CN1596363A - 角速度传感器 - Google Patents

Abstract

一种角速度传感器包括具有音叉形状的基板(1)，分别设在构成音叉的臂部上使臂部振动的驱动部(110)，用来检测由各自的驱动部(110)造成的振动的监视部(150)，以及用来当角速度施加时检测振动位移的检测部(120)，其中每个驱动部(110)、每个监视部(150)和每个检测部(120)分别由在一个臂上形成的下电极层、压电体薄膜和上电极层组成，而压电薄膜的外周端部由具有至少一个平坦部的阶梯形状组成，取为在外周端部的平坦部上不设置上电极层的构成，借此防止下电极层与上电极层间的短路。

Description

角速度传感器

技术领域

本发明涉及使用了压电体薄膜的角速度传感器。

背景技术

角速度传感器大多被应用在导航系统中，并且追求其小型化。因此近年来，继用水晶等体(バルク)压电体材料的结构后，提出了用钛酸锆酸铅(PZT)等压电薄膜的结构。这是因为在PZT等压电薄膜中，其压电常数与水晶等体压电体相比非常大，因而易于谋求小型化的缘故。

虽然通过使用压电薄膜可以实现角速度传感器的小型化，但是另一方面产生了在体压电体中没有出现的制造方面所要解决的问题。即，因为压电薄膜与体压电体相比非常薄，故容易发生夹着压电薄膜的两面的电极间的短路。特别是在压电薄膜的外周区域部容易发生两面的电极间的短路，要求可靠地防止这样的区域部的短路。

在特开平9-331087号公报中，示出了一种以改善在基板上直接形成压电薄膜时的紧密贴附性为目的，覆盖下部电极层那样地形成压电薄膜的结构。虽然在该公开例子中，对于防止下部电极层与上部电极层的短路的问题没有记载，但是在这种结构的情况下，防止短路也是可能的。

此外，在特开2001-113710号公报中，揭示了一种以为了降低压电体元件的位移的偏差而实现均一的形状为目的，通过适当地设定干蚀刻或湿蚀刻时的条件，将压电薄膜的端部形状蚀刻加工成锥状的方案。

根据上述第1公开例，则虽然可以防止下部电极层与上部电极层的短路，但是必须在形成压电薄膜前预先将下部电极层加工成规定的形状。因此，无法连续地成膜下部电极层与压电薄膜。此外，压电薄膜被形成在下部电极层上和基板上的两面上，但是因为这些面的性质不同，所以形成在下部电极层上和基板上的压电薄膜的结晶取向性、特性就不会相同。因此，与仅在下部电极层上形成压电薄膜的情况相比，存在着压电薄膜的特性的偏差变大这样的问题。

此外，在第2公开例中，虽然示出通过蚀刻成锥形形状使图案形状均匀的方案，但是没有通过制成这种形状可以防止下部电极层与上部电极层间的短路的记载。

发明内容

因此，本发明的目的在于防止在实现应用了压电薄膜的角速度传感器时问题比较严重的下部电极层与上部电极层间的短路。

为了实现上述目的，本发明的角速度传感器由以下的结构构成。

其构成为具备：

由构成音叉的一对臂部和一体地保持这些臂部的一体区域部构成的具有音叉形状的基板；

设在这些臂部上使臂部振动的驱动部；

检测由前述驱动部产生的振动的监视部；以及

检测施加了角速度时的振动的位移的检测部；

其中驱动部、监视部和检测部，由形成在臂部上的下部电极层、形成在该下部电极层上的压电薄膜、和形成在该压电薄膜上的上部电极层构成，压电薄膜的外周端部呈具有至少一个平坦部的阶梯形状，而且在该外周端部的平坦部上不设置前述上部电极层。

通过设成这种结构，即使用压电常数大的压电薄膜，也可以防止上部电极层与下部电极层的短路，可以得到可靠性优秀、且特性稳定的角速度传感器。

此外，本发明的角速度传感器也可以设成以下的结构。

其构成为：基板的一体区域部具有形成有从驱动部、监视部及检测部引出的引出布线的布线形成区域，和形成有连接在前述引出布线上的电极焊盘的焊盘形成区域，至少在焊盘形成区域中作为引出布线的一部分的下部电极层全部共用而连接在一个电极焊盘上。

