CN1488702A - 研磨液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供，一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，粒径在2～200nm范围的研磨粒子，其含量为50体积％以上，且研磨粒子中粒径在2nm以上且小于58nm的粒子，粒径在58nm以上且小于75nm的粒子，粒径在75nm至200nm的粒子分别占研磨粒子总量的40～75体积％，0～50体积％，10～60体积％；一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1；使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。

Description

研磨液组合物
技术领域
本发明涉及一种研磨液组合物、使用该研磨液组合物的研磨方法、半导体基板的平坦化方法及半导体装置的制造方法。更具体说，本发明涉及一种对形成有薄膜的表面上具有凹凸的半导体基板进行平坦化时特别有用的研磨液组合物、及使用该研磨液组合物对半导体基板进行平坦化的研磨方法、使用该研磨液组合物的半导体基板的平坦化方法和通过使用该研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。
背景技术
在目前超大规模集成电路中，存在着使晶体管及其他半导体元件缩小化从而提高安装密度的倾向。因此，开发出了各种微细加工技术。该技术之一便是化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简写为CMP)。该技术在半导体装置的制造工序中，例如在进行嵌入元件分离(浅槽隔离，STI)、层间绝缘膜的平坦化、嵌入金属配线的形成、插头的形成、嵌入电容器的形成等方面是一项非常重要的技术。其中，从半导体装置的微细化、高密度化方面考虑，在层压各种金属、绝缘膜等时进行的使研磨表面凹凸部的平面差减小的平坦化是重要的工序，因此要求快速实现平坦化。
作为在上述制造工序中使用的CMP用研磨液，其一例便是使用将研磨粒子分散到水中形成的研磨液。以往，该研磨粒子包括锻制二氧化硅或氧化铝等的粒子。其中，由于价廉且纯度高，多使用锻制二氧化硅，但由于在制造过程中形成凝集粒子(二次粒子)，因此存在易于引起划痕的缺点。另一方面，称为胶体二氧化硅的二氧化硅颗粒，其粒子表面形状近乎球状且近于单分散，不易形成凝集粒子，因此可以减轻划痕并已开始使用，但通常存在研磨速度慢的缺点。
对于使用胶体二氧化硅的研磨液组合物，特开2001-323254号公报中公开了具有特定粒径分布的二氧化硅研磨液，该研磨液的主要特点是将被研磨面的表面粗糙度从5～15左右(0.5～1.5nm左右)降低到3以下(0.3nm以下)，但以该特定粒径分布将半导体基板表面100～20000(10～2000nm)的凹凸平面差进行平坦化需要时间。
又，特开2002-30274号公报公开了使用粒径不同的两种胶体二氧化硅混合物的研磨用组合物，制得平均波度小的研磨面(几以下)。制得该平均波度小的研磨面(几以下)的课题就是例如在所有硬盘的后研磨工序中产生的初期被研磨面的平均波度为几十，研磨后面的平均波度达到几以下的课题，因此，这里具体公开的所谓平均波度为几以下的研磨面是对于硬盘后研磨之后的面而言的，与作为本发明对象的具有凹凸平面差的被研磨面，例如半导体基板等的平坦化有本质上的差异。
又，为了对集成电路进行平坦化，美国专利第6143662号公报公开了一种使用浆料的CMP方法，该浆料由平均粒径为2～30nm的小研磨粒子和平均粒径是其2～10倍的大研磨粒子构成，小研磨粒子和大研磨粒子的体积比为5∶1～100∶1，但由于小研磨粒子占大部分，为83％以上，因此研磨速度低，到平坦化结束所需的时间长，因此从平坦化效率方面考虑是不理想的。
发明内容
即，本发明主要涉及
[1]一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，该研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子含量为50体积％以上，该研磨粒子含有的粒径为2nm以上且小于58nm的小粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的40～75体积％，含有的粒径为58nm以上且小于75nm的中粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的0～50体积％，含有的粒径为75nm至200nm的大粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的10～60体积％。
