CN1506973A - 相变存储器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
根据本发明的一个实施例，主要提供一种相变存储器和一种制造相变存储器的方法。相变存储器包含电极、粘合材料、在电极和粘合材料之间的绝缘材料，其中粘合材料的一部分、绝缘材料的一部分和电极的一部分形成为一个基本上平坦的表面。相变存储器还包含位于基本上平坦的表面上并接触电极、粘合材料、绝缘材料的相变材料。
Description
技术领域
本发明涉及相变存储器，并涉及相变存储器的制造方法。
背景技术
相变存储器装置利用相变材料用于电子存储器的应用，相变材料就是在常规非晶态和常规晶态之间可以进行电转换的材料。在一种应用中，一种类型的存储器元件利用一种相变材料，该相变材料在常规非晶和常规结晶局部有序的一种结构态之间，或在跨越完全非晶态和完全晶态之间的整个谱上的局部有序的不同可检测态之间进行电转换。
适合于这种应用的典型材料包括使用各种硫属元素的那些材料。相变材料的态还是非易失性的，其中当设置为晶态、半晶态、非晶态或半非晶态的任一种状态时都表现出一个电阻值，除非重新设置为表示材料的相态或物理状态(例如，晶态或非晶态)的那种值，否则仍保持该电阻值。
相变存储器单元可以包括在电介质材料上设置的相变材料。然而，一些电介质材料和相变材料不能很好地化学粘合在一起。结果，相变材料层就会在随后的相变器件的制造期间剥落，由此，将影响器件的成品率或可靠性。
因此，就不断需要用于替换制造相变存储器装置的方法。
发明内容
本发明的一个方面提供一种设备，该设备包括：电极；粘合材料；在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面；以及在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。
本发明的另一方面提供一种设备，该设备包括：电极材料；导电材料；在该电极材料和该导电材料之间的绝缘材料，其中该导电材料的一部分、该绝缘材料的一部分和该电极材料的一部分形成一基本上平坦的表面；以及在基本上平坦的表面上的可编程材料，该可编程材料接触该电极材料、该导电材料和该绝缘材料。
本发明的再一方面提供一种方法，该方法包括：形成环绕电极的一部分的粘合材料；去除该粘合材料的一部分和该电极的一部分以便暴露该电极的一部分；以及形成覆盖该粘合材料和该电极的相变材料。
本发明的又一方面提供一种系统，该系统包括：处理器；耦连到该处理器的无线接口；以及耦连到该处理器的存储器，该存储器包含：电极；粘合材料；在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中粘合材料的一部分、电介质材料的一部分和电极的一部分形成一个基本上平坦的表面；以及在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。
附图说明
在说明书的结论部分特别地指出并清楚地申明本发明的目的。然而，通过阅读并参照以下结合附图的详细说明书，就能更好地理解有关本发明的结构和操作方法以及本发明的目的、特征和优点，在附图中：
图1是根据本发明的一个实施例在制造阶段的存储器元件的一部分的剖面图；
图2是根据本发明的一个实施例在制造的后续阶段中图1的结构的剖面图；
图3是在制造的后续阶段中图2的结构的剖面图；
图4是在制造的后续阶段中图3的结构的剖面图；
图5是在制造的后续阶段中图4的结构的剖面图；
图6是在制造的后续阶段中图5的结构的剖面图；
图7是在制造的后续阶段中图6的结构的剖面图；
图8是图7中说明的制造阶段中的图7的结构顶视图；
图9是在制造的后续阶段中图7的结构的剖面图；
图10是根据本发明的另一个实施例在制造的后续阶段中图5的结构的剖面图；
图11是在制造的后续阶段中图10的结构的剖面图；
