷光片27也处于该侧面，所以黄光L2和蓝光L1的强度就可以很容易通过调整磷光片27的厚度来达到匹配，从而产生具有稳定色调的白光。
此外，LED 1中的半导体叠片6最好如本实施例一样具有设置在n型包层9和反射层19之间的衬底7。衬底7比用外延生长等方式产生的半导体层要厚得多。这样，由于将n型包层9、有源层11和p型包层13设置在衬底7上，所以提供给这些层的电流就会在衬底7中发生扩散，从而使产生蓝光L1的有源层11部分能够在与有源层的层叠方向相交的方向扩散(换句话说，向半导体叠片6的侧面扩散)。结果，LED 1使蓝光L1能够从半导体叠片6的侧面更加高效地被提取出来。
优选地，如本实施例那样，LED 1具有用作磷光体的磷光片27。由于可以很容易地通过调整磷光片27的厚度来调节黄光L2的强度，所以根据本实施例的LED 1就可以很容易地产生斑点被最小化的白光。
如本实施例所述，最好在LED 1中半导体叠片6的四个侧面中的三个上设置反射薄膜25。这样，蓝光L1就可以被会聚在半导体叠片6的一个特定的侧面上，从而限制了白光发光的方向，提高了提取白光的效率。
此外，由于根据本发明的LED 1与传统面发射LED的不同点在于光是从侧面提取的，所以就可以层叠多个LED 1而同时还能保持相对较小的尺寸。所以，用多个LED 1来产生所需的光强是很容易的事情。此外，根据本实施例的LED 1使用了固态磷光体(磷光片27)，而不是传统LED中所使用的磷光体-混合合成聚合物，所以可以将磷光体很容易地安装到半导体叠片6上，从而提高了LED 1的生产效率和产量。
修改例
图7A和7B示出了上述实施例1的修改例。图7A是根据实施例1的LED 1的斜视图，而图7B是根据修改例的LED 1a的斜视图。根据本发明，LED可以具有如图7A中的LED 1所示，在半导体叠片6的四个侧面中的一个上设置磷光片27的结构，也可以具有如图7B中的LED 1a所示，在半导体叠片6的四个侧面上都设置磷光片27的结构。在后一种情况中，侧面上没有反射薄膜。这样，根据实施例1的可替换实施例，可以将磷光片27设置在半导体叠片部分的多于一个的侧面上，而这些侧面将用作发光面。
实施例2
图8是根据本发明实施例2的LED 1b的斜视图。LED 1b与LED 1的区别在于，(1)LED 1b不包括磷光片27和粘合层29，但(2)具有包括了发光源20的衬底8。由于LED 1b的其它特征与LED 1相同，所以对它们的描述将被省略。
衬底8是由导电GaN基化合物制成的。此外，衬底8包括能够接收第一波段的光(蓝光L1)而发出第二波段的光(黄光L3)的发光源20。在通过如气相外延等工艺来生长GaN衬底时，可以将如氧和碳等杂质或晶体缺陷(氮空穴)引入衬底中。如氧和碳等杂质或如氮空穴等晶体缺陷可以用作接收蓝光L1然后产生发光(黄光L3)的发光源20。例如，当用波长小于480nm的光进行照射时，发光源20会在520nm到650nm的宽波长范围内发光。发光的中心波长和发射谱可以通过所添加的杂质的种类或通过晶体缺陷的数量来控制。
除了发光源20以外，LED 1b中的衬底8还包括半导体叠片6，这样，有源层11所发出的蓝光L1的一部分泵浦衬底8中的发光源20，从而在衬底8中产生黄光L3。然后，蓝光L1和黄光L3被反射层17和19以及反射薄膜25反射，这些光混合在一起以产生白光，所产生的白光从作为半导体叠片6的一个侧面的发光面6a发出。
根据本实施例，有源层11所发的蓝光L1以及将衬底8中所产生的黄光L3会聚在半导体叠片6的侧面上(发光面6a)，从而可以很容易地使从半导体叠片6的侧面所发出的蓝光线L1与黄光线L2的强度彼此一致。结果，LED 1b可以发出斑点受到控制的白光。
修改例
图9A和9B示出了上述实施例2的修改例。图9A是根据实施例2的LED 1b的斜视图，而图9B是根据修改例的LED 1c的斜视图。根据本发明，LED可以具有如图9A中的LED 1所示的那样，在半导体叠片6的四个侧面中的三个上设置反射薄膜25的结构，或者也可以具有如图9B中的LED 1c所示的那样，不具有任何反射薄膜25的结构。因此，可以在半导体叠片的侧面根据选择来设置反射薄膜25，远离该侧面的侧面将成为发光面6a。
实施例3
图10A和10B是根据本发明实施例3的半导体发光器件的截面图。根据图10A，半导体发光器件2包括实施例1中的LED 1、外壳41、以及引脚47a和47b。LED 1被加载到外壳41的空腔41a中。承载LED 1，使其与具有磷光片27的侧面(发光面)相反的侧面朝向槽41a的底面。稍后将以透明的合成聚合物填充槽41a，以保护LED 1。
此外，在槽41a的底部设置有与外壳41一体的凸出45，定位LED 1，从而使阴极电极21或阳极电极(发光层17，两个电极参见图1)与凸出45的侧面相接触。外壳41与引脚47b电连接，从而LED 1的一个电极电连接到引脚47b上，而另一电极将通过导线49电连接到引脚47a。引脚47a通过绝缘材料固定在外壳41上。
图10B示出了根据本实施例的另一半导体发光器件2a。半导体发光器件2a与半导体发光器件2的区别在于半导体发光器件2a包括多个LED 1。根据本实施例，半导体发光器件2a包括装在外壳41中的槽41a中的两个LED 1，这两个LED 1的与发光面相反的表面朝向槽41a的底面。换句话说，承载两个LED 1，从而使它们的有源层的延伸方向与槽41a底面相交。沿厚度方向层叠这两个LED 1，它们各自的电极被串联在一起，驱动电压将通过引脚47a和47b加到这样的机构上。
在半导体发光器件2和半导体发光器件2a中，通过引脚47a和47b从半导体发光器件外部施加的驱动电压都施加到LED 1的阳极电极(发光层17)与阴极电极21之间的区域上。因此，如实施例1所述，LED 1的一个侧面发出由蓝光和黄光所产生的白光，所述侧面是半导体叠片6具有磷光片27的一侧。所述白光射向半导体发光器件2(或2a)的外部。
根据本实施例，由于发光器件2和2a都包括如实施例1所述的LED1，所以从半导体发光器件发出的白光具有稳定的色调。此外，由于半导体发光器件2a含有多个LED 1，所以能够得到的白光强度相对较大。此外，由于LED 1是从侧面发光的，所以LED 1可以沿厚度方向进行层叠，即使在半导体发光器件具有多个LED 1的情况下，也能够将半导体发光器件制作得相对较小。
实施例4
图11是根据本发明实施例4的半导体发光器件2b的斜视图。图12A是图11所示的半导体发光器件2b沿I-I得到的截面图。半导体发光器件2b被用作液晶显示器(LCD)或类似设备的背光。如图11和12A所示，半导体发光器件2b包括LED 1d和矩形光导37。LED 1d与实施例1中所述的LED 1结构相同，发光部分3具有矩形平板的形状，其尺寸例如是0.5mm×30mm。LED 1d中的磷光片27位于半导体叠片6的纵向侧面上，LED 1d被附在光导37上，从而使半导体叠片6的纵向侧面与光导37的侧面相对。
