CN1499270A - 电光装置及其制造方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明的课题在于针对具有由银单质，或银合金构成的反射层的电光装置，提供一种能够减小反射层的小凸部等的形状异常的发生的结构。在液晶显示装置(200)的背面侧基体(210)上，在基板(211)上，形成有反射电极(212)，在该反射电极(212)中，依次形成有由ITO等的导电性金属氧化物构成的基底导电层(212A)；由银单质，或银合金构成的反射性导电层(212B)；由ITO等的透明导电体构成的透明导电层(212C)。上述透明导电层(212C)的厚度小于基底导电层(212A)。最好，该透明导电层(212C)的厚度在5～30nm的范围内。

Description

电光装置及其制造方法和电子设备

技术领域

本发明涉及电光装置及其制造方法和电子设备，本发明特别是涉及适合用作具有光反射层的显示装置的电光装置的结构。

背景技术

一般，作为设置于各种电子设备中的显示机构，广泛地采用作为电光装置的一种的液晶显示装置。该液晶显示装置具有在一对基板之间，密封有液晶的基本单元结构。在这样的液晶显示装置中，具有将外部光的一部分用作显示光的反射型的液晶显示装置，在过去，一般以便携型电子设备为中心而使用。另外，近年，在暗处，可进行采用背照光源的透射型显示，在明处，可利用外部光进行反射型显示的，半透射反射型的液晶显示装置也提供到市场。

在上述反射型的液晶显示装置，或半透射反射型的液晶显示装置中，多数情况是，在上述基本单元结构的内部的液晶的背面侧(观察侧的相反侧)，设置反射层。该反射层一般采用铝等的金属薄膜。半透射反射型的液晶显示装置象这样构成，其中，在反射层中，针对每个象素，设置开口部(窗部)，通过使背照光源的光通过该开口部，可实现透射型显示。该反射层有时由反射电极构成，该反射电极也具有用于对液晶提供电场的电极的功能，另外，有时通过独立于反射层而设置透明电极等，还使反射层仅仅具有光的反射功能。

但是，近年，由于在便携电话等所采用的较小的液晶显示装置中，也要求彩色化，高精度化，故对于反射型，半透射反射型的液晶显示装置，必须要求更加明亮的反射型显示。由此，近年，作为形成反射层的金属薄膜的材料，采用其反射率高于铝的APC(Ag-Pd-Cu)合金等的银合金。该银合金也用作具有较低电阻的电极，布线材料。但是，由于APC合金的耐水性差，故具有下述问题，即，比如，在制造工序中，因与热水接触，电离子化的金属从通过图形化的APC合金的薄膜析出，通过施加电压，发生电迁移，电蚀。

另外，由于银合金与玻璃基板的紧密贴合性一般较差，故该银合金难于直接形成于基板上。象这样，如果单独地使用APC合金，便产生各种问题，由此，为了防止该情况，人们提出在反射层的上层或下层上，设置叠置ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)的叠层结构的方法。

但是，在上述过去的液晶显示装置中，在银合金与液晶之间，仅仅存在取向膜的场合，具有相对的透明电极和材质不同，故极性发生偏离，银合金在液晶中析出的不利情况。由此，人们采用在银合金膜的上层上，设置叠置形成ITO等的导电性金属氧化物的薄膜的叠层结构的方法，但是如果象这样，则具有容易产生从上层受到的应力，上层形成时的加热过程等中的小凸部(突起)等的形状异常。于是，在将银合金膜用作电极，布线的场合，由于产生形状异常造成的电短路等，故电可靠性降低，生产线的合格率也降低。

特别是，在形成通过上下的ITO膜，密封银合金膜的截面结构的场合，为了完全覆盖按照银合金膜的厚度形成的侧部的台阶面，必须以很大的厚度，形成位于银合金的上层上的ITO膜，由此，在该上层的ITO膜中，内部应力增加，并且产生银合金膜与ITO膜的热膨胀率的差造成的，由热滞产生的热应力，故具有银合金膜上的应力集中进一步增加的问题。人们推测这样的内部应力，热应力是银合金膜的上述小凸部等的形状异常的主要原因。

