CN1545484A - 制造微机电构件的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种制造微机电构件的方法。为得到一种节省空间的微机电构件触点接通，本发明规定，微机电构件(27)由一个包括第一侧(2)和基本上与第一侧(2)相对的第二侧(4)的基片(6)构成，其中，至少第一侧(2)有至少一个微机电元件(5)，为此，在基片(6)内嵌入至少一个导电通道(8)，它连接第一侧(2)与第二侧(4)。

Description

制造微机电构件的方法
本发明涉及一种制造微机电(mikro-elektromechanisch)构件的方法以及一种封装的微机电构件。本发明尤其涉及一种在包括结构化支座的晶片组件(Waferverband)内制造封装的微机电构件的方法，以及一种包括结构化支座的封装的微机电构件。
微机电学被认为是当今的关键技术之一。微机电系统(MEMS)在传感技术、光学和通讯技术中有很多潜在的和已经存在的应用。例如MEMS构件一些年以来已看到在汽车工业中应用于气囊作为加速度传感器。根据由MEMS产品欧州销售组织NEXUS于2002年做的市场调查报告，MEMS工业的年度增长率可达20％。
然而在MEMS功能块中往往存在这样的问题，即，触点接通在其空间上的布局对MEMS功能块机械部件的功能有不利的影响。通常，微机械结构与功能块的电接头一样处于功能块的同一侧。但尤其在具有光学功能的MEMS功能块中，这些接头必须被置于与具有微机械元件相对的那一侧上，从而例如当固定在印刷电路板上时这些微机械元件不被遮盖。为此，触点通常侧向地在微机电构件周围在功能块的外壳内导引。在这种情况下的缺点主要是，这种触点接通的方式是占很大的空间并因而与微型化相矛盾。此外，这样一种触点接通要求孤立这些构件，为的是触点能在周围导引。因此，这种方法也不适合在晶片组件中实施。
因此本发明的目的是克服或至少减轻在MEMS构件中以及在其制造时的上述缺点。
此目的通过按权利要求1的方法以及按权利要求29的MEMS构件以意想不到的简单的方式达到。
按本发明，微机电构件由一个包括第一侧和基本上与第一侧相对的第二侧的基片构成，其中至少第一侧有至少一个微机电元件，其中，在基片内嵌入至少一个导电通道，它连接第一侧与第二侧。以此方式，通过按本发明的方法在基片的第一侧与第二侧之间提供了一种导电连接。由此可以特别节省空间的方式将微机电元件的触点接通布设在基片上与这些元件相对的一侧上。
此外，此方法优选地包括将至少一个支座固定在基片第一侧上的步骤。在这里，固定支座和嵌入导电通道的工作步骤的顺序不是固定的。例如，支座的固定可以在通道的嵌入之前或之后进行。同样，通道的嵌入也可以分成多个步骤进行。在这种情况下也可以在实施嵌入的两个工艺步骤之间固定支座。
特别优选地，固定支座或嵌入至少一个导电通道的步骤中至少一个在晶片组件中实施。这就允许特别经济地制造MEMS功能块。此外，通过固定支座达到至少部分包装晶片组件内的功能块，相应地成为“Wafer-Level-Packaging(晶片水平封装)”。
借助导电通道可按有利的方式尤其从基片的相对侧实现与微机械部件电接头的穿透式电触点接通。以此方式可以在基片上有微机械部件的那一侧避免占用很大空间和妨碍构件功能的触点接通。
导电通道的嵌入可以不同的方式实现，其中不同的加工可能性也可以根据基片的材料选择。
尤其是，嵌入导电通道的步骤包括通过去除基片材料制造一个凹槽的步骤。
凹槽可根据基片材料用不同的方法制成。例如，这种凹槽可借助于蚀刻法制造。例如对于硅半导体基片尤其适用一种各向异性的干蚀刻法，例如以SF6根为基础的“ASE-法”。不同的湿蚀刻法，诸如用KOH碱液的各向异性蚀刻，也适用于这种半导体基片，KOH碱液对于Si晶片也提供(100)定向。为了制成凹槽也可以采用磨削或超声波振荡研磨。
此外，有利地此方法除嵌入导电通道的步骤外还包括用导电材料充填通道的步骤。
作为材料可首先采用一种导电的环氧化物。用这种环氧化物充填意味着这是一种可易于实施的方法的方案。为了能使导电通道有特别低的电阻，有利的是导电材料包括一种金属，它通过电渡沉积在凹槽内。
