CN1577457A - 平板显示器 - Google Patents

平板显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN1577457A
CN1577457A CNA2004100346453A CN200410034645A CN1577457A CN 1577457 A CN1577457 A CN 1577457A CN A2004100346453 A CNA2004100346453 A CN A2004100346453A CN 200410034645 A CN200410034645 A CN 200410034645A CN 1577457 A CN1577457 A CN 1577457A
Authority
CN
China
Prior art keywords
tft
thin film
film transistor
pixel array
array portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100346453A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100511375C (zh
Inventor
具在本
朴商一
朴志容
李基龙
李乙浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung SDI Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR10-2003-0049076A external-priority patent/KR100501704B1/ko
Priority claimed from KR10-2003-0049075A external-priority patent/KR100501703B1/ko
Application filed by Samsung SDI Co Ltd filed Critical Samsung SDI Co Ltd
Publication of CN1577457A publication Critical patent/CN1577457A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100511375C publication Critical patent/CN100511375C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H01L29/78624—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile the source and the drain regions being asymmetrical
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78651—Silicon transistors
    • H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
    • H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种具有长使用寿命的高速平板显示器，其中设置有多个像素的像素阵列部分和用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分中的薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。该平板显示器包括像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的像素。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它们的栅区或漏区彼此具有不同的电阻值或者彼此具有不同的几何结构。像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管中的一个在它的栅区或漏区中具有锯齿形形状或者具有偏置区域。