发明内容

于是，本发明是为了解决上述问题而提出的，本发明的课题在于针对具有由银单质，或银合金构成的反射层的电光装置，提供一种能够减小反射层的小凸部等的形状异常的发生的结构。

用于解决上述课题的本发明的电光装置包括设置于一对上述基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构，其特征在于在其中一块上述基板上，叠置由导电性金属氧化物构成的基底导电层，由银单质，或银合金构成的反射性导电层和由透明导电体构成的透明导电层，上述透明导电层的厚度小于上述基底导电层。

按照本发明，在基板上，具有叠置有基底导电层、反射性导电层和透明导电层的叠层结构，在该叠层结构中，位于反射性导电层的上层的透明导电层的厚度小于基底导电层，由此，可减小透明导电层作用于反射性导电层的应力负荷，其结果是，可抑制在反射性导电层中产生小凸部等的形状异常。于是，可使电光装置中的电可靠性提高，可提高制品的合格率。此外，通过使基底导电层的厚度大于透明导电层，则即使在象上述那样，以较小厚度形成透明导电层的情况下，仍可通过基底导电层，确保电传导性，故可抑制，减少由上述叠层结构形成的电极，布线的电阻的增加。

在这里，反射性导电层由银单质，或银合金形成，但是，在任何的场合，均可满足高反射率与低电阻这两种场合。另外，在此场合，通过叠置其厚度大于透明导电层的基底导电层与低电阻的反射性导电层，可将电极，布线的电阻进一步减小，由此，可构成具有更加良好的电特性的电光装置。另外，在反射性导电层上，形成透明导电层，由此，抑制银单质，或银合金的迁移等的发生，由此，可保持反射面的平滑性，可进一步提高电可靠性。

另外，本发明的还一电光装置包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构，其特征在于该电光装置包括密封有电光物质的物质密封区域，在上述物质密封区域，在其中一块基板上，形成有具有叠层结构的反射电极，在该叠层结构中，叠置由导电性金属氧化物构成的基底导电层，由银单质，或银合金构成的反射性导电层和由透明导电体构成的透明导电层，在上述物质密封区域的外侧，形成有以导电方式与上述反射电极连接，并且具有上述叠层结构中的上述基底导电层的外部布线，或具有上述叠层结构中的上述基底导电层和透明导电层的外部布线，上述透明导电层的厚度小于上述基底导电层。

由于在电光装置的物质密封区域的内部，形成叠置有基底导电层、反射性导电层和透明导电层的反射电极，另一方面，在物质密封区域的外侧，形成具有上述叠层结构中的基底导电层的，或具有上述叠层结构中的基底导电层和透明导电层的外部布线，故即使在覆盖反射性导电层的透明导电层较薄的情况下，仍可防止反射性导电层的银单质，或银合金的腐蚀，电蚀。

另外，最好，在上述物质密封区域的内部，与上述反射电极相同，设置由基底导电层、反射性导电层和透明导电层的叠层结构形成的内部布线。由此，可减小物质密封区域内的布线电阻。

在本发明中，最好，上述透明导电层的厚度在5～30nm的范围内。由于透明导电层的厚度在5nm以上，故即使在采用实用的制造方法的情况下，仍可防止反射性导电层的表面的局部未通过透明导电层覆盖而露出的情况。另外，由于通过使透明导电层的厚度在30nm以下，可减小透明导电层作用于反射性导电层的应力负荷，故可防止在反射性导电层中，产生小凸部等的形状异常的情况。

此外，本发明的电光装置的制造方法涉及包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置的制造方法，其特征在于该方法包括下述工序：在上述一对基板中的其中一块上述基板上，形成由导电性金属氧化物构成的基底导电层；在上述基底导电层上，有选择地形成由银单质，或银合金构成的反射性导电层；在上述基底导电层和反射性导电层上，形成由其厚度小于上述基底导电层的厚度的透明导电体构成的透明导电层。