[2]一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，研磨粒子含有平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B，且A和B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1。
[3]一种研磨方法，其使用上述[1]记载的研磨液组合物使半导体基板平坦化。
[4]一种研磨方法，其使用上述[2]记载的研磨液组合物使半导体基板平坦化。
[5]一种半导体基板的平坦化方法，其使用上述[1]记载的研磨液组合物。
[6]一种半导体基板的平坦化方法，其使用上述[2]记载的研磨液组合物。
[7]一种半导体装置的制造方法，其包含使用上述[1]记载的研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序。
[8]一种半导体装置的制造方法，其包含使用上述[2]记载的研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序。
具体实施方式
本发明涉及一种能够在短时间内将表面具有凹凸的被研磨面半导体基板平坦化的研磨液组合物、使用该研磨液组合物将具有凹凸的被研磨面半导体基板平坦化的研磨方法、半导体基板的平坦化方法、以及包含使用上述研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序的半导体装置的制造方法。
作为本发明的研磨液组合物，如上所述，其包含以下两种形态：
(形态1)一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，该研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子的含量为50体积％以上，该研磨粒子含有的粒径为2nm以上且小于58nm的小粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的40～75体积％，含有的粒径为58nm以上且小于75nm的中粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的0～50体积％，含有的粒径为75nm至200nm的大粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的10～60体积％，以及
(形态2)一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，研磨粒子含有平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B，且A和B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1。
在形态1及2中，上述研磨粒子包括例如无机粒子，包括金属、金属或准金属(metalloid)的碳化物、金属或准金属的氮化物、金属或准金属的氧化物、金属或准金属的硼化物、金刚石等的粒子。金属或准金属元素为元素周期表中3A、4A、5A、3B、4B、5B、6B、7B或8B族的元素。无机粒子的实例包括二氧化硅、氧化铝、氧化铈、氧化钛、氧化锆、氮化硅、二氧化锰、碳化硅、氧化锌、金刚石及氧化镁的粒子。
其中优选二氧化硅、氧化铝、氧化铈，从减轻划痕的观点出发，更优选二氧化硅。作为其具体例，二氧化硅粒子为胶体二氧化硅粒子、锻制二氧化硅粒子、表面改性二氧化硅粒子等；氧化铝为α-氧化铝粒子、γ-氧化铝粒子、δ-氧化铝粒子、θ-氧化铝粒子、η-氧化铝粒子、无定形氧化铝粒子、其他用不同制造法制备的锻制氧化铝粒子或胶体氧化铝粒子等；氧化铈是氧化数为3或4的那些，以及结晶系为六方晶系、等轴晶系或面心立方晶系等。
又，在这些无机粒子中更优选胶体二氧化硅粒子。由于胶体二氧化硅粒子的形状近乎球形，可以以一次粒子的状态稳定分散，不易形成凝集粒子，因此可以减轻对被研磨表面的划痕。胶体二氧化硅粒子可以使用以硅酸钠等硅酸碱金属盐为原料的水玻璃(硅酸钠)法或以四乙氧基硅烷等为原料的烷氧基硅烷法制备。这些研磨粒子可以单独使用或2种以上混合使用。
