CN1558714A - 高频装置 - Google Patents
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Abstract
本高频装置是在表面设有接地图形的电路基板的正面配置高频电路器件和传送线路，在电路基板上固定金属屏蔽罩以覆盖配置高频电路器件和传送线路。金属屏蔽罩由盖板和接地侧壁构成，该盖板被配置在高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被接合到电路基板的接地图形上，接地侧壁以外的侧面呈开放状。
Description
技术领域
本发明涉及具有金属屏蔽罩构造的高频装置。
背景技术
近年来，信息通信所起到的作用非常之大，而且对于移动通信系统的需求也快速增长起来。在这样的情况下，在便携电话和无绳电话中，从对于系统小型化的要求来看，构成高频电路块的各种仪器的小型化就不断地变得非常重要。
在作为以往的PDC(Personal Digital Cellular system)方式的便携电话的高频电路块内的仪器之一的高频装置，尤其是作为发送用高频放大器的放大元件中，使用着具有良好的高频特性的砷化镓场效果晶体管。
在图7表示了现有技术的一个高频装置的剖面构造(例如，参见特开平11-220226号公报(第3-5页，图1、图7))。该高频装置，在例如四边形的介电体多层电路基板2的背面的凹部安装例如砷化镓场效果晶体管3，并用树脂9来密封该晶体管3。此外，用在介电体多层电路基板2的表面(图7的上侧)的基板图形10上安装的高频电路器件5和带状线6来构成晶体管3的高频匹配电路。进而，用介电体多层电路基板2的表面(图7的上侧)的高频电路器件5和微带线路7来构成晶体管3的电源电路。这些电路通过将导体胶等的导电体填充到过孔用微细孔中而形成的内层的过孔8来互相连接，由此就形成了高频立体电路。
介电体多层电路基板2的表面的高频电路器件5和带状线6，由金属屏蔽罩1屏蔽着。此外，金属屏蔽罩1通过焊接或熔接等来与位于介电体多层电路基板2的上面端部或者端面上的接地图形4导电性地接合着。另外，接地图形4也存在于介电体多层基板的背面。
下面，在图8上表示了考虑到在现有技术的高频装置中的金属屏蔽罩1、介电体多层电路基板2、高频电路器件5和基板图形10的各自的位置和尺寸错位，而在设计上成为必要的距离。
这里，表示了在介电体多层电路基板2的上面端部装上了金属屏蔽罩1的侧壁的结构。在介电体多层电路基板2的介电体材料里，大多使用从放热的角度看热传导性良好的氧化铝。为了在介电体多层电路基板2的表面上做成安装高频电路器件5的基板图形10和带状线6，就需要实施以下的步骤：即，通过将该介电体材料进行印刷电路基板化并对其网板印刷以铜为主要成分的厚膜导体，把其积层压接并烧成介电体和导体，来完成上述的构造。
但是，在印刷、压接、烧成的过程中，用于安装高频电路器件5的基板图形10和带状线6的位置，相对于设计的CAD图面尺寸却错位了最大0.100mm(图8的尺寸D)。此外，还存在着在把烧成后的介电体多层电路基板2分割成个体片时的外形尺寸错位了最大0.100mm(图8的尺寸A)、高频电路器件5的安装位置错位了最大0.150mm(图8的尺寸E)、金属屏蔽罩1的外形尺寸错位了最大0.050mm(图8的尺寸B)、以及在介电体多层电路基板2上焊接或熔接金属屏蔽罩1时的位置错位了最大0.150mm(图8的尺寸C)等。
为此，在现有技术的金属屏蔽罩构造中，考虑到带状线6的位置精度与金属屏蔽罩1的安装位置精度和介电体多层电路基板2与金属屏蔽罩1的尺寸精度的关系，为了使带状线6和金属屏蔽罩1不相接触，就必须设置一定的距离0.450mm，而这也成为了小型化的障碍。
同样地，在现有技术的金属屏蔽罩构造中，考虑到高频电路器件5与金属屏蔽罩1的安装位置精度和介电体多层电路基板2与金属屏蔽罩1的尺寸精度的关系，为了使高频电路器件5和金属屏蔽罩1不接触，就必须设置一定的距离0.550mm(图8的尺寸F)，而这就成为了小型化的障碍。