光导37是白光导光、面发射元件。组成光导37的材料最好是如丙烯酸或聚碳酸酯等能够扩散白光的材料。光导37接收来自安装在光导37侧面上的LED 1d的白光L4，然后从光导的主表面37a发出白光L4。换句话说，主表面37a是光导37的发光面。在光导37中，与主表面37a相反的后表面37b是由如Al等制成的金属薄膜35，反射白光L4。光导37的后表面37b被用作反射表面，反射由蓝光和黄光所组成的白光L4。
LED 1d所发出的白光L4通过光导37的内部，一部分被金属薄膜35反射，并到达光导37的主表面37a。此时，这些白光L4在光导37的内部发生扩散。这样，白光L4就会在主表面37a(发光面)上实现近似均匀的发射，光导37进行面发射。
根据本实施例，半导体发光器件2b具有以下效果。首先，由于从LED 1d的半导体叠片6的侧面发出的光出现在光导37的侧面，所以光导37可以与半导体叠片6具有相同的厚度。这样，与如背光等传统半导体发光器件相比，可以减小光导37的厚度。
为了比较，图12B示出了传统背光的截面图。如图12B所示，传统背光110包括以光导113和面发射LED 114。将LED 114附加到光导113的侧面上，从而使作为发光面的主表面114a对着光导113的侧面。将磷光体112附加在光导113的后表面113b上，当LED114所发出的蓝光L7的一部分照射到磷光体112上时，磷光体112产生黄光L8。在光导113的主表面113a上设置扩散层115，从而使蓝光L7和黄光L8在扩散层115中扩散，以产生白光L9。
在图12B所示的传统背光110中，由于厚度必须对应于LED 114作为发光面的主表面114a的宽度，所以光导113的厚度相对较大。此外，磷光体112被设置在光导113的后表面上，这就更增大了背光110的厚度。近年来，如移动电话等含有LCD的电子设备正在越来越小型化，这就需要开发更薄的LCD背光。根据本实施例，可以减小半导体发光器件2b中的光导37的厚度，从而有助于实现含有LCD的设备的小型化。
此外，由于根据本实施例的半导体发光器件2b包括具有与实施例1中LED 1相同的结构的LED 1d，所以被后表面37b反射且从主表面37a(发光面)发射出来的白光L4具有稳定的色调。尽管本实施例所描述的半导体发光器件2b只包含一个LED 1d，但同样也可以在光导37的侧面附加具有共同发光方向的多个LED。
根据本发明的LED以及半导体发光器件并不仅限于上述实施例和修改例，在此之外还可以进行多种修改。例如，尽管上述所有实施例中的LED都是用GaN基化合物来作为衬底的，但衬底并不局限于该材料，还可以由其它导电化合物制成，例如SiC、AlN、Si等。
此外，用作反射层和反射薄膜的材料也不局限于金属；还可以使用其它材料，例如折射率被调整成可以反射光的光子晶体。还可以沿厚度方向在磷光片的侧面设置附加反射薄膜，从而可以防止光从磷光片的侧面泄漏出去，并从而进一步稳定了白光的色调。
这里用来描述本发明的仅仅是优选实施例。然而，显而易见的是，在不偏离所附权利要求书所限定的本发明的范围的前提下，本领域的普通技术人员，根据前面的描述，可以进行多种改变和修改。此外，前面对根据本发明的实施例的描述只是示例性的，并非用来限制由权利要求及其等价内容所确定的本发明的范围。

Claims (7)

1.一种发光二极管，具有：
由氮化物半导体组成的半导体叠片，包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，用于发射第一波段的光；
设置在所述叠片的与所述第一导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第一光学反射层；
设置在所述叠片的与所述第二导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第二光学反射层；以及
设置在所述半导体叠片侧面的磷光体，用于接收所述第一波段的光，并发射第二波段的光。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于所述半导体叠片还具有位于所述第一导电半导体层和所述第一光学反射层之间的、由GaN基化合物构成的衬底。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于所述磷光体是被粘合到所述半导体叠片的所述侧面上的磷光片。
4.一种发光二极管，具有：
由氮化物半导体组成的半导体叠片，该半导体叠片包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层，用于发射第一波段的光；
设置在所述叠片的与所述第一导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第一光学反射层；以及
设置在所述叠片的与所述第二导电半导体层的面向所述有源层的表面相反的表面上的第二光学反射层；其中
所述半导体叠片还包括由GaN基化合物构成的衬底，所述衬底位于所述第一导电半导体层和所述第一光学反射层之间，以及
所述衬底包括发光源，用于接收第一波段的光，并发射第二波段的光。
5.根据权利要求1到4中任一个所述的发光二极管，其特征在于还具有设置在所述半导体叠片除发光面以外的多个侧面中的一个侧面上的光学反射膜。
6.一种半导体发光器件，其特征在于沿层压方向排列根据权利要求1到5中任一个所述的发光二极管。
7.一种半导体发光器件，配备有至少一个根据权利要求1到5中任一个所述的发光二极管，所述半导体发光器件还具有：
矩形光导，具有：光提取表面；光学反射表面，位于光导的与所述光提取表面相反的一侧，用于反射第一和第二波段的光；以及侧表面，与所述光提取表面延伸的方向以及与所述反射表面延伸方向相交；其中
将所述发光二极管安装在所述光导上，从而使所述半导体叠片的所述侧面与所述光导的所述侧面彼此相对。
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TW (1) TWI346394B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101720513A (zh) * 2007-04-26 2010-06-02 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于制造多个光电子器件的方法
CN101821862A (zh) * 2007-07-27 2010-09-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括光子晶体和发光陶瓷的发光装置