根据这种结构，由于在形成有通过引线接合法或焊接等与外部电路连接的电极焊盘的焊盘形成区域中下部电极层不露出，所以即使在连接作业工序中也不会发生短路，成品合格率提高，而且可以实现可靠性高的角速度传感器。

此外，本发明的角速度传感器也可以将其结构设为：焊盘形成区域的引出布线间的压电薄膜的厚度被形成为比驱动部、监视部和检测部的压电薄膜薄。通过设成这种结构，在干蚀刻上部电极层形成引出布线时，由于能够可靠地蚀刻上部电极层所以可以防止引出布线间的短路，从而能够提高制造成品合格率。

此外，本发明的角速度传感器也可以采用如下构成：基板是单晶硅。通过采用这种构成，不仅可以较容易地进行音叉形状的加工，而且由于薄膜形成面的平滑性好，所以可以较容易地得到结晶取向性好的压电薄膜。

此外，本发明的角速度传感器，其构成为：压电薄膜的外周端部以平坦部为基准，上部电极层侧的厚度比下部电极层侧的厚度厚。通过采用这种结构，可以通过光刻法与干蚀刻法实现可靠、且再现性好的电薄膜的蚀刻加工。即，如果较厚地进行直到平坦部的蚀刻，则其以后的蚀刻量比最初的蚀刻量少就可以了。因此，第2次的光致抗蚀剂也可以形成得比第1次的光致抗蚀剂的膜厚薄。第2次的光致抗蚀剂的涂布，由于有必要涂布到在压电薄膜上具有阶梯状的台阶的区域，所以产生一部分变薄的可能性。但是，由于蚀刻时间也可以较短，所以可以防止光致抗蚀剂在干蚀刻中消失而上部电极层或压电薄膜露出，且它们被蚀刻的情况。

此外，本发明的角速度传感器，下部电极层由在基板上形成的钛(Ti)膜与钛(Ti)膜上的铂钛(Pt-Ti)合金膜的两层结构构成。由于Ti膜对单晶硅基板或氧化物基板紧密贴附性良好，所以可以提高下部电极层的紧密贴附性。而且，钛(Ti)具有不容易扩散的性质，不容易发生铂钛(Pt-Ti)合金膜或压电薄膜的劣化，可以实现高可靠性的角速度传感器。

此外，本发明的角速度传感器，在基板的驱动部、监视部、检测部以及形成有它们的引出布线和电极焊盘的面上，进一步设有为了加工基板的另一方的面而固定基板的固定区域部。

通过设成这种结构，在例如从基板的下面侧进行光刻工序与蚀刻加工等的情况下，由于驱动部或监视部等形成有压电薄膜的面不会直接接触在工作台等上，所以可以防止压电薄膜受到损伤等。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的角速度传感器的平面图。

图2是该实施方式的角速度传感器中，图1的沿X1-X1线的剖面的放大图。

图3是该实施方式的角速度传感器中，图1的沿X2-X2线的剖面的放大图。

图4是该实施方式的角速度传感器中，图1的沿X3-X3线的剖面的放大图。

图5是该实施方式的角速度传感器中，图1的沿X4-X4线的剖面的放大图。

图6A是用来说明该实施方式的角速度传感器的光刻工序与蚀刻工序之一例的图，是表示在基板上层积下部电极层、压电薄膜和上部电极层，形成了抗蚀剂图案的状态的图。

图6B是用来说明同上工序的图，是表示蚀刻到压电薄膜的中途的状态的图。

图6C是用来说明同上工序的图，是表示制作抗蚀剂图案以形成平坦部的状态的图。

图6D是用来说明同上工序的图，是表示进行蚀刻将压电薄膜的外周端部加工成阶梯状而形成平坦部的状态的图。

图7是说明本发明的实施方式的角速度传感器的变形例的剖面图。

具体实施方式

下面，对本发明的一个实施方式的角速度传感器，利用附图进行说明。图1是本发明的角速度传感器的平面图。此外，图2至图5是图1中所示的角速度传感器的放大剖面图。图2是沿X1-X1线的剖面图，图3是沿X2-X2线的剖面图，图4是沿X3-X3线的剖面图，图5是沿X4-X4线的剖面图。下面，参照图1至图5，进一步详细地说明本发明的角速度传感器的构成。

基板1是由对单晶硅板进行加工而制成音叉形形状的结构构成的。在该基板1上层积下部电极层、压电薄膜和上部电极层，通过将这些薄膜加工成规定的形状，构成本发明的角速度传感器100。

