CN1497311A - 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

液晶显示装置的阵列基板包括：基板；设在基板上的栅极线和数据线，栅极线和数据线相互交叉形成象素区；与栅极线平行的公共线；从公共线上伸出并包含多个垂直部分的公共电极；与栅极线和数据线电性连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极，设在栅极之上的半导体层，设在半导体层之上并与数据线相连的源极，和设在半导体层之上并与源极彼此相隔一定距离的漏极，其中半导体层的一部分局部覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面；所述阵列基板还包括设在象素区内的象素电极，所述象素电极与漏极相连，并包括多个垂直部分，所述多个垂直部分与公共电极的多个垂直部分相互交替设置。

Description

液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
本发明要求2002年10月4日在韩国申请的第2002-60706号韩国专利申请的权益，该申请在本申请中以引用的形式加以结合。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置和制造液晶显示装置的方法，更确切地说，本发明涉及液晶显示装置的阵列基板和制造液晶显示装置阵列基板的方法。
背景技术
通常，液晶显示(LCD)装置是利用液晶材料的光学各向异性和偏振特性来驱动的。LCD装置通常包括两个彼此相隔一定间距且相互面对的基板，和设在两个基板之间的液晶材料层。每个基板包括彼此相对的电极，其中施加到每个电极上的电压在电极之间感生垂直于基板的电场。通过改变所加电场的强度或方向可以改变液晶材料层的液晶分子取向。所以，LCD装置是通过根据液晶分子的取向改变透过液晶材料层的光透射率而显示图像的。因此，LCD装置具有极好的光透射率和孔径比。
由于包含薄膜晶体管和按矩阵排布的象素电极的LCD装置(通常称之为有源矩阵型LCD装置)具有高分辨率和快速显示运动图像的能力，所以这种LCD装置获得了广泛应用。然而，LCD装置存在视角窄的缺点。为了克服视角窄的缺陷，开发了共平面开关(IPS)LCD装置，这种装置能产生平行于基板表面的电场。
图1是现有技术中共平面开关(IPS)液晶显示(LCD)装置用阵列基板的平面图。在图1中，在基板10上沿着第一方向形成栅极线12，并沿着第一方向形成平行于栅极线12的公共线16。此外，沿着垂直于第一方向的第二方向形成与栅极线12和公共线16交叉的数据线24。而且，数据线24和栅极线12构成象素区P。
在栅极线12和数据线24的交叉处形成起开关元件作用的薄膜晶体管T。薄膜晶体管T由与栅极线12相连的栅极14、与数据线24相连的源极26、与源极26相隔一定距离的漏极28和设在栅极12和源极以及漏极26、28之间的半导体层20构成。源极26为U形，并围绕着呈棒形的漏极28的一部分。
在象素区P中，形成象素电极30和公共电极17，其中象素电极30与漏极28相连而公共电极17与公共线16相连。象素电极30由延伸部分30a、多个垂直部分30b、和水平部分30c构成。延伸部分30a与漏极28相连，而多个彼此相隔一定距离的垂直部分30b从延伸部分30a上垂直伸出。水平部分30c与公共线16重叠并且与多个垂直部分30b相连。
公共电极17包括水平部分17a和多个垂直部分17b，其中水平部分17a与象素电极30的延伸部分30a重叠。多个垂直部分17b从公共线16上垂直伸出并与象素电极30的多个垂直部分30b交替布置。多个垂直部分17b与公共电极17的水平部分17a相连。
公共线16和象素电极30的水平部分30c形成存储电容C，该电容与液晶电容并联。因此，公共线16起第一存储电极的作用，而水平部分30c起第二存储电极的作用。然而，如图1所示，数据线24和漏极28可能会共同造成电短路。
图2是作为现有技术的图1中区域“A”的放大平面图。在图2中，源极26从数据线24上伸出并沿着栅极14的第一侧设置在栅极14上方。同样，漏极28沿着栅极14的第二侧设置在栅极14的上方。而且，源极26为U形，在栅极14上方延伸的漏极28为棒形，源极26围绕着漏极28。
在数据线24、源极26、和漏极28构成图形的过程中，沿着位于数据线24和漏极28之间的栅极14的阶梯部分留有剩余层50。因此，当电压施加到LCD装置上时，数据线24和漏极28便会共同造成电短路。由于数据线24和漏极28会产生电短路，所以，驱动LCD装置时可能会出现问题。
为了解决这些问题，而在栅极14的上方并在数据线24和漏极28可能会产生电短路的区域内设置了具有扩大面积的半导体层20。然而，在形成半导体层20的过程中，半导体层20的位置可能会产生偏移，从而使数据线24和漏极28仍有可能出现电短路。
发明内容
因此，本发明在于提供一种液晶显示装置的阵列基板和制造液晶显示装置阵列基板的方法，其基本上克服了因现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的目的是提供一种液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板具有能防止漏极和数据线之间出现电短路的改进结构。