按照本发明，通过在形成基底导电层后，形成反射性导电层，可使反射性导电层的紧密贴合性提高，并且可通过叠层结构，减小电极、布线的电阻。另外，通过在反射性导电层上，形成透明导电层，可抑制反射性导电层的迁移等造成的反射率的降低，电可靠性的降低。此外，由于通过使透明导电层的厚度小于基底导电层的厚度，减小透明导电层作用于反射性导电层的应力负荷，故可防止在反射性导电层中，产生小凸部等的形状异常的情况。另一方面，由于通过使基底导电层的厚度大于透明导电层的厚度，即使在象上述这样，以较小的厚度形成透明导电层的情况下，仍可通过基底导电层，确保电传导性，故抑制，减小通过叠层结构形成的电极，布线的电阻的增加。

还有，本发明的还一电光装置的制造方法涉及包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置的制造方法，其特征在于该方法包括下述工序：在上述一对基板中的其中一块基板上，形成由导电性金属氧化物构成的基底导电层；在上述基底导电层上，限定在应构成密封有电光物质的物质密封区域的第1区域内，有选择地形成由银单质，或银合金构成的反射性导电层；在上述第1区域，在上述反射性导电层和基底导电层上，在应设置于上述物质密封区域的外侧的第2区域，在上述基底导电层上，分别形成由其厚度小于上述基底导电层的透明导电体构成的透明导电层；对上述基底导电层和透明导电层一起进行图形化。

按照本发明，可在相当于物质密封区域的第1区域内，形成基底导电层、反射性导电层和透明导电层的叠层结构，在相当于物质密封区域的外侧的第2区域内，形成基底导电层和透明导电层的叠层结构。在这里，可通过对基底导电层和透明导电层一起进行图形化，以较少的工序数量，制造电光装置。

在本发明中，最好，按照5～30nm的厚度，形成上述透明导电层。通过使透明导电层的厚度为5nm以上，即使在采用实用的制造方法的情况下，仍可防止反射性导电层的表面的局部未为透明导电层覆盖而露出的情况。另外，由于通过使透明导电层的厚度为30nm以下，减小透明导电层作用于反射性导电层的应力负荷，故可防止在反射性导电层中，产生小凸部等的形状异常的情况。

再有，本发明的电子设备的特征在于其包括上述任何一种所述的电光装置，与对电光装置进行控制的控制机构。作为电子设备，多数在野外使用，另外，用于电源容量具有限制的便携型电子设备，但是，最好具有可形成反射型的电光装置，或半透射反射型的电光装置的电光装置。

附图说明：

图1为本发明的电光装置的实施例的液晶显示装置的整体组成的概略透视图；

图2为以示意方式表示该液晶显示装置的截面组成的概略剖视图；

图3为以示意方式表示该液晶显示装置的平面组成的平面透视图；

图4(a)，(b)，(c)为表示该液晶显示装置的背面侧基体的基板上的结构的概略局部剖视图；

图5(a)至(e)为表示制造该液晶显示装置的背面侧基体的基板上的结构的工序的工序剖视图；

图6(a)为表示制造该液晶显示装置的背面侧基体的基板上的结构的工序的概略局部剖视图，图6(b)为表示比较实例的结构的概略局部剖视图；

图7为表示透明导电层的内部应力与膜厚之间的关系的曲线图；

图8为表示具有液晶显示装置的电子设备的显示控制系统的组成的组成方框图；

图9为表示作为电子设备的一个实例的便携电话的外观的概略透视图。

标号的说明：

200表示液晶显示装置；

210表示背面侧基体；

211表示基板；

212表示反射电极；

212A，218A表示基底导电层；

212B，218B表示反射性导电层；

212C，218C表示透明导电层；

218a表示内部布线；

218b，218c表示外部布线；

219表示输入端子；

220表示前面侧基体；

221表示基板；

222表示透明电极；

228表示内部布线。

具体实施方式

下面参照附图，对本发明的电光装置及其制造方法和电子设备的实施例进行具体描述。

(液晶显示装置的结构)

首先，参照图1～图3，对液晶显示装置200的结构进行描述。图1为本实施例的电光装置的实施例的液晶显示装置200的概略透视图，图2为以示意方式表示该液晶显示装置200的剖面结构的概略剖视图，图3为以示意方式表示该液晶显示装置200的平面配置的平面透视图。

