WO2020042304A1

WO2020042304A1 - 阵列基板、显示面板及显示装置

Info

Publication number: WO2020042304A1
Application number: PCT/CN2018/111178
Authority: WO
Inventors: 曹军红
Original assignee: 重庆惠科金渝光电科技有限公司; 惠科股份有限公司
Priority date: 2018-08-31
Filing date: 2018-10-22
Publication date: 2020-03-05
Also published as: CN108922488B; US11151954B2; US20210225313A1; CN108922488A

Abstract

一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板行驱动电路的薄膜晶体管器件包括间隔设置的第一类薄膜晶体管（101）、第二类薄膜晶体管（201）、第三类薄膜晶体管（401）和第四类薄膜晶体管（301）。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

液晶显示面板由于具有轻薄、省电等众多优点，从而广泛应用于电视、手机和数码相机等电子产品。随着液晶显示技术的飞速发展，更高的产能和更低的生产成本一直是液晶显示面板的追求目标。GOA(Gate Driver on Array，阵列基板行驱动)技术能够运用到液晶显示面板，代替外接IC(Integrated Circuit，集成电路)将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上，有效地提高了产能并且降低了生产成本。

传统的GOA电路的输出由TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件控制，TFT器件由多个紧密相邻的TFT元件组成，当任意一个TFT元件失效时，均会使TFT器件失效，从而导致整个GOA电路失效。因此，传统的GOA电路具有工作可靠性低的缺点。

发明内容

根据本申请的各种实施例，提供一种阵列基板、显示面板及显示装置。

一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列基板行驱动电路，所述阵列基板行驱动电路的输出端设置有薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括多个间隔设置的薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元包括第一类薄膜晶体管单元、第二类薄膜晶体管单元、第三类薄膜晶体管单元和第四类薄膜晶体管单元，

所述第一类薄膜晶体管单元的源极、所述第二类薄膜晶体管单元的源极、所述第三类薄膜晶体管单元的源极和所述第四类薄膜晶体管单元的源极相连，所述第一类薄膜晶体管单元的漏极、所述第二类薄膜晶体管单元的漏极、所述第三类薄膜晶体管单元的漏极和所述第四类薄膜晶体管单元的漏极相连，所述第一类薄膜晶体管单元的栅极、所述第二类薄膜晶体管单元的栅极、所述第三类薄膜晶体管单元的栅极和所述第四类薄膜晶体管单元的栅极相连，其中，所述第一类薄膜晶体管单元的栅极还用于连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，所述第二类薄膜晶体管单元的漏极还用于连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端，所述第三类薄膜晶体管单元的源极还用于连接被驱动单元。

一种显示面板，所述显示面板包括：

上述任一项所述的阵列基板；

彩色滤光片，所述彩色滤光片与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，所述液晶层设置于所述阵列基板与所述彩色滤光片之间。

一种显示装置，所述显示装置包括背光模组以及上述所述的显示面板。

本申请的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本发明的其它特征、目的和优点将从说明书、附图以及权利要求书变得明显。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为一实施例中TFT器件结构示意图；

图2为一实施例中阵列基板行驱动电路结构示意图；

图3为另一实施例中TFT器件结构示意图；

图4为一实施例中TFT器件排版结构图；

图5为一实施例中切除TFT器件中失效第四类TFT单元的示意图；

图6为一实施例中TFT单元结构示意图；

图7为一实施例中阵列基板结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。

请参阅图1-图2，一种阵列基板，包括阵列基板行驱动电路，阵列基板行驱动电路的输出端设置有TFT器件211，TFT器件211包括多个间隔设置的TFT单元，TFT单元包括第一类TFT单元101、第二类TFT单元201、第三类TFT单元401和第四类TFT单元301，第一类TFT单元101的源极(S)、第二类TFT单元201的源极、第三类TFT单元401的源极和第四类TFT单元301的源极相连，第一类TFT单元101的漏极(D)、第二类TFT单元201的漏极、第三类TFT单元401的漏极和第四类TFT单元301的漏极相连，第一类TFT单元101的栅极(G)、第二类TFT单元201的栅极、第三类TFT单元401的栅极和第四类TFT单元301的栅极相连，其中，第一类TFT单元101的栅极还用于连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，第二类TFT单元201的漏极还用于连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端(HCK)，第三类TFT单元401的源极还用于连接被驱动单元。