进而，由于存在上述这些位置和尺寸的错位，就不能使高频电路器件5和金属屏蔽罩1的距离保持恒定，如果这样，就会给高频电路器件5的阻抗值带来影响。而这也就给晶体管的高频匹配带来了影响，是高频装置的特性恶化的重要原因。
此外，在通过焊接或熔接金属屏蔽罩1的侧壁和位于介电体多层电路基板2的侧面的接地图形，来接合金属屏蔽罩1和介电体多层电路基板2的结构中，有如下的问题：即，在金属屏蔽罩1的尺寸和介电体多层电路基板2的外形尺寸有错位时，就会产生金属屏蔽罩1无法装配到介电体多层电路基板2上的问题，或者在金属屏蔽罩1和介电体多层电路基板2的接合部产生拱起(间隙)而发生接触不良。
发明内容
本发明的目的是，鉴于以上的相关点，来提供一种能够在不使高频特性恶化的情况下实现小型化，而且能够使金属屏蔽罩和介电体多层电路基板的接合变得良好的高频装置。
第1发明的高频装置，具备：在表面具有接地图形的电路基板、配置在电路基板正面的高频电路器件和传送线路、以及固定到所述电路基板上的用以覆盖高频电路器件和传送线路的金属屏蔽罩。该金属屏蔽罩由盖板和接地侧壁构成，该盖板被配置在高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被具有导电性连接地接合到电路基板的接地图形上，接地侧壁以外的侧面呈开放状。
如果根据该结构，就是在金属屏蔽罩的侧面上部分地设有接地侧壁，在其以外的部分呈开放状不设置侧壁。其结果是，对于金属屏蔽罩的侧面的开放部分，就没有必要考虑金属屏蔽罩的外形尺寸错位和在把金属屏蔽罩固定到电路基板时的位置错位。因此，就可以扩大在电路基板的表面上的高频电路器件或者传送线路等的可安装区域。其结果是，能够使电路基板变小，能够使高频装置小型化。此外，通过接地侧壁的板簧效果，就能够吸收掉金属屏蔽罩和电路基板之间的尺寸的误差，能够使金属屏蔽罩和介电体多层电路基板的接合变得良好。
此外，第2发明的高频装置，具备：在表面具有接地图形的电路基板、配置在电路基板正面的高频电路器件和传送线路、以及固定到所述电路基板上的用以覆盖高频电路器件和传送线路的金属屏蔽罩。该金属屏蔽罩由盖板、接地侧壁和非接地侧壁构成，该盖板被配置在高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被具有导电性连接地接合到电路基板的接地图形上，该非接地侧壁邻接接地侧壁并被设置成从盖板的边缘的其他部分垂下、而且比接地侧壁还要短的状态，在接地侧壁和非接地侧壁的边界上具有朝下方开放的切口，接地侧壁和非接地侧壁以外的侧面呈开放状。
如果根据该结构，就是在金属屏蔽罩的侧面上，部分地设有接地侧壁和非接地侧壁，在其以外的部分呈开放状不设置侧壁。其结果是，对于金属屏蔽罩的侧面的开放部分，就没有必要考虑金属屏蔽罩的外形尺寸错位和在把金属屏蔽罩固定到电路基板时的位置错位。因此，就可以扩大在电路基板的表面上的高频电路器件或者传送线路等的可安装区域。其结果是，能够使电路基板变小，能够使高频装置小型化。
此外，通过接地侧壁的板簧效果，就能够吸收掉金属屏蔽罩和电路基板之间的尺寸的误差，能够使金属屏蔽罩和电路基板的接合变得良好。
在上述第2发明的高频装置中，在非接地侧壁形成为比高频电路器件的高度长，而且非接地侧壁的下端对接到电路基板的正面的状态下，接地侧壁最好被接合到电路基板的接地图形上。
如果根据该结构，金属屏蔽罩的非接地侧壁成为支柱，那么对于从金属屏蔽罩的上方施加的力，就能够提高金属屏蔽罩的强度，能够防止金属屏蔽罩由外力产生变形而接触高频电路器件。
此外，在上述第2发明的高频装置中，金属屏蔽罩的侧面的开放部分最好被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件。
如果根据该结构，就能够在金属屏蔽罩的侧面的开放部分配置高频电路器件，还能够扩大在电路基板的表面上的高频电路器件的可安装区域，并能够使高频装置变得小型化。