本发明的另一个目的是提供一种制造液晶显示装置阵列基板的方法，所述阵列基板能防止漏极和数据线之间出现电短路。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为具体的和广义的描述，本发明所述液晶显示装置的阵列基板包括：基板；设在基板上的栅极线和数据线，栅极线和数据线相互交叉以形成象素区；与栅极线平行的公共线；从公共线上伸出并包含多个垂直部分的公共电极；与栅极线和数据线电性连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极，设在栅极之上的半导体层，设在半导体层之上并与数据线相连的源极，和设在半导体层之上并与源极彼此相隔一定距离的漏极，其中半导体层的一部分局部覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面；所述阵列基板还包括设在象素区内的象素电极，所述象素电极与漏极相连，并包括多个垂直部分，所述多个垂直部分与公共电极的多个垂直部分相互交替设置。
按照另一方面，所述液晶显示装置的阵列基板包括：基板；设在基板上的栅极线和数据线，栅极线和数据线相互交叉形成象素区；与栅极线和数据线电性连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括与栅极线连接的栅极，设在栅极之上的半导体层，设在半导体层之上并与数据线相连的源极，和设在半导体层之上并与源极彼此相隔一定距离的漏极，其中半导体层的一部分局部覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面；所述阵列基板还包括设在象素区内的象素电极，所述象素电极与漏极相连。
按照另一方面，本发明所述制造液晶显示装置阵列基板的方法包括，在基板上形成栅极线和栅极；在基板上形成公共线和公共电极，公共线与栅极线平行而且公共电极从公共线上伸出并包括多个垂直部分；在栅极线、栅极、公共线、和公共电极上形成栅极绝缘层；在栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅极线交叉构成象素区，源极设置在栅极之上并与数据线相连，而漏极与源极相隔一定距离；在象素区内形成象素电极，象素电极与漏极相连并包括多个垂直部分，所述多个垂直部分与公共电极的多个垂直部分相互交替设置；和在象素电极上形成钝化层，其中半导体层的一部分局部地覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面。
按照另一方面，所述制造液晶显示装置阵列基板的方法包括，在基板上形成栅极线和栅极；在栅极线和栅极上形成栅极绝缘层；在栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅极线交叉构成象素区，源极设置在栅极之上并与数据线相连，而漏极与源极相隔一定距离；在数据线、源极和漏极上形成钝化层；在象素区内形成象素电极，象素电极与漏极相连，其中半导体层的一部分局部地覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面。
很显然，上面的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对本发明的权利要求作进一步解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书相结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。附图中：
图1是现有技术中共平面开关(IPS)型液晶显示(LCD)装置阵列基板的平面图；
图2是表示现有技术的图1中区域“A”的放大平面图；
图3是按照本发明所述示例性IPS型LCD装置阵列基板的平面图；
图4是表示本发明的图3中区域“B”的放大平面图；
图5A-5C是沿图3中的线V-V剖切的剖面图，其表示制造本发明所述IPS型LCD装置阵列基板的示例性方法；
图6A-6C是沿图3中的线VI-VI剖切的剖面图，其表示制造本发明所述IPS型LCD装置阵列基板的另一种示例性方法；
图7是本发明所述液晶显示(LCD)装置另一个示例性阵列基板的平面图；和
图8A-8C是沿图7中的线VIII-VIII剖切的剖面图，其表示制造本发明所述LCD装置阵列基板的另一个示例性方法。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的实施例，所述实施例的实例示于附图中。
图3是按照本发明所述示例性IPS型LCD装置阵列基板的平面图。按照图3，在基板100上沿第一方向形成栅极线102，并在基板100上沿着第一方向形成与栅极线102平行的共用线106。此外，在基板100上沿着与第一方向垂直的第二方向形成与栅极线102和公共线106交叉的数据线114，其中数据线114和栅极线102构成象素区P1。
在栅极线和数据线102和114的交叉处形成起开关元件作用的薄膜晶体管T1。薄膜晶体管T1可以包括与栅极线102相连的栅极104、与数据线114相连的源极116、与源极116相隔一定距离的漏极118，和位于栅极104和源极及漏极116、118之间的半导体层110。
在象素区P1中，形成象素电极120和公共电极107，其中公共电极107可以包括多个垂直部分107a和水平部分107b。垂直部分107a的第一端部与公共线106相连，而垂直部分107a的第二端部与水平部分107b相连。