作为下部电极层，可以用铂(Pt)膜、铂钛(Pt-Ti)合金膜、金(Au)膜、铜(Cu)膜、镍(Ni)膜或铝(Al)膜等金属膜，氧化钌(RuO₂)膜或氧化铱(IrO₂)膜等氧化物导电体。作为成膜方法，可以用蒸镀、溅射、气相成膜法(CVD)、等离子体辅助气相成膜法(PCVD)等。

此外，作为压电薄膜，因为钛酸锆酸铅(PZT)膜易于制作结晶取向性好的薄膜所以是优选的材料，但是钛酸铅(PT)膜、锆酸铅(PZ)膜、添加了镧(La)的钛酸锆酸铅(PLZT)膜等，只要是压电薄膜、且能够蚀刻的材料即可，没有特别限定。虽然作为成膜法优选为溅射法，但是用蒸镀法、CVD法或PCVD法制作也是可以的。

进而，作为上部电极层，可以用与上述的下部电极层相同的材料，但是由于为了与外部设备的电气连接，必须通过引线等进行安装，所以最好是用金属薄膜。

本发明的角速度传感器100，由具有各自的功能的多个区域构成。即，在基板1上，在构成音叉的一对臂部上，从其前端附近开始，顺次地形成有：为了对整个压电薄膜施行极化处理而将下部电极层引出到上层用的引出部110、用来检测角速度的检测部120、用来使一对臂部振动的驱动部135、检测在一对臂部上产生的振动的振幅的监视部150。

此外，在基板1上，在将一对臂部连结成一体的一体区域部上，形成有分别从引出部110、检测部120、驱动部135和监视部150引出的检测部引出布线1201、内侧驱动部引出布线1301、外侧驱动部引出布线1401、监视部引出布线1501。进而，这些引出布线1201、1301、1401、1501连接在用于向外部设备连接的电极焊盘5、6、8、71、72上。对此，在后进一步详细叙述。

图2是沿图1的X1-X1线的剖面图，是表示引出部110的剖面形状的图。从此图看出，作为下部电极层的引出部下部电极层2 1经由形成在引出部压电薄膜31上的通孔(ビァホ一ル)60而被连接在作为上部电极层的极化用电极层41上。引出部下部电极层21，从图2至图5的各个剖面图可以看出，被与各自的下部电极层电气连接。

图1中所示的用来检测角速度的检测部120，在基板1的臂部面上以与引出部120基本相同的宽度、且以相同的层积结构而形成。即，从基板1面侧开始，检测部下部电极层(图未示)、检测部压电薄膜(图未示)以及检测部上部电极层，以基本相同的宽度，且按此顺序层积而被构成。

图3是沿图1中所示的X2-X2线的剖面图，是表示形成有驱动部135的区域的剖面形状的图。在基板1的臂部上分别设置有一对内侧驱动部130与外侧驱动部140，构成驱动部135。该内侧驱动部130与外侧驱动部140以相同形状构成，在基板1的臂部面上分别依次形成驱动部下部电极层23、24、驱动部压电薄膜33、34以及驱动部上部电极层43、44而被构成。此外，驱动部下部电极层23、24、驱动部压电薄膜33、34以及驱动部上部电极层43、44以基本相同的宽度而被构成。另外，检测部引出布线1201被形成在内侧驱动部130与外侧驱动部140之间。

如图1中所示，监视部150在基板1的臂部面上分别设有一个。监视部150依次形成监视部下部电极层(图未示)、监视部压电薄膜(图未示)和监视部上部电极层而被构成。

图4是表示沿图1的X3-X3的布线形成区域的剖面形状的图。在基板1的布线形成区域上，形成有检测部引出布线1201、内侧驱动部引出布线1301、外侧驱动部引出布线1401以及监视部引出布线1501。这些引出布线1201、1301、1401、1501，分别从基板1侧开始由下部电极层引出布线221、231、241、251、压电薄膜引出布线321、331、341、151以及上部电极层引出布线421、431、441、451构成。再者，监视部150在基板1的布线形成区域面上被连接成一个，作为监视部引出布线1501而布线。

检测部引出布线1201之中的上部电极层引出布线421被连接在检测电极焊盘5上。此外，各内侧驱动部引出布线1301之中的上部电极层引出布线431被连接在驱动电极焊盘72上。同样，各外侧驱动部引出布线1401之中的上部电极层引出布线441被连接在驱动电极焊盘71上。此外，监视部引出布线1501之中的上部电极层引出布线451被连接在监视器电极焊盘6上。