图12是根据本发明的另一个实施例在制造的后续阶段中图11的结构的剖面图；
图13是说明根据本发明的一个实施例的系统的一部分的方框图。
应当清楚，为了说明的简单和清楚，附图中说明的元件并没必要按比例绘制。例如，为了清楚一些元件的尺寸相对于其它元件进行了放大。此外，考虑到适用，在各附图中重复参考数字以表示相应或类似元件。
具体实施方式
在以下详细的说明书中，为了提供对本发明的完整理解，提出了许多具体的细节。然而，本领域普通技术人员应当理解，不需要这些具体的细节也可以实现本发明。在其它实例中，没有详细地描述公知的方法、步骤、元件和电路，从而使得本发明更清楚。
在以下的说明书和权利要求书中，采用术语“耦连”和“连接”以及它们的派生词语。应当理解，这些术语并不希望成为彼此的同义词。当然，在具体的实施例中，可以采用“连接”来表示彼此直接物理或电接触的两个或多个元件。“耦连”可意味着直接物理或电接触的两个或多个元件。然而，“耦连”还可以意味着两个或多个元件彼此不直接接触，但仍然相互协作或彼此相互作用。
利用图1-9说明制造存储器元件100的一个实施例，并且利用图10和11说明制造存储器元件100的另一个实施例。虽然本发明的范围并不限制于此，如图1中所示，衬底110是例如半导体衬底(例如，硅衬底)。其它适合的衬底可以是，但不限于，含有陶瓷材料、有机材料或玻璃材料的衬底。
在一个实施例中，在衬底110的一部分上形成难熔金属硅化物例如硅化钴(CoSi2)的还原(reducer)材料120。可以在P+或N+掺杂的或可作为二极管一部分或可作为MOS晶体管的源/漏区一部分的结的顶部上形成还原材料120。
在图1中说明的实施例中，可以在P+区101之上形成还原材料120，P+区101可以形成在N区102之上。区101和102可形成一个PN二极管。
可以通过在衬底110中引入P型掺杂剂例如硼来形成P+区101。在一个实施例中，P型掺杂剂适合的浓度大致为超过大约5×1018-大约1×1020原子/立方厘米(atoms/cm3)的范围，该P型掺杂剂浓度可以表示为P+。N区102可以是在P衬底晶片上的CMOS N阱、N衬底晶片的N阱或埋置的N阱/字线(例如，在一个二极管矩阵中的BWL)。
一方面，还原材料120可以在制造外围电路例如寻址电路(图1中未示出)中作为相对低阻的材料。然而，还原材料120不需要考虑形成上述的一个存储器元件，可以在存储器元件100中在相变材料(图1中未示出)和隔离器件或开关器件例如二极管或晶体管(图1中未示出)之间包含还原材料120。可以将难熔金属(例如，钴)引入到衬底110的一部分来形成还原材料120。
存储器元件100还可以包含浅沟槽隔离(STI)结构125。STI结构125可以用于各个存储器元件彼此间以及存储器元件与在衬底中和在衬底上形成的相关电路元件(例如，晶体管器件)间的隔离。在一个实施例中，STI结构125可以是氧化物或二氧化硅，但本发明并不限于此。
可以形成覆盖还原材料120的导电插塞130。导电插塞130可以作为相对低阻的通路以便将电流提供到可编程的材料例如相变材料(图1中未示出)。导电插塞130可以包含外U型阻挡材料135和内导电材料136。虽然本发明在这方面的范围不限于此，但阻挡材料135可以是导电材料。阻挡材料135可以是氮化钛(TiN)或氮化钽(TaN)。导电材料136可以是钨(W)或铜(Cu)。
可以在衬底110之上形成绝缘材料层129。可以在绝缘材料129中形成开口(图1中未示出)，并且在此开口中形成导电插塞130，其中绝缘材料129环绕导电插塞130。绝缘材料129的实例可以包含氧化物、氮化物或低K介电材料，但本发明在这方面的范围并不限于这些材料。
可以在绝缘材料129和一部分导电插塞130之上覆盖绝缘材料层140。绝缘材料140可以是电绝缘材料。绝缘材料140还可以是绝热材料。绝缘材料140的实例可以包含氧化物、氮化物或低K介电材料，但本发明并不限于这些材料。绝缘材料140可以具有从大约500埃()至大约3000埃()范围的厚度，但本发明的范围并不限于此。
