CN1419300A - 发光二极管装置 - Google Patents

发光二极管装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1419300A
CN1419300A CN02150692A CN02150692A CN1419300A CN 1419300 A CN1419300 A CN 1419300A CN 02150692 A CN02150692 A CN 02150692A CN 02150692 A CN02150692 A CN 02150692A CN 1419300 A CN1419300 A CN 1419300A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led
light
colourity
spectrum
chromatograph
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02150692A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1311568C (zh
Inventor
石井廣彥
深澤孝一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Citizen Watch Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of CN1419300A publication Critical patent/CN1419300A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1311568C publication Critical patent/CN1311568C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种LED安装在基底上,并且由透明材料制成的保护体来保证密封该LED。在保护体上形成色修正滤波器。色修正材料具有把LED所发射出的光的色度修改为要从LED装置射出的照明光的期望色度的作用。

Description

发光二极管装置
技术领域
本发明涉及发光二极管(LED)装置,在该装置中安装着作为光源的LED,本发明尤其涉及光修正装置。
背景技术
近年来已提供了各种发出三原色、白色或中间色的LED,并且LED作为光源、供各种诸如键盘、指示器以及其他显示装置中的液晶面板的背景光之用。
图14是常规LED装置的截面图。LED装置110包括基底102、连接电极103和104,以及安装在基底102上的LED 101。LED的阴极101c用导电粘合剂连接于电极103,而阳极101a通过导线106连接于电极104。在基底102上,通过模压形成由透明树脂制成的保护体107来密封LED 101、电极103和104以及导线106。
当通过电极103和104对LED 101施加电流时,LED发射出光。所发光的色度与LED的组分有关。调节LED的组分以得到期望的色度。
然而,制造发出期望色度光的LED是很困难的。这是由所发光的波长的不等性、LED中荧光材料的数量以及其他所引起的。这样的不等性是不可避免的。
图15是示出从LED发出的白光的不等性的色度图,其中每个LED都被做成发出白光。如果由x表示红色(R)的比例,由y表示绿色(G)的比例,而由z表示蓝色(B)的比例,那么白光有如下表示。
x+y+z=1                                                     (1)
在图中,标记C0表示对于白色色度R、G、B的比是1∶1∶1的点。在这种情况下,坐标为X=0.33,Y=0.33,以及Z=0.33。然而,实际上白色LED色度是在由虚线围绕的区域S中分布的。区域S0实际上被看作为白色范围。区域S1是蓝色的中间色范围,区域S2是红色的中间色范围,区域S3是绿色,而区域S4是深红色。
通过测量大量的LED的色度来选择包括在区域S0中的LED是很困难的。作为这个困难的解决方案,可用以下方法。