具体地，传统的为被驱动单元提供驱动信号的方法是在阵列基板上焊接外接IC，通过外接IC为各个被驱动单元提供扫描驱动信号。但是，随着液晶显示技术的发展，人们对液晶显示装置的产能、成本和显示效果提出了更高的要求，特别是在手机等显示屏领域，更高的屏占比成为显示屏领域的发展主流。采用传统的外接IC焊接工艺，会使阵列基板的非显示区域占用较大的比例，不利于窄边框的设计，与人们所追求的更高屏占比相违背。

阵列基板行驱动电路的形式复杂多样，但是，阵列基板行驱动电路的输出均是由TFT器件211进行控制的，因此，TFT器件211的稳定运行尤为重要。在传统的阵列基板行驱动电路中，由于传统的TFT器件211中，各个TFT元件之间的排布紧密，各个TFT元件之间完全没有间隙，只要其中一个TFT元件失效，均会导致整个TFT器件211的失效，从而使整个阵列基板行驱动电路无法运行。为了降低阵列基板行驱动电路的失效可能性，阵列基板行驱动电路的TFT器件211包括第一类TFT单元101、第二类TFT单元201、第三类TFT单元401和第四类TFT单元301，各个TFT单元的栅极与栅极连接到一起，源极与源极连接到一起，漏极与漏极连接到一起。其中，第一类TFT单元101的栅极连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，相当于原TFT器件211的栅极；第二类TFT单元201的漏极连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端，相当于原TFT器件211的漏极；第三类TFT单元401的源极连接被驱动单元，相当于原TFT器件211的源极，实现与原TFT器件相同的功能。第四类TFT单元301的源极、漏极和栅极均不直接与外部电路或器件连接，因此，当第四类TFT单元301发生失效时，可以直接将发生失效的第四类TFT单元301切除，并不会影响TFT器件的正常工作，进而降低了整个TFT器件直接失效的可能。

可以理解，在一个实施例中，请参阅图3，第四类TFT单元301的数量并不是唯一的，其中101为第一类TFT单元，201为第二类TFT单元，401为第三类TFT单元，其余TFT单元均为第四类TFT单元，当任意一第四类TFT单元发生失效，均可以直接将发生失效的第四类TFT单元切除，剩余的TFT单元仍能完成将扫描驱动信号输出到被驱动单元的功能。

在一个实施例中，还可以是同时有多个第四类TFT单元301发生失效，此时，可将发生失效的第四类TFT单元301均切除，通过剩余的第四类TFT单元301和第一类TFT单元101、第二类TFT单元201和第三类TFT单元401完成扫描驱动信号的输出。应当指出的是，在一个实施例中，将失效的第二类TFT单元201切除可以采用激光切割(laser cutting)的方式，激光切割是指：利用高功率密度激光束照射被切割材料，使材料很快被加热至汽化温度，蒸发形成孔洞，随着光束对材料的移动，孔洞连续形成宽度很窄的切缝，完成对材料的切割。直接采用激光切割将失效的第二类TFT单元201与其余TFT单元之间的连接线切断，将失效的第二类TFT切除。可以理解，在其它实施例中，还可以采用其它的切除方式将失效的TFT单元切除，例如等离子切割等。

进一步地，在一个实施例中，请参阅图4，第四类TFT单元301的数量为23个。具体地，编号为1的TFT单元为第一类TFT单元101，编号为2的TFT单元为第二类TFT单元201，编号为4的TFT单元为第三类TFT单元401，其余编号为3和5-26的TFT单元为第四类TFT单元301，各个TFT单元之间的连接关系与图3所示的各个TFT单元之间的连接关系类似，均是源极与源极相连，漏极与漏极相连，当任意一第四类TFT单元301失效时，均可以直接切除，其余TFT元件同样能够保证阵列基板行驱动电路的正常运行。在一个实施例中，当多个第四类TFT单元301同时失效时，将发生失效的多个第四类TFT单元301直接切除，剩余的TFT单元也能够保证阵列基板行驱动电路的正常运行。