Description

平板显示器
技术领域
本发明涉及全彩(full-color)平板显示器，更具体地，涉及具有长使用寿命的高速平板显示器，其中形成像素阵列部分和驱动电路部分的薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值。
背景技术
通常，在平板显示器中有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)，如图1所示，包括像素阵列部分110，其中多个像素以矩阵的方式设置在绝缘衬底100上；以及用于驱动像素阵列部分110的驱动电路部分。像素阵列部分110包括呈矩阵形式(图1中未示出)的多个栅极线、多个数据线、多个共用电源线以及连接到这些线的多个像素。每个像素包括场致发光(EL)装置；驱动晶体管，用于根据来自数据线的数据信号提供驱动电流至该EL装置；开关晶体管，用于响应施加到栅极线的扫描信号将数据信号传输至驱动晶体管；以及用于存储数据信号的电容器。
用于驱动像素阵列部分110的像素的驱动电路部分包括栅极驱动电路部分130，其提供用于驱动像素阵列部分110的栅极线的扫描信号；以及数据驱动电路部分120，其提供数据信号至像素阵列部分110的数据线。
在传统的AMOLED中，所有像素阵列部分110的薄膜晶体管和驱动电路部分120和130的薄膜晶体管由多晶硅薄膜晶体管构成。但是，在具有180ppi或更高的分辨率的AMOLED中，其中像素阵列部分和驱动电路部分由多晶硅薄膜晶体管(多晶硅TFT)构成，驱动电路部分的高速操作特性可以因多晶硅TFT的高迁移率而实现。然而，多晶硅TFT的导通电流(on-current)非常高，使得流过像素阵列部分的EL装置的电流大小超过极限值，由此增加单位面积的亮度并缩短EL装置的使用寿命。
同时，在像素阵列部分和驱动电路部分由具有较低迁移率的TFT构成以保持导通电流特性在所要求的级别的情况下，像素阵列部分中的导通电流变得相对较小，使得产生合适的亮度，由此解决了EL装置的使用寿命问题。然而，驱动电路部分的高速操作特性无法满足。
发明内容
本发明的一个方面提供一种具有长使用寿命的高速平板显示器。
本发明的另一方面提供一种具有高速操作特性和更长的使用寿命的平板显示器，其具有彼此具有不同电阻值的像素部分薄膜晶体管和驱动电路部分薄膜晶体管。
本发明的又一方面提供一种通过改变像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管的栅区和漏区的掺杂浓度而具有增加的使用寿命和高速操作特性的平板显示器。
本发明的又一方面提供一种通过使得像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管的栅区和漏区具有不同形状而具有增加的使用寿命和高速操作特性的平板显示器。
根据本发明的一示例性实施例，一平板显示器包括一设置有多个像素的像素阵列部分；以及用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分，其中像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管彼此具有不同的电阻值。
像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管具有比驱动电路部分中的薄膜晶体管高的电阻值。
此外，根据本发明的另一示例性实施例，提供一种平板显示器，其包括设置有多个像素的像素阵列部分；以及用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分，其中像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管在它们的栅区中彼此具有不同的电阻值。
像素阵列部分中的一个薄膜晶体管和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它的栅区内包括偏置(offset)区域。该偏置区域为一高电阻区域，其部分地掺杂有相对低的浓度的与源区/漏区电导率类型相同的杂质。
根据本发明的又一示例性实施例，一种平板显示器包括设置有多个像素的像素阵列部分；以及用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分，其中像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管在它们的漏区中彼此具有不同的电阻值。
在像素阵列部分中的一个薄膜晶体管和驱动电路部分中的薄膜晶体管在它的漏区内包括一偏置区域。该偏置区域为一高电阻区域，其部分地掺杂有相对低的浓度的与漏区电导率类型相同的杂质。