综上所述，当金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件时，金属屏蔽罩的侧面的开放部分最好呈拱形状。
如果根据该结构，由于侧壁的开放部分呈拱形状，就能够抑制并减少通过开放金属屏蔽罩的侧面的一部分而造成的金属屏蔽罩的强度下降。因此，对于来自金属屏蔽罩的上方的力就能够不断保持强度，并能够实现对电路基板的高频电路器件的安装数的增加或者高频装置的小型化。
此外，如上所述，当金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件时，在金属屏蔽罩的侧面的开放部分，最好配置其阻抗值对其与所述金属屏蔽罩之间的距离的影响很敏感的高频电路器件。
如果根据该结构，就能够把由于金属屏蔽罩的电磁场干涉而产生的高频电路器件的高频特性恶化限制到最小。
此外，如上所述，当金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件时，最好在临近金属屏蔽罩的侧面的开放部分的位置上配置流过小的高频信号功率的小功率用高频电路器件，在临近金属屏蔽罩的侧面的非开放部分的位置上配置流过大的高频信号功率的大功率用高频电路器件。
如果根据该结构，通过在临近金属屏蔽罩的侧面的开放部分的位置上配置流过小的高频信号功率的小功率用高频电路器件，在临近金属屏蔽罩的侧面的非开放部分的位置上配置流过大的高频信号功率的大功率用高频电路器件，就能够在维持与现有技术的高频装置同样的密封特性的情况下，来实现小型化。
在上述第2发明的高频装置中，最好是金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件。
如果根据该结构，由于金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设置为一定的高度和宽度，以使其不接触配置在电路基板上的高频电路器件，所以就能够在电路基板的表面中扩大设置传送线路的区域，能够使高频装置变得小型。对于传送线路，只要确保开放金属屏蔽罩的侧壁的高度比高频电路器件低0.050～0.150mm的程度就足够了。
如以上说明，如果根据本发明的高频装置，通过开放金属屏蔽罩的侧壁的一部分，就能够实现增加可没置在电路基板的表面的高频电路器件和传送线路的占有率，并能够实现高频装置的小型化。
此外，通过进行与金属屏蔽罩的侧壁的有无对应的高频电路器件的配置场所的最佳设计，就能够使特性更加稳定，或者，不使密封性能恶化就能够实现高频装置的小型化。
此外，由于通过部分地形成侧壁或者在接地侧壁和非接地侧壁的边界上加入切口，就使接地侧壁起到了板簧的功能，所以即使在电路基板和金属屏蔽罩之间有尺寸错位，也能够被吸收。
附图说明
图1是表示在本发明的第1实施例中的高频装置的1个例子的概略图。
图2是表示在本发明的第2实施例中的高频装置的第1个例子的概略图。
图3是表示在本发明的第2实施例中的高频装置的第2个例子的概略图。
图4是表示在本发明的第2实施例中的高频装置的第3个例子的概略图。
图5是表示在本发明的第2实施例中的高频装置的第4个例子的概略图。
图6是表示在本发明的第5实施例中的高频装置的1个例子的概略图。
图7是表示现有技术的高频装置的1个例子的剖面图。
图8是表示现有技术的高频装置的放大剖面图。
图9是表示在使金属屏蔽罩和片状线圈靠近时的片状线圈的电感值的变化的特性图。
具体实施方式
(第1实施例)
图1表示了本发明的第1实施例的高频装置的构造的一个例子。该高频装置，如图1所示，具备：在表面设有接地图形(参见图7)的例如由氧化铝构成的比如四边形的介电体多层电路基板2、在介电体多层电路基板2的正面上配置的高频电路器件5和传送线路(参见图7)、以及例如由镍构成的金属屏蔽罩1。