应当指出的是，以图4所示的TFT单元排列方式为例，同时失效的第四类TFT单元301的数量可以是1-13个，只要不超过13个，将同时失效的第四类TFT单元301直接切除，均能够保证阵列基板行驱动电路的稳定运行。可以理解，在其它实施例中，各个TFT单元之间还可以是以其他形式进行排列，只要同时失效的第四类TFT单元301的数量不超过所有TFT单元数量的一半，均可直接将同时失效的第四类TFT单元301切除，余下TFT单元仍能保证阵列基板行驱动电路的正常运行。通过上述阵列基板，将TFT器件211拆分为多个TFT单元相连的形式，当第四类TFT单元301失效时，可以直接切除而不会影响该TFT器件211对应的阵列基板行驱动电路的正常运行，有效地降低了整个TFT器件211失效的可能性，从而提高了阵列基板行驱动电路的工作可靠性。

在一个实施例中，请参阅图5，当编号为7的第四类TFT单元301失效时，直接将其切除，即沿图5中编号为7的第四类TFT单元301周围虚线所示的位置，切断编号为7的第四类TFT单元301与编号为6、编号为8和编号为18的第四类TFT单元301之间的连接。同理，当编号为21和编号为22的第四类TFT单元301失效时，切断与编号为10、编号为11、编号为20和编号为23的第四类TFT单元301的连接，其余TFT单元仍能保证阵列基板行驱动电路正常运行。

在一个实施例中，各TFT单元均包括多个TFT元件，且各TFT单元的TFT元件数量不完全相同。

具体地，TFT即为薄膜晶体管，薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，主要是通过在基板上沉积各种不同的薄膜制成，如半导体主动层、介电层和金属电极层等。大部份的TFT是使用氢化非晶硅当主要材料，所以TFT大多不是透明的，TFT主要应用在液晶显示技术领域。每一TFT单元(即第一类TFT单元101、第二类TFT单元201、第三类TFT单元401和第四类TFT单元301)均是由多个TFT元件构成的，并且，每一个TFT单元的TFT元件数量可以相同，也可以不相同。

在一个实施例中，第四类TFT单元的TFT元件数量低于第一类TFT单元的TFT元件、第二类TFT单元的TFT元件或第三类TFT单元的元件的数量。具体地，可以将第四类TFT单元301的元件数量设置低于第一类TFT单元101、第二类TFT单元201或第三类TFT单元401的数量，并且，进一步地还可以将各个第四类TFT单元301的TFT元件数量设置不一样。将第四类TFT单元301的TFT元件数量设置较少，当任意一第四类TFT单元301失效均可以切除，有效地降低了TFT器件211失效的可能性。

可以理解，具体的每一TFT单元设置多少TFT元件并不是唯一的，可以根据不同的情况进行不同的选择。进一步地，在一个实施例中，还可以是各TFT单元的TFT元件数量一致。具体地，各个TFT单元均包括数量相同的TFT元件，在降低TFT器件211失效的可能性的同时，还具有加工方便的优点。

在一个实施例中，各TFT单元均包括3个TFT元件。具体地，以三个TFT元件构成一个TFT单元，在保证每一TFT单元均具有独立的源极、漏极以及栅极的同时，还能保证当任意一个TFT单元发生故障需要切除时，切除较少的TFT元件，进一步地保障了TFT器件的工作可靠性。

进一步地，在一个实施例中，请参阅图6，各TFT单元均包括第一TFT元件、第二TFT元件和第三TFT元件，第一TFT元件的源极连接第二TFT元件的源极，且均与第三TFT元件的源极连接，第二TFT元件的漏极连接第三TFT元件的漏极，且均与第一TFT元件的漏极连接，第三TFT元件的源极连接相邻TFT单元，第一TFT元件的漏极连接相邻TFT单元，第一TFT元件的栅极连接第二TFT元件的栅极，且均与第三TFT元件的栅极连接。