该液晶显示装置200具有基本单元结构，其中，通过密封材料230，使背面侧基体210和前面侧基体220贴合，该背面侧基体210包括由非碱性玻璃等的玻璃，塑料等形成的基板211和形成于其内面上的电极，布线等，该前面侧基体220包括与上述基板211相同的基板221和形成其内面上的电极，布线等，在该密封材料230的内侧，密封有作为电光物质的液晶232。

在基板211上，在图1所示的显示区域A内，形成具有后面将要描述的叠层结构的反射电极212，并且按照与该反射电极212导电连接的的方式成整体而形成的内部布线218a形成于通过密封材料230而密封的液晶密封区域内。反射电极212和内部布线218a分别呈带状，并且多个呈条带状排列。

另外，在具有基板211的背面侧基体210上，设置有伸出到具有基板221的前面侧基体220的概略的外侧的基板伸出部210T。在该基板伸出部210T，形成有与内部布线218a导电连接的外部布线218b。另外，在基板伸出部210T上，还形成有按照从密封材料230引出的方式构成的外部布线218c。

另一方面，在基板221上，在图1所示的显示区域A处，形成由ITO等的透明导电体构成的透明电极222。该透明电极222呈带状，多个透明电极222呈条带状排列。该透明电极222从显示区域A伸出，与内部布线228导电连接。该内部布线228通过由密封材料230的一部分等构成的上下导通部230x(参照图3)，与上述外部布线218c导电连接。

在上述基板伸出部210T，安装有半导体IC芯片261。在基板引出部210T伸出的上述外部布线218b和218c，与半导体IC芯片261的图中未示出的芯片端子导电连接。在该半导体IC芯片261的内部，比如，形成有液晶驱动电路。半导体IC芯片261还与设置于基板伸出部210T的输入端子219导电连接。在该输入端子219上，安装有由图1中的点划线表示的柔性布线基板263。

另外，在形成可彩色显示的液晶显示装置的场合，象图2所示的那样，在基板221的内面上，形成具有着色层223，与覆盖该着色层223的保护膜224的滤色片。该着色层223由在透明的有机树脂中添加颜料，染料的混合料形成。还有，在后面将要描述的象素200P(参照图2)之间，根据需要，设置有由黑色树脂等形成的遮光层223BM。此外，保护膜224由丙烯酸类树脂等的透明材料形成。在上述滤色片上，形成上述透明电极222。

在背面侧基体210和前面侧基体220的表面上，分别形成由聚酰亚胺树脂构成的取向膜216和226。对这些取向膜216，226，进行研磨(rubbing)处理等的取向处理，提供确定液晶232的初始取向状态的取向能。另外，象图3所示的那样，上述反射电极212和透明电极222相互在平面上相垂直，两个电极在平面上重合的区域构成图2所示的象素200P。

下面对液晶显示装置200的细部结构进行更加具体的描述。在基板211的内面上，象图4(a)所示的那样，形成有反射电极212，在该反射电极212中，叠置有基底导电层212A，该基底导电层212A由ITO等的导电性金属氧化物构成；反射性导电层212B，该反射性导电层212B形成于该基底导电层212A上，由银单质，或银合金构成；透明导电层212C，该透明导电层212C形成于该反射性导电层212B上，由ITO等的透明导电体构成。

在这里，上述基底导电层212A用于使反射性导电层212B和基板211之间的紧密贴合性提高，并且使反射电极212的面积电阻率减小。为了实现该目的，上述基底导电层212A的厚度最好在100～200nm的范围内，特别是最好为150nm。

另外，反射性导电层212B可由以银单质，各种银为主体的合金形成。特别是，最好采用上述的APC合金，比如，作为优选的合金，可例举在重量百分比为98％左右的银(Ag)中添加铂(Pt)和铜(Cu)的合金、在相同量的银(Ag)中添加铜(Cu)和金(Au)的合金、在相同量的银(Ag)中添加钌(Ru)和铜(Cu)的合金等。该反射性导电层212B的厚度还依赖于合金的电阻率，但是最好其在150～250nm的范围内，特别是最好为200nm左右。

透明导电层212C按照将反射性导电层212B的表面全部覆盖的方式形成。另外，在图示例中，上述基底导电层212A在比反射性导电层212B稍宽的范围内形成，透明导电层212C还形成于未通过反射性导电层212B覆盖的基底导电层212A的表面上。上述透明导电层212C一般可具有某种程度的透明性，并且可具有用作对于电光物质(液晶)的电极的充分的导电性，但是，通常，其由具有光透射性的导电性金属氧化物形成。特别是最好，其采用ITO。

