CN108288603A - 一种tft基板及其制造方法及显示屏 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种TFT基板，包括基板本体，以及分别设置在基板本体上的源极、漏极和与源极、漏极连接的有源层，其中，位于同一排晶化线条的源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。这样，位于同一排晶化线条的像素的亮度不完全相同，从而弱化因像素发光相同而使得显示屏出现一排一排线条的现象。本申请还公开一种TFT基板的制造方法及显示屏。

Description

一种TFT基板及其制造方法及显示屏
技术领域
本申请涉及显示屏制造技术领域，尤其涉及一种TFT基板，还涉及一种TFT基板的制造方法及显示屏。
背景技术
随着科技的不断发展，显示屏的种类也不断增加，例如出现液晶显示屏、AMOLED(主动矩阵有机发光二极体面板)等。不论是液晶显示屏，还是AMOLED，均设有TFT(薄膜晶体管)基板。
以AMOLED为例，具体地以LTPS(低温多晶硅)AMOLED为例，TFT基板包括玻璃基板，设置在玻璃基板的有源层、漏极和源极，以及设置在有源层上方的栅极。当OLED(有机发光二极管)需要发光时，先在栅极形成电压，以使得有源层导通。当有源层导通后，电流依次流经源极、有源层和漏极，从而给OLED供电，进而显示屏发光。
然而，现有技术中，AMOLED容易出现一排一排的条纹，影响显示效果。而造成AMOLED出现一排一排条纹(也称mura问题，mura是指显示器亮度不均匀，出现各种痕迹的现象)的原因是，由于激光晶化不均，导致TFT基板出现晶化线条(出现一排一排的条纹)。
因此，如何弱化因TFT基板出现晶化线条而导致显示屏出现一排一排条纹的现象，是需要解决的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种TFT基板，用于弱化现有技术中，因TFT基板出现晶化线条而导致显示屏出现一排一排条纹的现象。
本申请实施例还提供一种TFT基板的制造方法和显示屏，用于弱化现有技术中，因TFT基板出现晶化线条而导致显示屏出现一排一排条纹的现象。
本申请实施例采用下述技术方案：
本申请的TFT基板，包括基板本体，以及分别设置在所述基板本体上的源极、漏极和与所述源极、漏极连接的有源层，其中，位于同一排晶化线条的所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
可选的，位于同一排晶化线条的所述源极所构成的等效电阻相同，位于同一排晶化线条的所述漏极所构成的等效电阻相同，而位于同一排晶化线条的所述有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
可选的，等效电阻不同的所述有源层中，所述有源层的平行于所述基板本体的截面面积不同。
可选的，截面面积不同的所述有源层中，所述有源层均沿直线延伸且宽度相同，而与所述源极的夹角不同。
可选的，位于不同排晶化线条的所述有源层所包含的截面类型相同，而截面类型相同的所述有源层在不同排晶化线条中排列方式不同。
可选的，各所述有源层随机排布在所述基板本体上。
可选的，位于一排晶化线条，设有至少一排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻，其中若设有至少两排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻时，则各排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻分别包含至少三种不同的阻值。
本申请的TFT基板的制造方法，包括步骤：设置基板本体；以及在所述基板本体上分别形成源极、漏极和与所述源极、漏极连接的有源层，其中，位于同一排晶化线条的所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
可选的，随机刻蚀所述有源层的图形。
本申请的显示屏，包括上述中任一项所述的TFT基板。
本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：
本申请实施例采用的方案中，位于同一排晶化线条的源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。当源极、漏极和有源层所构成的等效电阻不同时，显示屏的像素的发光程度不同。因此，当位于同一排晶化线条的源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值时，则位于同一排晶化线条的像素包含至少三种发光亮度。这样，位于同一排晶化线条的像素的亮度不完全相同，从而弱化因像素发光相同而使得显示屏出现一排一排线条的现象。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本申请实施例提供的TFT基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的有源层的排列方式示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
如图1所示，本申请的TFT基板100包括基板本体1，以及分别设置在基板本体1上的源极2、漏极3和有源层4。源极2、漏极3和有源层4可以成为驱动晶体管(TFT)。源极2、漏极3和有源层4可以直接与基板本体1贴合，例如，TFT基板100包括基板本体1，分别设置在基板本体1上的源极2、漏极3和有源层4，覆盖在源极2、漏极3和有源层4上的栅绝缘层(图中未示出)，和设置在栅绝缘层上的栅极(图中未示出)。源极2、漏极3和有源层4也可以间接设置在基板本体1，例如TFT基板100包括基板本体1，设置在基板本体1的栅极，覆盖在栅极和裸露的基板本体1上的栅绝缘层，以及设置在栅绝缘层上的源极2、漏极3、有源层4。