形态1中使用的研磨粒子含有50体积％以上的粒径为2～200nm的研磨粒子。从平坦化特性和减轻划痕的观点出发，上述粒径为2～200nm的研磨粒子的含量优选为70体积％以上，更优选为85体积％以上，特别优选为95体积％以上，最优选为100体积％。
形态1中上述粒径为2～200nm的研磨粒子，其中分别含有占总量的40～75体积％的粒径为2nm以上且小于58nm的小粒径研磨粒子、0～50体积％的粒径为58nm以上且小于75nm的中粒径研磨粒子、10～60体积％的粒径为75nm至200nm的大粒径研磨粒子。
从平坦化特性的观点出发，小粒径研磨粒子的含量优选为42～73体积％，更优选为43～72体积％；中粒径研磨粒子的含量优选为0～40体积％，更优选为0～30体积％，特别优选为0～25体积％；大粒径研磨粒子的含量优选为13～55体积％，更优选为15～50体积％。
上述研磨粒子的粒径分布可以使用以下方法求得。即，先用日本电子公司生产的透射电子显微镜“JEM-2000FX”(80kV、1～5万倍)对研磨粒子进行观察拍摄，将照片作为图象数据通过与个人计算机相连接的扫描仪输入到计算机中，再用解析软件“WinROOF”(购自MITANICORPORATION)求得每个研磨粒子的等价圆直径，将其作为研磨粒子的直径，对1000个以上研磨粒子的数据进行解析后，以此为基础，用表计算软件“EXCEL”(Microsoft Corporation)将研磨粒子直径换算成研磨粒子体积。首先计算全部研磨粒子中2nm以上200nm以下(2～200nm)的研磨粒子的比例(体积基准％)，进而分别求取2nm以上200nm以下的研磨粒子全体集合中2nm以上且小于58nm、58nm以上且小于75nm、75nm至200nm的3个范围的比例(体积基准％)。
对于形态2中使用的研磨粒子来说，从平坦化特性和减轻划痕的观点出发，优选是含有的上述研磨粒子组A和上述研磨粒子组B的合计量至少为50重量％以上，更优选为70重量％以上，进一步优选为85重量％以上，特别优选为95重量％以上，最优选为100重量％。
形态2所使用的研磨粒子中，从提高研磨速度的观点出发，作为研磨粒子组A混合的研磨粒子的平均粒径为2～50nm，优选为10～50nm，特别优选为26～50nm。又，从防止粒子沉降、分离的观点出发，作为研磨粒子组(B)混合的研磨粒子的平均粒径为52～200nm以下，优选55～170nm以下。
形态2中，进而从平坦化特性的观点出发，优选是作为研磨粒子组A混合的研磨粒子中平均粒径最小的研磨粒子(Dmin)与作为研磨粒子组(B)混合的研磨粒子中平均粒径最大的研磨粒子(Dmax)的平均粒径比(Dmax/Dmin)超过3。平均粒径D(nm)可以通过D＝2720/S计算，其中S(m2/g)是通过氮吸附法测定得到的比表面积。
形态2中，对于研磨粒子组A和研磨粒子组B的重量比，A与B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1，优选为1.0/1～4.0/1。其下限是从平坦化特性的观点出发，而上限是从研磨速度的观点出发得到的，能够作为研磨粒子组A及研磨粒子组B混合的研磨粒子，如果平均粒径在规定范围内，则可以分别混合一种以上。
另外，从减轻划痕，短时间内使其平坦化的有效研磨的观点出发，作为用于本发明的研磨粒子，可以使用同时满足用于形态1及2的研磨粒子条件的研磨粒子，即，研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子含量为50体积％以上，该研磨粒子含有的小粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的40～75体积％，含有的中粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的0～50体积％，含有的大粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的10～60体积％，且平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1。
在形态1及2中，研磨液组合物中研磨粒子的含量优选为1～50重量％，更优选为3～40重量％，特别优选为5～30重量％，其下限是从研磨速度的观点出发，而上限是从分散稳定性和成本的观点出发得到的。