透明导电层212C的厚度在5～30nm的范围内。在这里，如果其厚度小于5nm，则难于在整体没有缺陷的情况下，将透明导电层212C形成于反射性导电层212B的表面上，在反射性导电层212B的一部分上，容易形成未为透明导电层212C覆盖的露出区域。如果象这样，则容易产生制造工艺中的热滞等造成的迁移，使反射性导电层212B的表面粗糙，反射率降低，不能够通过透明导电层212C，保护反射性导电层212B的表面，由此，容易发生腐蚀，电蚀。另外，由于因反射性导电层212B露出，其材质与相对的透明电极222不同，故具有在液晶驱动时，极性产生偏移，反射性导电层的材料在液晶中析出的不利情况。

另一方面，如果厚度大于30nm，则透明导电层212C的内部应力增加，温度过程造成的，反射性导电层212B从透明导电层212C受到的热应力增加，容易在反射性导电层的缘部，产生应力集中，容易产生小凸部等的形状异常，特别是使电可靠性降低。

另外，象图4(b)所示的那样，设置于密封材料230的内侧的内部布线218a也通过与上述反射电极212完全相同的叠层结构构成。即，其包括通过ITO等的导电性金属氧化物构成的基底导电层218A、由银单质，或银合金构成的反射性导电层218B和由ITO等的透明导电体构成的透明导电层218C。在这里，基底导电层218A与上述反射电极212的基底导电层212A同时地成整体形成，通过与上述基底导电层212A相同的材料，以相同的厚度形成。另外，反射性导电层218B与上述反射电极212的反射性导电层212B同时地成一体形成，通过与透明导电层212B相同的材料，以相同的厚度形成。此外，透明导电层218C与上述反射电极212的透明导电层212C同时地成一体形成，通过与透明导电层212C相同的材料，以相同的厚度形成。

在上述反射电极212和内部布线218a上，象图2所示的那样，形成由透明的绝缘体，比如，TiO₂，SiO₂等的无机化合物，或丙烯酸类树脂等的透明的有机树脂形成的保护膜215。该保护膜215对上述反射电极212进行保护，防止在异物混入到背面侧基体210和前面侧基体220之间时，通过上述异物，反射电极212与透明电极222之间发生电短路的情况。

图4(a)和(b)所示的基板211上的反射电极222与内面布线218a在图3所示的区域X的范围内形成。即，上述基底导电层、反射性导电层和透明导电层这3层结构限定在作为密封材料230的内侧的液晶密封区域内部而形成。换言之，反射性导电层212B，218B限定在液晶密封区域内而形成。

另一方面，在液晶密封区域的外侧，形成外部布线218b和218c与输入端子219，它们象图4所示的那样，仅仅由上述的基底导电层218A和透明导电层218C构成。即，在设置于液晶密封区域的外侧的，这些外部布线218b和218c上，未形成设置于上述的内部布线218a的反射性导电层218B。通常，液晶密封区域的内部通过密封部件230密封，但是在液晶密封区域的外侧，虽然最终基板伸出部210T通过硅树脂等模制，但是，与液晶密封区域相比较，容易曝露于外部污染环境下。然而，由于在外部布线218b和218c与输入端子219上，未设置有反射性导电层218B，故可防止反射性导电层218B发生腐蚀，电蚀。特别是，在本实施例中，由于形成于反射性导电层212B，218B上的透明导电层212C，218C象上述那样，以较小的厚度形成，故与上述专利文献2中公开的叠层结构相比较，在叠层结构本身中，反射性导电层的耐腐蚀性变差。于是，使位于液晶密封区域的外侧的外部布线象上述那样，采用不包括反射性导电层的结构(即，图4(c)所示的结构)，在此场合，对于提高电光装置整体的耐腐蚀性方面特别有效。

(液晶显示装置的制造方法)

