CN1477911A - 发光装置及其制造方法以及电子仪器 - Google Patents

Abstract

一种发光装置及其制造方法以及电子仪器，所述发光装置具备发光层(14)、电极层(16)的发光装置。由发光装置发出的光含有从发光层14出来而入射到电极层(16)中的光。电极层(16)(透过层18)的厚度是由使得发出时的光的色度接近于预定值所决定。使用具有发光层的所述发光装置，可实现光的色度最优化。

Description

发光装置及其制造方法以及电子仪器

技术领域

本发明涉及备有发光层的发光装置及其制造方法以及电子仪器。

背景技术

备有发光层的发光装置有，例如，备有有机电致发光(以下简称有机EL)元件的有机EL显示装置。有机EL元件一般在其对向的2个电极之间配置了含有发光层的有机功能层。

在进行彩色显示的场合，有机EL显示装置分别有发出红(R)、绿(G)、蓝(B)各色的预定色度的光的发光层。所以，在基板上已经以预定的排列配置有与各色对应的发光层。

从发光层发出的光的色度例如是由适当选择发光层的形成材料来得到的。然而，在发出时的光的色度偏离目标值的场合，就有必要对发出光的色度进行修正。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的在于提供一种力图实现光的色度最优化的发光装置及其制造方法。

还有，本发明的目的在于提供显示性能提高了的电子仪器。

经过本发明人等的刻意探讨，搞清楚了发光层发出的光在入射到电极层之后发出时，根据此电极层的膜厚，其发出时的光的色度有变化的趋势，通过把电极层的膜厚设定为使发出时的光的色度变为预定值，就解决了上述课题。

即，本发明的发光装置是备有发光层与电极层的发光装置，其特征在于设定所述电极层的膜厚，使由所述发光层中发出的光从所述发光装置发出时的光的色度成为预定值。

根据上述发光装置，可实现光的色度的最优化。

在上述发光装置中优选的是，所述发光层含有分别与红、绿、蓝3色相对应的3种发光层，所述电极层中对所述3种发光层的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

通过分别确定与红、绿、蓝各色相对应的各电极层的膜厚，可实现对各色的光色度的最优化。

还有，上述的发光装置中，也可以是，所述电极层含有多层层压层且所述多层中至少1层的膜厚已确定。

例如，上述多层含有透过从上述发光层发出的光的透过层和反射此光的反射层，所述透过层的膜厚已经确定为好。在此场合，从发光层出来的光的一部分通过透过层之后，由反射层反射，再通过透过层后发出。由于通过透过层，光的色度得到校正，可实现光的色度的最优化。

本发明的电子仪器的特征在于备有上述发光装置。

上述电子仪器，由于具有上述发光装置，可实现光的色度的最优化，可得到良好的显示性能。

本发明发光装置的制造方法的特征在于包括在基板的上方配置发光层的工序、在上述发光层的上方配置电极层的工序、在上述电极层的上方配置材料层以覆盖上述发光层的工序，且所述电极层的膜厚被设定成由上述发光层发出的光至少经过上述材料层而射出时的光的色度达到预定值。

或者，本发明的发光装置的制造方法的特征在于包括在基板的上方配置发光层的工序、在上述发光层的上方配置电极层的工序，且所述电极层的膜厚被设定成由上述发光层发出的光至少经过上述基板而射出时的光的色度达到预定值。

由上述制造方法，可以制造出发出时的光的色度良好的发光装置。

在上述制造方法中，优选的是，所述发光层含有与红、绿、蓝3色相对应的3种发光层，且所述电极层中对所述3种发光层的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

为了配置上述3种发光层，以使用例如掩膜蒸镀法为好。

由于分别确定了与红、绿、蓝各色对应的各电极层的膜厚，各种颜色的色度实现了最优化。

附图说明

图1是与本发明的发光装置的一个实施方式有关的有机EL显示装置的概念示意图。

图2是表示色度(蓝)随阴极膜厚变化而变化的结果。

图3是表示色度(绿)随阴极膜厚变化而变化的结果。

图4是将本发明的发光装置适用于有机EL显示装置中的其它实施方式的概念示意图。

图5是表示有机EL显示装置的电路结构的一个例子的电路图。

图6是表示有机EL显示装置中的象素部分平面结构的一个例子的俯视图。

图7是表示象素部(有机EL元件)截面结构的放大图。

图8是用于说明把本发明的电光装置制造方法适用于备有有机EL元件的显示装置的制造过程中的实施例图。

图9是用于说明本发明的电光装置的制造方法用于备有有机EL元件的显示装置的制造过程中的实施例的图。

图10是用于说明把本发明的电光装置的制造方法适用于备有有机EL元件的显示装置的制造过程中的实施例的图。

图11是用于说明把本发明的电光装置的制造方法适用于备有有机EL元件的显示装置的制造过程中的实施例的图。

图12是表示本发明的电子仪器的实施例的图。

图13是表示本发明的电子仪器的其它实施例的图。

图14是表示本发明的电子仪器的其它实施例的图。

图15是表示本发明的电子仪器的其它实施例的图。

图16是表示本发明的电子仪器的其它实施例的图。

图17是表示本发明的电子仪器的其它实施例的图。

图中，10-有机EL显示装置(发光装置)；11-基板；13-阳极(象素

电极、电极层)；14-发光层；16-阴极(对置电极、电极层)；18-

透过层；19-反射层。

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明。还有，在各参照图中，为了能够在图上识别其大小而有其缩小的尺寸与实际不同的情况。

图1是表示与本发明的发光装置的一个实施方式有关的有机EL显示装置的概念示意图。在图1中，有机EL显示装置10具有，在作为基体的基板11上依次层压电路元件部12、象素电极(阳极)13、含发光层14的有机功能层15、对置电极(阴极)16以及密封部17的结构。构成了以其中所含有的阳极13、功能层15和阴极16等为电光元件的有机EL显示装置(有机EL元件)。

图1中的符号29是在象素边界上设置的作为隔板部件的堤墙(bank)层。堤墙层29在形成有机EL元件时起到了防止邻接材料的混杂等的作用。

在有机EL显示装置中，从阳极侧注入的空穴和从阴极侧注入的电子在发光层内再结合，经过激发态而引起发光(从激发态失活时发光)。还有，通过适当地选择形成发光层的材料，可得到预定色度的发光。作为形成发光层的材料，例如可使用低分子有机发光色素或高分子发光体，即由各种荧光物质或燐光物质构成的发光物质等。