象素电极120可以包括延伸部分120a、多个垂直部分120b、和水平部分120c。延伸部分120a可以从漏极118上伸出，并且可以与公共电极107的水平部分107b重叠。多个垂直部分120b可以与公共电极107的多个垂直部分107a交替布置。垂直部分120b的第一端部与象素电极120的延伸部分120a相连，而垂直部分120b的第二端部与象素电极120的水平部分120c相连。象素电极120的水平部分120c与公共线106重叠，由此形成存储电容C。
在阵列基板中，源极116为U形，漏极118呈棒形，且源极116围绕着棒形漏极118。因此，与源极116和漏极118之间的半导体层110对应的薄膜晶体管T1的沟道也为U形。由于沟道的长度减小而沟道的宽度增加，所以流过沟道的电流增加。
例如，与图1相比，半导体层110可以向数据线114和漏极118之间的栅极104侧面伸出约2μm-约3μm。因此，半导体层110可以部分地覆盖数据线114和漏极118之间的栅极104的侧面。
图4是表示本发明的图3中区域“B”的放大平面图。在图4中，设在栅极104和源极及漏极1 16、118之间的半导体层110的长度E在约2μm-约3μm的范围内，该长度从栅极104和漏极118的交叉点开始沿着栅极104的侧面延伸，并盖住栅极104的侧面。例如，长度E可以约为1.8μm，在使半导体层110形成图形的光刻工艺中，该长度是掩模对准余量(aligning margin)的最大值。尽管掩模的最大对准余量可以约为1.8μm，但是半导体层110可以覆盖栅极104上暴露于数据线114和漏极118之间的侧面。
因此，在形成数据线114、源极116和漏极118图形的工艺中，由于栅极104台阶部分的作用，使得沿栅极104侧面形成的剩余层150在半导体层110的作用下与漏极118不形成电连接。因此，可防止数据线114和漏极118产生电短路。
图5A-5C是沿图3中的线V-V剖切的剖面图，其表示制造本发明所述IPS型LCD装置阵列基板的示例性方法，而图6A-6C是沿图3中的线VI-VI剖切的剖面图，其表示制造本发明所述IPS型LCD装置阵列基板的另一种示例性方法。按照图5A和图6A，在基板100上通过沉积第一金属层和使其形成一定图形来制成栅极线102(参见图3)、栅极104、和公共线106。例如，第一金属层可以包括诸如铝(Al)、铝和钕(Nd)的铝合金、钼(Mo)、钨(W)、和铬(Cr)等金属材料。栅极线102(参见图3)、栅极104和公共线106可以用铝或铝合金以及钼或铬构成双层结构。
此外，可以形成包含多个垂直部分107a和水平部分107b(参见图3)的公共电极。因此，可以与栅极线102平行地形成公共线106(参见图3)，多个垂直部分107a可以与公共线106和水平部分107b相连(参见图3)。
然后，通过沉积氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料，在基板100上形成覆盖栅极线102(参见图3)和栅极104的栅极绝缘层108。
在图5B和6B中，在栅极绝缘层108上依次形成半导体层110和掺杂的半导体层112a。半导体层110可以包括非晶硅，而掺杂的半导体层112a可以包括掺杂的非晶硅。
在图5C和6C中，可以通过沉积第二金属层并使其构成一定图形来形成数据线114、源极116和漏极118。第二金属层可以包括用于形成栅极线102(参见图3)、栅极104和公共线106的金属材料。数据线114与栅极线102(参见图3)交叉形成以构成象素区P1。此外，源极116可以与数据线114相连，漏极118与源极116在栅极104的上方相隔一定距离。
然后，在象素区P1中形成象素电极120。象素电极120可以包括从漏极118上伸出的延伸部分120a(参见图3)，与延伸部分120a(参见图3)相连且与公共电极107的垂直部分107a交替设置的多个垂直部分120b，和与多个垂直部分120b相连的水平部分120c。
接着，当除去源极116和漏极118的某些部分时，使得掺杂的半导体层112a的某些部分暴露，由此形成欧姆接触层112。因此，半导体层110可以包括栅极104上方的有源层110a和数据线114下方的延伸部分110b。欧姆接触层112可以包括对应于漏极118的第一部分112b和对应于数据线114及源极116的第二部分112c。半导体层110的延伸部分110b可以与欧姆接触层112的第二部分112c一起改善数据线114的沉积特性。
尽管图中未示出，但是源极116为U形，漏极118为棒形，源极116围绕着棒形漏极118。因此，半导体层110可以覆盖设在数据线114和漏极118之间的栅极104的侧面。例如，从栅极104和漏极118的交叉点算起，覆盖栅极104侧面的半导体层110的长度可以在约2μm-约3μm的范围内。
接着，通过涂敷例如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂等透明有机材料，在基板100上形成覆盖象素电极120的钝化层122。
按照本发明，由于半导体层110覆盖了数据线114和漏极118之间的栅极104的侧面，所以剩余层不会与漏极118电性接触。因此，可防止数据线114和漏极118产生电短路。
图7是本发明所述液晶显示(LCD)装置另一个示例性阵列基板的平面图。按照图7，在基板200上沿第一方向形成栅极线202，且在基板200上沿着与第一方向垂直的第二方向形成数据线212，所述数据线212与栅极线202交叉进而构成象素区P2。
在栅极线202和数据线212的交叉处形成起开关元件作用的薄膜晶体管T2。薄膜晶体管T2可以包括与栅极线202相连的栅极204，与数据线212相连的源极214，与源极214相隔一定距离的漏极216，以及设在栅极204和源极及漏极214、216之间的半导体层208。