进而，检测部引出布线1201、内侧驱动部引出布线1301、外侧驱动部引出布线1401以及监视部引出布线1501之中的各自的下部电极层引出布线221、231、241、251，共同连接在接地电极焊盘8上。该接地电极焊盘8被构成为如图5中所示的那样。即，在一体区域部中的形成有电极焊盘的焊盘形成区域部中，下部电极层引出布线221、231、241、251未被蚀刻，而呈被形成在整个面上的状态。同时，虽然压电薄膜被蚀刻而变薄，但是以形成在整个面上的状态保留。将位于该区域的下部电极层引出布线统一称为一体区域部下部电极层200，将压电薄膜称为一体区域部压电薄膜300。该一体区域部下部电极层200经由在一体区域部压电薄膜300上开口而成的通孔65而被连接在引出电极层46上，通过这些而构成了接地电极焊盘8。

再者，在形成有这些电极焊盘的区域部，不仅是一体区域部下部电极层200被形成在整个面上，而且一体区域部压电薄膜300也仅被蚀刻到厚度方向的中途，从而其一部分以保留在整个面上的状态保护着一体区域部下部电极层200。由此，防止检测电极焊盘5、驱动电极焊盘71、72以及监视器电极焊盘6与整体区域部下部电极层200短路。

对检测部120、驱动部135和监视部150，分别经由检测部引出布线1201、内侧驱动部引出布线1301、外侧驱动部引出布线1401及监视部引出布线1501、和接地电极焊盘8来施加电压。例如，如果就检测部120来看，则从外部电路(图未示)在检测电极焊盘5与接地电极焊盘8之间施加电压。检测电极焊盘5被连接在检测部引出布线1201的上部电极层引出布线421上，进而该上部电极层引出布线421连接在检测部上部电极层42上。另一方面，接地电极焊盘8被连接在检测部引出布线1201的下部电极层引出布线221上，进而该下部电极层引出布线221连接到检测部下部电极层(图未示)上。

再者，在上部电极层引出布线421与下部电极层引出布线221之间形成有压电薄膜引出布线321，防止布线间的短路。此外，在检测部上部电极层(图未示)与检测部下部电极层(图未示)之间形成有检测部压电薄膜(图未示)，同样防止布线间的短路。

在本实施方式中，为了防止其短路而设成如图6D所示的压电薄膜3的形状。利用图6A至图6D说明用于制作这种形状的制作方法的一例。另外，从图6A至图6D是放大表示图1中所示的角速度传感器100的任意的一部分的剖面的图。因而，在以下的说明中，表达成下部电极层2、压电薄膜3和上部电极层4而进行说明。

如图6A所示，在基板1上依次层积成膜下部电极层2、压电薄膜3和上部电极层4，然后涂布光致抗蚀剂并曝光，制作出规定的形状的抗蚀剂图案70。然后，包括上部电极层4与压电体薄膜3地同时进行干蚀刻。此时，在将压电薄膜3蚀刻到中途的状态下终止蚀刻。将其表示在图6B中。此时，只要适当地设定抗蚀剂的厚度与蚀刻条件，即可在压电薄膜3的外周端部形成锥形部3B。

然后，如图6C中所示，再次涂布光致抗蚀剂并曝光，形成规定形状的抗蚀剂图案75。接着，进行干蚀刻，蚀刻剩下的压电薄膜3与下部电极层2。通过将此时的抗蚀剂图案75的宽度形成得比第1次的抗蚀剂图案70的宽度宽些，可以较容易地形成平坦部3A。该平坦部3A的宽度，通过第1次的抗蚀剂图案70与第2次的抗蚀剂图案75的设计可以任意地设定。

通过这样的光刻和蚀刻工序、将压电薄膜3的外周端部形成为阶梯状、在厚度方向的中途制作平坦部3A的状态示于图6D中。

通过以上这样的制作方法，可以将压电薄膜3的外周端部形成为阶梯状且具有平坦部3A，而且由于在平坦部3A的面上没有上部电极层4所以即使减薄压电薄膜3，也可以防止上部电极层4与下部电极层2的短路发生。