本发明的另一示例性实施例提供一种平板显示器，其包括设置有多个像素的像素阵列部分；以及栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分，用于驱动像素阵列部分的像素，其中像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管具有与栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分中的至少一个薄膜晶体管不同的电阻值。
在像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管在它的漏区或漏区内包括一偏置区域。该偏置区域为一高电阻区域，其部分地掺杂有相对低的浓度的与漏区电导率类型相同的杂质。
根据本发明的另一示例性实施例，本发明提供一种平板显示器，其包括设置有多个像素的像素阵列部分；以及用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分，其中像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管包括具有不同几何结构的栅区。
在像素阵列部分中的一个薄膜晶体管和驱动电路部分中的薄膜晶体管包括锯齿形栅区或与其它薄膜晶体管相比具有相同的长度和较短的宽度、相同的宽度和较长的长度、或者较短的宽度和较长的长度的栅区。
该些薄膜晶体管中的一个包括多个栅极，并且还包括位于所述多个栅极之间的高电阻偏置区域。所述一个薄膜晶体管的偏置区域具有锯齿形形状，或者与其它薄膜晶体管相比具有更长的长度或较短的宽度。
本发明的又一示例性实施例提供设置有多个像素的像素阵列部分以及用于驱动像素阵列部分的像素的驱动电路部分，其中像素阵列部分和驱动电路部分中薄膜晶体管包括具有不同几何结构的漏区。
在像素阵列部分中的一个薄膜晶体管和驱动电路部分中的薄膜晶体管包括锯齿形漏区，或者包括与其它薄膜晶体管相比具有相同的长度和较短的宽度、相同的宽度和较长的长度、或者较短的宽度和较长的长度的漏区。
该些薄膜晶体管中的一个至少在它的漏区中包括一高电阻偏置区域。所述一个薄膜晶体管的偏置区域具有锯齿形形状，或者与其它薄膜晶体管相比具有更长的长度或较短的宽度。
此外，本发明的又一示例性实施例提供设置有多个像素的像素阵列部分以及用于驱动像素阵列部分的像素的栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分，其中像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管具有与栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分中的至少一个薄膜晶体管不同的几何结构。
像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管在它的栅区或漏区中包括一偏置区域。该偏置区域具有锯齿形形状，或者与栅极驱动电路部分或数据驱动电路部分中的其它薄膜晶体管相比具有更长的长度或较短的宽度。
附图说明
通过参考附图详细地描述本发明的优选实施例，本发明的以上和其他优点对本领域技术人员而言将变得更加明显。
图1显示了传统AMOLED的结构；
图2显示了根据本发明一实施例的AMOLED的驱动电路部分中的薄膜晶体管的平面结构；
图3A和3B分别显示了根据本发明第一实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图；
图4A和4B分别显示了根据本发明第二实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图；
图5显示了根据本发明第三实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图；
图6显示了根据本发明第四实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图；
图7A和7B分别显示了根据本发明第五实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图；
图8A和8B分别显示了根据本发明第六实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图；以及
图9显示了根据本发明第七实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图。
具体实施方式
以下将参考附图更全面地描述本发明，其中显示了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式加以实施，而不应被认为局限于这里给出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开彻底而完整，并将本发明的范围完整地转达给本领域技术人员。在附图中，为了清楚的目的，层和区域的厚度可能被夸大。在整个说明书中相似的附图标记表示相似的元件。