1.测量多个LED的色度。
2.把LED归类到区域S0、S1、S2、S3和S4。
3.把已分类的LED应用到需要色度的区域。然而未必总是需要所有区域,这样导致剩余无用的LED。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有LED的LED装置,把它的色度修正为期望的色度。
根据本发明,提供一种发光二极管装置,包括基底、安装在基底上的LED、在基底上装置的并连接于LED以把电流施加于LED的电极、由透明树脂制成的并密封LED的保护体。与保护体结合的色修正材料,色修正材料具有把LED所发光的色度修改为从LED装置发出的照明光的期望色度的作用。
所发光的色度是与照明光色度有关的互补色。
在本发明的另一方面中,色修正材料包括产生激励光的荧光材料。
把色修正材料做成薄膜,覆盖在保护体上。
从以下参照附图的详细描述中,本发明的这些和其他目的及特点会变得更明显。
附图说明
图1是根据本发明LED装置的截面图;
图2是沿着图1中的线II-II所取的截面图;
图3是示出LED所发光的特性和照明光色度的示意图;
图4是示出所发光和照明光波长频谱的示意图;
图5是示出色滤波器透射率的波长频谱示意图;
图6a到6d是示出色滤波器色层的波长频谱示意图;
图7是示出由边缘照明系统的照明装置的透视图;
图8是沿着图7中的线VIII-VIII所取的截面图;
图9是本发明第二实施例的截面前视图;
图10是截面侧视图;
图11示出所发光的频谱;
图12和13是示出色修正原理的示意图;
图14是常规LED装置的截面图;
图15是示出白光中不等性的色度图。
具体实施方式
LED装置10包括基底2、连接电极3和4,以及安装在基底2上的LED 1。LED的阴极1c用导电粘合剂连接于电极3,而阳极1a通过导线6连接于电极4。在基底2上通过模压形成由透明树脂制成的保护体7来密封LED 1、电极3和4以及导线6。
基底2在俯视图中具有矩形形状,而保护体7具有拱式外壁,如图2所示,它被做成具有聚光作用的圆柱透镜。在保护体7周围覆盖色滤波器8。色滤波器8包括三个色层,包括青绿色(C)层8c、深红色(M)层8m和黄色(Y)层8y。
当通过电极3和4对LED 1施加电流时,LED发光。所发光12的色度与LED的组分有关。所发光12通过色滤波器8,这样就把所发光12的色度转换为不同色度。从色滤波器发出作为照明光15的转换光。
如果所发光12的色度极大地偏离白色,那么就由色滤波器8通过设置色滤波器的波长特性来把发射光15的色度转换为白色,如下文所述。
图3是示出LED所发光特性和照明光色度的示意图,图4是示出所发光和照明光的波长频谱示意图,图5是示出色滤波器透射率的波长频谱示意图,图6a到6d是示出色滤波器色层的波长频谱示意图。
色修正方法的步骤如下。
1.测量所发光12的波长频谱(图4),并且从所测量的波长频谱得到色度C1(图3)。
2.计算色滤波器8透射率的波长频谱,该透射率是为了把LED 1的色度C1修正为期望的照明光15的白色色度C0。
3.计算每个色层8c、8m和8y中的波长频谱,该波长频谱是为了实现所得到的色滤波器8透射率的波长频谱的。
4.在保护体7上覆盖色层8c、8m、8y,同时控制层的厚度,以使色层8c、8m、8y的波长频谱成为所计算的值。
图3示出了所发光12的特性和照明光15的色度。图4示出了光12和光15的波长频谱。波长频谱H1是在步骤1中测量到的频谱。图4中,频谱H1中R、G、B光强比大致如下。
R1∶G1∶B1=0.27∶0.38∶0.35                                 (2)
从式2中,所发光12的色度C1的坐标为x=0.27,y=0.38。这个坐标极大地偏离坐标C0的白色。
在步骤2中,对白色修正,根据所发光12的波长频谱计算色滤波器8的透射率的波长频谱。也就是期望白光的照明光15的R、G、B的光强比如下,如图4中频谱H1所示。
R0∶G0∶B0=0.33∶0.33∶0.33                                (3)
如果整个色滤波器8波长频谱的比是R8∶G8∶B8,那么根据色激励(colorstimuli)的减色混合原理通过计算以完成下式(4)来确定比值R8∶G8∶B8。