具体地，每一TFT单元均包括三个TFT元件，三个TFT元间相互连接，由三个TFT元件相互连接构成的TFT单元相当于一个较大的TFT元件，位于两端的第一TFT元件和第三TFT元件分别与外部电路连接。以图4所示的TFT器件211结构中编号为7的TFT单元为例，当TFT单元中的TFT元件数量为3个时，各个TFT元件的源极与源极相连，漏极与漏极相连，栅极与栅极相连。第一TFT元件的漏极与相邻TFT单元中第一TFT元件的漏极相连，第三TFT元件的源极与另一相邻TFT单元中第三TFT元件的源极相连，以此将各个TFT单元以和TFT单元中各TFT器件211相类似的方式进行级联。同样地，在TFT元件数量为6个的TFT单元中，各个TFT元件的端口采用上述3个TFT元件类似的连接方式连接，六个TFT元件的栅极共同形成TFT单元的栅极，第一TFT元件的源极和第二TFT元件的漏极分别相当于TFT单元的源极和漏极。

应当指出的是，每一TFT单元中，TFT元件的数量并不限于在本实施例中的3个，还可以其它数量，例如，在一个实施例中，每一TFT元单元包括6个TFT元件，各个TFT元件的连接方式与上述3个TFT元件的实施例类似，分别通过两个TFT元件与外部电路连接，在此不在赘述。

在一个实施例中，请参阅图7，被驱动单元为像素单元，具体的，阵列基板具有多条沿第一方向排列的数据线和多条沿第二方向排列的扫描线，并且多条沿第一方向排列的数据线和多条沿第二方向排列的扫描线绝缘相交，在各数据线和各扫描线的绝缘相交位置处限定了呈阵列排布的像素单元110，通过数据线和扫描线分别为像素单元110提供驱动信号之后，通过像素单元110发光完成图像显示。

在一个实施例中，请参阅图7，阵列基板具有非显示区域200和与非显示区域200相邻的显示区域100，像素单元110呈阵列分布设置于显示区域100，阵列基板行驱动电路设210置于非显示区域200，每一阵列基板行驱动电路210为每一像素行提供驱动信号。

具体地，阵列基板具有非显示区域200和与非显示区域200相邻的显示区域100，阵列基板行驱动电路210位于非显示区域200，显示区域100设置有呈阵列排布的像素单元110，每一阵列基板行驱动电路210为每一像素行提供驱动信号。每一阵列基板行驱动电路210为一像素行提供扫描信号。通过在阵列基板的非显示区域200设置对应阵列基板行驱动电路210，能够在有效的提高产能、降低生产成本的同时，减少非显示区域200的占比，从而有利于窄边框的设计，满足人们对更高屏占比的追求。

应当指出的是，在一个实施例中，像素单元110包括红(Red，R)色像素单元、绿(Green，G)色像素单元、蓝(Blue，B)色像素单元和白(White，W)色像素单元，通过将阵列基板的像素单元设置为RGBW四色，应用于显示装置中，只需将白色像素单元在彩色滤光片设置对应的透明区域即可，能够改善彩色滤光片的透光率并降低背光模组的能耗。RGBW四色像素单元的具体排列方式，可以根据实际使用情况排列，例如，在一个实施例中，每一像素行中的像素单元以RGBW四色循环的方式排列。可以理解，在其它实施例中，像素单元110包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元，像素单元110还可以是R、G、B三色的像素单元循环的方式排列。

上述阵列基板，位于阵列基板行驱动电路的输出端的TFT器件包括多个间隔设置的TFT单元，且各个TFT单元之间的栅极与栅极均相连，漏极与漏极均相连，源极与源极均相连，分别通过第一类TFT单元的栅极、第二类TFT单元的漏极和第三类TFT单元的源极实现与阵列基板行驱动电路和被驱动单元之间的级联，完成TFT器件的相应功能。由于第四类TFT单元仅与TFT器件的其它单元之间有连接，当第四类TFT单元失效时，直接将失效的第四类TFT单元切除，并不会对TFT器件的正常工作产生影响，仍能够正常进行驱动信号的输出。通过上述阵列基板，能够有效地降低TFT元件失效导致阵列基板行驱动电路也无法运行的风险，有效地提高了阵列基板行驱动电路的工作可靠性。