在形态1及2中，水系介质可以使用水、以及醇等水与水溶性溶剂的混合介质，但优选使用水，研磨液组合物中水系介质的量优选为40～99重量％，更优选为50～97重量％，特别优选为60～95重量％，其下限是从分散稳定性的观点出发，而上限是从研磨速度的观点出发得到的。
形态1及2的研磨液组合物包含上述水系介质和研磨粒子。含有该研磨粒子的研磨液组合物可以用例如以下的方法制备：将其配合于水系介质中，如果例如为粉末状的研磨粒子，必要时进一步进行粉碎，通过超声波、搅拌、混炼等机械力进行强制分散的方法和在水系介质中使无机粒子成长的方法。其中，为了制得的无机粒子分散稳定，且容易控制粒径，因此优选是水系介质中无机粒子成长的方法。
在形态1及2的研磨液组合物中，必要时可以配合各种添加剂。添加剂包括pH调整剂、分散稳定剂、氧化剂、螯合剂、防腐剂等。
作为pH调整剂，其包括氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、水溶性有机胺等碱性物质，乙酸、草酸、琥珀酸、乙醇酸、苹果酸、柠檬酸、苯甲酸等有机酸及硝酸、盐酸、硫酸、磷酸等无机酸等酸性物质。草酸和琥珀酸也可以作为螯合剂使用。
作为分散稳定剂，其包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂和非离子表面活性剂等表面活性剂，或聚丙烯酸或其盐、丙烯酸共聚物、聚(氧化乙烯-氧化丙烯)嵌段共聚物(Pluronics)类等高分子分散剂等。
作为氧化剂，其包括过氧化物、高锰酸或其盐、铬酸或其盐、硝酸或其盐、过氧酸或其盐、含氧酸或其盐、金属盐类、硫酸等。
作为螯合剂，其包括草酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、偏苯三酸等多元羧酸；乙醇酸、苹果酸、柠檬酸、水杨酸等羟基羧酸；次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸等聚胺羧酸；氨基三(亚甲基膦酸)、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸等膦酸。
作为防腐剂，其包括杀藻胺、氯化苄乙氧铵、1，2-苯并异噻唑啉-3酮等。
形态1及2的研磨液组合物的pH根据被研磨物的种类和所要求的品质等适当确定。例如，从被研磨物的洗净性及加工机械的防腐性、作业者的安全性的观点出发，pH优选为2～12。此外，当被研磨物用于半导体薄片或半导体元件等的研磨，特别是用于硅基板、多晶硅基板、氧化硅薄膜等的研磨时，从提高研磨速度和表面品质的观点出发，pH更优选为7～12，进一步优选为8～12，特别优选为9～12。必要时，该pH可以通过选取前面列举的pH调整剂，并配合所希望的量而进行调整。
本发明的研磨方法包含对被研磨表面进行研磨的工序，其使用上述形态1或2的研磨液组合物，或使用为使其成为形态1或2的研磨液组合物的组成而将各成分混合所制备的研磨液，该研磨方法特别适用于制造半导体基板等精密零件用基板。因此，本发明涉及一种半导体装置的制造方法。
作为本发明对象的被研磨物的材质包括例如硅、铝、镍、钨、铜、钽和钛等金属或准金属；以及以这些金属为主要成分的合金；玻璃、玻璃态碳、无定形碳等玻璃态物质；氧化铝、二氧化硅、氮化硅、氮化钽、氮化钛、多晶硅等陶瓷材料；聚酰亚胺树脂等。特别地，当使用形态1或2的研磨液组合物(以下称为本发明的研磨液组合物)研磨在玻璃或PE-TEOS(等离子体增强的四氧基硅烷)膜等被研磨面上形成有二氧化硅的基板时，可以有效地实现平坦化。
这些被研磨物的形状无特别限制，例如，具有圆板状、盘状、厚板状、棱柱状等平面部分的形状，或具有透镜等曲面部分的形状都可以成为使用本发明的研磨液组合物的研磨对象。其中，适用于研磨圆板状的被研磨物，特别适用于使具有凹凸的半导体基板平坦化为目的而进行的研磨。因此，本发明涉及一种半导体基板的平坦化方法。
在本发明的具有凹凸的被研磨面中，凹凸的平面差优选100～20000(10～2000nm)，更优选1000～15000(100～1500nm)。这里，凹凸的平面差可以用断面仪测定装置(例如KLA-Tencor社生产的HRP-100)测得。
半导体基板的研磨包含在硅晶片(裸晶片)的研磨工序、嵌入元件分离膜的形成工序、层间绝缘膜的平坦化工序、嵌入金属配线的形成工序、嵌入电容器形成工序等中进行的研磨，但特别适用于嵌入元件分离膜的形成工序、层间绝缘膜的平坦化工序。