还有，在阳极与发光层之间以及阴极与发光层之间，分别适当地形成了空穴注入层、空穴输运层和电子输运层等具有特定功能的层。

发光的电学控制是通过含有有源元件的电路元件部来进行的。

图1所示的有机EL显示装置10含有对应于彩色显示的、发出与红(R)、绿(G)、蓝(B)3种颜色相对应的色度的光的3种发光层14。在有机EL显示装置进行彩色显示的场合，与R、G、B各种颜色相对应的发光层以条状、矩阵状或Δ状按预定的序列配置在基板上。还有，此显示装置10构成为从基板11一侧发出有机EL元件所发出的光，即构成所谓的背发射型。

在背发射型的有机EL显示装置10中，发光层14发出的光中，向基板11一侧发出去的光原样通过基板11而发出来。另一方面，向基板11一侧的反侧发出去的光被阴极16所反射，然后，通过发光层14等而从基板11一侧发出。即，从显示装置10发出的光(被观察到的光)中，含有最初向基板11一侧发的光和从阴极16反射来的光。

这里，显示装置10具有从基板11一侧取出光这样的结构，所以作为基板11使用透明和半透明的。

形成阳极13的材料同样用的是ITO等有透明性的材料。

阴极16是由透过从发光层16出来的光的透过层18和反射此光的反射层19的层压结构所构成的。透过层配置在发光层14附近，在其外侧配置了反射层19。

从发光层14发出的光中的入射到阴极16的光，在透过阴极16的透过层18之后，被反射层19所反射。之后，通过透过层18、发光层14等从基板11一侧发出。

还有，该显示装置10中已经决定了阴极16的膜厚，以使所发出的光的色度接近预定的目标值。更具体说，阴极16的透过层18中对R、G、B三种发光层14的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

作为色度的目标值，使用的是例如阴极射线管(CRT)的色再现范围所规定的色度以使例如，R、G、B的各光具有适合于全色显示用的颜色特性。

作为确定透过层的膜厚的方法采取的是，例如，制成透过层膜厚各自不同的多种显示装置再各自测定其光的色度。然后，由此测定结果对R、G、B的每个颜色求出透过层的膜厚与光的色度之间的关系。根据此关系，决定透过层的膜厚，使得光的色度接近预定目标值。

通过分别设定R、G、B的各种光入射的透过层18的膜厚，使得从发光层14出来的各个光原来所具有的色度得到了校正。据认为，色度的校正是由于通过透过层18时光的一部分波长被吸收或者在透过层18的表面反射的光与通过透过层18而在反射层19反射的光发生相干等而发生的。这样，此显示装置10实现了光的色度最优化。

还有，由于没有使用成为亮度下降的主要原因的滤色片等元件，用透过层18的膜厚来校正色度的方法具有抑制光的亮度下降的优点。

这里，透明或半透明的基板列举有，例如，玻璃基板、石英基板、树脂基板(塑料基板、塑料薄膜基板)等，特别以便宜的钠玻璃基板为优选。另外，在使用钠玻璃基板的场合，通过涂上二氧化硅，保护了对酸碱性弱的钠玻璃的同时，也提高了基板的平坦性。

作为形成阳极的材料使用，例如，ITO、IZO等透明电极材料。

作为形成阴极的材料，除了例如铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)、银(Ag)、钙(Ca)之外，还有ITO、IZO、氟化锂(LiF)等。

作为阴极16中的含有透过层和反射层的层积结构，列举有，例如，Ca和A1层压膜(Ca/Al；透过层/反射层)或Mg/Ag、Ca/Ag、Ba/Ag、M/Ag(其中，M是至少一种稀土类元素，优选Ce、Yb、Sm、Er、Y、La、Gd(钆)、Dy(镝)、Nd(钕)中的至少一种元素)等。

可以在发光层一侧设置由LiF构成的膜(例如，LiF/Ca/Al)。还有，在阴极采取层积结构的场合，优选用功函数小的材料来形成其靠近发光层一侧。本发明中的阴极，只要至少含有透过层和反射层就行，并不仅限于上述例子所述。例如，透过层以及反射层中的至少一种采取层积结构也行。

还有，这些阴极优选例如由蒸镀法、CVD(化学气相沉积)法等来形成，特别是由蒸镀法形成时，可以防止由热对发光层的损伤，因此优选。

为了防止氧化，可以在阴极上设置SiO₂、SiN等保护层。

还有，密封部17是用来防止水或氧气的侵入而防止阴极16或功能层15被氧化的，它含有涂布在基板11上的封装树脂以及贴合在基板11上的封装基板(封装罐)等。作为封装树脂的材料，使用例如热固性树脂或紫外线固化树脂等，特别是，优选使用热固性树脂之一的环氧树脂。例如，用微型分散机等来涂布而把封装树脂呈环状涂布在基板11的周边。封装基板由玻璃或金属等构成，通过封装树脂把基板11和封装基板贴合起来。

图2是表示具有上述结构的显示装置中，蓝(B)色度随阴极膜厚的变化的变化结果的图。并且采用了使用发蓝光的聚合物作为发光层，用(LiF/)Ca/Al作为阴极的结构。

图2中，当(LiF：2nm/)Ca：5nm/Al：200nm时，发光色度(x，y)＝(0.165，0.156)，而当(LiF：2nm/)Ca：20nm/Al：200nm时，发光色度(x，y)＝(0.169，0.167)，从而确认了通过改变作为阴极透明层的Ca的膜厚，可使光的色度接近于目标值(TG)。

还有，图3是表示具有上述结构的显示装置中，绿(G)色度随阴极膜厚的变化而变化的结果。另外，采用了使用发绿光的聚合物作为发光层，用Ca/Al的构成作为阴极的结构。

图3中，当Ca：5nm/Al：200nm时，发光色度(x，y)＝(0.41，0.57)，而当Ca：20nm/Al：200nm时，发光色度(x，y)＝(0.42，0.56)，从而确认了随着阴极透明层Ca的膜厚变化，光的色度可接近于目标值(TG)。