R1×R8∶G1×G8∶B1×B8=R0∶G0∶B0                          (4)
通过把式(2)和(3)代入式(4),形成下式。
0.27×R8∶0.38×G8∶0.35×B8=0.33∶0.33∶0.33
从该式,得到下式(5)。
R8∶G8∶B8=1.22∶0.87∶0.94
          =0.4∶0.29∶0.31                                 (5)
因此,色滤波器8色度C8的坐标为x=0.4,y=0.29,如图3所示。这里,图5示出了整个色滤波器8透射率的频谱H8。可以如下表示式(5)。
R8∶G8∶B8=0.8∶0.58∶0.62                                 (6)
因此以上所述的频谱H8的频谱比值就变为(6)式。
为了实现步骤3中所得到的色滤波器8透射率的频谱H8(图5),通过计算得到每个色层8c、8m、8y的透射率的频谱比值。这里,青绿色的色层8c具有透射G组分和B组分的透射特性,但几乎没有透射R组分。因此频谱比值(R8c∶G8c∶B8c)如下。
R8c∶G8c∶B8c=r∶1∶1    (r<1)
相似地,深红色的色层8m的R、G、B频谱比值如下。
R8m∶G8m∶B8m=1∶m∶1    (m<1)
黄色的色层8y的R、G、B频谱比值如下。
R8y∶G8y∶B8y=1∶1∶y    (y<1)
如上所述,通常,色层8c、8m、8y的每个频谱都具有所有R、G、B的组分。
因此,在色层重叠的情况下,由于每个色层8c、8m、8y透射R、G、B组分,所以所透射的光不会成为黑色,并且具有R、G、B的组分。
本发明使用了这样的原理并通过计算把色滤波器8的透射特性设置为所需之值。
如上所述,更详细地,当把色层8c的透射特性的频谱比值设置为R8c、G8c、B8c,把色层8m的透射特性的频谱比值设置为R8m、G8m、B8m,而把色层8y的透射特性的频谱比值设置为R8y、G8y、B8y,所有色滤波器8的频谱比值R8y∶G8y∶B8y如下
R8∶G8∶B8=R8c×R8m×R8y+G8c×G8m×G8y
                +B8c×B8m×B8y                                (7)
把式(6)代入式(7),
0.8∶0.58∶0.62=R8c×R8m×R8y+G8c×G8m×G8y
                    +B8c×B8m×B8y                            (8)
得到每个色层的频谱比(透射率R、G、B),
R8c=0.8    R8m=1       R8y=1
G8c=1      G8m=0.58    G8y=1
B8c=1      B8m=1       B8y=0.62                      (9)
图6a到6d是示出式(9)中所示的对应色层频谱比值的透射特性的示意图。图6a示出了青绿色色层8c的透射特性H8c,图6b示出了色层8m的透射特性H8m,图6c示出了色层8y的透射特性H8y,图6d示出了通过综合图6a、6b和6c的透射特性所得到的透射特性H8。透射特性H8符合图5的透射特性H8。
在步骤4中,通过覆盖各自的涂料同时控制层的厚度来形成色层8c、8m、8y,这样每个色层透射特性都符合公式(9)中以及图6a到6d中所示的值。在这样的情况下,当测量厚度时对厚度进行最终的调节。例如,除非透射光的R组分要减少,才逐渐增加青绿色色层8c的厚度。因此,要逐渐进行涂料的覆盖直到透射光的R组分是初始值的0.8倍为止。这样,可以使发出光准确符合期望的色度。
如上所述,添加涂料形成色滤波器8以使色层8c、8m、8y的透射特性符合计算值。这样,可能使所有色滤波器的透射特性或色度符合式(6)的期望值或期望特性(图3的C8)。因此,当具有色度C1(图3)的发射光12经过色滤波器8通过时,修正了发射光12的色度并作为具有期望白色色度C0(图3)的照明光15射出。这里,色滤波器8的色度C8和发射光12的色度C1是对于照明光15白光色度C0的互相有关的互补色(参考式(4))。