一种显示面板，包括上述任一项的阵列基板；彩色滤光片，彩色滤光片与阵列基板相对设置；以及液晶层，液晶层设置于阵列基板与彩色滤光片之间。

具体地，彩色滤光片(Color Filter)是一种表现颜色的光学滤光片，能够精确选择通过一定波段范围的光，并将其它波段的光反射。彩色滤光片基本结构是由玻璃基板(Glass Substrate)、黑色矩阵(Black Matrix)、彩色层(Color Layer)、保护层(Over Coat)和ITO导电膜组成。液晶是指在熔融状态或被溶剂溶解之后，失去固态物质的刚性的同时，得到液体的易流动性，并且保留着部分晶态物质分子的各向异性有序排列，形成一种兼有晶体和液体的部分性质的中间态的物质。阵列基板和彩色滤光片之间设置有液晶分子形成的液晶层，当通电时导通，排列变得有秩序，使光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过。

请参阅图2，阵列基板行驱动电路的形式复杂多样，但是，阵列基板行驱动电路的输出均是由TFT器件211进行控制，因此，TFT器件211的稳定运行尤为重要。在传统的阵列基板行驱动电路中，由于传统的TFT器件211中，各个TFT元件之间的排布紧密，各个TFT元件之间完全没有间隙，只要其中一个TFT元件失效，均会导致整个TFT器件211的失效，从而使整个阵列基板行驱动电路无法运行。为了降低阵列基板行驱动电路的失效可能性，将阵列基板行驱动电路的TFT器件211拆分为多个TFT单元，请参阅图1，包括了第一类TFT单元101、第二类TFT单元201、第三类TFT单元401和第四类TFT单元301，各个TFT单元的栅极与栅极连接到一起，源极与源极连接到一起，漏极与漏极连接到一起。其中，第一类TFT单元101的栅极连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，相当于原TFT器件211的栅极；第二类TFT单元201的漏极连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端，相当于原TFT器件211的漏极；第三类TFT单元401的源极连接被驱动单元，相当于原TFT器件211的源极。

可以理解，在一个实施例中，请参阅图3，第四类TFT单元301的数量并不是唯一的，其中10为第一类TFT单元，20为第二类TFT单元，40为第三类TFT单元，其余TFT单元均为第四类TFT单元，当任意一第四类TFT单元发生失效，均可以直接将发生失效的第四类TFT单元切除，剩余的TFT单元仍能完成将扫描驱动信号输出到被驱动单元的功能。进一步地，阵列基板还具有显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，阵列基板行驱动电路位于非显示区域，被驱动单元为像素单元，以阵列排布的方式排列于显示区域，每一阵列基板行驱动电路驱动一像素行。

上述显示面板，位于阵列基板行驱动电路的输出端的TFT器件包括多个间隔设置的TFT单元，且各个TFT单元之间的栅极与栅极均相连，漏极与漏极均相连，源极与源极均相连，分别通过第一类TFT单元的栅极、第二类TFT单元的漏极和第三类TFT单元的源极实现与阵列基板行驱动电路和被驱动单元之间的级联，完成TFT器件的相应功能。由于第四类TFT单元仅与TFT器件的其它单元之间有连接，当第四类TFT单元失效时，直接将失效的第四类TFT单元切除，并不会对TFT器件的正常工作产生影响，仍能够正常进行驱动信号的输出。通过上述显示面板，能够有效地降低TFT元件失效导致阵列基板行驱动电路也无法运行的风险，有效地提高了阵列基板行驱动电路的工作可靠性。