下面对作为本发明的电光装置的制造方法的实施例的，上述液晶显示装置200的制造方法进行描述。首先，参照图5，针对在背面侧基体210的制造工序中，在基板211上，形成反射电极212、内部布线218a、外部布线218b，218c、输入端子219的制造阶段进行描述。另外，图5仅仅表示反射电极212的形成部分。

首先，象图5(a)所示的那样，在基板211的表面上，形成通过溅射法等，由ITO构成的基底导电层212A(218A)。基底导电层212A(218A)的厚度象上述的那样，比如，为150nm。在将基底导电层212A(218A)覆盖于基板211上后，根据需要，按照适合的温度(比如，在150～230℃的范围内)，实施退火处理(或，烘焙)。

接着，象图5(b)所示的那样，在上述基底导电层212A(218A)上，通过溅射法，蒸镀法等，覆盖银单质，或银合金，形成反射性导电层212B(218B)。该反射性导电层的厚度比如，为200nm。接着，对该反射性导电层进行图形化，象图5(c)所示的那样，有选择地形成构成上述反射电极212，内部布线218a的部分。即，在图3所示的区域X，呈多个条带状，残留构成反射电极212和内部布线218a的带状的图形，在基板211上的残留区域，将反射性导电层全部去除。于是，反射性导电层仅仅残留于相当于液晶密封区域的基板211上的第1区域的内部。

上述反射性导电层212B(218B)的图形制作比如，可通过采用感光性抗蚀剂的公知的光刻法进行。即，通过对该感光性抗蚀剂进行曝光，显影处理，制作图形，由此，形成掩模，采用该掩模，对反射性导电层进行蚀刻处理。该蚀刻所采用的蚀刻液采用对反射性导电层的蚀刻速度较大，对基底导电层的蚀刻速度较小的类型，即，选择比较大的类型。作为这样的蚀刻液，例举有比如，磷酸系混合酸蚀刻液。

接着，在象上述那样经图形化的反射性导电层212B(218B)和露出的基底导电层212A(218A)上，象图5(d)所示的那样，形成由ITO形成的透明导电层212C(218C)。最好，该透明导电层212C(218C)与上述基底导电层相同，通过溅射法覆盖，然后，按照规定温度烘焙。该透明导电层的厚度比如，为10nm。在这里，在没有上述反射性导电层的区域，即，在相当于液晶密封区域的上述第1区域的外侧的第2区域，在基底导电层212A(218A)上，直接形成透明导电层212C(218C)。

然后，对基底导电层212A(218A)和透明导电层212C(218C)进行图形化，形成上述反射电极212、内部布线218a、外部布线218b、218c、输入端子219。在该制作图形工序中，采用规定的掩模，将剩余的部分一起去除。即，将基板211上的反射电极212、内部布线218a、外部布线218b、218c和输入端子219以外的部分全部去除。此时的蚀刻液可采用王水等的强酸。象这样，通过将基底导电层和透明导电层一起去除，制作图形，可减小制造工序的数量，可降低制造成本。

(叠层结构的特性)

下面对上述反射电极212、内部布线218a的3层结构进行更加具体的描述。该3层结构象这样形成，即，通过基底导电层212A，218A与反射性导电层212B，218B，实现作为电极，或布线所要求的面积电阻率，并且通过透明导电层212C，218C，覆盖反射性导电层212B，218B的表面，减小银单质，或银合金的迁移，机械性的损伤。

在这里，最上层的透明导电层212C，218C象图6(a)所示的那样，按照小于基底导电层212A(218A)的厚度形成。其原因在于：象图6(b)所示的那样，如果在反射性导电层212B(218B)上，形成较厚的(比如，在150～200nm左右的范围内)的透明导电层212C’(218C’；图中未示出)，则反射性导电层212B(218B)从透明导电层212C’(218C’)接受的，透明导电层的内部应力造成的机械性应力，热滞造成的热应力机械性应力，热应力(因反射性导电层与透明导电层之间的热膨胀率的差产生的)较大，由此，在反射性导电层的一部分(比如，边缘部等处)，压力，或变形局部地增加，此时，容易产生小凸部等的形状异常。由于因该形状异常的作用，在邻接的反射电极212，内部布线218a之间，或夹持液晶132而相对的透明电极222等之间，分别发生短路的可能性增加，故因该反射性导电层的形状异常，液晶显示装置200本身的电可靠性降低，合格率下降。