US7843133B2 (en) 2007-08-28 2010-11-30 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. White light emitting device with particular light emitting structure
CN102969427A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 华夏光股份有限公司 半导体发光装置及其制造方法
TWI451045B (zh) * 2007-11-20 2014-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv 具有波長轉換的側發光裝置
CN104515040A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 首尔半导体株式会社 光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元
CN105529386A (zh) * 2016-01-20 2016-04-27 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN105556202A (zh) * 2013-09-10 2016-05-04 飞利浦照明控股有限公司 发光设备
CN106449619A (zh) * 2016-09-09 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN106549094A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光元件封装结构
CN110289254A (zh) * 2019-06-27 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 微型发光二极管及其制备方法
US10573779B2 (en) 2014-07-14 2020-02-25 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070029555A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Lester Steven D Edge-emitting LED light source
KR20070017030A (ko) * 2005-08-04 2007-02-08 아바고 테크놀로지스 이씨비유 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드 광원 및 에지-발광 ｌｅｄ 광원의 제조 방법
KR20070049322A (ko) * 2005-11-08 2007-05-11 엘지이노텍 주식회사 백라이트 어셈블리 및 이를 구비한 액정표시장치
US8049233B2 (en) * 2006-03-10 2011-11-01 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
US7955531B1 (en) 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US7626210B2 (en) * 2006-06-09 2009-12-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED
US8080828B2 (en) 2006-06-09 2011-12-20 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Low profile side emitting LED with window layer and phosphor layer
JP2009545107A (ja) * 2006-07-28 2009-12-17 ティーアイアール テクノロジー エルピー エッジ放出要素を有する光源
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
KR100849887B1 (ko) * 2007-02-08 2008-08-04 주식회사 파워라이텍 청색칩과 형광체를 이용한 백색 발광다이오드 칩
TWI345318B (en) * 2007-07-20 2011-07-11 Chimei Innolux Corp Light emitting diode
RU2481672C2 (ru) * 2007-12-11 2013-05-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Устройство для бокового излучения с гибридным верхним отражателем
KR100936001B1 (ko) * 2007-12-17 2010-01-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US8338838B2 (en) * 2007-12-28 2012-12-25 3M Innovative Properties Company Down-converted light source with uniform wavelength emission
EP2335296A2 (en) * 2008-09-04 2011-06-22 3M Innovative Properties Company Light source having light blocking components
US7741134B2 (en) * 2008-09-15 2010-06-22 Bridgelux, Inc. Inverted LED structure with improved light extraction
KR101007117B1 (ko) * 2008-10-16 2011-01-11 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101719655B1 (ko) * 2010-09-29 2017-03-24 서울반도체 주식회사 형광체 시트, 형광체 시트를 갖는 발광장치 및 그 제조 방법