使用本发明的研磨液组合物的研磨方法无特别限制，可以使用通常的方法。其中优选具有支持被研磨物的夹具和研磨布的研磨装置。该研磨方法包括将支持上述被研磨物的夹具紧压到粘有有机高分子发泡体、非发泡体、无纺布状研磨布等研磨布的研磨盘上，或将上述被研磨物夹持到粘有研磨布的研磨盘上，将本发明的研磨液组合物供给到被研磨物表面，一边施加一定的压力，一边转动研磨盘或被研磨物，从而将被研磨物表面研磨。
又，本发明的半导体装置的制造方法，其包含在具有凹凸的半导体基板上方形成薄膜的成膜工序及对该薄膜进行研磨的研磨工序，其中在上述研磨工序中，将含有水系介质和研磨粒子的本发明的研磨液组合物供给到该薄膜表面，用CMP对具有凹凸的该薄膜表面进行平坦化，该方法适用于存储器IC、逻辑电路IC或LSI系统等半导体装置的制造。
如上所述，通过使用本发明的研磨液组合物及使用该研磨液组合物的研磨方法、以及含有使用研磨液组合物研磨半导体基板工序的半导体装置的制造方法，可以有效地实现平坦化。
实施例
实施例1～5及比较例1～4
作为研磨粒子，使用表1所记载的二氧化硅粒子。
表1
  研磨粒子   粒子种类     商品名     制造商 平均粒径
    (A) 研磨粒子① 胶体二氧化硅 Cataloid SI-30 触媒化成工业(株)   11nm
研磨粒子② 胶体二氧化硅 Cataloid SI-40 触媒化成工业(株)   18nm
研磨粒子③ 胶体二氧化硅 Cataloid SI-50 触媒化成工业(株)   26nm
研磨粒子④ 胶体二氧化硅 Cataloid SI-45P 触媒化成工业(株)   45nm
    (B) 研磨粒子⑤ 胶体二氧化硅 试验品 触媒化成工业(株)   58nm
研磨粒子⑥ 胶体二氧化硅 Cataloid SI-80P 触媒化成工业(株)   80nm
研磨粒子⑦ 胶体二氧化硅 Levasil 50CK-30％ 拜耳公司   85nm
研磨粒子⑧ 胶体二氧化硅 SpHericaSlurry-120 触媒化成工业(株)   120nm
研磨粒子⑨ 胶体二氧化硅 SpHericaSlurry-160 触媒化成工业(株)   160nm
为了制得本发明的研磨液组合物，使用表1记载的二氧化硅粒子及水，制备具有表2及表3记载的研磨粒子浓度的研磨液组合物(剩余部分为水)。又，用氢氧化钾水溶液进行调整，使pH达到10.5～11.5。表2所记载的研磨粒子浓度用下述研磨装置条件及研磨速度测定方法确定，使研磨速度达到约为2300(/min)[230nm/min]。
<研磨装置条件>
研磨试验机：Lap Master SFT生产的LP-541(台板直径540mm)
研磨垫：Rodel Nitta生产的IC-1000/Suba 400
台板旋转速度：60r/min
载体旋转速度：58r/min
研磨液流量：200(g/min)
研磨载荷：300(g/cm2)
<研磨速度测定方法>
被研磨材使用将2μm的PE-TEOS(等离子增强的四氧基硅烷)在8英寸(200mm)硅基板上成膜而形成的材料，在上述设定条件下研磨2分钟，由其研磨前后的残存膜厚差求得研磨速度(nm/min)。剩余膜厚的测定使用光干涉膜厚计(DAINIPPON SCREEN MFG CO.，LTD.生产的VM-1000)。
为了对平坦化特性进行评价，使用用于评价CMP特性的市场上出售的晶片(商品名：SKW7-2，SKW Associates，Inc.生产，凹凸平面差8000(800nm))作为被研磨材料，用通过研磨直到将预先形成的晶片上的凹凸平面差去除所需的时间进行评价。具体地说，在上述设定条件下，每研磨一分钟便测定晶片上GRADUAL D90图案凸部和凹部的剩余膜厚(测定法同上)，反复进行上述操作直到从已知的初期平面差得知的凹凸平面差达到0(平坦化结束)，测定必要的研磨时间。结果用平坦化结束时所需的研磨时间表示，4分钟以内的判定为良好(表2)。由于各研磨液的研磨速度都设定为230nm/min，因此可以看到，不管研磨速度如何，实施例1～5的平坦化特性要比比较例1～4好。
表2
    表1 记载的研磨粒子及配合比率(重量％) 重量比A/B 研磨粒子浓度(重量％) 平坦化时所需时间(min)
         研磨粒子组(A)           研磨粒子组(B)
 ①  ②  ③     ④  ⑤   ⑥  ⑦   ⑧  ⑨
实施例1  70   30     2.3/1     24     4