最好，透明导电层212C，218C的厚度在5～30nm的范围内。当透明导电层212C，218C的厚度小于5nm时，具有难于将反射性导电层212B，218B的整个表面覆盖，反射性导电层的表面局部地露出的危险。如果象这样，反射性导电层的表面露出，则因迁移等因素，使表面粗糙，反射率降低，造成小凸部等的形状异常的可能性增加，液晶驱动时的极性偏移，银的析出等现象容易发生。

另一方面，如果透明导电层的厚度大于30nm，则伴随该厚度的增加，反射性导电层212B，218B从透明导电层212C，218C接受的应力增加，由此，反射性导电层的内部变形局部地增加，造成小凸部等的形状异常的可能性增加。

比如，在透明导电层中，象图7所示的那样，由于伴随厚度的增加，正的内部应力增加，故通常，与具有负的内部应力的反射性导电层的匹配性变差，容易在该反射性导电层中，产生小凸部等的形状异常。图7表示透明导电层212C，218C的厚度，与其内部应力(残留应力)之间的关系。在这里，给出在内部应力为正(图示上方)的场合，处于张拉性的残留应力位于层内的状态，在内部应力为负(图示下方)的场合，给出处于压缩性的残留应力位于层内的状态。在30nm以下的区域，厚度越小，张拉性的内部应力越大，但是即使在该张拉性的内部应力增加的情况下，由于反射性导电层还通常，具有张拉性的内部应力，故仍难于产生来自透明导电层的影响，另外，在其膜厚区域，由于透明导电层的膜厚较小，故反射性导电层所承受的力本身并不大，故影响较小。如果透明导电层212A，218A的厚度大于30nm，则压缩性的内部应力增加。透明导电层的压缩性的内部应力的增加对反射性导电层的表面附近产生作用，是小凸部等的形状异常的原因。

在本实施例中，如果透明导电层的厚度大于30nm，则反射性导电层212B，218B的形状异常的发生概率慢慢地增加，还具有导电不良的情况。另一方面，如果透明导电层的厚度小于5nm，则作为膜的致密性不充分，由于迁移等原因，反射率降低，产生电蚀等现象。

在本实施例中，象上述那样，由于在反射性导电层212B，218B上，仅仅形成较薄的透明导电层212C，218C，故必须确保基底导电层212A，218A，与反射性导电层212B，218B的厚度，以便使电极，布线的电阻充分地低。在本实施例的场合，两者的总厚度必须至少为150nm。

但是，在本实施例中，由于主要通过基底导电层218A，构成外部布线218b，218c和输入端子219，故基底导电层212A，218A的厚度必须按照具有能够单独地构成布线的面积电阻率的方式设定。于是，为了将外部布线等的电阻充分地降低，最好，基底导电层212A，218A的膜厚单独地在120nm以上。

(电子设备)

最后，参照图8和图9，对本发明的电子设备的实施例进行描述。在本实施例中，对将上述电光装置的液晶面板200用作电子设备的显示机构的场合的实施例进行描述。图8为表示本实施例的电子设备的液晶面板200的控制系统(显示控制系统)的整体组成的概略组成图。在这里给出的电子设备包括显示控制电路290，该显示控制电路290具有显示信息输出源291，显示信息处理电路292，电源电路293，定时信号发生器294。

另外，在与上述相同的液晶面板200中，具有驱动上述显示区域A(参照图1和图3)的驱动电路261(在上述图示例中，由直接安装于液晶面板上的半导体IC芯片构成的液晶驱动电路)。

显示信息输出源291包括由ROM(Read Only Memory)，RAM(RandomAccess Memory)等构成的存储器；由磁记录盘，光记录盘等形成的存储机构；调谐输出数字图象信号的调谐电路，其按照通过由定时信号发生器294产生的各种时钟信号，以规定的格式的图象信号等的格式，将显示信息供给显示信息处理电路292的方式构成。

显示信息处理电路292包括串并转换电路、放大反转电路、旋转电路、γ补偿电路、箝位电路等的公知的各种电路，进行已输入的显示信息的处理，将该图象信息与时钟信号CLK一起，供给驱动电路216。驱动电路216包括扫描线驱动电路、信号线驱动电路和检查电路。另外，电源电路293将规定的电压分别供给上述各组成部件。