通过这种分两次对压电薄膜3进行蚀刻的方法，不仅可以较容易地形成平坦部3A，而且还能够防止在压电薄膜3的蚀刻中光致抗蚀剂膜被蚀刻殆尽，蚀刻作业变得无法进行这样的情况。也可以将这样的形成阶梯状的工序进行三次或更多次而制作多个平坦部。

再者，一体区域部中，在焊盘形成区域处，仅进行第一次的光刻工序和蚀刻加工，不进行第2次压电薄膜3与下部电极层2的蚀刻。由此，如图5中所示，在该区域部处可以保留在下部电极层2被连接为一体、且压电薄膜3也被蚀刻到中途的状态。通过进行这样的加工，可通过干蚀刻可靠地蚀刻上部电极层4，能够防止因蚀刻不足等而在上部电极层4间发生短路。此外，因为压电薄膜保留在整个面上，故此能够可靠地防止下部电极层2与上部电极层4短路的情况。进而，也可以在整个一体区域部上进行这样的图案加工。

下面，对这种结构的角速度传感器的动作进行说明。从外部电路(图未示)交替地对驱动电极焊盘71、72施加正、负信号。由此，在外侧驱动部130伸长时，内侧驱动部140收缩，所以构成音叉的基板1的各个臂在图1的平面图中分别朝左右方向振动。经由连接在监视部150上的监视器电极焊盘6由外部电路(图未示)检测这种左右振动的振幅大小。在外部电路中，将检测到的振幅值与基准值进行比较控制施加在驱动部130、140的信号大小。由此，将各个臂的左右振动的振幅控制在恒定值。

如果在这样受控制的状态下施加角速度，因公知的科里奥利力的作用，构成音叉的各个臂在图1的平面图中左右的臂分别朝相反方向前后振动。由检测部120检测各个臂的前后振动的振幅的大小。外部电路(图未示)经由检测电极焊盘5检测来自检测部120的信号，基于该信号的大小输出角速度的值。

再者，引出部110，在极化处理压电薄膜时使用，作为角速度传感器并没有特别的功能。

在本发明的角速度传感器100中，在遍布较宽的面积范围上具有压电薄膜被上部电极层与下部电极层所夹持的区域。在这些区域中，压电薄膜的外周端部为阶梯状，在厚度方向的中途设有平坦部3A。在作为角速度传感器而使用的情况下，在上部电极层与下部电极层之间施加电压。但是，因为压电薄膜的外周端部的形状为阶梯状，且在其厚度方向的中途有平坦部3A，所以能够可靠地防止上部电极层与下部电极层的短路。因此，成品合格率提高，且具有稳定的特性，可以实现可靠性高的角速度传感器。结果，在用于汽车等要求可靠性与小型化的领域时，特别有作用。

再者，在本实施方式的角速度传感器100中，将单晶硅基板用作基板1。由于单晶硅基板，不仅容易加工，而且表面平滑、且容易获得平面度，所以下部电极层、压电薄膜以及上部电极层的成膜或它们的图案加工也容易，因此非常理想。但是，本发明并非仅限于此。例如，也可以用水晶或氧化镁单晶基板等单晶基板，玻璃基板或石英基板等非晶基板，或者氧化铝或锆等陶瓷基板。在使用玻璃基板等的情况下，作为制作音叉形状的方法，例如还可以使用喷砂法。

此外，在本发明的角速度传感器中，如图7中所示，也可以在接触基板的一侧设成由钛(Ti)膜2A、该Ti膜2A上铂钛合金(Pt-Ti)膜2B的两层结构构成的下部电极层2。由于Ti膜2A对硅基板或玻璃基板等基板1的紧密贴附性好，所以可以大大改善下部电极层2的向基板1的紧密贴附性。进而，由于钛(Ti)不易发生对Pt-Ti膜2B、压电薄膜3的扩散，所以不容易引起压电薄膜3的劣化，可靠性得到改善。

进而，也可以如图7中所示将上部电极层4设为由Ti膜10、和在该Ti膜10上的低电阻导体膜12构成的两层构成膜。由此，能够改善上部电极层4的紧密贴附性、防止扩散，所以上部电极层4的选择的自由度增大，用于与外部电路连接的电极焊盘的电极构成的设计也变得容易进行。作为低电阻导体层12，可以用例如上述Pt-Ti膜、金(Au)膜、铜(Cu)膜、镍(Ni)膜或铝(Al)膜等。

