CN1417615A - 光学扫描头及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光学扫描头及其制造方法。光学扫描头包括底基板、框架、H型平台、支撑件和平台驱动机构。在底基板上形成一个有预定图案的互连层。在底基板上形成一个矩形框架形式的框架。H型平台有一个在框架中相对于单轴中心轴往复运动、并定位于单轴中心轴的中心区和四个延伸区，四个延伸区从单轴中心轴穿过的中心区的两侧平行于单轴中心轴延伸出来。支撑件有定位于单轴中心轴上并与框架相连的支撑条和从支撑条延伸出并连接于平台中心区的扭杆。平台驱动机构包括活动电极梳和固定电极梳，它们分别位于平台的下面以及与平台相对的底基板上。在延伸区能形成多个电极梳。因此能显著提高驱动力，其结果是，用很小的电压可获得同样的驱动速度。同时，对于高速驱动，平台的重量明显降低。为此，将平台分成多个平台。而且，为增加驱动力，将多个电极梳另外在平台的左侧和右侧形成。

Description

光学扫描头及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种使用由微电机械系统(MEMS)形成的微镜面的光学扫描头及其制造方法，特别涉及一种在同轴方向上往复运动的光学扫描头及其制造方法。

背景技术

美国专利No.5025346公开了一种利用梳状电极产生静电效应的微驱动器。该微驱动器具有交替布置在活动构件和静止构件上的活动电极梳和固定电极梳。活动构件悬空在支撑结构上，并被预定的共振频率水平驱动。

在这种微驱动器中，活动电极梳平行于活动平台或活动结构的平面形成。在静止状态时，固定电极梳与活动电极梳相对，并与其一起交替布置，平行于活动平台的平面。由于电极梳在活动平台的周围形成，因此，这种微驱动器比活动平台或活动结构还大。这样，限制了微驱动器的应用。

发明内容

为解决上述问题，本发明的第一个目的是提供一种由电极梳的有效设计结构而获得的小型化和可高速驱动的光学扫描头及其制造方法。

本发明的第二个目的是提供一种能使用低驱动电压进行线性高速扫描的光学扫描头及其制造方法。

本发明的第三个目的是提供一种可稳定大量生产的光学扫描头及其制造方法。

因此，为达到以上目的，这里提供的光学扫描头包括基板结构、框架、H型平台、支撑件和平台驱动机构。在基板结构上形成一个有预定图案的互连层。在底基板上形成一个矩形框式结构的框架。H型平台具有一个中心区，它在框架中相对单轴中心轴往复运动，并定位于中心轴；H型平台还具有四个延伸区，其从单轴中心轴穿过的中心区的两侧、平行于单轴中心轴延伸出来。支撑件具有位于单轴中心轴上并与框架相连的支撑条和从支撑条延伸出并连接于平台中心区的扭杆。平台驱动机构包括活动电极梳和固定电极梳，它们分别位于平台的下面以及正对平台的底基板的上面。

框架结构最好包括底基板上的第二部分框架、第二部分框架上的第一部分框架、第一部分框架和第二部分框架之间的连接层，支撑件与第一部分框架和平台结合成一体。平台延伸区下的活动电极梳最好与底基板上的固定电极梳相交错，延伸区具有支撑活动电极梳的梳状结构。

根据本发明的最佳实施例，与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

为达到以上目的，这里提供另一种光学扫描头，它包括基板结构、矩形框架、多个平台、支撑件和平台驱动机构。在基板结构中形成一个有预定图案的互连层。在底基板上形成一个矩形框式框架。在框架中排列着多个平台。支撑件使平台从框架上悬空。平台驱动机构包括活动电极梳和固定电极梳，它们分别位于平台的下面以及正对平台的底基板的上面。

每个平台都是H型的，有一个位于中心轴的中心区和四个从单轴中心轴穿过的中心区的两侧、平行于中心轴的延伸出来的延伸区，每个支撑件有与框架相连的支撑条和从支撑条延伸出的连接于平台中心区的扭杆。

框架最好包括底基板上的第二部分框架、第二部分框架上的第一部分框架、以及第一部分框架和第二部分框架之间的一个连接层，支撑件与第一部分框架和平台结合成一体。平台延伸区下的活动电极梳最好与底基板上的固定电极梳相交错，延伸区具有支撑活动电极梳的梳状结构。