图4示出了将本发明发光装置适用于有机EL显示装置中的其它方式的例子。此显示装置50是从设置有电路元件部的基板11的反侧取出发光层14发出的光，即是所谓的顶发射型。还有，图4中，对于与图1中所示的显示装置10具有同样功能的构成要素，赋予了同样的符号，其省略或简化了说明。

在顶发射型有机EL显示装置50中，发光层14发出的光当中，向基板11一侧发出的光被阳极13反射，然后通过发光层14，再从基板11一侧的反侧发出。另一方面，向基板11一侧的反侧发出的光原样通过阴极16等而发出。也就是说，从显示装置50出来的光包括了从阳极13反射的光和一开始就向基板11一侧的反侧发出的光。

这里，显示装置50具有从基板11的反侧发出光的结喉，作为基板，透明或不透明均可。作为不透明的基板，除了例如在氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属薄片实施了表面氧化等绝缘处理的材料之外，列举有热固性树脂、热塑性树脂等。

阳极用铟锡氧化物(ITO)等透明性物质。

阳极13由包括透过从发光层14出来的光的透过层51和反射此光的反射层52的层压结构所构成。在发光层14附近配置了透过层51并在其外侧配置了反射层52。

作为形成阴极16的材料用的是透明性物质。

发光层14发出的光当中的入射到阳极13的光，通过此阳极13的透过层51之后，由反射层52所反射，之后，通过透过层51、发光层14等，从基板11一侧发出来。

此显示装置50与前面的图1所示的显示装置10不同，确定阳极13的膜厚以使发出来的光的色度接近于预定的目标值。更具体说，阳极13的透过层51中对R、G、B3种发光层14的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

由于R、G、B各色光是由入射的透过层51的膜厚所分别决定的，从发光层14出来的各色光原来所持有的色度得到了校正。由此，此显示装置50实现了光的色度的最优化。

在顶发射型的场合，由于是从基板的反面一侧取出光，所以可把象素的数值孔径取大。

还有，通过改变发光层14的膜厚，可以校正发光层发出的光的色度。为此，可把发光层的膜厚和发光层入射的电极(阴极、阳极)的膜厚组合起来设定，以使光色度更加接近目标值。

下面，进一步详细说明图1所述的显示装置10。

图5示出了上述显示装置10的电路结构的一个例子，图6示出了显示装置10中的象素部的平面结构的一个例子。

如图5所示，显示装置10是在作为基体的基板上，分别配置了多根扫描线131、向与这些扫描线131交叉的方向延伸的多根信号线132、与这些信号线132平行延伸的多根共用给电线133，且在扫描线131和信号线132的每个交叉点上设置了象素(象素区)102。

对于信号线132，设置了备有，例如，移位寄存器、电平移动器、视频线、模拟开关的数据驱动电路103。另一方面，对于扫描线131，设置了备有移位寄存器和电平移动器的扫描驱动电路104。还有，在各个象素区102中，设置了通过扫描线131把扫描信号提供给门电极的第1薄膜晶体管142、通过此第1薄膜晶体管142保持来自于信号线132的图像信号的保持电容cap、把保持电容cap所保持的图像信号提供给门电极的第2薄膜晶体管143、通过此第2薄膜晶体管143与共用给电线133电连接时从共用给电线133驱动电流流入的象素电极(阳极)13、夹在此象素电极13与对置电极(阴极)16之间而配置的发光部140(发光层)。

还有，如图6所示，各个象素102的平面结构被配置成，平面形状为长方形的象素电极13的四边被信号线132、共用给电线133、扫描线131和图中没有画出的其它象素电极用扫描线围起来。象素区102的平面形状除了图中示出的矩形之外，圆形、椭圆形等任何形状也是适用的。

在这样的构成中，驱动扫描线131使第1薄膜晶体管142处于通路(on)时，保持电容cap保持了此时的信号线132的电位，根据此保持电容cap的状态，决定了第2薄膜晶体管143的导通状态。所以，以第2薄膜晶体管143的通道为中介，电流从共用给电线133流向象素电极13，进而通过发光部分140而电流流入相对电极16，发光部分140根据所流过的电流量而发光。

图7放大示出了象素部102(有机EL元件)的截面结构。

在图7中，有机EL元件具有基板、由透明电极材料构成的阳极13(象素电极)、注入或可输运空穴的空穴注入层(空穴输运层)285、含有电光物质之一的有机EL物质的发光层14(有机EL层)、设置在发光层14上面的阴极(对置电极)16、在基板11上形成的、作为控制在阳极13上是否写入数据信号的通电控制部的薄膜晶体管142、143。还有，在发光层14和阴极16之间设置电子输运层也行。

在本例中，薄膜晶体管142、143都是形成为n通道型的。还有，薄膜晶体管142、143并不限于双方都是形成为n通道型薄膜场效应管(TFT)，也可以使用双方和任何一方为p通道型的薄膜晶体管。

薄膜晶体管142、143是通过例如以SiO₂为主体的基底保护膜201而设置在基板11的表面上的，它具有：在基底保护膜201的上层形成的由硅等构成的半导体膜204、205；设置在基底保护膜201的上层、并覆盖了半导体膜204、205的门绝缘膜220；在门绝缘膜220的上面的与半导体膜204、205相对的部分上设置的门电极229、230；设置在门绝缘膜220的上层并覆盖了门电极229、230的第1层间绝缘膜250；通过门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250中开的接触孔而与半导体膜204、205连接的源电极262、263；隔着门电极229、230而在与源电极262、263相对的位置上设置的、通过经过门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250开的接触孔而与半导体膜204、205连接的漏电极265、266；设置在第1层间绝缘膜250的上层以覆盖源电极262、263与漏电极265、266的第2层间绝缘膜270。

还有，在第2层间绝缘膜270的上面配置了象素电极(阳极)13，象素电极13与漏电极266是通过设置在第2层间绝缘膜270上的接触孔而被连接的。还有，第2层间绝缘膜270的表面上的除了已经设置有机EL元件之外的部分与阴极16之间，设置了由合成树脂等构成的第3绝缘层(堤墙层)281。