此外，压电薄膜3最好是以平坦部3A为基准使其上方部分的厚度比下方部分的厚度厚。制成这样的形状的加工，可以通过上述光刻工序与干蚀刻工序来进行。再者，在进行这种加工时，也可以在压电薄膜3上设置锥形部3B、3C。该锥形部3B、3C最好是相对于基板1的表面形成比90°小的角度。这种锥形形状可以通过光致抗蚀剂的膜厚、截面形状和干蚀刻条件来设定。由于通过设置锥形部3B、3C，可以加长从上部电极层4到下部电极层2的间隔，所以能够更加可靠地防止发生短路。

再者，如图7中所示，也可以在下部电极层2与压电薄膜3之间形成添加了镁(Mg)的钛酸镧酸铅(PLMT)膜9。如果在形成这种膜后再形成PZT膜，则可提高PZT膜的结晶性、取向性，获得更加良好的压电特性。

此外，在本发明的角速度传感器100中，从图1还看出，关于引出部110、检测部120、驱动部135、监视部150和它们的引出布线1201、1301、1401、1501等，是从基板1的周边端部向内侧留出规定的空间而配置的。例如，引出部110的更前端的臂部、一体区域部的布线形成区域部、进而检测部或驱动部与基板外周部的空间，为固定区域。通过设成这样的配置结构，在加工基板1的下面部的情况下，可以由该空间部分进行夹持固定，因此，不会再有伤及上部电极层、压电薄膜和下部电极层的情况。

另外，在本实施方式中，焊盘形成区域的压电薄膜，以在厚度方向上被蚀刻了一部分的状态而被保留，但是本发明不限于此。例如，如果上部电极层与压电薄膜的蚀刻选择比选择非常大的蚀刻条件，则可以不蚀刻压电薄膜而全面地保留，但是这样的结构也是可以的。

工业实用性

本发明的目的在于防止在实现应用了压电薄膜的角速度传感器时问题比较严重的下部电极层与上部电极层间的短路的现象，其构成为：形成在基板上的驱动部、监视部和检测部，由下部电极层、在下部电极层上形成的压电薄膜、和在压电薄膜上形成的上部电极层构成，且压电薄膜的外周端部为至少具有一个平坦面的阶梯形状，且在该外周端部的平坦部上不设置上部电极层。由此，可以可靠地防止上部电极层与下部电极层的短路，因此在汽车用等的角速度传感器领域是非常有用的。

Claims (7)

1.一种角速度传感器，其特征在于，具备：由构成音叉的一对臂部和一体地保持前述臂部的一体区域部构成的具有音叉形状的基板；设置在前述臂部上使前述臂部振动的驱动部；检测由前述驱动部产生的振动的监视部；以及检测施加了角速度时的振动的位移的检测部；其中前述驱动部、前述监视部和前述检测部，由形成在前述臂部上的下部电极层、形成在前述下部电极层上的压电薄膜、和形成在前述压电薄膜上的上部电极层构成，前述压电薄膜的外周端部为具有至少一个平坦部的阶梯形状，而且在前述外周端部的前述平坦部上不设置前述上部电极层。

2.如权利要求1所述的角速度传感器，其特征在于，前述一体区域部具有：形成有从前述驱动部、前述监视部和前述检测部引出的引出布线的布线形成区域，以及形成有连接在前述引出布线上的电极焊盘的焊盘形成区域；其中至少在前述焊盘形成区域中作为前述引出布线的一部分的前述下部电极层全部共用而连接在一个前述电极焊盘上。

3.如权利要求2所述的角速度传感器，其特征在于，前述焊盘形成区域的前述引出布线间的前述压电薄膜的厚度，比前述驱动部、前述监视部和前述检测部的前述压电薄膜薄。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的角速度传感器，其特征在于，其中前述基板为单晶硅。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的角速度传感器，其特征在于，前述压电薄膜的外周端部，以前述平坦部为基准，前述上部电极层侧的厚度比前述下部电极层侧的厚度厚。

6.如权利要求1至5中的任意一项所述的角速度传感器，其特征在于，前述下部电极层由在前述基板上形成的钛(Ti)膜和钛(Ti)膜上的铂钛(Pt-Ti)合金膜的两层结构构成。

7.如权利要求1至6中的任意一项所述的角速度传感器，其特征在于，在前述基板的前述驱动部、前述监视部、前述检测部以及形成有它们的前述引出布线和前述电极焊盘的面上，进一步设有为了加工前述基板的另一方的面而固定前述基板的固定区域部。

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