金属屏蔽罩1是通过板金成形或者冲压加工等来制造，由例如四边形的盖板12和接地侧壁11来构成的，接地侧壁11以外的侧面呈开放状。盖板12被配置在高频电路器件5的上方与介电体多层电路基板2大致平行。此外，接地侧壁11被设置成从盖板12的四个边中相对的两边的分别一部分，在本例中是从中央部分垂下的状态、具有弹性并且被具有导电性连接地接合到介电体多层电路基板2的接地图形上。另外，在盖板12和高频电路器件5的上面之间设有预定的间隙。
更详细地说，该高频装置是把金属屏蔽罩1的接地侧壁11导电性的机械的接合到设在例如四边形的介电体多层电路基板2的端面(表面)上的接地图形(参见图7)。金属屏蔽罩1具有只留下了一对用于接地的接地侧壁11，并除去其他四个侧壁的结构。金属屏蔽罩1的接地侧壁11通过焊接或者熔接被固定到设在介电体多层电路基板2的端面上的接地图形上。
由此，就确保了在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间设置高频电路器件5的空间。这样，在金属屏蔽罩1中的没有接地侧壁11的部分，就能够扩大在介电体多层电路基板2的正面上的高频电路器件5的可安装区域，并能实现高频装置的小型化。在图1中，实线G表示现有技术中的高频电路器件的可安装区域，虚线H表示在第1实施例中增加了的高频电路器件的可安装区域。此外，图1表示在把金属屏蔽罩1固定到介电体多层电路基板2之前的状态。在金属屏蔽罩1被固定到介电体多层电路基板2之后，在两者的连接部分就变成了与图7同样的剖面状态。
也就是说，在金属屏蔽罩1的侧面，部分地设有接地侧壁11，但在其以外的部分没有设侧壁。其结果是，对于没有设侧壁的部分，即金属屏蔽罩1的侧面的开放部分，为了避免高频电路器件5或传送线路与金属屏蔽罩1相接触，没有必要考虑金属屏蔽罩1的外形尺寸错位和在把金属屏蔽罩1固定到介电体多层电路基板2时的位置错位。因此，就能够扩大在介电体多层电路基板2的表面上的高频电路器件5或者传送线路的可安装领域。其结果是，能够使介电体多层电路基板2变小，能够使高频装置小型化。
在现有技术的高频装置中，必须从介电体多层电路基板2的端面到基板图形10分开来0.550mm的距离，但是在本发明的第1实施例中，从介电体多层电路基板2的端面到基板图形10只要分开来0.350mm的距离就可以。
此外，通过做成图1所示的形状的接地侧壁11，就能使接地侧壁11起到板簧功能，能够使其具有弹性。因此，即使在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间有尺寸错位，也能够利用板簧所具有柔韧效果来吸收尺寸错位。即，通过侧壁11的板簧效果，就能够吸收金属屏蔽罩1和介电体多层电路基板2之间的尺寸的误差，能够使金属屏蔽罩1和介电体多层电路基板2的接合变得良好。
综上所述，如果根据本发明的第1实施例的高频装置，通过利用在用于和介电体多层电路基板2的接地图形相接合的接地侧壁11以外没有侧壁的金属屏蔽罩1，就能够实现对介电体多层电路基板2的高频电路器件5等的安装数的增加或者高频装置的小型化，并且能够吸收介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间的尺寸错位。
(第2实施例)
在图2表示了本发明的第2实离例的高频装置的构造的1个例子。该高频装置，如图2所示，具备：在表面设有接地图形(没有图示)的例如由氧化铝构成的比如四边形的介电体多层电路基板2、在介电体多层电路基板2的正面上配置的高频电路器件5和传送线路(没有图示)、以及例如由镍构成的金属屏蔽罩1。
该金属屏蔽罩1是通过板金成形或者冲压加工等来制造，由例如四边形的盖板12、接地侧壁11和非接地侧壁14来构成的，在接地侧壁11和非接地侧壁14的边界，设有向下方开放的切口13，接地侧壁11和非接地侧壁14以外的侧面呈开放状。盖板12被配置在高频电路器件5的上方与介电体多层电路基板2大致平行。此外，接地侧壁11被设置成从盖板12的四个边中相对的两边的分别一部分，在本例中是从中央部分垂下的状态并具有弹性，而且被具有导电性连接地接合到介电体多层电路基板2的接地图形上。非接地侧壁14邻接着接地侧壁并被设置成从盖板12的边缘的其他部分垂下、而且比接地侧壁还要短的状态。