导电连接同样可以借助加入填料或离子植入制成，所以至少使得为了加入填料区而去除基片材料的步骤成为多余。
尤其是为了穿透式触点接通建立微机电元件与导电通道的电连接，有利的是此方法附加地还包括制成至少一个电接触面的步骤。导电通道可与此接触面直接接触，或通过一电连接装置，例如印制导线，连接在接触面上。
优选地，将接触面制在基片的第一侧上。
此外，基片可有利地被减薄。由此主要达到可以减小导电通道所需要的深度。在这方面特别有利的是，基片的减薄在固定支座后进行。因为与基片连接的支座给予基片附加的强度，故以此方式可使基片进一步减薄，不会使基片机械过载并导致破坏，这在未固定支座时是可能发生的。例如，按此方法的一种优选的设计，基片在第一侧上与支座，例如一块薄玻璃板粘结。由此保护在基片上的微机械元件并使此结构获得附加的稳定性。作为胶粘剂通常可采用一种恰当的环氧树脂。然后此基片可在背侧通过磨削过程机械地减薄，机械的稳定性仍由支座保证。
导电通道尤其可借助将基片磨薄制成，为此光学晶片的第一侧通过摄影平版术结构化并加工成形式上为蚀刻沟的凹槽。在此方案中，导电通道优选地在连接微机电元件的接触面或连接垫(Bondpad)旁。蚀刻沟然后充填导体，并从蚀刻沟到连接垫安放印制导线。之后，安装透明的盖，以及接着晶片在背面减薄到，使蚀刻沟导致电的充填物在第二侧露出。
基片可以包括许多恰当的材料。除了常用于MEMS功能块的半导体材料外，基片同样也包括玻璃、金属、陶瓷、压电材料、塑料或复合材料。
此外，此方法可有利地通过制成结构化的支座而进一步改进。在这里，结构化既可以在已经与基片组合的状态下整个或部分地进行，也可以在与基片分开的情况下进行。
支座的结构化可有利地包括加入至少一个构成空穴和/或通孔的结构的步骤。空穴可例如用于容纳流体，或也可围绕在基片上微机电元件突出的部分。借助通孔可实现微机电元件与周围的联系，从而例如光可无阻碍地照射在微机电部件上。
此外，支座可这样结构化，即，使它包括至少一个小沟，尤其是V形槽，其中，小沟优选地沿支座表面的一个方向延伸。这样一些小沟可尤其用于容纳光学纤维。
通常可借助结构化在支座内或支座上制成机械配合面。因此，嵌入配合面内的元件可以在相对于基片亦即相对于一些微机械元件准确定位的情况下嵌入。这样一种配合面尤其适用于光学元件，例如波导管、光学透镜或棱镜。
然而，光学元件与支承件可以不只是通过机械配合面连接。确切地说，支座本身也可以按这样的方式结构化，即，使它有一些光学部件。这些组合在内的光学元件可例如包括透镜或光栅。
对于某些MEMS应用也可能有利的是，支座结构化的步骤包括制造一个尤其用于至少一个光学元件和/或至少另一个支座的定距器的步骤。借助定距器可例如增加透镜的焦距并因而减少其图象误差。不过定距器也可以利用于其他部件和其他目的。定距器例如还可以实现离另一个微机械部件有一个规定的距离。
按本发明，对于更复杂的应用MEMS功能块可尤其有利地这样制造，即除了制成结构化的支座的步骤外，还包括制造一个尤其用于流体和/或光学元件和/或压电元件和/或微机械元件和/或电子元件的安装座。通过制造方法的这种改进创造了可能性，平行地在MEMS构件内组合多种多样的功能。
对于某些应用，MEMS元件也可以处于基片的相对侧。对于这种结构可特别有利的是，在相对侧上的结构之间建立连接。因此，此方法也可以包括嵌入另一些通道的步骤，它们在结构之间建立功能上的联系。为此特别恰当的例如是导光、导流体或导热的通道。
按本发明方法的一种优选的实施形式，至少一个的导电通道从基片的第一侧那里嵌入，以及，支座在嵌入此至少一个的导电通道后固定。
按另一种优选的实施形式，至少一个的导电通道从基片的第二侧那里嵌入。在这种情况下盖可以在通道嵌入之前或之后固定。
为了使MEMS功能块或固定在印刷电路板上或固定在另一个基片上，以及建立功能块要求的电触点接通，此方法还可以包括在至少一个的导电通道上施加焊珠的步骤。若有许多电接头要借助配置的相应的导电通道穿过基片触点接通，则以此方式在基片的第二侧造成“Ball Grid Array(珠网阵列)”。
通过借助嵌入基片内的导电通道实现的穿透式触点接通还提供了一种特别有利的可能性，加上另外的基片。例如此基片包括集成的半导体电路装置或包括有另一些MEMS元件的基片。因此，通过按本发明的方法可以制造三维MEMS系统，亦即三维MEMS功能块。
在本发明的范围内还提供一种微机电构件，它尤其用上述按本发明的方法制造，其中，此微机电构件有一个具有第一侧和基本上与第一侧相对的第二侧的基片，以及其中，微机电构件的第一侧包括至少一个微机械元件。在这里，基片附加地有至少一个导电通道，它连接第一侧与第二侧。
按此构件的一种特别优选的实施形式，构件有一个支座，它与基片的第一侧连接。支座保护微机电元件防止周围的有害影响，例如防止机械损伤的危险。
构件的盖可至少有一个光学元件，尤其一个棱镜和/或一个光栅和/或一个透镜和/或一个滤光器。由此，对于光学的应用有利地可以在此构件中已经组合有规定的光学功能，因此例如也可以按紧凑的结构方式实现一个包括MEMS构件的光学系统的总体结构。
此外，支座可有至少一个空穴和/或通孔，例如为了能容纳或导引流体。
有利地，支座也可以有至少一个配合面。这样一个配合面允许装入其中的元件的准确定位。此配合面可例如适用于安装光学元件，尤其透镜和/或波导管和/或光栅和/或棱镜。
除这些配合面外，支座还可以包括至少一个安装座。在此安装座内可主要安装电路装置和/或压电元件和/或有源或无源的电子元件。以此方式可以在构件内组合一些附加的功能。例如可以在那里安装一个电子电路，它提供用于控制微机电元件的电压。也可以按此方式安装例如有源或无源的电子过滤元件，它们可例如用于稳定微机电元件的控制电压。
按特别简单的方式，支座与基片尤其借助环氧树脂通过粘结连接。
尤其是，支座也可以有多个层。它们主要可用于提高强度。也可以通过组合多个层，在支座上或支座内部将不同的功能性结构互相组合在一起。
借助于通过导电通道建立的穿透式触点接通，尤其还可以制成一种有多个上下堆叠的基片的构件。除了上下堆叠的具有MEMS元件的基片外，例如具有集成的电子电路的基片还可以与第一基片组合。根据它们的功能，各基片也可以包括不同的材料。为此，这样的一种多层构件包括至少两个叠置的基片，其中，此另一个基片有至少一个连接触点，以及其中，在基片至少一个的导电通道与至少一个的另一个基片的连接面之间存在一个电触点。
下面借助优选的实施例并参见附图详细说明本发明，在各附图中相同的符号表示相同或类似的组成部分。
其中：
图1A至1E：借助通过晶片的横截面图表示按本发明的方法第一种实施形式制造微机电构件的工艺步骤；
图2A至2B：借助图1D和1E所示工艺步骤的一种改型；
图2C：通过一个从晶片切下的MEMS功能块的横截面图；
图3A至3D：借助通过晶片的横截面图表示按本发明的方法另一种实施形式制造微机电构件的工艺步骤；以及
图4：具有多层结构化的支座以及互相堆叠的基片的MEMS功能块。
下面首先参见图1A至1E，它们借助基片晶片1局部的横截面图，表示按本发明的方法的第一种实施形式制造微机电构件的工艺步骤。
下面说明的工艺步骤在此实施例中晶片组件中实施。至图1A中表示的加工阶段，晶片1已设有微机电结构5。在晶片1上有许多小片11、12、13，其中用11表示的小片是完整的。各微机电构件在晶片组件中通过切下小片11、12、13获得。微机电元件5为了供电与接触面3连接。接触面和微机电结构处于晶片1的基片6的第一侧2上。现在的目的是，要建立与基片6第二侧4的触点接通，为的是实现MEMS构件的元件特别节省空间位置地配置以及有堆叠其他基片的可能性。
为此，图1B表示了另一个加工步骤。在基片6中嵌入凹槽7。它们可例如借助恰当的蚀刻法在基片内嵌入。为了制造蚀刻沟尤其适合用KOH各向异性地蚀刻Si(100)基片，在这种情况下构成有张开角约70°的蚀刻沟。凹槽的嵌入与微机电元件和接触面的制造无关。因此这些加工步骤的顺序不是强制性的。
然后，在下一个加工阶段，如图1C所示制成凹槽7与接触面3之间的电连接9。为了制成触点接通，可为蚀刻沟7以及蚀刻沟7之间的第一侧2的区域加金属层。因此，金属层构成电连接9，它处于蚀刻沟的壁上和蚀刻沟之间的区域上，以及此层至少部分覆盖接触面，以便建立可靠的触点接通。在这里例如铝适用于作为造成接触的金属。
接着，如图1D所示，加有金属层的凹槽7充填一种导电材料，所以填料15处于凹槽7内。
在此实施例中，凹槽7未穿透基片6。因此在图10所示的加工阶段，凹槽尚未构成连接第一侧2与第二侧4的导电通道。为了制成这些通道，晶片1可在另一个在图1E中表示的加工步骤中从第二侧4那里磨薄，直至填料的导电物质在第二侧4露出并构成接触面17。因此充填了填料9的凹槽7构成导电通道，它连接基片6的第一侧与第二侧4。
在图2A和2B中表示借助图1D和1E所示加工步骤的一种改型。此方法的不同点如下：基片6的第一侧2上固定一个支座19。此支座19例如针对光学MEMS的应用可包括一个透明的晶片，所以光可以射在MEMS元件5上。此外，支座19具有某种结构，它在与晶片1组合的状态有一空穴21。此空穴提供了MEMS元件5的一种气密的密封，但不限制其运动。空穴21在另一方面还可以设计用于容纳和导引流体。支座可例如与基片6粘结，所以在支座19与基片6第一侧2之间有一个胶粘层20。
此外，支座19还为整个结构提供附加的机械强度。尤其是，晶片1在机械上由支座支承。由此可以做到将晶片1磨得比在图1E中表示的未加支承时的晶片更薄。图2B表示了变薄的加工步骤。在这里，固定支座提供了附加的优点，即，在加工过程中保护敏感的MEMS元件5免槽破坏。
此外，在图2B所示的加工阶段中，在导电通道8的接触面17上施加焊珠23，以便例如与一印刷电路板或另一功能块建立电连接。在这里，焊珠在晶片1上构成一“珠网阵列(Ball Grid Array)”。
图2C表示MEMS功能块27的横截面图，它由一个如图2B中表示的晶片组件经另一些加工步骤后获得。此功能块通过切片，亦即从晶片1切下小片11制成。
为了造成一个完全围绕功能块27的外罩，此功能块附加地设一罩25。此罩可例如用一种环氧树脂制成。此罩在功能块上焊珠所在的一侧重新局部磨去，将焊珠局部露出。这就允许通过熔化部分被磨去的焊珠实施接着的与另一个部件的钎焊。
图3A至3E表示按本发明的另一种实施形式制造MEMS功能块的加工步骤。在方法的此实施形式中，加工步骤也在晶片组件中实施。
在图3A中表示的晶片加工状态基本上与图1A所示晶片的加工状态对应。作为微机电元件5，在图3中举例表示为一个可调的机电反光器。在此实施形式中，小片的微机电元件5为了供电也连接在一个或多个接触面3上。
图3B表示在晶片1与一结构化的支座19连接后的晶片组件。在本例中支座19有通孔29。除通孔外，支座19附加地还包括一个机械配合面31。此机械配合面适用于安装透镜33。此透镜将光聚焦在微机电元件5的反光镜上。支座在图中所示的结构化以及嵌入配合面内的透镜仅仅是举例。确切地说，支座也可以按许多其他的方式恰当地结构化。这种结构化既可以在组合前进行，也可以部分或全部在与基片6的组合状态下进行。
图3C中表示嵌入凹槽7后的晶片组件。与借助图1A至1E和2A至2C说明的方法相反，在方法的此实施形式中，导电通道从基片6的第二侧4那里嵌入。为此，如图2C所示，从基片的第二侧4嵌入与第一侧2上的接触面处于相对位置的凹槽7。在这里，此凹槽一直达到接触面3。
图3D表示在将导电材料组成的填料嵌入凹槽7后的晶片组件。通过与接触面3处于电接触状态的导电填料，形成了一个导电通道8，它连接基片6的第一侧2与第二侧4。在第二侧4通过嵌入填料15又形成了接触面17。它们可为了MEMS结构5的电连接仍加上焊珠23。此外，晶片1在第二侧仍加外罩26，从而基本上制成封装的晶片组件。外罩可例如用塑料制成，例如一种环氧树脂。为了使焊珠在以后触点接通时重新能接触到，可以在从晶片1，亦即从由晶片1和支座19组成的晶片组件切下小片前部分磨削外罩，直至焊珠在表面局部露出。
下面参见图4，它在横截面图内表示包括多层结构化支座和上下堆叠的基片的MEMS功能块。此MEMS构件包括一个基片6，它按照借助图3A至3D表示的工艺步骤加工。但在图4中表示的实施形式不同之处是包括多层支座19。支座19由层191、192、193、194组成。其中，层191和193各有一个通孔29。在这些层之间夹入层192，它按这样的方式结构化，即，使它有一个光学元件，在本实施例中有一个组合在内的光学透镜37。在这里，层191和193用作透镜37和层194的定距器，层194有波导管39的机械配合面31。
此外，在晶片组件内制造MEMS构件时，在基片6上固定另一个基片35。此另一个基片35包括一个有集成的半导体电路的活化层37。它们可例如用于控制MEMS元件5。作为替换，以此方式此叠堆也可以有一个或多个MEMS功能块。
此另一个基片35与基片6一样有接触面3。在本例中MEMS元件5的触点接通借助基片6的导电通道8和置于此通道8上的焊珠23通过穿透式触点接通实现，焊珠与此另一个基片35的接触面3钎焊。此另一基片35的接触面3本身按与上面已说明的相同的方式通过导电通道8与此另一基片35的相对侧连接。同样，为了向活化层37供电的触点也可以布设在基片35的此相对侧上。以此方式，堆叠的构件的全部电触点处于与波导管处于相对位置的一侧上。构件27的从这里向波导管输入的那一侧，保持完全没有构件有干扰的连线或其他触点连接装置。
在此另一个基片的导电通道8上仍加上焊珠。给组合在晶片组件中的部分6、35和191至194加外罩，亦即封装，可按借助于图2C已说明的同样的方式进行，为此在基片35有焊珠的一侧加上一层外罩26，以及接着再磨削此外罩，直至焊珠在被磨去的表面上露出。
                             附图标记表
 1  晶片   2  基片的第一侧     3，17   接触面
 4  基片的第二侧   5  微机电元件     6   基片
 7  凹槽   8  导电通道     9   电连接
 11，12，13  晶片1上的小片   15  导电填料     19，191，192，193，194 支座
 20  胶粘层   21  空穴     23   焊珠
 25，26  环氧树脂封装   27  MEMS功能块     29   通孔
 31  配合面   33  透镜     35   另一个基片
 37  组合的透镜结构   39  波导管

Claims (40)

1.制造微机电构件(27)的方法，所述构件(27)由一个包括第一侧(2)和基本上与第一侧(2)相对的第二侧(4)的基片(6)构成，其中，至少第一侧(2)有至少一个微机电元件(5)，其特征在于：在基片(6)内嵌入至少一个导电的通道(8)，该通道连接第一侧(2)与第二侧(4)。
2.按照权利要求2所述的方法，其特征在于：具有在基片(6)第一侧(2)上固定至少一个支座(19)的步骤。
3.按照权利要求1或2所述的方法，其特征为：固定支座(19)或嵌入至少一个导电通道(8)的步骤中的至少一个在晶片组件中进行。
4.按照权利要求1、2或3所述的方法，其特征为：嵌入导电通道(8)的步骤包括通过去除基片材料制造一个凹槽(7)的步骤。
5.按照权利要求4所述的方法，其特征为：去除基片材料的步骤包括干蚀刻的步骤和/或湿蚀刻的步骤和/或磨削的步骤和/或超声波振荡研磨的步骤。
6.按照权利要求4或5所述的方法，其特征在于：具有用一种导电材料(15)充填凹槽的步骤。
7.按照权利要求6所述的方法，其特征为：导电材料(15)包括一种导电的环氧化物。
8.按照权利要求6或7所述的方法，其特征为：导电材料(15)包括一种金属，它通过电镀沉积在凹槽内。
9.按照权利要求1至8之一所述的方法，其特征为：制造导电通道(8)的步骤包括加入填料和/或离子植入的步骤。
10.按照权利要求1至9之一所述的方法，其特征在于：具有制造至少一个电接触面(3、17)的步骤。
11.按照权利要求10所述的方法，其特征为：接触面(3、17)制在基片(6)的第一侧(2)上。
12.按照权利要求1至10之一所述的方法，其特征在于：具有基片材料减薄的步骤。
13.按照权利要求1至11之一所述的方法，其特征为：基片(6)包括一种半导体材料和/或一种玻璃和/或一种金属和/或一种陶瓷材料和/或一种压电材料和/或一种塑料和/或一种复合材料。
14.按照权利要求2至12之一所述的方法，其特征在于：具有支座(19)结构化的步骤。