本发明提供了产生不同于白色的中间色的另一个装置。也就是当把发射光12的色度CL坐标设置为x=xL,y=yL,z=zL时,就把期望中间色的照明光15的色度CS坐标设置为x=xs,y=ys,z=zs,并把色修正必要的色滤波器的色度C8坐标设置为x=x8,y=y8,z=z8,根据色激励的减色混合原理在这些色度值之间有以下关系。
xs∶ys∶zs=xL×x8∶yL×y8∶zL xz 8                  (10)
因此,发射光12的色度CL和色滤波器8的色度C8是对于照明光15白光色度CS的互补色关系。
在以上所述的实施例中,虽然色滤波器具有三个色层8c、8m和8y,但是可能提供一个或两个色层。例如,为了只修正R组分,就只使用青绿色色层8c。当修正R组分和G组分时,就使用青绿色色层8c和深红色色层8m。此外,虽然在保护体7上已装备了色滤波器8作为该实施例中的层,但是在保护体中可能混入色滤波器材料的微粒和粉末。
图7是示出由边缘照明系统照明的装置的透视图,而图8是沿着图7中的线VIII-VIII所取的截面图。
照明装置30包括照明面板21和作为边缘光的LED装置10。由透明树脂制成的照明面板21在其上端具有发光表面21b,相对发光表面21b的对面具有光漫射表面21a。光漫射表面21a具有多个棱镜肋柱以反射从LED装置10到发光表面21b的光。
在照明面板21的前端21c放置LED装置10。从LED装置10射出的照明光15从前端21c进入照明面板21中,并由光漫射表面21a反射并从发光表面21b射出。射出光25照射液晶显示屏27。从LED装置射出照明光15,通过保护体7的圆柱透镜的聚光作用汇聚,从而有效地把光施加于照明面板21。
图9是本发明第二实施例的截面前视图,图10是截面侧视图。
除了保护体7和荧光涂料薄膜9处,LED装置10a具有与第一实施例相同的组成。因此,由与第一实施例相同的标号标识其他部分,省略了对它们的说明。
保护体7a是矩形的平行六面体。荧光涂料薄膜9包括按蓝(B)光组分产生诸如绿(G)、红(R)和黄(Y)的激励光的荧光材料。
图3所示的发射光12的色度C2具有坐标,例如x=0.3,y=0.2,z=0.5。
图11示出所发射光12的频谱H2。频谱H2的R、G、B组分之比是0.3∶0.2∶0.5。如图11所示,由荧光涂料层9中的荧光材料吸收了频谱H2的频谱Bh这B一部分的B组分。根据B组分的吸收激励,G组分增加了Gh。R组分也增加了Rh。这样就把频谱H2修正为频谱H0的白光,R、G、B之比为0.33∶0.33∶0.33,并作为照明光15射出。
在图11中,Rh=0.03,Gh=0.13,而Bh=-0.17。为了设置这样的值,就采取了下面的过程。图12和13示出了频谱偏差Rh、Gh、Bh的变化。也就是如果由x表示薄膜9的厚度并且x=0,那么Rh、Gh和Bh都变为0。然而,当x增加时,Bh以-k的斜率减小,Rh以αk的斜率增加,Gh以βk的斜率增加。
因此,由xs表示Bh=-0.17时的厚度,并且预先设置值α和β以使在厚度xs,Rh=0.03,Gh=0.13。通过适当调节包括在荧光涂料薄膜9中产生激励光G、R、Y的荧光材料的品种以及它的组分之比,这样的设置是可能的。结果,如图13所示已修正的频谱组分Rs、Gs、Bs就成为如白色的Rs=0.33,Gs=0.33,Bs=033。
在简单的表述中,通过把修正组分Rh、Gh、Bh加到所射出的光12的组分R2、G2、B2(图13)得到这些值。换句话说,如图11和13所示,第二实施例的原理就是通过把在荧光涂料薄膜9产生的频谱组分Rh、Gh、Bh添加和混合到频谱H2的组分R2、G2、B2中来把色彩修正到期望的色度。因此,通过适当选择荧光材料的组分之比和荧光涂料薄膜9的厚度,不仅对白色修正而且对中间色修正都是可能的。由于第二实施例通过添加进行色修正,所以可在高光强处保持所修正的照明光。
根据本发明,可把从LED射出的光的色度修正为期望色度。此外,可以统一所射出光的色度,由此增加照明光的质量。
尽管结合本发明较佳特定实施例描述了本发明,但可以理解希望这些描述能阐述而又不限制本发明的范围,并由以下权利要求书限定范围。