更详细地说，该高频装置是把金属屏蔽罩1的接地侧壁11导电性的机械的接合到设在例如四边形的介电体多层电路基板2的端面(表面)上的接地图形(参见图7)。金属屏蔽罩1把接地侧壁11设置为从例如四边形的盖板12的四边中相对的两边的各自的中央部垂下的状态，在其两侧通过切口13来设置非接地侧壁14。该非接地侧壁14蔓延到盖板12的其他两边而形成。在盖板12的其他两边的中央部分，设有开放部15，该开放部被设定为一定宽度和高度，以使不接触高频器件5。在盖板12和高频器件5的上面之间设有预定的间隔。
金属屏蔽罩1的接地侧壁11通过附着软焊料焊接或者熔接被固定到与介电体多层电路基板2的接地图形相接合的状态，确保了在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间设置高频电路器件5的空间。
此外，在金属屏蔽罩1中，通过使非接地侧壁14的长度比高频电路器件5的高度长，使非接地侧壁14的下端对接到介电体多层电路基板2的边缘的上面，来使其具有支柱的功能。该支柱确保了在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间设置高频电路器件5的空间。由此，就能够提高对来自金属屏蔽罩1的上方的力的强度。其结果是，能够防止金属屏蔽罩1由于外力产生变形而接触高频电路器件。
如图2所示，开放部15虽然是使金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的一部分不接触高频电路器件5而开放着，但是通过使该开放部15在金属屏蔽罩1的侧面中央，在其两侧留下一部分非接地侧壁14，就能够实现高频电路器件5的安装面积的扩大和高频装置的密封强度的提高。如果对高频装置有进一步小型化的希望，其就能通过扩大金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的开放部15来实现。
此外，通过如图2所示的在接地侧壁11加入切口13就能够使侧壁起到板簧的功能，引出弹性，即使在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间有尺寸错位，也可以利用板簧所具有的柔韧效果来吸收尺寸错位。在图2中，实线G表示现有技术中的高频电路器件的可安装区域，虚线H表示在第2实施例中增加了的高频电路器件的可安装区域。此外，图2表示在把金属屏蔽罩1固定到介电体多层电路基板2之前的状态。在金属屏蔽罩1被固定到介电体多层电路基板2之后，在两者的连接部分就变成了与图7同样的剖面状态。
此外，如果根据本发明的第2实施例，通过使金属屏蔽罩1的侧面的中央部分不接触高频电路器件5而开放，和在其两侧部分设置非接地侧壁14，就可以与第1实施例同样地，能够实现对介电体多层电路基板2的高频电路器件5的安装数的增加或者高频装置的小型化和密封强度的提高。此外，通过在接地侧壁11和非接地侧壁14的边界上加入切口13，就可以吸收在介电体多层电路基板2和金属屏蔽罩1之间的尺寸错位。
另外，在第2实施例中，虽然在图2中把金属屏蔽罩1的侧面中开放的地方放到了侧面中央，但是在如图3所示在对角位置具有开放部15的结构，或者如图4所示在中央部具有非接地侧壁14的结构，也能获得同样的效果。进而，通过如图5所示把金属屏蔽罩1的侧面的开放部15做成拱形，就能够对来自金属屏蔽罩1的上方的力不断保持强度，同时能够实现对介电体多层电路基板2的高频电路器件5的安装数的增加或者高频装置的小型化。
另外，在第1实施例和第2实施例中，虽然使接地侧壁11成为1对，但是1个或者多个也都可以。
此外，在第2实施例中，记载了在金属屏蔽罩1的1个侧面中，接地侧壁11和非接地侧壁14在大、小的两个阶段上长度不同。但是，这只是1个例子，在3种以上的多个阶段长度不同，或者长度在中间连续地变化，也就是说，从接地侧壁11到非接地侧壁14的过程中长度连续地变化，也都可以。
(第3实施例)