EP2892306B9 (en) * 2012-08-31 2021-08-25 Citizen Electronics Co., Ltd. Illumination method and light emitting device
TWI506813B (zh) * 2013-04-09 2015-11-01 Unity Opto Technology Co Ltd Single crystal dual light source light emitting element
KR101457036B1 (ko) * 2013-06-04 2014-10-31 고려대학교 산학협력단 반도체 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
US10401556B2 (en) * 2013-09-30 2019-09-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light source module and backlight unit having the same
JP6299176B2 (ja) * 2013-11-22 2018-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法ならびにこの発光装置を備える照明装置
KR101539994B1 (ko) * 2013-11-28 2015-07-30 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드 및 그 제조 방법
WO2015080416A1 (ko) * 2013-11-28 2015-06-04 순천대학교 산학협력단 측면 발광 다이오드, 면광원 및 그 제조 방법
CN105874615B (zh) * 2014-01-09 2020-01-03 亮锐控股有限公司 具有反射性侧壁的发光器件
CN106133567A (zh) * 2014-05-14 2016-11-16 飞利浦照明控股有限公司 发光设备
DE102014110071A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP6520373B2 (ja) * 2015-05-14 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2017098398A (ja) * 2015-11-24 2017-06-01 豊田合成株式会社 発光装置および照明装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
DE102016118030A1 (de) * 2016-09-23 2018-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil
KR101672878B1 (ko) * 2016-10-04 2016-11-07 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광다이오드
JP6925694B2 (ja) * 2017-04-12 2021-08-25 シチズン電子株式会社 発光装置
KR102432217B1 (ko) * 2017-11-07 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
US10651351B1 (en) 2018-11-13 2020-05-12 Cree, Inc. Light emitting diode packages
JP6876274B2 (ja) 2018-11-14 2021-05-26 日亜化学工業株式会社 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法
DE102018132651A1 (de) * 2018-12-18 2020-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil
JP7037080B2 (ja) * 2019-08-07 2022-03-16 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP7361257B2 (ja) 2019-09-27 2023-10-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1267716A (en) * 1984-02-23 1990-04-10 Frederick W. Scholl Edge-emitting light emitting diode
GB2295265B (en) * 1994-11-18 1998-04-29 Northern Telecom Ltd Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor
US5625635A (en) * 1994-11-28 1997-04-29 Sandia Corporation Infrared emitting device and method
JP2900928B2 (ja) * 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
US5952681A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
TW413956B (en) * 1998-07-28 2000-12-01 Sumitomo Electric Industries Fluorescent substrate LED
US6417523B1 (en) * 1999-01-19 2002-07-09 Texas Instruments Incorporated Organic edge emitting diode with light guide and pixel isolation
TW500962B (en) * 1999-11-26 2002-09-01 Sanyo Electric Co Surface light source and method for adjusting its hue
JP2002076432A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Stanley Electric Co Ltd 端面発光型半導体装置、その製造方法及び光空間伝送装置