一种显示装置，包括背光模组和上述显示面板。具体地，通过背光模组为显示面板提供充足的亮度与分布均匀的光源，使其能正常的显示影像。液晶显示是被动发光元件，通过显示面板本身并不会发光，显示面板显示图像或字符是对光线进行调制的结果。请参阅图2，阵列基板行驱动电路的形式复杂多样，但是，阵列基板行驱动电路的输出均是由TFT器件211进行控制的，因此，TFT器件211的稳定运行尤为重要。在传统的阵列基板行驱动电路中，由于传统的TFT器件211中，各个TFT元件之间的排布紧密，各个TFT元件之间完全没有间隙，只要其中一个TFT元件失效，均会导致整个TFT器件211的失效，从而使整个阵列基板行驱动电路无法运行。

为了降低阵列基板行驱动电路的失效可能性，将阵列基板行驱动电路的TFT器件211拆分为多个TFT单元，请参阅图1，包括了第一类TFT单元101、第二类TFT单元201、第三类TFT单元401和第四类TFT单元301，各个TFT单元的栅极与栅极连接到一起，源极与源极连接到一起，漏极与漏极连接到一起。其中，第一类TFT单元101的栅极连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，相当于原TFT器件211的栅极；第二类TFT单元201的漏极连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端，相当于原TFT器件211的漏极；第三类TFT单元401的源极连接被驱动单元，相当于原TFT器件211的源极。可以理解，在一个实施例中，请参阅图3，第四类TFT单元301的数量并不是唯一的，其中10为第一类TFT单元，20为第二类TFT单元，40为第三类TFT单元，其余TFT单元均为第四类TFT单元，当任意一第四类TFT单元发生失效，均可以直接将发生失效的第四类TFT单元切除，剩余的TFT单元仍能完成将扫描驱动信号输出到被驱动单元的功能。

在一个实施例中，显示装置还包括第一偏光片，设置于彩色滤光片远离液晶层的一侧；以及第二偏光片，设置于阵列基板远离液晶层的一侧。

具体地，将液晶材料置于两片贴附光轴垂直的偏光片的透明导电玻璃之间，液晶分子在不加电压时平行于透明导电玻璃分布，并且在两片透明导电玻璃上分别配置有取向彼此垂直的配向膜，液晶分子依配向膜的细沟槽方向依序旋转排列，如果不加电场，光线从第二偏光片射入，其偏振方向依液晶分子的排列旋转90度，能够从第一偏光片射出，此时为亮态。如果在两片导电玻璃通电之后，两片导电玻璃间会形成电场，进而影响其间液晶分子的排列，当电压足够大时，分子沿电场垂直排列，光线的偏振方向不发生改变，光线无法穿透，进而遮住光源，从而在加电压的情况下形成了暗态。

在一个实施例中，背光模组为侧光式背光模组。具体地，侧光式背光模组是指发光源(Edge lighting)设置在导光板的侧面，导光板将光均匀地在液晶面板后面发亮。采用侧光式背光模组的设计，使得显示装置拥有轻量、薄型、窄框化、低耗电的优点。可以理解，在其它实施例中，背光模组还可以是直下型背光模组或中空型背光模组，只要能够为显示装置提供相应的光源即可。

上述显示装置，位于阵列基板行驱动电路的输出端的TFT器件包括多个间隔设置的TFT单元，且各个TFT单元之间的栅极与栅极均相连，漏极与漏极均相连，源极与源极均相连，分别通过第一类TFT单元的栅极、第二类TFT单元的漏极和第三类TFT单元的源极实现与阵列基板行驱动电路和被驱动单元之间的级联，完成TFT器件的相应功能。由于第四类TFT单元仅与TFT器件的其它单元之间有连接，当第四类TFT单元失效时，直接将失效的第四类TFT单元切除，并不会对TFT器件的正常工作产生影响，仍能够正常进行驱动信号的输出。通过上述显示装置，能够有效地降低TFT元件失效导致阵列基板行驱动电路也无法运行的风险，有效地提高了阵列基板行驱动电路的工作可靠性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

一种阵列基板，所述阵列基板包括阵列基板行驱动电路，所述阵列基板行驱动电路的输出端设置有薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括多个间隔设置的薄膜晶体管单元，所述薄膜晶体管单元包括第一类薄膜晶体管单元、第二类薄膜晶体管单元、第三类薄膜晶体管单元和第四类薄膜晶体管单元，