图9表示本发明的电子设备的一个实施例的便携电话。该便携电话1000包括操作部1001，与显示部1002。在操作部1001的前面，排列有多个操作按钮，在送话部的内部，设置有麦克风。另外，在显示部1002的受话部的内部，设置有扬声器。

在上述显示部1002中，在外壳体的内部，设置有电路基板1100，上述液晶面板200安装于上述电路基板1100上。设置于外壳体内部的液晶面板200按照可通过显示窗200A，能够辨认显示面的方式构成。

另外，本发明的电光装置和电子设备不仅仅限于上述的图示例，显然，在不脱离本发明的要点的范围内，可进行各种改变。比如，上述各实施例给出的电光装置均为具有液晶显示面板的液晶显示装置，但是，也可采用无机电致发光装置、有机电致发光装置、等离子体显示装置、FED(场发射显示装置)装置等的具有各种电光面板的装置。此外，上述实施例涉及具有所谓的COG型的结构，直接将IC芯片安装于至少一个基板上的结构的液晶面板，但是，也可为称为COF结构，其中，在液晶面板中，连接柔性布线基板，TAB基板，将IC芯片等安装于这些布线基板上。

此外，上述实施例以反射型的液晶显示装置为实例进行了描述，但是，也可在上述反射性导电层中，针对每个象素200P(参照图2)，设置开口部，构成半透射反射型的液晶显示装置。

如果象上面所述的那样，采用本发明，在具有由银单质或银合金构成的反射性导电层的电光装置中，可减小反射性导电层产生小凸部等的形状异常的可能性。

Claims (7)

1.一种电光装置，在包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置中，其特征在于：

在一块上述基板上，叠置有由导电性金属氧化物构成的基底导电层，由银单质或银合金构成的反射性导电层和由透明导电体构成的透明导电层；

上述透明导电层的厚度比上述基底导电层薄。

2.一种电光装置，在包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置中，其特征在于：

包括密封有上述电光物质的物质密封区域；

在上述物质密封区域，构成有在一块上述基板上，具备由导电性金属氧化物构成的基底导电层，由银单质或银合金构成的反射性导电层和由透明导电体构成的透明导电层叠层而成叠层结构的反射电极；

在上述物质密封区域的外侧，构成有与上述反射电极导电连接，并且具有上述叠层结构中的上述基底导电层的外部布线，或具有上述叠层结构中的上述基底导电层和上述透明导电层的外部布线；

上述透明导电层的厚度形成为比上述基底导电层薄。

3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于上述透明导电层的厚度在5nm～30nm的范围内。

4.一种电光装置的制造方法，在包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置的制造方法中，其特征在于包括：

在上述一对基板中的一块上述基板上，形成由导电性金属氧化物构成的基底导电层的工序；

在上述基底导电层上，有选择地形成由银单质或银合金构成的反射性导电层的工序；

和在上述基底导电层和上述反射性导电层上，形成由比上述基底导电层薄的透明导电体构成的透明导电层的工序。

5.一种电光装置的制造方法，在包括设置于一对基板之间的电光物质，与对该电光物质施加电场的机构的电光装置的制造方法中，其特征在于包括：

在上述一对基板中的一块上述基板上，形成由导电性金属氧化物构成的基底导电层的工序；

在上述基底导电层上，限定在要构成密封有上述电光物质的物质密封区域的第1区域内，有选择地形成由银单质或银合金构成的反射性导电层的工序；

在上述第1区域，在上述反射性导电层和上述基底导电层上，在要设置于上述物质密封区域的外侧的第2区域，在上述基底导电层上，分别形成比上述基底导电层薄的透明导电体构成的透明导电层的工序；

和对上述基底导电层和上述透明导电层一并图形化的工序。

6.根据权利要求4或5所述的电光装置的制造方法，其特征在于将上述透明导电层形成为5nm～30nm的厚度。

7.一种电子设备，其特征在于包括权利要求1～3中的任何一项所述的电光装置，与对电光装置进行控制的控制机构。

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