还有，尽管在图7中的堤墙层281是采取顶边长度小于底边的长度的锥形结构，不过，可以采取反过来的顶边长度与底边底长度相同或大的结构。

还有，在第1层间绝缘膜250与第2层间绝缘膜270的材质不同的场合，理想的是，如图所示，形成为在第1层间绝缘膜250上设置的接触孔与在第2层间绝缘膜270上设置的接触孔275不重叠。

在半导体膜204、205中，隔着门绝缘膜220而与门电极229、230相重叠的区域成为通道区域246、247。还有，半导体膜204、205中，在通道区域246、247的源一侧设置了源区233、236，同时，在通道区域246、247的漏一侧设置了漏区234、235。其中，源区233、236通过经过门绝缘膜220与第1层间绝缘膜250开的接触孔而与源电极262、263相连接。另一方面，漏区234、235通过经门绝缘膜220与第1层间绝缘膜250开的接触孔而与和源电极262、263构成同一层的漏电极265、266相连接。象素电极13通过漏电极266而与半导体膜205的漏区235实现电连接。

下面，参照图8～图11来说明将本发明发光装置的制造方法适用于制造上述有机EL显示装置的过程的实施例。在本例中，说明同时制造含上述薄膜晶体管142、143的有机EL元件和N型以及P型驱动电路用薄膜晶体管的过程。

首先，如图8(a)所示，在基板11上，根据需要用四乙氧基硅烷(TEOS)或氧气等为原料采取等离子CVD法形成由厚度约200～500nm的硅氧化膜构成的基底保护膜201。

作为基底保护膜，除了硅氧化膜之外，可以设置硅氮化膜或硅氧化氮化膜。通过设置这样的绝缘膜，可以提高放热性。

接着，把基板11的温度设定为约350℃，在基底保护膜的表面上，用ICVD法、等离子CVD法等来形成由厚度约30～70nm的无定形硅膜构成的半导体膜200。作为半导体膜200，并不限于无定形硅膜，只要是含微晶半导体膜等无定形结构的半导体膜就行。还有，无定形硅锗膜等含非晶结构的化合物半导体膜也行。

接着，用激光退火法或急速加热法(灯退火法或热退火法等)等对此半导体膜200实施结晶化工序，将半导体膜200结晶为聚硅膜。在激光退火法中，例如使用光束长度400mm的线性光束准分子激光，其输出强度为例如200mJ/cm²。还有，可以使用YAG激光的倍频波或3倍频波。使用线性光束进行扫描时，使相当于线性光束短尺寸方向上的激光强度峰值的90％的部分在每个区域重叠为好。

其次，如图8(b)所示，用光刻法等进行图案化，把不要的半导体膜(聚硅膜)200等部分除去，形成了与薄膜晶体管的各形成区域相对应的岛状半导体膜202、203、204、205。

接着，以TEOS或氧气等为原料用等离子CVD法形成被覆了半导体膜200的由厚度约60～150nm的硅氧化膜或氮化膜(硅氧化氮化膜等)构成的门绝缘膜220。门绝缘膜220无论是单层结构还是层压结构都行。还有，不限于等离子CVD法，用热氧化法等其它方法也行。还有，在利用热氧化法来形成门绝缘膜220时，也进行了半导体膜200的结晶化，可以把这些半导体膜变为聚硅膜。

其次，如图8(c)所示，在门绝缘膜220的整个表面上，形成含掺杂硅、硅氧化物膜或铝、鉭、钼、钛、钨等金属的门电极形成用导电膜221。此导电膜221的厚度例如为200nm左右。

接下来，在门电极形成用导电膜221的表面上形成图案化用掩膜222，在此状态下进行图案化，如图8(d)所示，在形成了P型驱动电路用晶体管的一侧，形成门电极223。此时，在N型象素电极用晶体管和N型驱动电路用晶体管一侧，由于门电极形成用导电膜221被图案化用掩膜222所覆盖，所以门电极形成用导电膜221不会被图案化。还有，门电极可以是由单层导电膜形成也可以由层压结构来形成。

其次，如图8(e)所示，把P型驱动电路形成用晶体管的门电极223和在形成N型象素电极用晶体管的区域以及形成N型驱动电路用晶体管的区域中所残留的门电极形成用导电膜221作为掩模，离子注入p型杂质元素(在本例中为硼)。掺杂量为例如约1×10¹⁵cm^-2，其结果，在门电极223的对面自对位地形成了杂质浓度例如为1×10²⁰cm^-3的高浓度源·漏区域224、225。这里，被门电极223覆盖且没有引入杂质的部分成为通道区域226。

其次，如图9(a)所示，形成了完全覆盖P型驱动电路用晶体管一侧且覆盖N型象素电极用TFT10和N型驱动电路用晶体管一侧的门电极形成区域的、由光刻胶掩膜等所构成的图案化用掩膜227。

其次，如图9(b)所示，使用图案化用掩膜227把门电极形成用导电膜221图案化，形成了N型象素电极用晶体管和N型驱动电路用晶体管的门电极228、229、230。

接着，在残留有图案化用掩膜227的情况下，离子注入n型杂质元素(本例中为磷)。掺杂量例如为约1×10¹⁵cm^-2，其结果，对于图案化用掩膜227自对位地引入了杂质，而在半导体膜203、204、205中形成高浓度源·漏区域231、232、233、234、235、236。这里，半导体膜203、204、205中，没有引入高浓度磷的区域要比由门电极228、229、230所覆盖的区域还宽。也就是说，在半导体膜203、204、205中的与门电极228、229、230相向的区域的两侧的高浓度源·漏区域231、232、233、234、235、236之间，形成了没有引入高浓度磷的区域(后面讲的低浓度源·漏区域)。

接着，除去图案化用掩膜227，在此状态下离子注入n型杂质元素(本例中为磷)，掺杂量例如为约1×10¹³cm^-2。其结果，如图9(c)所示，在半导体膜203、204、205中对于门电极228、229、230自对位地引入了低浓度杂质，形成了低浓度源·漏区域237、238、239、240、241、242。还有，在与门电极228、229、230重叠的区域中没有引入杂质，形成了通道区域245、246、247。

接下来，如图9(d)所示，在门电极228、229、230的表面一侧形成第1层间绝缘膜250，并用光刻法等进行图案化而在预定的源电极位置、漏电极位置上形成接触孔。作为第1层间绝缘膜250，例如使用硅氧化氮化膜或硅氧化膜等含硅的绝缘膜为好。还有，单层或层压膜均可。进一步，在含氢的气氛中进行热处理而把半导体膜的未成对键用氢封端(氢化)。另外，可以用由等离子激发的氢来进行氢化。