根据本发明的最佳实施例，与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

为达到以上目的，提供一种光学扫描头的制造方法。制造一个上部结构，使它具有一个矩形的第一部分框架、由支撑件支撑的并与扭杆直接相连的中心区、和从中心区延伸出并平行于扭杆的H型平台，其中支撑件包括位于第一部分框架中分隔区域内、并从第一框架延伸出的支撑条和从支撑条延伸出的扭杆。制造一个下部结构，使它具有与第一部分框架相对的第二部分框架和支撑第二部分框架并与平台相分离的基板。通过共晶连接，使第一部分框架连接到第二部分框架上，从而将上部结构和下部结构组合到一起。

在制造上部和下部结构的一个步骤中，最好在第一和第二部分框架之一上形成用来共晶连接的连接层。在制造上部结构的步骤中，最好在平台的下面形成垂直的活动电极梳。

根据本发明的最佳实施例，在制造下部结构的步骤中，最好在基板上形成与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳。

在制造上部结构时，在第一基板中最好形成一个大于平台的洞。然后，在第二基板上将对应于分隔区域的部分蚀刻至预定的宽度和深度。第一和第二基板阳极连接(anodic-bonded)。第二基板被打磨至预定的厚度。在第二基板下对应第一部分框架的部分上形成上部金属层。将第二基板的下表面蚀刻成预定的图案，以穿透对应于分隔区域的部分，并在平台下形成具有预定高度的活动电极梳。

在制造下部结构时，最好在支撑下部结构的第三基板上形成有预定图案的互连层。有预定宽度和深度的下部分隔区域在第二部分框架和第四基板下面的固定电极梳之间形成。第三和第四基板阳极连接。在第四基板上，将与第二部分框架对应的部分蚀刻至预定的深度。在第四基板的蚀刻部分形成下部金属层。制造一个掩膜，用来覆盖与第二部分框架和固定电极梳对应的部分，并暴露出第二部分框架和固定电极梳间的分隔区域。没有被掩膜覆盖的部分被蚀刻到预定的深度，以穿透下部分隔区域，并在下部分隔区域中形成有预定高度的固定电极梳。

在形成上部金属层时，在第一部分框架下最好形成金属晶种层。金属晶种层被共晶连接层覆盖。

附图说明

通过参考附图对最佳实施例进行详细描述，本发明的目的和优点将更加一目了然。

图1是根据本发明的光学扫描头第一实施例的示意性透视图；

图2是图1所示光学扫描头的平面图；

图3是图2沿X-X线的截面图；

图4是图2沿Y-Y线的截面图；

图5是根据本发明的光学扫描头第二实施例一个平台结构的平面示意图；

图6是根据本发明的光学扫描头第三实施例的示意性透视图；

图7是图6所示光学扫描头的平面示意图；

图8是根据本发明的光学扫描头第四实施例一个平台结构的平面示意图；

图9是图6-图8所示的光学扫描头中平台阵列光反射的解释图；

图10A-图10I是解释本发明的光学扫描头上部结构制造过程的截面图；

图11A-图11I是解释本发明的光学扫描头下部结构制造过程的截面图；

图12是在制造本发明的光学扫描头的方法中解释上部结构和下部结构连接方法的截面图。

具体实施方式

以下将参照附图说明根据本发明的光学扫描头及其制造方法的优选实施例。

根据本发明的光学扫描头的第一实施例将参照图1至3首先加以说明。图1是根据本发明的光学扫描头第一实施例的示意图。图3是图1沿X-X线的截面图，其显示了用于支撑形成镜面(未示出)的平台3的支撑件4和框架2的截面图。图2是图1所示光学扫描头的示意性平面图。

根据图1至图3，在硼硅酸玻璃基板1上形成了矩形框架2。H型平台3设置在框架2内的有预定宽度的分隔区域内。平台3被两个位于X-X轴的支撑件4悬空支撑于离基板1的预定的高度处。平台3有一个与跨越分隔区域的支撑件4直接相连的中心区31和4个延伸区32，这些延伸区32从中心区31延伸，以一预定的长度平行于支撑件4。镜面可以仅在中心区31上形成。另外，镜面也可在中心区31和延伸区32的整个表面上形成。