参照图2，可以通过蚀刻绝缘材料140形成具有侧壁155的孔或开口150。开口150可以是通孔或沟槽，但本发明并不限于这些结构。
在一个实施例中，可以利用光刻和蚀刻技术形成开口150。例如，可以通过在绝缘材料140上提供光抗蚀剂材料层(未示出)，并使该光抗蚀剂材料曝光来形成开口150。可以利用掩模(未示出)以便使选择的光抗蚀剂材料区域曝光，光抗蚀剂材料限定将被去除例如将被蚀刻的区域。蚀刻可以是称为湿法腐蚀的化学腐蚀。或者，蚀刻可以是称为干法腐蚀的电解腐蚀或等离子体(离子轰击)腐蚀。在一个实施例中，蚀刻可以是利用干法等离子体腐蚀的各向异性蚀刻，但本发明并不限于此种方法。如果利用光刻技术形成开口150，那么开口150的直径或宽度至少为一个特征尺寸。
结构的特征尺寸(feature size)可以指利用光刻可获得的最小尺寸。例如，特征尺寸可以指结构中材料的宽度或材料的间隔。应当理解，光刻是指利用紫外(UV)光将图形或图像从一种介质转移到另一种介质，例如从一个掩模转移到一个晶片的一种工艺。转移的图形的最小特征尺寸将受UV光限制的制约。小于特征尺寸的距离、大小或尺寸可以称为亚光刻(sub-lithographic)的距离、大小或尺寸。例如，一些结构可以具有大约2500埃的特征尺寸。在本实施例中，亚光刻的距离可以指具有小于大约2500埃的特征尺寸。
可以采用几种技术以便获得亚光刻尺寸。虽然本发明并不限于这些方法，但是可以采用相移掩模、电子束光刻或x-射线光刻以便获得亚光刻尺寸。电子束光刻可以指利用电子束对晶片上的抗蚀剂曝光的直接写(direct-write)光刻技术。x-射线光刻可以指一种用于将图形转移到硅晶片的光刻工艺，其中使用的电磁辐射是除了可见光之外的x-射线。x-射线的较短波长可以减少衍射(例如，相对于紫外线辐射的大约2000-3000埃的大约10-50埃)，并可以用于获得约1000埃的特征尺寸。可以采用图2来说明利用侧壁间隔物160以获得亚光刻尺寸。
图2通过相同的剖面图来描述在形成可选的侧壁间隔物160之后的图1的结构。在一个实施例中，可以沿硬掩模材料170的侧壁175形成侧壁间隔物160。侧壁175之间的距离可以是一个特征尺寸并可以利用光刻和蚀刻技术来形成。可以通过在侧壁175之间的空间中淀积材料层并利用干法腐蚀，例如各向异性腐蚀来构图该材料形成侧壁间隔物160。
侧壁间隔物160之间的距离可以是亚光刻(距离)。在一个实施例中，在形成侧壁间隔物160之后，可以采用另一次各向异性腐蚀以便形成具有亚光刻直径的开口150。例如，在一个实施例中，可以利用蚀刻剂各向异性地蚀刻绝缘材料140，它是选择性的，由此，蚀刻剂在导电插塞130处停止或保护导电插塞130。如图2中所示，蚀刻操作通过开口150暴露部分导电插塞130。一方面，侧壁间隔物160可以作为减少在开口150中形成的电极材料(图3中所示的180)的量。在一个实施例中，开口150的直径可以小于大约1000埃，但本发明并不限于这种直径。
虽然本发明并不限于此，但是硬掩模材料170可以是多晶硅、非晶硅或氮化硅。硬掩膜材料170可以具有从大约1000埃至大约3000埃范围的厚度，但本发明并不限于这种厚度。可以由多种材料例如多晶硅或非晶硅、氧氮化硅或氮氧化物形成侧壁间隔物160。
应当指出，本发明并不限于利用侧壁间隔物160以形成开口150。可以采用如上所述的其它亚光刻方法来形成开口150，其中开口150可以具有亚光刻的直径。或者，在替换的实施例中，开口150可以利用光刻技术来形成并由此可以具有大于或等于大约一个特征尺寸的直径。