下面，针对本发明的第3实施例进行说明。
本发明的第3实施例，在图2所示的高频装置中，在使金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的一部分以不接触高频电路器件5而开放着的状态下，具有设置例如片状线圈的高频电路器件5的构造，该高频电路器件5的阻抗值随其与邻接金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的金属屏蔽罩1的距离而敏感地受影响。
在图9表示了在靠近金属屏蔽罩1和作为高频电路器件5的片状线圈(片状电感线圈)时的片状线圈的电感值的变化。虽然也对片状线圈的图形构造和方向性有依赖，但是金属屏蔽罩1在片状线圈的旁边从0.80mm到0.10mm的距离靠近时的电感值的标称值在1nH变化约20％。该电感值的变化是使高频装置的特性恶化的原因。
根据本发明的第3实施例，就能够回避由于现有技术的高频装置中具有的高频电路器件5与金属屏蔽罩1的安装位置精度和介电体多层电路基板2与金属屏蔽罩1的尺寸精度不合规格的发生，而产生的高频电路器件5和金属屏蔽罩1的距离的变动对高频电路器件5的阻抗值的影响。
综上所述，如果根据本发明的第3实施例，通过在以不使金属屏蔽罩1的侧面接触高频电路器件5而开放的开放部15，尤其是在金属屏蔽罩1接近时配置在特性上受影响的高频电路器件5，就能够提供不受金属屏蔽罩1的影响的特性稳定的并且小型的高频装置。
(第4实施例)
下面，针对本发明的第4实施例进行说明。
本发明的第4实施例，在如图2所述的高频装置中，在使用作为确保金属屏蔽罩1和介电体多层电路基板2之间能够设置高频电路器件5的空间的支柱的金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的结构中，具有如下电路设计的构造：即，在金属屏蔽罩1的侧面的中央部分以高频电路器件5不接触的高度和宽度来形成开放部15，其两侧部分(非接地侧壁14)作为支柱残留的结构中，在临近开放部15并配置DC电源电路器件和流过小的高频信号功率的高频电路器件5。此外，使流过大的高频信号功率的高频电路器件5临近并配置在金属屏蔽罩1中的侧壁残留的地方。
综上所述，如果根据本发明的第4实施例，通过对应于金属屏蔽罩1的侧壁的有无，在有侧壁时就设置流过大的高频信号功率的高频电路器件5，在没有侧壁时就设置流过小的高频信号功率的高频电路器件5，就能够维持与现有技术的高频装置同样的屏蔽特性，并且能够变得小型化。
(第5实施例)
下面，针对本发明的第5实施例进行说明。
图6表示了本发明的第5实施例的构造。如图6所示，第5实施例与在第2实施例中说明的构造相类似。图6的高频装置具有以使不接触设置在介电体多层电路基板的表面的带状线等的传送线路16而开放只有0.050～0.150mm的高度的结构。其他与第2实施例是相同的。另外，在图6中，实线I表示现有技术中的传送线路的可接地区域，实线J表示通过第5实施例增加了的传送线路的可接地区域。
在现有技术的高频装置中，为了使金属屏蔽罩1不与传送线路16相接触就必须从介电体多层电路基板2的端面到传送线路16分开0.400mm的距离，而为了不需要考虑有关金属屏蔽罩1的影响(与在第1实施例中的说明相同)，在本发明的第5实施例中，从介电体多层电路基板2的端面到传送线路16只要分开0.200mm的距离就可以了。
综上所述，如果根据本发明的第5实施例，通过在高频装置中设有以使传送线路16不接触而开放金属屏蔽罩1的非接地侧壁14的结构，就可以实现对介电体多层电路基板2的传送线路16的设置面积的增加或者高频装置的小型化。
另外，在上述各实施例中，虽然是用介电体多层电路基板2进行说明的，但是对于通常的电路基板也是通用的。
Claims (12)
1.一种高频装置，
具备在表面具有接地图形的电路基板；
配置在所述电路基板正面的高频电路器件和传送线路；以及
固定到所述电路基板上的用以覆盖所述高频电路器件和传送线路的金属屏蔽罩，其特征在于：