接着，在此上形成用铝膜、铬膜或鉭膜等金属膜构成为源电极、漏电极的导电膜251。导电膜251的厚度为例如200nm～300nm左右，导电膜是可以是单层也可以是层压膜。

接着，在源电极、漏电极的位置上形成图案化用掩膜252的同时，进行图案化，如图9(e)所示，同时形成了源电极260、261、262、263和漏电极264、265、266。

接下来，如图10(a)所示，形成由氮化硅等构成的第2层间绝缘膜270。此第2层间绝缘膜270的厚度为例如1～2μm左右。作为形成第2层间绝缘膜270的材料，使用的是硅氧化膜或有机树脂、硅气凝胶等可透过光的材料。作为有机树脂，可以使用丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、BCB(苯并环丁烷)等。

接着，如图10(b)所示，用蚀刻除去第2层间绝缘膜270形成了直达到漏电极266的接触孔275。

然后，如图10(c)所示，埋进接触孔275内，形成例如由ITO或氟掺杂的SnO₂、进而由ZnO或聚苯胺等透明电极材料构成的膜，形成与源·漏区域235、236电连接的象素电极13。并且，该象素电极13成为EL元件的阳极。

接着，如图11(a)所示，隔着象素电极13形成第3绝缘层(堤墙层)。具体说，例如，用旋涂、滴涂等涂布方法涂布将丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等光刻胶溶解在溶剂中的物质而形成绝缘层，同时把绝缘层用光刻技术等进行蚀刻。作为第3绝缘层29，使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等合成树脂。还有，可以形成含有信号线、共用给电线、扫描线等布线的堤墙层。

接下来，形成覆盖了象素电极13的空穴注入层285。

在本例中，用把成形材料以液滴喷出的液滴喷出装置来形成空穴注入层285。即，从喷嘴114向基板11喷出形成空穴注入层285的材料。通过把预定量的材料配置在基板11上，而在基板11上形成了空穴注入层285。

当材料在基板11上变成液状时，由其流动性而在水平方向上铺展开来，但由于第3绝缘层(堤墙层)的隔阻，其扩展被防止了。还有，由处理条件或材料的特性等，没有产生由于材料的流动而导致的不合适的情况下，可以使第3绝缘层的高度变低，或不采用隔断的结构也行。还有，材料从喷嘴114出来而达到基板11上之后，可以根据需要对基板11进行加热和光照等处理，以使材料固化或变硬。

作为形成空穴注入层的材料，希望使用例如，聚乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物PEDT/PSS。其它列举有聚苯胺与聚苯乙烯磺酸的混合物或者是铜酞菁(CuPc)。还有，在低分子型有机EL元件等中形成空穴注入层和空穴输运层两者的场合，理想的是，例如在形成空穴输运层之前，先在象素电极一侧形成空穴注入层，在其上形成空穴输运层。通过把空穴注入层与空穴输运层一起形成，就可以控制驱动电压的上升，同时可以延长驱动寿命(半衰期)。

接着，如图11(b)所示，在空穴注入层285的上面形成发光层14。

本例中，与前面的空穴注入层一样，用上述液滴喷出装置形成发光层14。即，从喷嘴114向基板11喷出液滴状发光层14的形成材料。

作为形成发光层14的材料，可以使用高分子发光体，可以使用在侧链上有发光基团的高分子，不过，优选的是主链含共轭结构的物质，特别是以聚芴、聚对苯撑亚乙烯基、聚噻吩、聚芳撑亚乙烯基及其衍生物为优选。其中，以聚芳撑亚乙烯基及其衍生物为优选。此聚芳撑亚乙烯基及其衍生物是含以下述化学式(1)表示的重复单元占总重复单元的50mol％以上的聚合物。尽管随重复单元的结构而不同，但是以化学式(1)表示的重复单元占总重复单元的70％以上的聚合物为更优选。

              -Ar-CR＝CR’-    ---(1)[这里，Ar表示与共轭键有关的碳原子数为4个以上和20个以下的芳撑基或杂环化合物基团，R，R’各自独立地表示从氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数6～20的芳基、碳原子数4～20的杂环化合物基团。

作为以化学式(1)所表示的重复单元以外的重复单元，此高分子荧光体中也可以含有芳香族化合物基团或其衍生物、杂环化合物基团或其衍生物以及将它们组合而得到的基团。并且，可以用具有醚基、酯基、酰胺基、亚胺基等的非共轭单元来连结化学式(1)所表示的重复单元或其它重复单元，并且在重复单元中可以含有这些非共轭单元。

作为所述高分子荧光体中的化学式(1)的Ar，是与共轭键相关的碳原子数在4个以上20个以下的芳撑基或杂环化合物基团，其例子有以下述化学式(2)所表示的芳香族化合物基团或其衍生物基团、杂环化合物基团或其衍生物基团以及将它们的组合而得到的基团等。还有，在低分子型有机EL元件中可以使用低分子荧光体，例如萘衍生物、蒽衍生物、芘衍生物、聚甲炔类、呫吨类、香豆素类、花菁苷类等色素类、8-羟基喹啉和其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯衍生物等和在特开昭57-51781、特开昭59-194393号公报等中记述的已知物质。

作为形成电子输运层的材料，没有特别的限制，例子有噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、联苯二氰乙烯及其衍生物、二苯甲酮衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物等。具体说，与先前的形成空穴输运层材料同样，例子有在特开昭63-70257号、特开昭63-175860号公报、特开平2-135359号公报、特开平2-135361号、特开平2-209988号、特开平3-37992号、特开平3-152184号公报中所述的物质等，特别以2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8-羟基喹啉)铝为优选。

还有，把形成空穴注入层(空穴输运层)的材料或形成电子输运层的材料混合在形成发光层14的材料中作为发光层形成材料来使用也行。在此场合，形成空穴输运层的材料和形成电子输运层的材料的使用量是随使用的化合物的种类而异的，在考虑了充分的成膜性和对发光特性没有妨害的范围内适当决定。通常为相对于发光层形成材料的1～40wt％，以2～30wt％为更优选。