Claims (5)

1.一种发光二极管装置,其特征在于,包括:
基底;
安装在基底上的LED;
在基底上安装并连接于LED的电极用于把电流施加于LED;
由透明材料制成并密封LED的保护体;
与保护体结合的色修正材料;以及
色修正材料具有把LED所射出的光的色度修改为要从LED装置射出的照明光的期望色度的作用。
2.按权利要求1所述的装置,其特征在于LED所发射出的光的色度与照明光的色度是互补色的关系。
3.按权利要求1所述的装置,其特征在于色修正材料包括产生激励光的荧光材料。
4.按权利要求1所述的装置,其特征在于色修正材料是被做成覆盖于保护体上的薄膜。
5.按权利要求2所述的装置,其特征在于色修正材料由青绿色、深红色和黄色材料组成。
CNB021506922A 2001-11-14 2002-11-14 发光二极管装置 Expired - Fee Related CN1311568C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001348275A JP2003152227A (ja) 2001-11-14 2001-11-14 Ledの色補正手段および色補正方法
JP2001348275 2001-11-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1419300A true CN1419300A (zh) 2003-05-21
CN1311568C CN1311568C (zh) 2007-04-18

Family

ID=19161127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021506922A Expired - Fee Related CN1311568C (zh) 2001-11-14 2002-11-14 发光二极管装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6888173B2 (zh)
EP (1) EP1313152A3 (zh)
JP (1) JP2003152227A (zh)
KR (1) KR100556555B1 (zh)
CN (1) CN1311568C (zh)
TW (1) TWI224400B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101076744B (zh) * 2004-04-23 2010-05-12 光处方革新有限公司 用于发光二极管的光学歧管
CN101263721B (zh) * 2005-07-13 2010-07-14 日本电气株式会社 颜色修正方法和颜色修正设备
CN101826589A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN102239578A (zh) * 2008-12-02 2011-11-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4360788B2 (ja) * 2002-08-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 液晶表示板用のバックライト及びそれに用いる発光ダイオードの製造方法
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
DE102004001312B4 (de) * 2003-07-25 2010-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Chip-Leuchtdiode und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP4799809B2 (ja) * 2003-08-04 2011-10-26 株式会社ファインラバー研究所 半導体発光装置の製造方法
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
KR20070012501A (ko) * 2004-04-28 2007-01-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 발광장치 및 그 제조방법
JP2006059851A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、それを用いた照明装置およびその製造方法
US7256057B2 (en) * 2004-09-11 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Methods for producing phosphor based light sources
US7453419B2 (en) * 2004-11-24 2008-11-18 Microsoft Corporation Edge lighting system for interactive display surface
US8269966B2 (en) * 2005-03-03 2012-09-18 Qiagen Lake Constance Gmbh Fluorescence meter
JP2007066969A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 白色発光ダイオード装置とその製造方法
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2007188976A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置の製造方法
US8008674B2 (en) * 2006-05-29 2011-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlighting device
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
US8288936B2 (en) * 2007-06-05 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device
JP5044329B2 (ja) * 2007-08-31 2012-10-10 株式会社東芝 発光装置
JP5128888B2 (ja) * 2007-10-01 2013-01-23 株式会社朝日ラバー 発光デバイス及びそれを用いた照明装置
JP2010074117A (ja) * 2007-12-07 2010-04-02 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2009211853A (ja) * 2008-03-03 2009-09-17 Nissan Motor Co Ltd 車両用前照灯
JP2010087393A (ja) * 2008-10-02 2010-04-15 Fujinon Corp 光源装置
US20120163025A1 (en) * 2009-05-12 2012-06-28 Global Lighting Technologies Inc. Light guide apparatus for a backlight module and fabricating method thereof
TWM405514U (en) * 2009-11-30 2011-06-11 Top Energy Saving System Corp Lighting module
JP5400660B2 (ja) * 2010-02-24 2014-01-29 パナソニック株式会社 電球形照明装置及びその色度補正方法
JP2011253882A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
CN102903705B (zh) * 2011-07-27 2015-02-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US9435524B2 (en) 2011-12-30 2016-09-06 Cree, Inc. Liquid cooled LED systems
US9482421B2 (en) 2011-12-30 2016-11-01 Cree, Inc. Lamp with LED array and thermal coupling medium
US9335531B2 (en) 2011-12-30 2016-05-10 Cree, Inc. LED lighting using spectral notching
US20140014987A1 (en) * 2012-07-10 2014-01-16 Luminus Devices, Inc. Methods and apparatuses for shifting chromaticity of light
KR101330249B1 (ko) * 2012-11-29 2013-11-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
DE102013103984A1 (de) * 2013-04-19 2014-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung zur Hinterleuchtung eines Displays oder eines Fernsehers, Display und Fernseher
CN104576625B (zh) * 2013-10-15 2018-04-20 四川新力光源股份有限公司 一种led光源性能补偿装置、器件及其应用
US9960322B2 (en) 2014-04-23 2018-05-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices incorporating notch filtering materials
US10359860B2 (en) * 2016-08-18 2019-07-23 Rohinni, LLC Backlighting color temperature control apparatus
US10260683B2 (en) 2017-05-10 2019-04-16 Cree, Inc. Solid-state lamp with LED filaments having different CCT's