所述金属屏蔽罩由盖板和接地侧壁构成，该盖板被配置在所述高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被具有导电性连接地接合到所述电路基板的接地图形上，所述接地侧壁以外的侧面呈开放状。
2.一种高频装置，
具备在表面具有接地图形的电路基板；
配置在所述电路基板正面的高频电路器件和传送线路；以及
固定到所述电路基板上的用以覆盖所述高频电路器件和传送线路的金属屏蔽罩，其特征在于：
所述金属屏蔽罩由盖板、接地侧壁和非接地侧壁构成，该盖板被配置在所述高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被具有导电性连接地接合到所述电路基板的接地图形上，该非接地侧壁邻接所述接地侧壁并被设置成从所述盖板的边缘的其他部分垂下、而且比所述接地侧壁还要短的状态，在所述接地侧壁和所述非接地侧壁的边界上具有朝下方开放的切口，所述接地侧壁和所述非接地侧壁以外的侧面呈开放状。
3.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于：在所述非接地侧壁形成为比所述高频电路器件的高度长，而且所述非接地侧壁的下端对接到所述电路基板的正面的状态下，所述接地侧壁被接合到所述电路基板的接地图形上。
4.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于：所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设定为使其不接触配置在所述电路基板上的所述高频电路器件的高度和宽度。
5.如权利要求3所述的高频装置，其特征在于：所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设定为使其不接触配置在所述电路基板上的所述高频电路器件的高度和宽度。
6.如权利要求5所述的高频装置，其特征在于：所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分成为拱形形状。
7.如权利要求5所述的高频装置，其特征在于：在所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分，配置其阻抗值对其与所述金属屏蔽罩之间的距离的影响很敏感的高频电路器件。
8.如权利要求6所述的高频装置，其特征在于：在所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分，配置其阻抗值对其与所述金属屏蔽罩之间的距离的影响很敏感的高频电路器件。
9.如权利要求5所述的高频装置，其特征在于：在临近所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分的位置上配置流过小的高频信号功率的小功率用高频电路器件，在临近所述金属屏蔽罩的侧面的非开放部分的位置上配置流过大的高频信号功率的大功率用高频电路器件。
10.如权利要求6所述的高频装置，其特征在于：在临近所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分的位置上配置流过小的高频信号功率的小功率用高频电路器件，在临近所述金属屏蔽罩的侧面的非开放部分的位置上配置流过大的高频信号功率的大功率用高频电路器件。
11.如权利要求2所述的高频装置，其特征在于：所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设定为使其不接触配置在所述电路基板上的所述传送线路的高度和宽度。
12.如权利要求3所述的高频装置，其特征在于：所述金属屏蔽罩的侧面的开放部分被设定为使其不接触配置在所述电路基板上的所述传送线路的高度和宽度。
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