此外，在象素区P2内形成象素电极222。象素电极222可以包括透明导电材料并与漏极216相连。因此，象素电极222可以与栅极线202重叠从而形成存储电容。
在图7中，源极214可以为U形，而漏极216的一部分可以为棒形，源极214围绕着源极的棒形部分。因此，薄膜晶体管T2的沟道也可以为U形。由于U形的缘故，使得沟道的长度减小而沟道的宽度增加，所以流过沟道的电流将增加。
在图7中，半导体层208可以从栅极204和漏极216的交叉点沿着数据线212和漏极216之间的栅极204的侧面延伸。因此，半导体层208可以在从栅极204和漏极216的交叉点开始覆盖栅极204的侧面约2μm-约3μm。
图8A-8C是沿图7中的线VIII-VIII剖切的剖面图，其表示制造本发明所述LCD装置阵列基板的另一个示例性方法。在图8A中，可以通过沉积第一金属层并使其构成一定图形在基板200上形成栅极线202和栅极204。第一金属层可以包括例如铝(Al)、铝和钕(Nd)的铝合金、钼(Mo)、钨(W)、和铬(Cr)等金属材料。栅极线202和栅极204可以形成包括铝或铝合金以及钼或铬的双层结构。
接着，通过沉积例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料，在基板200上形成覆盖栅极线202和栅极204的栅极绝缘层206。
在图8B中，在栅极绝缘层206上依次形成半导体层208和掺杂的半导体层210a。半导体层208可以包括非晶硅，而掺杂的半导体层210a可以包括掺杂的非晶硅。
在图8C中，可以通过沉积第二金属层并使其构成一定图形来形成数据线212、源极214和漏极216。第二金属层可以包括用于形成栅极线202和栅极204的金属材料。数据线212与栅极线202交叉构成象素区P2。此外，源极214可以与数据线212相连，漏极216可以在栅极204的上方与源极214相隔一定距离。尽管图中未示出，但是源极214可以为U形并且围绕着漏极216中呈棒形的那一部分。
接着，除去源极和漏极214和216之间掺杂半导体层210a(参见图8B)的暴露部分，由此形成欧姆接触层210。半导体层208可以包括位于栅极204上方的有源层208a和数据线212下方的延伸部分208b。欧姆接触层210可以包括与漏极216对应的第一部分210b和与数据线212以及源极214对应的第二部分210c。半导体层208的延伸部分208b可以与欧姆接触层210的第二部分210c一起改善数据线212的沉积特性。
然后，通过涂敷例如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂等透明有机材料，在基板200上形成覆盖数据线212、源极214和漏极216的钝化层218。随后，使钝化层218构成一定图形，由此形成暴露一部分漏极216的漏极接触孔220。
接下来，在钝化层218上的象素区P2内通过沉积例如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)等透明导电材料并使其构成一定图形而形成象素电极222。象素电极222可以通过漏极接触孔220与漏极216相连。
按照本发明，由于半导体层覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面，所以，可以防止沿着数据线和漏极之间的栅极侧面形成剩余层。因此，可以防止数据线和漏极产生电短路。此外，可以提高LCD装置的图像质量，和提高生产率。
对于熟悉本领域的技术人员来说，很显然，在不脱离本发明构思或范围的情况下，可以对本发明的制造和应用做出各种改进和变型。因此，本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。

Claims (22)

1.一种液晶显示装置的阵列基板，包括：
基板；
设置在基板上的栅极线和数据线，栅极线和数据线相互交叉形成象素区；
与栅极线平行的公共线；
从公共线上伸出并包含多个垂直部分的公共电极；
与栅极线和数据线电性连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
    与栅极线连接的栅极；
    设在栅极之上的半导体层；
    设在半导体层之上并与数据线相连的源极；和
    设在半导体层之上并与源极彼此相隔一定距离的漏极，其中半导体层
的一部分局部覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面；和
设在象素区内的象素电极，所述象素电极与漏极相连，并包括多个垂直部分，所述多个垂直部分与公共电极的多个垂直部分相互交替设置。
2.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，部分覆盖栅极侧面的那部分半导体层的长度在约2μm-约3μm的范围内，该长度从栅极和漏极的交叉点开始沿着栅极的侧面延伸。
3.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，半导体层进一步包括与数据线对应的延伸部分。
4.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管进一步包括设在半导体层和源极之间以及半导体层和漏极之间的欧姆接触层。