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI9715293B1 (pt) * 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
JPH10163535A (ja) * 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
JP3065544B2 (ja) * 1996-12-06 2000-07-17 スタンレー電気株式会社 蛍光剤入りledランプ
JP3065263B2 (ja) * 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
JP3902691B2 (ja) 1997-05-05 2007-04-11 共同印刷株式会社 液晶表示用カラーフィルタおよびその製造方法
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JP4271747B2 (ja) * 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5962971A (en) * 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11145519A (ja) * 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JP3118226B2 (ja) 1998-01-23 2000-12-18 有限会社ルル 照明光源用フィルター
JP4187307B2 (ja) * 1998-06-12 2008-11-26 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード及びそれを用いたディスプレイ
JP4680334B2 (ja) 1999-01-13 2011-05-11 株式会社朝日ラバー 発光装置
JP2000223749A (ja) * 1999-01-29 2000-08-11 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプとその製造方法、チップ型発光ダイオード素子及びドットマトリクス型発光ダイオードユニット
JP4350232B2 (ja) * 1999-10-05 2009-10-21 株式会社朝日ラバー 蛍光被覆体製造支援方法、及びその製造支援システム
JP3511993B2 (ja) 1999-10-25 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4406490B2 (ja) * 2000-03-14 2010-01-27 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US7858403B2 (en) * 2001-10-31 2010-12-28 Cree, Inc. Methods and systems for fabricating broad spectrum light emitting devices

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101076744B (zh) * 2004-04-23 2010-05-12 光处方革新有限公司 用于发光二极管的光学歧管
CN101263721B (zh) * 2005-07-13 2010-07-14 日本电气株式会社 颜色修正方法和颜色修正设备
CN102239578A (zh) * 2008-12-02 2011-11-09 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
CN102239578B (zh) * 2008-12-02 2015-06-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
US9711688B2 (en) 2008-12-02 2017-07-18 Koninklijke Philips N.V. Controlling LED emission pattern using optically active materials
CN101826589A (zh) * 2009-03-02 2010-09-08 Lg伊诺特有限公司 发光器件
US8860052B2 (en) 2009-03-02 2014-10-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
CN101826589B (zh) * 2009-03-02 2016-02-03 Lg伊诺特有限公司 发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
KR100556555B1 (ko) 2006-03-06
US7063996B2 (en) 2006-06-20
TWI224400B (en) 2004-11-21
TW200300299A (en) 2003-05-16
US20030089919A1 (en) 2003-05-15
CN1311568C (zh) 2007-04-18
US20050117357A1 (en) 2005-06-02
US6888173B2 (en) 2005-05-03
EP1313152A3 (en) 2008-03-12
KR20030040084A (ko) 2003-05-22
JP2003152227A (ja) 2003-05-23
EP1313152A2 (en) 2003-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1311568C (zh) 发光二极管装置
CN1495924A (zh) 发光二极管器件
TWI422920B (zh) Led背光模組
CN1610137A (zh) 白光发光二极管
CN1880839A (zh) 磷光体薄膜,使用其的照明装置及显示装置
EP3346512B1 (en) Semiconductor light-emitting device, exhibit-irradiating illumination device, meat-irradiating illumination device, vegetable-irradiating illumination device, fresh fish-irradiating illumination device, general-purpose illumination device, and semiconductor light-emitting system
JP6769449B2 (ja) 照明装置
CN1503382A (zh) 发光二极管照明光源
CN1886841A (zh) 采用发光二极管芯片的发光器件
CN1871714A (zh) 半导体光发射装置及其制造方法
CN1598396A (zh) 车辆前照灯用光源装置和车辆前照灯
CN1874019A (zh) 发光器件及其制造方法
CN1873306A (zh) 照明装置、显示装置和荧光体薄膜
CN1832167A (zh) 发光器件和使用所述发光器件的照明装置
CN1712766A (zh) 照明装置及led式聚光灯
US7994530B2 (en) Light emitting diode module
JP2008112811A (ja) 発光装置の製造方法
CN1571901A (zh) 照明设备
CN1096790C (zh) 图象形成设备和光源装置
EP3312892B1 (en) Lighting device comprising a plurality of different light sources with similar off-state appearance
CN1682070A (zh) 光源装置和投影式显示装置
CN1949507A (zh) 可调整色温的发光二极管装置
CN1758114A (zh) 背光模块
JP2012204413A (ja) 白色発光装置及びこれを用いた照明器具
CN101061754A (zh) 发光二极管发光源

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070418

Termination date: 20181114

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee