CN105529386A - 一种发光二极管芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括切割后的蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底的第一表面形成的外延层、在外延层上设置的电极、以及在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面形成的反光层，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，蓝宝石的侧面为蓝宝石衬底的表面中除蓝宝石衬底的第一表面和蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。本发明通过在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面均形成反光层，使外延层产生的光线基本上都从电极所在的一侧出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特别适用于采用背光020封装形式和显示屏3535封装形式的小尺寸LED芯片。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制作方法。
背景技术
近年来，以发光二极管(LightEmittingDiode，简称“LED”)为代表的半导体照明技术得到飞速发展。LED已经广泛应用在指示灯、显示屏、背光源和照明光源等多种领域。
现有的LED芯片是先在蓝宝石衬底的第一表面生长外延层并在外延层上设置电极，在蓝宝石衬底的第二表面形成反光层，再对蓝宝石衬底进行切割，即可得到若干LED芯片。其中，第二表面为与第一表面相反的表面。反光层用于反射外延层产生的光线，使光线从电极所在的一侧出射，提升LED芯片在封装应用时的亮度表现。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
现有的反光层形成于蓝宝石衬底的第二表面，只能反射朝向第二表面出射的光线，光线会从蓝宝石衬底的侧面(蓝宝石衬底的六个表面中除第一表面和第二表面之外的四个表面)出射而造成不能有效利用(由于外延层的厚度远小于蓝宝石衬底，因此通常只考虑蓝宝石衬底的侧面)，随着LED芯片的尺寸越来越小，从蓝宝石衬底的侧面出射的光所占的比例越来越高，降低了光的有效利用率。
发明内容
为了解决现有技术降低了光的有效利用率的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片及其制作方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括切割后的蓝宝石衬底、在所述蓝宝石衬底的第一表面形成的外延层、在所述外延层上设置的电极，所述发光二极管芯片还包括在所述蓝宝石衬底的第二表面和所述蓝宝石衬底的侧面形成的反光层，所述蓝宝石衬底的第二表面为与所述蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，所述蓝宝石衬底的侧面为所述蓝宝石衬底的表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面和所述蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。
可选地，所述反光层包括Ag反射层或Al反射层。
优选地，所述反光层的厚度为1000～15000埃。
另一方面，一种发光二极管芯片的制作方法，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底的第一表面形成外延层，并在所述外延层上设置电极，得到待切割芯片；
将第一胶膜覆盖在所述待切割芯片的第一表面上，第二胶膜覆盖在所述待切割芯片的第二表面上，所述待切割芯片的第一表面为形成有所述外延层的表面，所述待切割芯片的第二表面为与所述待切割芯片的第一表面相反的表面；
透过所述第二胶膜对所述待切割芯片进行切割和分裂，得到若干相互独立的发光二极管LED芯片；
去除所述第二胶膜；
对所述第一胶膜进行扩张，增大所述LED芯片相互之间的距离；
将所述LED芯片从所述第一胶膜上倒模到第三胶膜上，所述第三胶膜的耐温性优于所述第一胶膜；
在所述蓝宝石衬底的第二表面和所述蓝宝石衬底的侧面形成反光层，所述蓝宝石衬底的第二表面为与所述蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，所述蓝宝石衬底的侧面为所述蓝宝石衬底的表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面和所述蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。
可选地，所述第一胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂。
可选地，所述第二胶膜包括聚对苯二甲酸乙二酯PET基材和亚克力系粘着剂。
可选地，所述第三胶膜包括聚酰亚胺PI基材和丙烯酸系水基粘着剂。
可选地，所述LED芯片相互之间的距离为所述LED芯片的尺寸的1.3～3倍。
可选地，所述反光层包括Ag反射层或Al反射层。
优选地，所述反光层的厚度为1000～3000埃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面均形成反光层，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，蓝宝石衬底的侧面为蓝宝石衬底的表面中除蓝宝石衬底的第一表面和蓝宝石衬底的第二表面之外的表面，由于蓝宝石衬底的厚度远大于外延层，因此外延层产生的光线基本上都从电极所在的一侧出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特别适用于采用背光020封装形式和显示屏3535封装形式的小尺寸LED芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种发光二极管芯片的制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片，参见图1，该发光二极管芯片包括切割后的蓝宝石衬底101、在蓝宝石衬底101的第一表面形成的外延层102、在外延层103上设置的电极103，该发光二极管芯片还包括在蓝宝石衬底101的第二表面和蓝宝石衬底101的侧面形成的反光层104，蓝宝石衬底101的第二表面为与蓝宝石衬底101的第一表面相反的表面，蓝宝石衬底101的侧面为蓝宝石衬底101的表面中除蓝宝石衬底101的第一表面和蓝宝石衬底101的第二表面之外的表面。
具体地，反光层104可以包括Ag反射层或Al反射层。
可选地，反光层104的厚度可以为1000～3000埃。
本发明实施例通过在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面均形成反光层，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，蓝宝石衬底的侧面为蓝宝石衬底的表面中除蓝宝石衬底的第一表面和蓝宝石衬底的第二表面之外的表面，由于蓝宝石衬底的厚度远大于外延层，因此外延层产生的光线基本上都从电极所在的一侧出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特别适用于采用背光020封装形式和显示屏3535封装形式的小尺寸LED芯片。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管芯片的制作方法，参见图2，该制作方法包括：