有源层4的一端与源极2连接，一端与漏极3连接。通常，在制造有源层4时，需要激光晶化(激光退火晶化)，以使得有源层4能够形成晶粒，以提高材料的迁移率。
激光晶化时，激光所呈的形状大致为矩形，以能够同时对一排有源层4进行激光。当对一排有源层4完成激光晶化后，再对下一排有源层4进行激光。但是，对不同排有源层4进行激光时，会由于激光的光束能量不均，导致TFT基板100出现晶化线条5(同时激光的有源层4的表面相同，而不同时激光的有源层4的表面不同)。激光晶化时可以沿TFT基板100的数据线(与TFT连接)方向行走，也可以沿TFT基板100的扫描线(与TFT连接)方向行走。
当出现晶化线条5时，位于同一排晶化线条5的源极2、有源层4和漏极3所形成的等效电阻相同，这样位于同一排晶化线条5的OLED的发光程度相同。而位于不同排晶化线条5的源极2、有源层4和漏极3所形成的等效电阻不同，这样位于不同排晶化线条5的OLED的发光程度不同。最终使得显示屏出现一排一排的线条，影响显示屏的显示效果，甚至可能导致显示屏显示不正常。
其中，源极2、有源层4和漏极3用于流经电流，以驱动显示屏发光。以AMOLED为例，电流依次流经源极2、有源层4、漏极3，然后驱动OLED(发光二极管)发光，使得显示屏发光。但是，受源极2、有源层4、漏极3的材质限制，电流流经源极2、有源层4和漏极3时，会有损失(源极2、有源层4和漏极3流经电流时温度会升高)，因此源极2、有源层4和漏极3均可以等效成电阻。源极2、有源层4和漏极3所构成的电路也可以称为像素驱动电路6，源极2、有源层4和漏极3所形成的等效电阻也可以称为像素驱动电路6的等效电阻。以下以AMOLED为例，详细介绍TFT基板100的设置方式。当然本申请的TFT基板100也可以应用于液晶显示屏等。
为减少显示屏出现一排一排的线条，本申请的TFT基板100中，位于同一排晶化线条5的源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。当源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻不同时，则驱动OLED的电流会不同，使得OLED的发光程度不同。当位于同一排晶化线条5，源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值时，则OLED包含至少三种亮度，从而可以弱化因一排OLED的亮度相同而导致显示屏出现一排一排线条的现象。
需要说明的是，激光晶化时，可能会对一排像素驱动电路6同时进行激光，也可能会对多排像素驱动电路6同时进行激光。因此，位于同一排晶化线条，可能包含一排像素驱动电路6，也可能包含多排像素驱动电路6。当包含多排像素驱动电路6时，则每一排像素驱动电路6的等效电阻均包含至少三种阻值。
另外，还可能出现一排像素驱动电路6位于不同的晶化线条(一个晶化线条可能不完全与一排像素驱动电路6对齐，或者说一排像素驱动电路6位于两排晶化线条)。则此时该排像素驱动电路6可以看作位于两排晶化线条的任意一排，也可以看作位于不同于该两排晶化线条的单独一排晶化线条。
此外，为减少刻蚀源极2和漏极3时的难度，将位于同一排晶化线条5的源极2所构成的等效电阻设置的相同(位于同一排晶化线条，对应不同像素驱动电路6的源极部分的图形相同)，将位于同一排晶化线条5的漏极3所构成的等效电阻设置的相同(位于同一排晶化线条，对应不同像素驱动电路6的漏极部分的图形相同)，而将位于同一排晶化线条5的有源层4所构成的等效电阻设置成包含至少三种不同的阻值(位于同一排晶化线条，对应不同像素驱动电路6的有源层4包含至少三种不同的图形)。
等效电阻不同的有源层4中，有源层4的平行于基板本体1的截面面积不同，以能够使得TFT基板100的有源层4同时成膜。下边以一个具体的实施例，详细介绍有源层4的设置方式。
截面面积不同的有源层4，有源层4均沿直线延伸且宽度F相同，而与源极2的夹角E不同。例如，与源极2的夹角E不同的有源层4设有三种。有源层4与源极2的夹角分别为45度、60度和75度。通过上述方式设置，方便设置有源层4。
位于不同排晶化线条5的有源层4所包含的截面类型(有源层4与源极2的夹角的类型)相同。继续沿用上例，每排晶化线条5中，与源极2的夹角E不同的有源层4均设有三种。有源层4与源极2的夹角分别为45度、60度和75度。
进一步地，截面类型相同的有源层4在不同排晶化线条5中排列方式不同，以减少显示屏在垂直于晶化线条5方向，出现一排一排线条的可能性。继续沿用上例，位于不同排晶化线条5，与源极2的夹角为45度的有源层4的排列方式不同，与源极2的夹角为60度的有源层4的排列方式不同，与源极2的夹角为75度的有源层4的排列方式不同。
每排晶化线条5中，截面类型相同的有源层4的个数可以根据需要设定。不同排晶化线条5中，截面类型相同的有源层4的个数可以相同，也可以不同，例如不同排晶化线条5中，与源极2的夹角为60度的有源层4的个数可以相同，也可以不同。
如图2所示，其中A、B、C代表不同种类的有源层，设置有源层4时，有源层4可以随机排布在基板本体1上。即有源层4的设置是随机无规律的，这样像素的亮度也是随机无规律的。这样，可以破坏/扰乱激光晶化时因光束能量造成的不同驱动晶体管(TFT)之间的特指差异，从而达到基本消除晶化不均的效果；大大拓宽了激光晶化等相关工艺的应用范围，提高了产品良率。对于观看者来说，相较于有规律的设置方式，观看者对随机的设置方式更为不敏感。因此，对于观看者来说，随机设置有源层4时的观看效果较好，显示屏的显示较为正常。