其次，如图11(c)所示，在基板11的整个表面上或以条状来形成作为阴极的对置电极16。如前所述，作为对置电极16是依次层压了透过光的透过层18和反射光的反射层19而形成的。

此时，透过层18的膜厚在与红、绿、蓝三色对应的3种发光层的光入射到的每一区域都有变化。这样的层的形成例如可以用掩膜蒸镀法来实施。即，通过掩膜蒸镀形成阴极的材料，与此同时，改变上述每一区域的蒸镀时间。

由上述过程，就完成了有机EL元件以及N型和P型驱动电路用薄膜晶体管。

这里示出了上述的化学式(2)。化2

(R1～R92各自单独为从氢原子、碳原子数1～20的烷基、烷氧基和烷硫基；碳原子数6～18的芳基和芳氧基；以及碳原子数4～14的杂环化合物基团中选出的基团。)

其中，以苯撑基、取代苯撑基、联苯撑基、取代联苯撑基、萘撑二基、取代萘撑二基、蒽-9，10-二基、取代蒽-9，10-二基、吡啶-2，5-二基、取代吡啶-2，5-二基、噻吩撑基以及取代噻吩撑基为优选。以苯撑基、联苯撑基、萘撑基、吡啶-2，5-二撑基、噻吩撑基为更优选。

化学式(1)的R、R’为氢或氰基以外的取代基的场合，作为碳原子数1～20的烷基列举有甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、月桂基等，以甲基、乙基、戊基、己基、庚基、辛基为优选。作为芳基，示例有苯基、4-C1～C12烷氧基苯基(C1～C12表示碳原子数1～12，以下相同)、4-C1～C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基等。

从可溶于溶剂的观点说，化学式(1)的Ar以具有1个以上的从碳原子数4～20的烷基、烷氧基和烷硫基、碳原子数6～18的芳基和芳氧基以及碳原子数4～14的杂环化合物基中选出的基团为优选。

作为这些取代基的示例如下。碳原子数4～20的烷基列举有丁基、戊基、己基、庚基、辛基、癸基、月桂基等，其中以戊基、己基、庚基、辛基为优选。碳原子数4～20的烷氧基列举有丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、癸氧基、月桂氧基等，其中以戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基为优选。碳原子数4～20的烷硫基列举有丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、癸硫基、月桂硫基等，其中以戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基为优选。作为芳基列举有苯基、4-C1～C12烷氧基苯基、4-C1～C12烷基苯基、1-萘基、2-萘基等，作为芳氧基例示有苯氧基，作为杂环化合物基示例有2-噻吩基、2-吡咯基、2-呋喃基、2-、3-或4-吡啶基等，这些取代基的数目随此高分子荧光体的分子量和重复单元的构成而异，从得到溶解性高的高分子荧光体观点来说，这些取代基在相当于分子量每600有1个为较优选。

还有，所述高分子荧光体可以是无规、嵌段或接枝共聚物，也可以是具有这些中间结构的高分子例如带嵌段性的无规共聚物。从得到荧光的量子收率高的高分子荧光体的观点讲，带嵌段性的无规共聚物或嵌段共聚物或接枝共聚物要比完全无规共聚物为优选。还有，在这里形成的有机电致发光元件由于利用了从薄膜出来的荧光，所以使用在固体状态下具有荧光的物质作为该高分子荧光体。

在对此高分子荧光体使用溶剂的场合，合适的有氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯等。随高分子荧光体的结构或分子量，通常在这些溶剂中可以溶解0.1wt％以上。

还有，作为所述高分子荧光体，优选以聚苯乙烯换算的分子量为10³～10⁷的，它们的聚合度随重复单元的结构或其比例而变。从成膜性观点来说，一般其重复单元结构的合计数优选为4～10000，5～3000更优选，10～2000为特别优选。

对于这样的高分子荧光体的合成方法没有特别的限制，例如由芳撑基上键合了2个醛基的二醛化合物、在芳撑基上键合了2个卤代甲基的化合物和磷酸三苯酯得到的二鏻鎓盐的Wittig反应。还有，作为其它的合成方法例如有由在芳撑基上键合了2个卤代甲基的化合物的脱卤化氢法。进而有，把在芳撑基上键合了2个卤代甲基的化合物的锍鎓盐用碱进行聚合而得到的中间体经热处理而得到此高分子荧光体的锍鎓盐分解法。在任何一种方法中，加入具有芳撑基以外骨架的化合物作为单体，并通过改变其存在的比例，就可以改变在所生成的高分子荧光体中所含的重复单元的结构，因此也可以增减以化学式(1)所示的重复单元的加入量而使其保持在50mol％以上并进行共聚。从反应的控制或收率观点讲，其中由Wittig反应的方法为优选。

现在来进一步具体说明作为所示高分子荧光体的一个例子的芳撑基亚乙烯基类共聚物的合成方法。例如，通过Wittig反应得到高分子荧光体的场合，例如首先把双(卤甲基)化合物，具体例如把2，5-二辛基氧对苯二甲基二溴化物在N，N-二甲基甲酰胺溶剂中与三苯膦反应，合成鏻盐，再把它与二醛化合物，更具体是例如在乙醇中用乙氧基锂缩合对苯二甲醛的Wittig反应，得到含苯撑亚乙烯基和2，5-二辛基氧对苯撑亚乙烯基的高分子荧光体。此时，为了得到共聚物，可以使2种以上的二鏻盐和/或2种以上的二醛化合物进行反应。

用这些高分子荧光体作为形成发光层的材料时，由于其纯度影响发光特性，因此合成后优选进行重沉淀精制、色谱分离等纯化处理。

还有，作为由上述高分子荧光体构成的形成发光层的材料，为了进行全色显示，使用了形成红、绿、蓝三色的发光层形成材料。

还有，在形成上述发光层时，可以把此材料由主/客系发光材料即在主体材料中加入、分散客体材料而形成的发光材料形成。

作为这样的发光材料，优选使用例如由高分子有机化合物或低分子材料作为其主体材料，而为了改变所得到的发光层的发光特性，使用荧光色素或燐光物质的材料作为其客体材料的发光材料。