步骤201：在蓝宝石衬底的第一表面形成外延层，并在外延层上设置电极，得到待切割芯片。
步骤202：将第一胶膜覆盖在待切割芯片的第一表面上，第二胶膜覆盖在待切割芯片的第二表面上。
在本实施例中，待切割芯片的第一表面为形成有外延层的表面，待切割芯片的第二表面为与待切割芯片的第一表面相反的表面。
优选地，第一胶膜可以包括聚氯乙烯(Polyvinylchloride，简称PVC)基材和亚克力系粘着剂，扩张性好，便于后续分离LED芯片(详见步骤205)，而且价格低廉。
优选地，第二胶膜可以包括聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate，简称PET)基材和亚克力系粘着剂，透明胶膜，便于后续进行激光切割(详见步骤203)。
具体地，该步骤202可以包括：
将第一胶膜有粘性的一面与铁环的端面相粘，第一胶膜所在的平面与铁环的轴线垂直，以使第一胶膜较好的展开；
将待切割芯片放置在铁环中，待切割芯片的第一表面与第一胶膜有粘性的一面相粘；
在待切割芯片的第二表面上覆盖第二胶膜，第二胶膜有粘性的一面与待切割芯片有粘性的一面相粘。
步骤203：透过第二胶膜对待切割芯片进行切割和分裂，得到若干相互独立的LED芯片。
具体地，该步骤203可以包括：
采用隐形切割激光器透过第二胶膜对待切割芯片进行激光切割；
翻转铁环，采用裂刀片对切割后的待切割芯片进行分裂，得到若干相互独立的LED芯片。
可选地，激光切割的深度可以为待切割芯片的厚度的1/5～1/3。
步骤204：去除第二胶膜。
步骤205：对第一胶膜进行扩张，增大LED芯片相互之间的距离。
可选地，LED芯片相互之间的距离为LED芯片的尺寸的1.3～3倍。当LED芯片相互之间的距离小于LED芯片的尺寸的1.3倍时，不便于后续在蓝宝石衬底的侧面形成反光层(详见步骤207)；当LED芯片相互之间的距离大于LED芯片的尺寸的3倍时，降低后续对LED芯片进行分拣等处理的效率。
步骤206：将LED芯片从第一胶膜上倒模到第三胶膜上。
在本实施例中，第三胶膜的耐温性优于第一胶膜。其中，耐温性为在高温下抗金属氧化物、熔盐和炉气侵蚀的能力，即高温化学稳定性。
优选地，第三胶膜可以包括聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)基材和丙烯酸系水基粘着剂，在高温下粘性稳定，便于反光层的蒸镀(详见步骤207)。
具体地，该步骤206可以包括：
将第一胶膜覆盖在蓝宝石衬底的第二表面上，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面；
去除覆盖在外延层上的第一胶膜；
将第三胶膜覆盖在外延层上；
去除覆盖在蓝宝石衬底的第二表面上的第一胶膜。
步骤207：在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面形成反光层。
在本实施例中，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，蓝宝石衬底的侧面为蓝宝石衬底的表面中除蓝宝石衬底的第一表面和蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。
具体地，反光层可以包括Ag反射层或Al反射层。
可选地，反光层的厚度可以为1000～3000埃。
具体地，该步骤207可以包括：
采用蒸镀技术在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面形成反光层。
本发明实施例通过在蓝宝石衬底的第二表面和蓝宝石衬底的侧面均形成反光层，蓝宝石衬底的第二表面为与蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，蓝宝石衬底的侧面为蓝宝石衬底的表面中除蓝宝石衬底的第一表面和蓝宝石衬底的第二表面之外的表面，由于蓝宝石衬底的厚度远大于外延层，因此外延层产生的光线基本上都从电极所在的一侧出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特别适用于采用背光020封装形式和显示屏3535封装形式的小尺寸LED芯片。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括切割后的蓝宝石衬底、在所述蓝宝石衬底的第一表面形成的外延层、在所述外延层上设置的电极，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括在所述蓝宝石衬底的第二表面和所述蓝宝石衬底的侧面形成的反光层，所述蓝宝石衬底的第二表面为与所述蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，所述蓝宝石衬底的侧面为所述蓝宝石衬底的表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面和所述蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反光层包括Ag反射层或Al反射层。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述反光层的厚度为1000～15000埃。
4.一种发光二极管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在蓝宝石衬底的第一表面形成外延层，并在所述外延层上设置电极，得到待切割芯片；
将第一胶膜覆盖在所述待切割芯片的第一表面上，第二胶膜覆盖在所述待切割芯片的第二表面上，所述待切割芯片的第一表面为形成有所述外延层的表面，所述待切割芯片的第二表面为与所述待切割芯片的第一表面相反的表面；
透过所述第二胶膜对所述待切割芯片进行切割和分裂，得到若干相互独立的发光二极管LED芯片；
去除所述第二胶膜；
对所述第一胶膜进行扩张，增大所述LED芯片相互之间的距离；
将所述LED芯片从所述第一胶膜上倒模到第三胶膜上，所述第三胶膜的耐温性优于所述第一胶膜；
在所述蓝宝石衬底的第二表面和所述蓝宝石衬底的侧面形成反光层，所述蓝宝石衬底的第二表面为与所述蓝宝石衬底的第一表面相反的表面，所述蓝宝石衬底的侧面为所述蓝宝石衬底的表面中除所述蓝宝石衬底的第一表面和所述蓝宝石衬底的第二表面之外的表面。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一胶膜包括聚氯乙烯PVC基材和亚克力系粘着剂。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二胶膜包括聚对苯二甲酸乙二酯PET基材和亚克力系粘着剂。
7.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第三胶膜包括聚酰亚胺PI基材和丙烯酸系水基粘着剂。
8.根据权利要求4-7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述LED芯片相互之间的距离为所述LED芯片的尺寸的1.3～3倍。
9.根据权利要求4-7任一项所述的制作方法，其特征在于，所述反光层包括Ag反射层或Al反射层。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述反光层的厚度为1000～3000埃。
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