图3说明在绝缘材料140之上并在开口150中(图2)共形淀积电极材料180之后的存储器元件100。图3简要地说明不具有侧壁间隔物160或硬掩模材料170或随后去除材料160和170的存储器元件100。可以利用例如腐蚀或化学机械抛光(CMP)来选择地去除间隔物160或硬掩模材料170。如上所述，一些实施例可以利用侧壁间隔物160来形成开口150(图2)，而其它实施例则可以不利用侧壁间隔物来形成开口150。
在一个实施例中，电极材料180可以是碳层或例如过渡金属的半金属层，该过渡金属包含但不限于钛、钨、氮化钛(TiN)、氮化铝钛(TiAlN)或氮化硅钛(TiSiN)。作为一个实例，电极材料180可以用化学汽相淀积(CVD)工艺来形成，然而，本发明并不限于这些形成电极材料180的具体工艺。还应当理解，可以采用可替换的工艺来形成电极材料180。
在引入电极材料180之后，图3中所示的结构可以进行平坦化，去除部分电极材料180并可能地去除部分绝缘层140。适合的平坦化技术包括化学或化学机械抛光(CMP)技术。
图4说明在去除部分电极材料180之后的图3中所示的结构。可以通过构图或分割材料180来去除部分电极材料180。在一个实施例中，可以利用例如CMP工艺来去除部分材料180。还应当理解，可以采用可替换的工艺来去除部分电极材料180。例如，可以采用掩蔽腐蚀来去除部分电极材料180。
图5说明在去除部分绝缘材料140之后的存储器元件100。在一个实施例中，可以凹陷或深腐蚀绝缘层140以便暴露部分电极材料180的侧壁。在一个实施例中，可以利用湿法腐蚀或选择深腐蚀例如用氢氟酸(HF)稀释的选择氧化物腐蚀来去除大约1000-大约3000埃的绝缘层140。除此之外，还可以采用干法腐蚀。在此工艺步骤阶段的电极材料180可以称为矛结构或柱结构，并且电极材料180可以作为存储器元件100的下电极。
图6说明在制造的后续阶段的图5的结构。图6说明在绝缘材料140的顶表面上、沿电极材料180的侧壁、并在电极材料180的顶表面上共形地形成绝缘材料210之后的存储器元件100。换句话说，可以环绕并接触电极材料180的上部形成绝缘材料210。
绝缘材料210可以是电绝缘材料和/或绝热材料，例如氧化物、氮化物、低K电介质材料、任何其它相对较低的导热材料、或任何其它相对较低的导电材料。绝缘材料210可以用于提供存储器元件100的电隔离和/或热隔离。利用绝缘材料环绕电极180就可以提高编程期间存储器元件100的效率。此外，利用具有相对较高的绝热特性的绝缘材料可以提高热效率(例如，减少热损失)并可以降低在存储器元件100的编程期间使用的电流量。
绝缘层210的厚度和用于形成绝缘层210的技术可以根据所需的存储器元件100的特性来进行选择。在一个实施例中，绝缘材料210可以具有从大约500埃至大约2500埃范围的厚度，但本发明并不限于这些厚度。在一个实施例中，利用低压化学汽相淀积(LPCVD)或等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺来形成绝缘材料210。
在绝缘层210上可形成覆盖材料层220。材料220可以是导电或导热材料。材料220可以作为适合于粘附相变材料(例如，图9中的相变材料300)的粘合材料，并且材料220可以称为粘合材料、粘合层或在这种应用中的胶合层。在本实例中，材料220作为粘合层，使用的典型材料可以根据在存储器元件100中使用的相变(phase chase)材料进行选择。利用适合的粘合材料以便与相变材料接合可以减少与脱落相关的各种问题。没有材料220，相变材料就直接接触绝缘材料210并且不能充分地接合到绝缘材料210。
材料220还可以作为热接地面(thermal ground plane)以便减少相邻存储器元件之间的热干扰问题。当在编程期间重复加热目标或选择的存储器元件以便将存储器元件的相变材料转变为例如非晶态时，热干扰问题就凸现。由于存储器装置的比例缩小，所以存储器元件之间的距离就减少，在加热目标存储器元件期间，也会加热与目标存储器元件相邻的未选择的存储器元件。随着时间的过去，这种相邻未选择的存储器元件无意中的加热就会导致未选择的存储器元件错误地改变状态。如上所述，通过提供适合厚度的作为热接地面的材料220就能减少热干扰问题。增加材料220的厚度可以提高散热，由此提高相邻存储器元件之间的热隔离。