当材料的溶解性低时，作为高分子有机化合物例如有涂布前体之后，如下面的化学式(3)所示，由加热固化可生成成为共轭体系高分子有机EL层的发光层的化合物。例如，当前体为锍盐的场合，由加热处理脱掉了锍基，成为共轭体系高分子有机化合物等。

对溶解性高的材料而言，在把材料原样涂布之后，除去溶剂，也就得到了发光层。化3

上述的高分子化合物是固体，且有强的荧光，可以形成均匀的固体超薄膜。然而，与富有形成能的ITO电极的紧密附着性也高，进而，固化之后形成了牢固的共轭系高分子膜。

作为这样的高分子有机化合物，以例如聚芳撑亚乙烯基为优选。聚芳撑亚乙烯可以溶于水系溶剂或有机溶剂中，所以容易调制成涂布在第2基板11上的涂布液，进而由于在一定条件下可以聚合，从而可得到高光学品质薄膜。

这样的聚芳撑亚乙烯列举有，PPV(聚对苯撑乙烯)、MO-PPV(聚(2，5-二甲氧基-1，4-苯撑亚乙烯))、CN-PPV(聚(2，5-双己基氧-1，4-苯撑-(1-氰基亚乙烯)))、MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基己基氧)]对苯撑亚乙烯)等PPV衍生物、PTV(聚(2，5-噻吩撑亚乙烯))等聚(烷基噻吩)、PFV(聚(2，5-呋喃撑亚乙烯))、聚(对苯撑)、聚烷基芴等，其中由以化学式(4)所示那样的PPV或PPV衍生物的前体所构成的物质或以化学式(5)所示那样的聚烷基芴(具体是化学式(6)所示那样的聚烷基芴类共聚物)为特别优选。

PPV等具有强的荧光，并且又是形成双键的π电子在聚合物链上离域化的导电性的高分子，所以可以得到高性能的有机EL元件。化4化5

PAF                 PAF-共聚物

还有，除了上述PPV薄膜之外，可形成发光层的高分子有机化合物或低分子材料，即在本例中用作主体材料的物质列举有，例如，铝羟基喹啉络合物(Al₃q)或二苯乙烯基联苯、进而以化学式(7)表示的BeBq₂或Zn(OXZ)₂、加上TPD、ALO、DPVBi等过去一般使用的物质、吡唑啉二聚物、喹嗪羧酸、高氯酸苯并噁英鎓盐、苯并吡喃喹嗪、5，6，11，12-四苯基丁省、菲咯啉铕络合物等，可以使用含这些中的1种或2种以上的有机EL元件用组合物。

另一方面，作为加入到这样的主体材料中的客体材料，列举有上述那样的荧光色素或燐光物质。特别是荧光色素可以改变其发光层的发光特性，例如作为提高发光层的发光效率或改变光的极大吸收波长(发光的颜色)的手段是有效的。即，荧光色素不单单是作为发光层材料，而且可以作为担负发光功能的色素材料来利用。例如，可以把在共轭类高分子有机化合物分子上的载流子再结合中所生成的激子的能量移到荧光色素分子上。这时，由于只有荧光量子效率高的荧光色素分子发光，所以发光层的电流量子效率也增加了。因此通过在形成发光层的材料中加入荧光色素，发光层的发光光谱也同时变成荧光分子的，从而作为改变发光的颜色的手段也是有效的。

还有，在这里所述的电流量子效率是基于发光功能来考察发光性能的尺度，是由下面的公式来定义的。

            ηE＝发出的光子的能量/输入电能

并且，通过掺杂荧光色素而改变光的极大吸收波长，可以发出例如红、蓝、绿三原色，结果使得得到全色显示体成为可能。

聚芴类共聚物化7

进而，通过掺杂荧光色素，可以大幅度提高EL元件的发光效率。

作为荧光色素，在形成发红光的发光层时，以使用激光染料DCM-1或若丹明或若丹明衍生物、苝等为优选。通过把这些荧光色素掺杂到PPV等主体材料中，可以形成发光层，不过，由于这些荧光色素多数是水溶性的，所以如果掺杂到水溶性的PPV前体锍盐中，然后进行加热处理，则使得形成较均匀的发光层成为可能。这样的荧光色素的具体例子列举有若丹明B、若丹明B碱、若丹明6G、若丹明101的高氯酸盐等，把它们的2种以上混合使用也行。

还有，在形成发绿光的发光层时，以使用喹吖酮、5，6，11，12-四苯基丁省、DCJT及其衍生物为优选。这些荧光色素也与上述荧光色素一样，掺杂到PPV等主体材料中就可以形成发光层，不过，由于这些荧光色素多数是水溶性，所以掺杂到具有水溶性的PPV前体锍盐中，然后进行加热处理，则使得形成较均匀的发光层成为可能。

进而，在形成发出蓝光的发光层时，优选使用二苯乙烯基联苯及其衍生物。与上述荧光色素一样，通过把这些荧光色素掺杂在PPV等主体材料中，就可以形成发光层，由于这些荧光色素多数为水溶性，所以掺杂到水溶性的PPV前体锍鎓盐中，然后进行加热处理就可以形成较均匀到发光层。

还有，作为发蓝光的其它荧光色素，可以列举的是香豆素及其衍生物。这些荧光色素与PPV的相溶性好，容易形成发光层。还有，在这些中，特别是香豆素，其本身在溶剂中是不溶的，但通过适当选择取代基来增加溶解性就可变成可溶于溶剂。作为这样的荧光色素的具体例子列举有，香豆素-1、香豆素-6、香豆素-7、香豆素120、香豆素138、香豆素152、香豆素153、香豆素311、香豆素314、香豆素334、香豆素337、香豆素343等。

进而，作为其它的发蓝光的荧光色素可以列举有四苯基丁二烯(TPB)或TPB衍生物、DPVBi等。这些荧光色素与上述红荧光色素等一样，是可溶在水溶液中，而且与PPV相溶性好，容易形成发光层。

对于上述荧光色素，在每一种颜色中仅用1种和2种以上混合使用都行。

还有，作为这样的荧光色素，可使用如化学式(8)、(9)进而(10)所示的物质。化8化9化10

用后面讲的方法加入相对于上述共轭系高分子有机化合物等构成的主体材料为0.5～10wt％的这些荧光色素是优选的，加入1.0～5.0wt％为更优选。如果加入过多的荧光色素，将使得到的发光层的耐气候性和耐久性难以维持，另一方面，如果加入量过少，则得不到充分的加入所述荧光色素的效果。