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6930737B2 (en) * 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
MY131962A (en) * 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP2002335015A (ja) * 2001-05-09 2002-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
WO2002093535A1 (fr) * 2001-05-14 2002-11-21 Nichia Corporation Dispositif electroluminescent et dispositif d'affichage de vehicule
US6949395B2 (en) * 2001-10-22 2005-09-27 Oriol, Inc. Method of making diode having reflective layer
TW513821B (en) * 2002-02-01 2002-12-11 Hsiu-Hen Chang Electrode structure of LED and manufacturing the same
JP3946062B2 (ja) * 2002-03-18 2007-07-18 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
TW569479B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector
US7635874B2 (en) * 2005-09-26 2009-12-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Edge-emitting LED assembly

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8476644B2 (en) 2007-04-26 2013-07-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for the manufacture of a plurality of optoelectronic components
CN101720513A (zh) * 2007-04-26 2010-06-02 欧司朗光电半导体有限公司 光电子器件和用于制造多个光电子器件的方法
CN101821862A (zh) * 2007-07-27 2010-09-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括光子晶体和发光陶瓷的发光装置
CN101821862B (zh) * 2007-07-27 2013-07-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括光子晶体和发光陶瓷的发光装置
US7843133B2 (en) 2007-08-28 2010-11-30 Foxsemicon Integrated Technology, Inc. White light emitting device with particular light emitting structure
TWI451045B (zh) * 2007-11-20 2014-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv 具有波長轉換的側發光裝置
CN102969427A (zh) * 2011-08-31 2013-03-13 华夏光股份有限公司 半导体发光装置及其制造方法
CN105556202A (zh) * 2013-09-10 2016-05-04 飞利浦照明控股有限公司 发光设备
CN104515040B (zh) * 2013-09-26 2017-08-04 首尔半导体株式会社 光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元
CN104515040A (zh) * 2013-09-26 2015-04-15 首尔半导体株式会社 光源模块及其制造方法和包括该光源模块的背光单元
US10573779B2 (en) 2014-07-14 2020-02-25 Genesis Photonics Inc. Method for manufacturing light emitting unit
CN106549094A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 新世纪光电股份有限公司 发光元件封装结构
CN106549094B (zh) * 2015-09-18 2020-03-10 新世纪光电股份有限公司 发光元件封装结构
CN105529386A (zh) * 2016-01-20 2016-04-27 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN105529386B (zh) * 2016-01-20 2018-05-22 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN106449619A (zh) * 2016-09-09 2017-02-22 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN106449619B (zh) * 2016-09-09 2019-06-11 华灿光电（浙江）有限公司 一种发光二极管芯片及其制作方法
CN110289254A (zh) * 2019-06-27 2019-09-27 京东方科技集团股份有限公司 微型发光二极管及其制备方法
US11417797B2 (en) 2019-06-27 2022-08-16 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Micro light emitting diode and manufacture method therefor

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