实施例2  70  30     2.3/1     22     4
实施例3     77   15   8     3.5/1     17     4
实施例4  23     32   45     1.2/1     22     4
实施例5  5  10  15     35   20   10   5     1.9/1     20     4
比较例1     100     只有A     20     5
比较例2  35     65     只有A     25     5
比较例3  100     只有B     13     6以上
比较例4  90     10     只有A     30     5
表3
全研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子的含量(体积％)     占粒径为2～200nm的研磨粒子总量的体积％
    2nm以上且小于58nm     58nm以上且小于75nm     75nm至200nm
实施例1     100     70.0     0.0     30.0
实施例2     100     70.0     9.4     20.6
实施例3     100     56.7     20.3     23.0
实施例4     100     46.6     8.4     45.0
实施例5     100     55.8     9.2     35.0
比较例1     100     73.7     26.3     0.0
比较例2     100     82.9     17.1     0.0
比较例3     100     3.5     11.8     84.7
比较例4     100     97.4     2.6     0.0
本发明的研磨液组合物对于具有凹凸的被研磨面能够有效地实现平坦化，通过使用该研磨液组合物，能够提供一种使用该研磨液组合物的研磨方法及提供包括使用该研磨液组合物研磨半导体基板的工序的半导体装置的制造方法。

Claims (12)

1、一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，该研磨粒子中粒径为2～200nm的研磨粒子含量为50体积％以上，该研磨粒子含有的粒径为2nm以上且小于58nm的小粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的40～75体积％，含有的粒径为58nm以上且小于75nm的中粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的0～50体积％，含有的粒径为75nm至200nm的大粒径研磨粒子为粒径2～200nm的研磨粒子总量的10～60体积％。
2、一种含有水系介质和研磨粒子的研磨液组合物，其中，研磨粒子含有平均粒径为2～50nm的研磨粒子组A和平均粒径为52～200nm的研磨粒子组B的重量比A/B为0.5/1～4.5/1。
3、权利要求1所述的研磨液组合物，其特征在于，被研磨面为半导体基板的面。
4、权利要求2所述的研磨液组合物，其特征在于，被研磨面为半导体基板的面。
5、权利要求1或3所述的研磨液组合物，其特征在于，研磨粒子为二氧化硅。
6、权利要求2或4所述的研磨液组合物，其特征在于，研磨粒子为二氧化硅。
7、一种研磨方法，其特征在于，使用权利要求1或3所述的研磨液组合物使半导体基板平坦化。
8、一种研磨方法，其特征在于，使用权利要求2或4所述的研磨液组合物使半导体基板平坦化。
9、一种半导体基板的平坦化方法，其特征在于，使用权利要求1或3所述的研磨液组合物。
10、一种半导体基板的平坦化方法，其特征在于，使用权利要求2或4所述的研磨液组合物。
11、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含使用权利要求1或3所述的研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序。
12、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含使用权利要求2或4记载的研磨液组合物对半导体基板进行研磨的工序。
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