图2显示了根据本发明的AMOLED的驱动电路部分的薄膜晶体管的平面结构。该驱动电路部分包括数据驱动电路部分和栅极驱动电路部分。
请参照图2，驱动电路部分中的薄膜晶体管包括由多晶硅膜等组成的半导体层220；栅极电极240；以及源极/漏极电极261和265。半导体层220包括对应于栅极电极240的沟道区域224；以及形成在沟道区域224两侧的源区221和漏区225。源极/漏极电极261和265通过触点251和255与源区221和漏区225电连接。
图3A和3B显示了根据本发明第一实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图，图3A显示了该薄膜晶体管的平面结构，而图3B显示了沿图3A中线III-III截取的该薄膜晶体管的剖视图。
请参照图3A和3B，该像素阵列部分的薄膜晶体管包括半导体层320、栅极电极340以及源极/漏极电极361和365。栅极电极340包括对应于半导体层320的多个栅极341和345。
半导体层320包括具有对应栅极电极340的多个栅极341和345的“U”形结构。高浓度源区/漏区321和325可以在沟道区域323和327的一侧形成。此外，半导体层320还包括形成在多个栅极341和345之间，即多个沟道区域323和327之间，的栅区偏置区域330。源极/漏极电极361和365通过触点351和355电连接到形成在半导体层320上的高浓度源区/漏区321和325。
偏置区域330为杂质区域，其可掺杂有比高浓度源区/漏区321和325的掺杂浓度低的掺杂浓度，并且可以与源区/漏区321和325相同的导电率类型。或者，高电阻区域可以由未掺杂杂质的本征区域构成。
图4A和4B显示了图3A和3B的第一示例中显示的像素阵列部分的薄膜晶体管，其中改变了位于多个栅极之间的偏置区域的掺杂量，由此改变了电阻值。
该像素部分的薄膜晶体管包括“U”形半导体层420、栅极电极440以及源极/漏极电极461和465。栅极电极440包括对应该半导体层的多个栅极441和445。源极/漏极电极461和465通过触点451和455电连接到4半导体层4204的高浓度源区/漏区421和425。
半导体层420具有分别对应栅极电极440的多个栅极441和445的多个沟道区域423和427，并且高浓度源区/漏区421和425可以分别在多个沟道区域423和427的一侧形成。此外，半导体层420还包括形成在多个沟道区域423和427之间，即多个栅极441和445之间，的栅区偏置区域430。
便置区域430为高电阻偏置区域，其由掺杂有低浓度的与高浓度源区/漏区421和425相同的导电率类型的杂质以及在区域435之间未掺杂杂质的区域431构成。
在第一和第二实施例中，像素阵列部分的薄膜晶体管具有高电阻偏置区域430，其可以利用位于所述多个栅极之间的相对低的杂质从未掺杂到部分掺杂到全部掺杂的范围变化，导致增加的电阻。因此，当驱动电路部分由图2所示的薄膜晶体管构成并且像素阵列部分由如图3A和3B及图4A和4B所示的位于多个栅极之间的具有高电阻偏置区域的薄膜晶体管构成时，驱动电路部分可以保持传统AMOLED中的高速操作特性。同时，像素阵列部分可以减小流入EL设备中的电流量导致薄膜晶体管的电阻增加，使得使用寿命可以延长。
换言之，如果在第一和第二实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管中栅区为位于多个栅极和多个栅极下方的多个沟道区域之间的偏置区域，并且在图2所示的驱动电路部分的薄膜晶体管中栅区为位于栅极下方的沟道区域，则驱动电路部分的薄膜晶体管的栅区具有与传统薄膜晶体管类似的小电阻值，使得可以保持高速操作特性。同时，像素阵列部分的薄膜晶体管的栅极具有依赖于偏置区域的掺杂状态的高电阻值。通过调整流过EL装置的电流量可以产生合适的亮度，使得EL装置的使用寿命可以延长。
图5显示了根据本发明第三实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图。参照图5，像素阵列部分中的薄膜晶体管包括由多晶硅膜等构成的半导体层520、栅极电极540以及源极/漏极电极561和565。半导体层520包括对应于栅极电极540的沟道区域524以及形成在沟道区域524两侧的源区/漏区521和525。源极/漏极电极561和565通过触点551和555电连接到源区/漏区521和525。
半导体层520还包括位于沟道区域524与源区/漏区521和525之间的源极/漏区偏置区域523和527。偏置区域523和527为由未掺杂杂质的本征区域构成的高电阻区域。