15.按照权利要求14所述的方法，其特征为：结构化的步骤包括加上至少一个构成空穴(21)和/或通孔(29)的结构的步骤。
16.按照权利要求14或15之一所述的方法，其特征为：支座结构化的步骤包括制造至少一个小沟，尤其一个V形槽的步骤，其中，小沟优选地在一个沿支座表面的方向延伸。
17.按照权利要求14至16之一所述的方法，其特征为：支座结构化的步骤包括制造一个机械配合面(31)的步骤。
18.按照权利要求17所述的方法，其特征为：此机械配合面(31)适用于安装一个光学元件，尤其一个波导管和/或一个光学透镜(33)或一个棱镜。
19.按照权利要求14至18之一所述的方法，其特征为：支座(19)结构化的步骤包括制造一个有光学部件的支座的步骤。
20.按照权利要求19所述的方法，其特征为：制造有光学部件的支座(19)的步骤包括制造光学透镜和/或光栅的步骤。
21.按照权利要求14至20之一所述的方法，其特征为：支座结构化的步骤包括制造一个尤其用于至少一个光学元件和/或至少另一个支座的定距器的步骤。
22.按照权利要求14至21之一所述的方法，其特征为：制造结构化支座的步骤包括制造一个尤其用于流体和/或光学元件和/或压电元件和/或微机械元件和/或电子元件的安装座的步骤。
23.按照权利要求1至22之一所述的方法，其特征在于：具有在基片内嵌入至少一个导光和/或导流体和/或导热的通道的步骤。
24.按照权利要求2至23之一所述的方法，其特征为：所述至少一个导电通道(8)从基片(6)的第一侧(2)那里嵌入；并且，支座(19)在嵌入所述至少一个导电通道(8)后固定。
25.按照权利要求1至24之一所述的方法，其特征为：所述至少一个导电通道(8)从基片(6)的第二侧(4)那里嵌入。
26.按照权利要求1至25之一所述的方法，其特征在于：还具有在所述至少一个导电通道(8)上施加焊珠(23)的步骤。
27.按照权利要求1至26之一所述的方法，其特征在于：还具有在基片(6)上固定至少一个另外的基片的步骤，它尤其包括集成的半导体电路装置和/或MEMS元件。
28.用于实施按照权利要求1至27之一所述的方法的设备。
29.微机电构件(27)，尤其是按照权利要求1至27之一制成的微机电构件，它包括一个有第一侧(2)和基本上与第一侧(2)相对的第二侧(4)的基片(6)，并且，至少第一侧包括至少一个微机电元件(5)，其特征为：基片(6)有至少一个导电的通道(8)，该通道连接第一侧(2)与第二侧(4)。
29.按照权利要求28所述的构件，其特征为：构件有至少一个支座(19)，它与基片(6)的第一侧(2)连接。
30.按照权利要求29所述的构件，其特征为：支座(19)有至少一个光学元件，尤其一个棱镜和/或一个光栅和/或一个透镜(5)和/或一个光学过滤器。
31.按照权利要求29或30所述的构件，其特征为：支座(19)有至少一个空穴(21)和/或一个通孔(29)。
32.按照权利要求29至31之一所述的构件，其特征为：支座(19)有至少一个配合面(31)。
33.按照权利要求32所述的构件，其特征为：配合面(31)适用于安装一个光学元件，尤其一个透镜(5)和/或一个波导管和/或一个光栅和/或一个棱镜。
34.按照权利要求29至33之一所述的构件，其特征为：支座有一个安装座。
35.按照权利要求34所述的构件，其特征为：安装座适用于一个电路装置和/或一个压电元件和/或一个有源或无源的电子元件。
36.按照权利要求29至35之一所述的构件，其特征为：支座(19)与基片(6)粘结，尤其用环氧树脂粘结。
37.按照权利要求29至36之一所述的构件，其特征为：支座(19)有多个层(191、192、193、194)。
38.按照权利要求29至36之一所述的构件，其特征为：它包括至少一个另外的基片(35)，其中，基片(6)和所述至少一个另外的基片(35)上下叠置。
39.按照权利要求38所述的构件，其特征为：所述至少一个另外的基片(35)有至少一个连接触点(3)，其中，在导电通道(8)与连接触点(3)之间存在电接触。
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