还有，作为加入到主体材料中的客体材料的燐光物质，优选使用由化学式(11)所示的Ir(ppy)₃、Pt(thpy)₂、PtOEP等。化11

还有，在用上述化学式(11)所示的燐光物质为客体材料的场合，作为主体材料，特别优选使用化学式(12)所示的CBP、DCTA、TCPB或上述DPVBi、Alq₃。

还有，把所述荧光色素与燐光物质一起作为客体材料而加入到主体材料中也行。化12

还有，在由这样的主/客系发光物质形成上述发光层时，通过把主体材料和客体材料按预定量比同时喷出，就可以形成由在主体材料中加入了所希望数量的客体材料的发光物质所构成的发光层。

还有，在上述例子中，形成了作为发光层的下层的空穴输运层、作为上层的电子输运层，不过，本发明并不限于此，例如仅形成空穴输运层和电子输运层中的一方也行，或，代替空穴输送层而形成空穴注入层也行，进而仅单独形成发光层也行。

进而，除空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层之外，例如在发光层的对置电极一侧形成空穴阻挡层，也可以实现发光层的长寿命化。作为这样的形成空穴阻挡层的材料，例如使用化学式(13)所示的BCP或化学式(14)所示的BAlq，但从长寿命而言，以BAlq为优选。化13

化14

图12～17示出了本发明的电子仪器的实施例。

本例的电子仪器，作为显示机构具有上述有机EL显示装置等本发明的发光装置。

图12示出了显示电视图像或计算机输送的文字或图像的显示装置的一个例子。图12中，符号1000表示使用了本发明的发光装置的显示装置本体。还有，显示装置本体1000由于使用了上述有机EL显示装置，所以即使对大画面也可以适应。

还有，图13示出了车载导航装置的一个例子。在图13中，符号1010表示导航装置本体，符号1011表示使用本发明的发光装置的显示部件(显示机构)。

图14示出了便携型图像记录装置(摄像机)的一个例子。图14中，符号1020表示记录装置本体，符号1021表示使用本发明的发光装置的显示部。

还有，图15是手机的一个例子。图15中，符号1030表示手机本体，符号1031表示使用本发明的发光装置的显示部(显示机构)。

图16示出了文字处理机、电脑等信息处理装置的一个例子。图16中，符号1040表示信息处理装置，符号1041表示信息处理装置本体，符号1042表示键盘等的输入部，符号1043表示使用本发明的发光装置的显示部。

还有，图17是手表型电子仪器。图17中，符号1050表示手表本体，符号1051表示使用本发明的发光装置的显示部。

图12～17中示出的电子仪器，由于备有本发明的发光装置作为显示机构，所以实现了光的色度最优化，得到了良好的显示性能。

以上参照附图说明了与本发明有关的合适实施例，但是与本发明有关的例子并不限于所讲到的这些。在上述例子中示出的各构成部件的诸多形状或组合等只是其中的一个例子，只要在不超出本发明的宗旨的范围之内，可以根据设计要求等而作各种各样的变更。

如果采用本发明的发光装置，则由于设定了来自于发光层的光所入射的电极层的膜厚，从而实现了光的色度的最优化。

还有，用本发明的发光装置的制造方法，可以制造光的色度最优化的发光装置。

还有，用本发明的电子仪器，由于具有光的色度最优化的发光装置，所以可以实现显示性能的提高。

Claims (13)

1.一种发光装置，是具有发光层和电极层的发光装置，其特征在于所述电极层的厚度被设定成使得由所述发光层发出的光从所述发光装置射出时的光的色度达到预定值。

2.一种发光装置，其特征在于含有基板、配置在所述基板上方的发光层、配置在所述发光层上方的电极层以及配置在所述电极层上方以覆盖所述发光层的材料层，且膜厚被设定成使得由所述发光层发出的光至少经过所述材料层而射出时的光的色度达到预定值。

3.一种发光装置，其特征在于含有基板、配置在所述基板上方的发光层、配置在所述发光层上方的电极层，且膜厚被设定成使得由所述发光层发出的光至少经过所述基板而射出时的光的色度达到预定值。

4.一种有机EL装置，其特征在于含有基板、配置在所述基板上方的有机EL层、配置在所述有机EL层上方的电极层以及配置在所述电极层上方以覆盖所述发光层的材料层，且膜厚被设定成使得由所述有机EL层发出的光至少经过所述材料层而射出时的光的色度达到预定值。

5.一种有机EL装置，其特征在于含有基板、配置在所述基板上方的有机EL层、配置在所述有机EL层上方的电极层，且膜厚被设定成使得由所述有机EL层发出的光至少经过所述基板而射出时的光的色度达到预定值。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于所述发光层含有与红、绿、蓝三色相对应的3种发光层，且所述电极层中对所述3种发光层的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

7.根据权利要求1或6所述的发光装置，其特征在于所述电极层含有多层层压层，且所述多层中至少1层的膜厚已被确定。

8.根据权利要求7所述的发光装置，其特征在于所述多层含有透过从所述发光层发出的光的透过层和反射此光的反射层，且所述透过层的膜厚已被确定。

9.一种电子仪器，其特征在于备有权利要求1至8中任一项所述的发光装置。

10.一种发光装置的制造方法，其特征在于包括在基板上方配置发光层的工序、在所述发光层的上方配置电极层的工序、在所述电极层的上方配置材料层以覆盖所述发光层的工序，且所述电极层的膜厚被设定成使得由所述发光层发出的光至少经过所述材料层而射出时的光的色度达到预定值。

11.一种发光装置的制造方法，其特征在于包括在基板上方配置发光层的工序、在所述发光层的上方配置电极层的工序，且所述电极层的膜厚被设定成使得由所述发光层发出的光至少经过所述基板而射出时的光的色度达到预定值。

12.根据权利要求10或11所述的发光装置的制造方法，其特征在于所述发光层含有与红、绿、蓝三色相对应的3种发光层，且所述电极层中对所述3种发光层的光所入射的每一区域分别设定其膜厚。

13.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法，其特征在于为了配置所述3种发光层而采用掩膜蒸镀法。

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