根据第三实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管的源区/漏区521和525被显示为分别具有偏置区域523和527。但是，可以理解的是，所述偏置区域可以仅形成在漏区525中。
图6显示了根据本发明第四实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图。
请参照图6，该像素部分中的薄膜晶体管包括由多晶硅膜等构成的半导体层620、栅极电极640以及源极/漏极电极661和665。半导体层620包括对应于栅极电极640的沟道区域624以及形成在沟道区域624两侧的源区/漏区621和625。源极/漏极电极661和665通过触点651和655电连接到源区/漏区621和625。
半导体层620还包括位于沟道区域624与源区/漏区621和625之间的源极/漏区偏置区域523和527。偏置区域523和527为高电阻区域，其全部或部分地掺杂有低浓度的与高浓度源区/漏区621和625相同的导电率类型的杂质。
根据第四实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管的源区/漏区621和625被显示为分别具有偏置区域623和627。但是，可以理解的是，所述偏置区域可以仅形成在漏区625中。
在第三和第四实施例中，像素阵列部分的薄膜晶体管包括至少形成在它的漏区中的偏置区域，使得电阻值增加。因此，当驱动电路部分由图2所示的薄膜晶体管构成并且像素阵列部分由图5和图6所示的具有漏区偏置区域的薄膜晶体管构成时，驱动电路部分可以保持传统AMOLED中的高速操作特性，而同时像素阵列部分可以减小流入EL装置中的电流量导致薄膜晶体管的电阻增加，使得该装置的使用寿命可以延长。
换言之，通过依据漏区偏置区域的掺杂状态来改变根据第三和第四实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区的电阻值，驱动电路部分的薄膜晶体管的漏区具有与传统薄膜晶体管相似的小的电阻值，使得高速操作特性得以保持。由于像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区具有高电阻值，所以EL装置的使用寿命可以通过调整流入EL装置的电流量而产生合适的亮度从而被延长。
图7A和7B分别显示了根据本发明第五实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图。图7A显示了该薄膜晶体管的平面结构，而图7B显示了沿图7A中的线VII-VII截取的薄膜晶体管的剖视图。
请参照图7A和7B，像素阵列部分的薄膜晶体管包括半导体层720、栅极电极740以及源极/漏极电极761和765。栅极电极740包括对应于半导体层720的多个栅极741和745。
半导体层720包括一“U”形结构，其具有每个对应于栅极电极740的多个栅极741和745的多个沟道区域723和727；以及形成在沟道区域723和727一侧的高浓度源区/漏区721和725。此外，半导体层还包括形成在多个栅极741和745之间，即多个沟道区域723和727之间，的栅区偏置区域730。源极/漏极电极761和765分别通过触点751和755电连接到形成在半导体层720上的高浓度源区/漏区721和725。
偏置区域730具有锯齿形形状并且为高电阻区域，其可以由全部或部分掺杂有与高浓度源区/漏区721和725相同的导电率类型的杂质的低浓度杂质区域构成，或者可以由未掺杂杂质的本征区域构成。
图8A和8B显示了根据本发明第六实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的平面图和剖视图。图8A显示了该薄膜晶体管的平面结构，而图8B显示了沿图8A中的线VIII-VIII截取的薄膜晶体管的剖视结构。
图8A和8B显示了图7A和7B所示第五示例中的像素阵列部分的薄膜晶体管，其中改变了位于多个栅极之间的偏置区域的形状，由此增加电阻值。
所述像素部分的薄膜晶体管包括“U”形半导体层820、栅极电极840以及源极/漏极电极861和865。栅极电极840包括对应于半导体层820的多个栅极841和845。源极/漏极电极861和865分别通过触点851和855电连接到形成在半导体层820上的高浓度源区/漏区821和825。
半导体层820包括对应于栅极电极840的多个栅极841和845的多个沟道区域823和827；以及分别形成在多个沟道区域823和827一侧的高浓度源区/漏区821和825。此外，半导体层820包括形成在多个沟道区域823和827之间，即多个栅极841和845之间，的栅区偏置区域830。
通过改变形状使得偏置区域的宽度小于传统偏置区域的宽度，偏置区域830可以具有相对高的电阻值。偏置区域830为高电阻区域，其可以由全部或部分掺杂有与高浓度源区/漏区821和825相同的导电率类型的杂质且掺杂浓度低于高浓度源区/漏区821和825的掺杂浓度的低浓度杂质区域构成，或者可以由未掺杂杂质的本征区域构成。