所述第一类薄膜晶体管单元的源极、所述第二类薄膜晶体管单元的源极、所述第三类薄膜晶体管单元的源极和所述第四类薄膜晶体管单元的源极相连，所述第一类薄膜晶体管单元的漏极、所述第二类薄膜晶体管单元的漏极、所述第三类薄膜晶体管单元的漏极和所述第四类薄膜晶体管单元的漏极相连，所述第一类薄膜晶体管单元的栅极、所述第二类薄膜晶体管单元的栅极、所述第三类薄膜晶体管单元的栅极和所述第四类薄膜晶体管单元的栅极相连，其中，所述第一类薄膜晶体管单元的栅极还用于连接阵列基板行驱动电路的控制信号输出端，所述第二类薄膜晶体管单元的漏极还用于连接阵列基板行驱动电路的时钟信号输入端，所述第三类薄膜晶体管单元的源极还用于连接被驱动单元。
根据权利要求1所述的阵列基板，各所述薄膜晶体管单元均包括多个薄膜晶体管元件，且各所述薄膜晶体单元的薄膜晶体管元件数量不完全相同。
根据权利要求2所述的阵列基板，所述第四类薄膜晶体管单元的薄膜晶体管元件数量低于所述第一类薄膜晶体管单元的薄膜晶体管元件、所述第二类薄膜晶体管单元的薄膜晶体管元件或所述第三类薄膜晶体管单元的薄膜晶体管元件的数量。
根据权利要求1所述的阵列基板，各所述薄膜晶体管单元均包括多个薄膜晶体管元件，且各所述薄膜晶体单元的薄膜晶体管元件数量一致。
根据权利要求4所述的阵列基板，各所述薄膜晶体管单元均包括6个薄膜晶体管元件。
根据权利要求4所述的阵列基板，各所述薄膜晶体管单元均包括3个薄膜晶体管元件。
根据权利要求6所述的阵列基板，各所述薄膜晶体管单元均包括第一薄膜晶体管元件、第二薄膜晶体管元件和第三薄膜晶体管元件，

所述第一薄膜晶体管元件的源极连接所述第二薄膜晶体管元件的源极，且均与所述第三薄膜晶体管元件的源极连接，所述第二薄膜晶体管元件的漏极连接所述第三薄膜晶体管元件的漏极，且均与所述第一薄膜晶体管元件的漏极连接，所述第三薄膜晶体管元件的源极连接相邻薄膜晶体管单元，所述第一薄膜晶体管元件的漏极连接相邻薄膜晶体管单元，所述第一薄膜晶体管元件的栅极连接所述第二薄膜晶体管元件的栅极，且均与所述第三薄膜晶体管元件的栅极连接。
根据权利要求1所述的阵列基板，所述被驱动单元为像素单元。
根据权利要求8所述的阵列基板，所述阵列基板具有非显示区域和与所述非显示区域相邻的显示区域，所述像素单元呈阵列分布设置于所述显示区域，所述阵列基板行驱动电路设置于所述非显示区域，每一所述阵列基板行驱动电路为每一像素行提供驱动信号。
根据权利要求9所述的阵列基板，所述像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元、蓝色像素单元和白色像素单元。
根据权利要求9所述的阵列基板，所述像素单元包括红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元。
根据权利要求1所述的阵列基板，所述第四类薄膜晶体管单元的数量为23个。
一种显示面板，所述显示面板包括：

权利要求1-12任意一项所述的阵列基板；

彩色滤光片，所述彩色滤光片与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，所述液晶层设置于所述阵列基板与所述彩色滤光片之间。
一种显示装置，所述显示装置包括背光模组以及权利要求13所述的显示面板。
根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一偏光片，设置于所述彩色滤光片远离所述液晶层的一侧；以及

第二偏光片，设置于所述阵列基板远离所述液晶层的一侧。
根据权利要求14所述的显示装置，所述背光模组为侧光式背光模组。