5.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，公共电极进一步包括与多个垂直部分相连的水平部分。
6.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，象素电极进一步包括与多个垂直部分的第一端部相连的延伸部分和与多个垂直部分的第二端部相连的水平部分。
7.按照权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，象素电极的水平部分与公共线重叠从而形成存储电容。
8.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，栅极的侧面靠近象素电极并具有相对于栅极线倾斜的表面。
9.按照权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管具有U形沟道，所述沟道对应于源极和漏极之间的半导体层。
10.一种液晶显示装置的阵列基板，包括：
基板；
设在基板上的栅极线和数据线，栅极线和数据线相互交叉形成象素区；
与栅极线和数据线电性连接的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：
    与栅极线连接的栅极；
    设在栅极之上的半导体层；
    设在半导体层之上并与数据线相连的源极；和
    设在半导体层之上并与源极彼此相隔一定距离的漏极，其中半导体层
的一部分局部覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面；和
设在象素区内的象素电极，所述象素电极与漏极相连。
11.按照权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，局部覆盖栅极侧面的那部分半导体层的长度在约2μm-约3μm的范围内，该长度从栅极和漏极的交叉点开始沿着栅极的侧面延伸。
12.按照权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，半导体层进一步包括与数据线对应的延伸部分。
13.按照权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管进一步包括设在半导体层和源极之间以及半导体层和漏极之间的欧姆接触层。
14.按照权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，栅极的侧面靠近象素电极并具有相对于栅极线倾斜的表面。
15.按照权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，薄膜晶体管具有U形沟道，所述沟道对应于源极和漏极之间的半导体层。
16.一种制造液晶显示装置阵列基板的方法，包括：
在基板上形成栅极线和栅极；
在基板上形成公共线和公共电极，公共线与栅极线平行而且公共电极从公共线上伸出并包括多个垂直部分；
在栅极线、栅极、公共线、和公共电极上形成栅极绝缘层；
在栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体层；
在半导体层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅极线交叉构成象素区，源极设置在栅极之上并与数据线相连，而漏极与源极相隔一定距离；
在象素区内形成象素电极，象素电极与漏极相连并包括多个垂直部分，所述多个垂直部分与公共电极的多个垂直部分相互交替设置；和
在象素电极上形成钝化层，
其中半导体层的一部分局部地覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面。
17.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，局部覆盖栅极侧面的那部分半导体层的长度在约2μm-约3μm的范围内，该长度从栅极和漏极的交叉点开始沿着栅极的侧面延伸。
18.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，薄膜晶体管具有U形沟道，所述沟道对应于源极和漏极之间的半导体层。
19.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，形成公共线和公共电极的步骤是与形成栅极线和栅极的步骤同时进行的。
20.按照权利要求16所述的方法，其特征在于，形成象素电极的步骤是与形成数据线、源极和漏极的步骤同时进行的。
21.制造液晶显示装置阵列基板的方法，包括：
在基板上形成栅极线和栅极；
在栅极线和栅极上形成栅极绝缘层；
在栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体层；
在半导体层上形成数据线、源极和漏极，所述数据线与栅极线交叉构成象素区，源极设置在栅极之上并与数据线相连，而漏极与源极相隔一定距离；
在数据线、源极和漏极上形成钝化层；和
在象素区内形成象素电极，象素电极与漏极相连，
其中半导体层的一部分局部地覆盖设在数据线和漏极之间的栅极侧面。
22.按照权利要求21所述的方法，其特征在于，局部覆盖栅极侧面的那部分半导体层的长度在约2μm-约3μm的范围内，该长度从栅极和漏极的交叉点开始沿着栅极的侧面延伸。
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