偏置区域的长度Ld可以保持恒定，同时偏置区域的宽度Wd被减小；该宽度Wd可以保持恒定，同时该长度Ld被增大；或者该宽度Wd可以被减小，同时该长度Ld被增大，使得通过改变偏置区域830的尺寸Wd/Ld可以调整偏置区域的电阻值。偏置区域形状的这种改变可以依据本发明的第六实施例。
根据第五和第六实施例，像素阵列部分的薄膜晶体管可以包括形成在多个栅极之间的偏置区域，并且偏置区域的形状可以被改变成锯齿形形状，或者偏置区域的尺寸可以被调整，由此增加电阻值。当驱动电路部分包括图2所示的薄膜晶体管并且像素阵列部分包括图7A和7B及图8A和8B所示的具有位于多个栅极之间的高电阻偏置区域的薄膜晶体管时，驱动电路部分可以保持传统AMOLED中的高速操作特性。此外，同时，由于薄膜晶体管电阻的增加，像素阵列部分可以减小流入EL装置中的电流量，使得该装置的使用寿命可以延长。
换言之，栅区可以为位于多个栅极之间的偏置区域，而在第五和第六实施例中多个沟道区域可以设置在像素阵列部分的薄膜晶体管中的多个栅极的下方。此外，栅区可以为设置在图2所示的驱动电路部分的薄膜晶体管下方的沟道区域，而且与传统薄膜晶体管相比，驱动电路部分的薄膜晶体管的栅区可以具有小的电阻值，使得可以保持高速操作特性。像素阵列部分的薄膜晶体管的栅区由于偏置区域的形状变化而具有高电阻值，同时通过调整流入EL装置中的电流量产生合适的亮度，使得EL装置的使用寿命可以被延长。
图9显示了根据本发明一实施例的AMOLED的像素阵列部分中的薄膜晶体管的第三示例。
请参照图9，像素阵列部分中的薄膜晶体管包括具有多晶硅膜等的半导体层920、栅极电极940以及源极/栅极电极961和965。半导体层920包括对应于栅极电极940的沟道区域924；以及形成在沟道区域924两侧的源区/漏区921和925。源极/栅极电极961和965通过触点951和955电连接到源区/漏区921和925。
半导体层920还包括位于沟道区域924和漏区925之间的偏置区域927。偏置区域927具有锯齿形形状。根据第七实施例中使用的改变漏区偏置区域形状的方法，改变偏置区域927的尺寸的方法可以包括在减小漏区宽度的同时保持漏区长度恒定。或者，在增加长度的同时可以保持宽度恒定，亦或，在增加长度的同时可以减小宽度。
根据第七实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区925仅显示了具有偏置区域927。然而，可以理解的是，所述偏置区域可以形成在源区921或漏区925中，或者同时形成在源区921和漏区925中。
根据第五和第七实施例，像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区925可以包括偏置区域927，使得电阻值增加。因此，当驱动电路部分包括图2所示的薄膜晶体管并且像素阵列部分包括图9所示的具有漏区偏置区域的薄膜晶体管时，驱动电路部分可以保持传统AMOLED中的高速操作特性。此外，同时，由于薄膜晶体管电阻的增加，像素阵列部分可以减小流入EL装置中的电流量，使得该装置的使用寿命可以延长。
通过采用漏区偏置区域的形状变化来改变根据第七实施例的像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区的电阻值，与传统薄膜晶体管相比驱动电路部分的薄膜晶体管的漏极具有小的电阻值，使得高速操作特性得以保持。由于像素阵列部分的薄膜晶体管的漏区具有高电阻值，所以EL装置的使用寿命可以通过调整流入EL装置中的电流量而产生合适的亮度从而被延长。
根据本发明的实施例，高电阻偏置区域可以形成在像素阵列部分的薄膜晶体管的多个栅极之间或者形成在漏区中。流入EL装置中的电流量可以通过依据偏置区域的掺杂状态改变像素阵列部分的电阻值来调整。形成像素阵列部分的所有薄膜晶体管可以具有偏置区域，或者可以只有所需的薄膜晶体管具有偏置区域。
根据本发明实施例的高电阻偏置区域可以应用于形成像素阵列部分的所有薄膜晶体管，并且可以应用于像素阵列分别中的至少一个薄膜晶体管，例如，应用于仅用于驱动EL的薄膜晶体管。
在本发明的实施例中已显示了半导体层包括“U”形结构并且栅极电极包括双栅极。然而，半导体层和栅极也可以具有用于改变像素阵列部分的薄膜晶体管的电阻值的结构。
根据本发明的实施例，通过调整像素阵列部分的薄膜晶体管的栅区偏置区域或漏区偏置区域的掺杂状态或形状改变电阻值，使得可以获得高速操作特性并且可以通过适当地控制流入EL装置中的电流延长该装置的使用寿命。
虽然本发明已通过参照各种实施例被加以描述，但可以理解的是，本公开是为了通过示例说明本发明，而不是用于限制本发明的范围。在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域的技术人员可以修改和/改变本发明。