材料220的实例可以包含包括多晶硅或钛的材料，但本发明并不限于此。可以根据所需的存储器元件100的特性来选择材料220的厚度和用于形成材料220的技术。在一个实施例中，材料220可以具有从大约200埃至大约2500埃范围的厚度，但本发明并不限于这些厚度。在一个实施例中，可以利用物理汽相淀积(PVD)、LPCVD或PECVD工艺来形成材料220。
图7说明在去除180、210和220的部分材料之后的图6的结构。材料220的一部分、绝缘材料210的一部分和电极材料180的一部分形成基本上平坦的表面250。在一个实施例中，图6中所示的结构可以进行平坦化工艺例如CMP工艺，去除电极材料180、绝缘材料210和材料220的一部分。
如图7中所示，去除材料180、210和220的一部分以便暴露电极材料180的一部分。简要地转向参照图8，其示出的结构是在图7中说明的制造阶段的存储器元件100的顶视图。在图7和8说明的实施例中，材料220环绕电极材料180的上部并由绝缘材料210与电极材料180形成隔离。此外，绝缘材料210环绕并接触电极材料180的侧壁的上面部分。
图9说明在平坦表面250上形成可编程材料例如相变材料300之后的图7中所示的结构。如图9中所示，相变材料300覆盖并接触材料220的一部分、绝缘材料210的一部分和电极材料180的一部分。
相变材料300的实例可以包含但不限于碲锗锑(TexGeySbz)材料或GeSbTe合金类的硫属元素(硫属化合物元素)组合，但本发明并不仅仅限于这些组合。可选择地，可以采用通过提供能量例如光、热或电流其电学特性(例如，电阻)就会改变的其它相变材料。在一个实施例中，相变材料300具有大约150埃至大约1500埃范围的厚度，但本发明并不限于此。在一个实施例中，可以利用PVD工艺来形成相变材料300。
在形成相变材料300之后，在相变材料300之上形成覆盖的阻挡材料310，并且在阻挡材料310之上形成覆盖的导电材料320。一方面，阻挡材料310可以用于防止相变材料300和导电材料320之间的任何化学反应。虽然本发明并不限于此，但是阻挡材料310可以是钛、氮化钛或碳，导电材料320可以包含例如铝。阻挡材料310为可选择层。在一个替换的实施例中，覆盖在相变材料300之上形成导电材料320。
导电材料320可作为地址线以便寻址并编程存储器元件100的相变材料300。导电材料320可以称为位线或列线。还原材料120还作为地址线以便编程相变材料300并称为字线或行线。虽然未示出，电极材料180通过还原材料120被耦连到存取器件例如二极管或晶体管。存取器件还称为隔离器件、选择器件或开关器件。
通过将电压电势提供到导电材料320和还原材料120就可以进行相变材料300的编程以便改变相变材料的状态或相变材料的相。提供到还原材料120的电压电势通过导电插塞130可传递到电极材料180。例如，通过将大约5伏电压提供到导电材料320并将大约零伏电压提供到电极材料180的底部，就可以跨越相变材料300和电极180的底部提供大约5伏的电压电势差。响应于提供的电压电势的电流就流过相变材料300和电极180并在相变材料300中产生热。这种热和随后的冷却就可以改变相变材料300的存储状态或相变材料300的相。
在编程期间，绝缘材料140和210可提供电隔离和热隔离，材料220可以作为如上所述的热接地面。
因为电流可垂直流过上电极和下电极之间的相变材料300，所以图9中所示的存储器元件100可以称为垂直相变存储器(phase changememory)结构。应当注意，存储器元件100还可以称为存储器单元并可以用于具有多个用于存储信息的存储器元件100的相变存储器阵列。