本申请的TFT基板100的制造方法中，先设置基板本体1，然后在基板本体1上分别形成源极2、漏极3和与源极2、漏极3连接的有源层4。其中，位于同一排晶化线条5的源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。当源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻不同时，显示屏的像素的发光程度不同。因此，当位于同一排晶化线条5的源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值时，则像素包含至少三种发光亮度。这样，位于同一排晶化线条5的像素的亮度不完全相同，从而弱化显示屏出现一排一排线条的现象。
为减少刻蚀源极2和漏极3时的难度，将位于同一排晶化线条5的源极2所构成的等效电阻设置的相同，将位于同一排晶化线条5的漏极3所构成的等效电阻设置的相同，而将位于同一排晶化线条5的有源层4所构成的等效电阻设置成包含至少三种不同的阻值。
在一个例子中，在基板本体1上分别形成图形化的源极2、图形化的漏极3和与源极2、漏极3连接并呈图形化的有源层4。其中，位于同一排晶化线条5的有源层4所构成的图形包含至少三种，以使得有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
进一步地，可以随机刻蚀有源层4的图形。即有源层4的排布是随机无规律，这样像素的亮度也是随机无规律的。对于观看者来说，相较于有规律的设置方式，观看者对随机的设置方式更为不敏感。因此，对于观看者来说，随机设置有源层4时的观看效果较好，显示屏的显示较为正常。
通常，刻蚀有源层4是通过自动化设备进行刻蚀。因此，刻蚀有源层4之前，可以先将有源层4的不同刻蚀参数输入自动化设备中，并将自动化设备选择刻蚀参数的方式设置为随机选择。
当然，本申请的TFT基板的制造方法可以用于制造前述的TFT基板，该制造方法中省略的内容与前述的TFT基板的内容对应，在此不再详细赘述。
本申请的显示屏包括上述中的TFT基板100。该显示屏中，位于同一排晶化线条5的源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。当源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻不同时，显示屏的像素的发光程度不同。因此，当位于同一排晶化线条5的源极2、漏极3和有源层4所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值时，则像素包含至少三种发光亮度。这样，位于同一排晶化线条5的像素的亮度不完全相同，从而弱化显示屏出现一排一排线条的现象。
以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种TFT基板，其特征在于，包括基板本体，以及分别设置在所述基板本体上的源极、漏极和与所述源极、漏极连接的有源层，其中，位于同一排晶化线条的所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，位于同一排晶化线条的所述源极所构成的等效电阻相同，位于同一排晶化线条的所述漏极所构成的等效电阻相同，而位于同一排晶化线条的所述有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，等效电阻不同的所述有源层中，所述有源层的平行于所述基板本体的截面面积不同。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，截面面积不同的所述有源层中，所述有源层均沿直线延伸且宽度相同，而与所述源极的夹角不同。
5.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，位于不同排晶化线条的所述有源层所包含的截面类型相同，而截面类型相同的所述有源层在不同排晶化线条中排列方式不同。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的TFT基板，其特征在于，各所述有源层随机排布在所述基板本体上。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的TFT基板，其特征在于，位于一排晶化线条，设有至少一排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻，其中若设有至少两排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻时，则各排所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻分别包含至少三种不同的阻值。
8.一种TFT基板的制造方法，其特征在于，包括步骤：
设置基板本体；以及
在所述基板本体上分别形成源极、漏极和与所述源极、漏极连接的有源层，
其中，位于同一排晶化线条的所述源极、漏极和有源层所构成的等效电阻包含至少三种不同的阻值。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，随机刻蚀所述有源层的图形。
10.一种显示屏，其特征在于，包括权利要求1-7中任一项所述的TFT基板。
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