Claims (33)

1.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管具有与所述驱动电路部分中的薄膜晶体管不同的电阻值。
2.如权利要求1所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分和驱动电路部分每一个具有多个薄膜晶体管并且其中像素阵列部分中的所述多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管具有比驱动电路部分中的所述多个薄膜晶体管中的任何一个高的电阻值。
3.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管在它的栅区中具有与所述驱动电路部分中的薄膜晶体管不同的电阻值。
4.如权利要求3所述的平板显示器，其中像素阵列部分中的薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管以及驱动电路部分中的薄膜晶体管包括位于其栅区中的偏置区域。
5.如权利要求4所述的平板显示器，其中像素阵列部分和驱动电路部分中的薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管还包括源区/漏区；以及
所述偏置区域为高电阻区域，其是未掺杂、全部掺杂和/或部分掺杂有具有与所述源区/漏区相同的导电率类型的杂质中的一种情况并且具有比源区/漏区低的浓度。
6.如权利要求4所述的平板显示器，其中像素阵列部分中的薄膜晶体管包括位于其栅区中的偏置区域。
7.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管至少在它的漏区中具有与所述驱动电路部分中的薄膜晶体管不同的电阻值。
8.如权利要求7所述的平板显示器，其中像素阵列部分中的薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管以及驱动电路部分中的薄膜晶体管包括位于其漏区中的偏置区域。
9.如权利要求8所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的一个薄膜晶体管以及驱动电路部分中的薄膜晶体管的偏置区域为高电阻区域，其是未掺杂、全部掺杂和部分掺杂有具有与所述漏区相同的导电率类型的杂质中的一种情况并且具有比漏区低的浓度。
10.如权利要求7所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分具有多个薄膜晶体管，并且所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括位于其漏区中的偏置区域。
11.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管具有与所述栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管不同的电阻值。
12.如权利要求11所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括位于其栅区中的偏置区域。
13.如权利要求12所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管还包括源极/漏极；以及
所述偏置区域为高电阻区域，其是未掺杂、全部掺杂和部分掺杂有低浓度的与所述源区/漏区相同的导电率类型的杂质中的一种情况。
14.如权利要求11所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括至少位于其漏区中的偏置区域。
15.如权利要求14所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管的偏置区域为高电阻区域，其是未掺杂、全部掺杂和部分掺杂有低浓度的与所述漏区相同的导电率类型的杂质中的一种情况。
16.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管具有与所述驱动电路部分中的薄膜晶体管不同的几何结构。
17.如权利要求16所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管和所述驱动电路部分中的薄膜晶体管包括锯齿形形状的栅区。
18.如权利要求16所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管和所述驱动电路部分中的薄膜晶体管的栅区相对于至少一个其它的薄膜晶体管具有相同的长度和较短的宽度、相同的宽度和较长的长度、以及较短的宽度和较长的长度中的一种情况。
19.如权利要求17所述的平板显示器，其中所述至少一个薄膜晶体管包括多个栅极，并且还包括位于所述多个栅极之间的高电阻偏置区域。
20.如权利要求19所述的平板显示器，其中在所述至少一个薄膜晶体管中的位于多个栅极之间的偏置区域具有锯齿形形状。
21.如权利要求19所述的平板显示器，其中在所述至少一个薄膜晶体管中的位于多个栅极之间的偏置区域相对于其它薄膜晶体管具有较长的长度和较短的宽度中的至少一种情况。
22.如权利要求19所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括偏置区域。
23.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分与所述驱动电路部分中的薄膜晶体管至少包括具有不同的几何结构的漏区。
24.如权利要求23所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管和所述驱动电路部分中的薄膜晶体管包括锯齿形形状的漏区。
25.如权利要求23所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管和所述驱动电路部分中的薄膜晶体管的漏区相对于其它的薄膜晶体管的漏区具有相同的长度和较短的宽度、相同的宽度和较长的长度、以及较短的宽度和较长的长度中的一种情况。
26.如权利要求24所述的平板显示器，其中所述至少一个薄膜晶体管的漏区包括高电阻偏置区域。
27.如权利要求24所述的平板显示器，其中所述至少一个薄膜晶体管的高电阻漏区偏置区域具有锯齿形形状。
28.如权利要求24所述的平板显示器，其中所述至少一个薄膜晶体管的高电阻漏区偏置区域相对于其它薄膜晶体管的高电阻漏区偏置区域具有较长的长度和较短的宽度中的至少一种情况。
29.如权利要求26所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括高电阻区域。
30.一种平板显示器，包括：
像素阵列部分，具有多个设置在其上的像素；以及
栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分，用于驱动所述像素阵列部分的多个像素，
其中所述像素阵列部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管具有与所述栅极驱动电路部分和数据驱动电路部分中的多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管不同的几何形状。
31.如权利要求30所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括位于其栅区和漏区之一中的偏置区域。
32.如权利要求31所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管的偏置区域具有锯齿形形状。
33.如权利要求32所述的平板显示器，其中所述像素阵列部分中的至少一个薄膜晶体管的偏置区域相对于其它薄膜晶体管的偏置区域具有较长的长度和较短的宽度中的至少一种情况。
CNB2004100346453A 2003-07-18 2004-04-19 平板显示器 Expired - Lifetime CN100511375C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR49076/2003 2003-07-18
KR10-2003-0049076A KR100501704B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 평판표시장치
KR49075/03 2003-07-18
KR10-2003-0049075A KR100501703B1 (ko) 2003-07-18 2003-07-18 평판표시장치
KR49076/03 2003-07-18
KR49075/2003 2003-07-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1577457A true CN1577457A (zh) 2005-02-09
CN100511375C CN100511375C (zh) 2009-07-08

Family

ID=34067482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100346453A Expired - Lifetime CN100511375C (zh) 2003-07-18 2004-04-19 平板显示器

Country Status (2)

Country Link
US (3) US7417252B2 (zh)
CN (1) CN100511375C (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367456A (zh) * 2012-04-10 2013-10-23 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
CN108288603A (zh) * 2017-01-10 2018-07-17 昆山国显光电有限公司 一种tft基板及其制造方法及显示屏

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070082191A (ko) * 2006-02-15 2007-08-21 삼성전자주식회사 유기 전자발광디스플레이 및 그 제조방법
US20070290205A1 (en) * 2006-06-14 2007-12-20 Chin-Sheng Chen Dual-channel thin film transistor
KR100848338B1 (ko) * 2007-01-09 2008-07-25 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 포함하는평판표시장치
JP2014165310A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Japan Display Inc 表示装置
US20220254856A1 (en) * 2020-03-19 2022-08-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and display device
US11908871B2 (en) * 2020-05-14 2024-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN113078189B (zh) * 2021-03-22 2022-08-26 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6067062A (en) * 1990-09-05 2000-05-23 Seiko Instruments Inc. Light valve device
EP0530972B1 (en) * 1991-08-02 1997-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal image display unit
JPH07135323A (ja) * 1993-10-20 1995-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 薄膜状半導体集積回路およびその作製方法
JPH07263705A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Sony Corp 薄膜トランジスタ
TW395008B (en) * 1994-08-29 2000-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor circuit for electro-optical device and method of manufacturing the same
JPH08139335A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JPH08160464A (ja) * 1994-12-09 1996-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JPH09146119A (ja) * 1995-11-27 1997-06-06 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
TW374196B (en) * 1996-02-23 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same
US5808318A (en) * 1996-03-03 1998-09-15 Ag Technology Co., Ltd. Polycrystalline semiconductor thin film for semiconductor TFT on a substrate having a mobility in a longitudinal direction greater than in a width direction
KR100269312B1 (ko) * 1997-10-14 2000-10-16 윤종용 실리콘막의결정화방법및이를이용한박막트랜지스터-액정표시장치(tft-lcd)의제조방법
JP3164047B2 (ja) * 1997-11-28 2001-05-08 日本ビクター株式会社 半導体装置
JP2000284752A (ja) * 1999-01-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
US6506635B1 (en) * 1999-02-12 2003-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method of forming the same
US6674136B1 (en) * 1999-03-04 2004-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having driver circuit and pixel section provided over same substrate
US6531713B1 (en) * 1999-03-19 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and manufacturing method thereof
EP1041641B1 (en) 1999-03-26 2015-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. A method for manufacturing an electrooptical device
JP3522216B2 (ja) * 2000-12-19 2004-04-26 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに液晶表示装置
US6897477B2 (en) * 2001-06-01 2005-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device
JP4141138B2 (ja) * 2001-12-21 2008-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI244571B (en) * 2002-01-30 2005-12-01 Sanyo Electric Co Semiconductor display device
US7002302B2 (en) * 2002-10-07 2006-02-21 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display
KR100466628B1 (ko) 2002-11-12 2005-01-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
TW586144B (en) * 2002-11-15 2004-05-01 Toppoly Optoelectronics Corp Method of forming a liquid crystal display
US7532184B2 (en) * 2003-04-17 2009-05-12 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display with improved white balance

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103367456A (zh) * 2012-04-10 2013-10-23 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
CN103367456B (zh) * 2012-04-10 2016-03-09 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
CN108288603A (zh) * 2017-01-10 2018-07-17 昆山国显光电有限公司 一种tft基板及其制造方法及显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
US8350267B2 (en) 2013-01-08
US20050012100A1 (en) 2005-01-20
US20080191969A1 (en) 2008-08-14
US8659026B2 (en) 2014-02-25
US20130113765A1 (en) 2013-05-09
US7417252B2 (en) 2008-08-26
CN100511375C (zh) 2009-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8659026B2 (en) Flat panel display
CN101043047A (zh) 显示装置及其制造方法
US20060091816A1 (en) Flat panel display
CN101047199A (zh) 有机电激发光显示元件及其制造方法
CN1242924A (zh) 有源矩阵型显示装置
CN1287340C (zh) 平板显示器
CN1735294A (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN1266659C (zh) 具有改进的白平衡的平板显示器
CN1967877A (zh) 薄膜晶体管及其制造方法
CN1218291C (zh) 半导体显示装置及其制造方法和有源矩阵型显示装置
CN101060138A (zh) 非晶硅薄膜晶体管及具有该晶体管的有机发光显示器件
CN1293523C (zh) 具有薄膜晶体管的平板显示器
CN1421935A (zh) 薄膜晶体管的多晶硅层及其显示器
CN1629907A (zh) 平板显示器和制造该平板显示器的方法
CN1581514A (zh) 栅体短路的薄膜晶体管、其制造方法及相关显示器
CN1551372A (zh) 薄膜晶体管及图像显示装置
CN1324696C (zh) 包括多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法
CN1542707A (zh) 具有薄膜晶体管的平板显示器
CN1929707A (zh) 发光型显示器
CN1541037A (zh) 改进白平衡的平板显示器
CN1619837A (zh) 具有串联薄膜晶体管的有源矩阵有机发光装置及其制法
CN1921124A (zh) 平板显示装置和互补金属氧化物半导体
KR100635045B1 (ko) 평판표시장치
KR100501704B1 (ko) 평판표시장치
CN1512596A (zh) 具有轻掺杂漏区/偏移区（ldd/offset）结构的薄膜晶体管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20090109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant after: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Applicant before: Samsung SDI Co.,Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD.

Effective date: 20090109

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121019

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121019

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: SAMSUNG DISPLAY Co.,Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Mobile Display Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090708

CX01 Expiry of patent term