在其它实施例中，可以不同地排列存储器元件100，并且存储器元件100可以包括附加的层和附加的结构。例如，它可以是期望形成隔离结构、外围电路(例如，寻址电路)等等。应当理解，本发明的范围的并不限于没有这些元件。
图9中说明的存储器元件100的实施例提供了一种由绝缘间隔物偏离升高的底部电极的自对准粘合层。
图10说明根据用于制造存储器元件100的另一个实施例的后续制造阶段的图5的结构。在本实施例中，利用例如蚀刻技术构图绝缘材料210以便沿电极材料180的侧壁形成间隔物210A。在形成间隔物210A之后，可以形成材料220覆盖绝缘材料140、间隔物210A和电极材料180的顶部表面。
图11说明在去除180、210A和220的部分材料之后的图10的结构。材料220的一部分、间隔物210A的一部分和电极材料180的一部分可以形成一个平坦的表面250。在一个实施例中，图10中所示的结构可进行平坦化工艺例如CMP工艺、去除电极材料180、间隔物210A和材料220的一部分。在另一个实施例中，可采用蚀刻工艺形成平坦表面250。在形成平坦表面250之后，在平坦表面250上可设置相变材料。
图12说明在平坦表面250上形成可编程的材料例如相变材料300之后的图11中所示的结构。如图12所示，相变材料300可以覆盖并接触材料220的一部分、间隔物210A的一部分和电极材料180的一部分。在形成相变材料300之后，可形成覆盖相变材料300的阻挡材料310，并且可形成覆盖阻挡材料310的导电材料320。
参照图13，描述根据本发明的一个实施例的系统500的一部分。系统500可以用于无线装置，例如个人数字助理(PDA)、具有无线功能的膝上型电脑或便携式计算机、网络图形输入板、无线电话、寻呼机、紧急信息装置、数字音乐播放器、数字像机或可以适合无线传输和/或接收信息的其它装置。系统500可以用于以下的任何一种系统：无线本地网络(WLAN)系统、无线个人网络(WPAN)系统或蜂窝系统，但本发明并不限于这些系统。
系统500可包括控制器510、输入/输出(I/O)装置520(例如，键盘，显示器)、存储器530和通过总线550彼此耦连的无线接口540。应当注意，本发明的范围并不限于具有这些部件的任何一种部件或具有所有这些部件的实施例。
控制器510可包括例如一个或多个微处理器、数字信号处理器、微控制器等。存储器530可以用于存储传输到系统500或由系统500传送的信息。存储器530还可以随意地用于存储指令，在系统500的工作期间由控制器510执行的该指令，并可以用于存储用户数据。可以由一种或多种不同类型的存储器提供存储器530。例如，存储器530可包括易失性存储器(任何一种类型的随机存取存储器)、非易失性存储器例如快闪存储器和/或包含一种存储器元件例如图9或图12中说明的存储器元件100的相变存储器。
用户可使用I/O装置520以便产生消息。系统500可利用无线接口540以便用射频(RF)信号将消息传输到无线通信网络和从无线通信网络接收射频(RF)信号的消息。无线接口540的实例可包含天线或无线收发机，但本发明的范围并不限于这些结构。
虽然本发明的范围并不限于这种结构，但是系统500可以采用以下的无线通信接口协议之一来传输和接收消息：码分多址接入(CDMA)、蜂窝无线电话通讯系统、移动通讯全球系统(GSM)的蜂窝无线电话系统、北美数字蜂窝(NADC)的蜂窝无线电话系统、时分多址接入(TDMA)系统、扩展的-TDMA(E-TDMA)蜂窝无线电话系统、第三代(3G)系统如宽带CDMA(WCDMA)、CDMA-2000，等等。
虽然在此已经说明并描述了本发明的某些特征，本领域普通技术人员现在可以对本发明进行许多修改、替换、改变和等同的变化。因此，应当理解，附加的权利要求书期望能够覆盖落入本发明的实质精神范围内的所有这些修改和改变。
Claims (26)
1.一种设备，包括：
电极；
粘合材料；
在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中该粘合材料的一部分、该电介质材料的一部分和该电极的一部分形成一基本上平坦的表面；以及
在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。
2.权利要求1的设备，其中电介质材料接触电极的一侧壁的一部分。
3.权利要求2的设备，其中粘合材料环绕电极的一部分并通过电介质材料与电极分离。
4.权利要求1的设备，
其中粘合材料包括多晶硅或钛；
其中电极包括钛、钨、氮化钛(TiN)、氮化铝钛(TiAlN)或氮化硅钛(TiSiN)；以及
其中电介质材料包括氧化物、氮化物或低k电介质材料。
5.权利要求1的设备，其中相变材料包括硫属化合物材料。
6.权利要求1的设备，其中电极耦连到地址线。
7.权利要求1的设备，还包括在相变材料之上的导电材料。
8.权利要求7的设备，其中导电材料包括铝。
9.一种设备，包括：
电极材料；
导电材料；
在该电极材料和该导电材料之间的绝缘材料，其中该导电材料的一部分、该绝缘材料的一部分和该电极材料的一部分形成一个基本上平坦的表面；以及
在该基本上平坦的表面上的可编程材料，该可编程材料接触该电极材料、该导电材料和该绝缘材料。
10.权利要求9的设备，其中导电材料包括多晶硅或钛。
11.权利要求9的设备，其中可编程材料是一种相变材料。
12.权利要求9的设备，其中导电材料作为热接地面。
13.权利要求9的设备，其中绝缘材料环绕并接触电极材料的上部。
14.权利要求9的设备，其中绝缘材料接触电极材料的一侧壁的一部分。
15.权利要求9的设备，其中导电材料环绕电极材料的上部并通过绝缘材料与电极材料分离。
16.一种方法，包括：
形成环绕电极的一部分的粘合材料；
去除该粘合材料的一部分和该电极的一部分以便暴露该电极的一部分；以及
形成覆盖该粘合材料和该电极的相变材料。
17.权利要求16的方法，还包括在粘合材料和电极之间形成绝缘材料，并且其中形成相变材料包含形成覆盖绝缘材料的相变材料。
18.权利要求17的方法，其中去除还包括去除绝缘材料的一部分。
19.权利要求18的方法，其中去除包含利用化学机械抛光(CMP)去除部分粘合材料、绝缘材料和电极。
20.权利要求18的方法，还包括腐蚀绝缘材料以便在去除绝缘材料的一部分之前形成一间隔物。
21.权利要求17的方法，其中去除包括去除部分粘合材料、电极和绝缘材料以便形成基本上平坦的表面，并且其中形成相变材料包含在基本上平坦的表面上形成相变材料。
22.权利要求17的方法，还包括：
在电介质材料中形成一开口；
在开口中形成一电极；以及
去除电介质材料的一部分，使得电极的顶表面位于电介质材料的顶表面之上。
23.权利要求17的方法，其中形成绝缘材料还包含形成在电极的顶表面上并在电极的侧壁的一部分上的绝缘材料，并且其中形成粘合材料包含形成覆盖绝缘材料的粘合材料，其中粘合材料通过绝缘材料与电极分离。
24.一种系统，包括：
处理器；
耦连到该处理器的无线接口；以及
耦连到该处理器的存储器，该存储器包含：
电极；
粘合材料；
在该电极和该粘合材料之间的电介质材料，其中粘合材料的一部分、电介质材料的一部分和电极的一部分形成一基本上平坦的表面；以及
在该基本上平坦的表面上的相变材料，并且该相变材料接触该电极、该粘合材料和该电介质材料。
25.权利要求24的系统，其中电介质材料接触电极的一侧壁的一部分。
26.权利要求25的系统，其中粘合材料环绕电极的上部并通过电介质材料与电极分离。
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20080709 Termination date: 20120825 |