从框架2伸出的、包括静止支撑条42和从静止支撑条42延伸出的扭杆41的支撑件4与平台3的中心区31连接，且平台3的运动使之变形。扭杆41连接到平台3中心区31的相对边的中间部分。框架2、支撑件4和平台3形成一体。扭杆41支撑平台3的往复运动，并在平台3运动时提供合适的弹性恢复力，框架2和支撑件4给平台3提供电路。框架2包括第一部分框架21和第二部分框架22，它们分别位于由AuSn合金制成的共晶连接层32的上面和下面。第一部分框架21、平台3和支撑件4通过后面将描述的几个步骤由一种基材，如硅片制成。因此，在第一部分框架21和平台3以及跨过分隔区域有支撑条42和扭杆41的支撑件4之间存在矩形分隔区域。在中心区31以及从其延伸出的延伸区32的下面形成活动电极梳33。在正对中心区31和延伸区32的基板1上，第一固定电极梳13与活动电极梳33一起交替布置。

由图1所示，第二固定电极梳13’布置在第一固定电极梳13的旁边。在本发明中，第二固定电极梳13’是一种可选元件，它是一种根据电容变化来感知平台3运动的传感器。通常，类似第二固定电极梳13’那样的附加电极是被使用的，在此省略了对它们的描述。如图1所示，第一和第二固定电极梳13和13’被基体14和14’支撑。基体14和第一固定电极梳13形成一体，基体14’和第二固定电极梳13’形成一体。为了方便起见，在图3中第二固定电极梳13’和基体14’没有示出。

图4是图2沿Y-Y线的截面图，示出了在基板1和平台3之间的活动电极梳33和第一固定电极梳13的结构。如图4所示，对称于由支撑件4形成的旋转轴，设置了一个利用活动电极梳33和第一固定电极梳13驱动平台3的结构。

本发明光学扫描头的特点是它具有以下结构：平台3包括中心区31以及从中心区31延伸出的延伸区32，用来支撑平台3的支撑件4具有支撑条42和与平台3相对边的中间部分连接的扭杆41。

不论平台3和框架2之间的距离如何，具有上述结构的本发明的扫描头都可以控制其规格，例如支撑件4的长度和厚度。换句话说，光学扫描头可以提供一个有足够空间的平台，以及驱动该平台的电极梳结构和稳定支撑该平台的支撑件。

图5是延伸区32被改进了的光学扫描头第二个实施例的平面图。在第二个实施例中，从中心区31延伸的延伸区32’的结构是只保存足以支撑活动电极梳33的部分，即梳状结构，其它部分被去除。比较图2所示的第一实施例结构的平面图可以容易地理解这种结构特点。平台3的重量由此就比第一实施例减少，而平台3的驱动力还可保持。其结果是改进了驱动特性(对于同样的电压，增加了扫描角度)。然而，在这个实施例中，平台3的有效区域，即用来形成光学扫描头的镜面的部分不可避免地变少了。

图6是根据本发明第三实施例的光学扫描头的示意透视图，在此根据第一实施例的光学扫描头形成一个阵列。图7是根据本发明第三实施例的光学扫描头的示意性平面图。

在第三实施例的光学扫描头中，多个平台3a被彼此隔开，并共用一个围绕这些平台3a的框架2a。如前面描述的实施例，矩形框架2a在由硼硅酸玻璃制成的基板1上形成。多个平台3a呈H形排列于框架2a中。每个平台3a被两个支撑件4a悬空于离基板1a预定的高度处。每个平台3a有一个与支撑件4a直接相连的中心区31a和从中心区31延伸出、在预定的长度内平行于支撑件4a的延伸区32a。

每个支撑件4a具有从框架2a伸出的支撑条42a和从支撑条42a延伸出的扭杆41a，该扭杆41a连接至相应的平台3a的中心区31a。扭杆41a连接于平台3a中心区31a的相对边的中间部分。扭杆41a支撑平台3a的往复运动，并在平台3a运动时提供合适的弹性恢复力，框架2a和支撑件4a给相应的平台3a提供电路。框架2a包括第一部分框架21a和第二部分框架22a，象前面描述的实施例那样，它们分别位于由AuSn合金制成的共晶连接层23a的上面和下面。

活动电极梳和固定电极梳在每个平台3a之下和基板1a之上形成。每个电极梳结构，即平台驱动结构已在以前的实施例中加以说明，在此不再说明。

图8示出了根据图6和图7所示第三实施例的光学扫描头的一种改进，其中延伸区32a被改进。在第四实施例中，从中心区31a延伸的延伸区32a’的结构是只保存足以支撑活动电极梳33的部分，即梳状结构，其它部分被去除。在第二实施例中描述的延伸区适用于有此种结构的延伸区32a’。

如图9所示，根据第三和第四实施例的光学扫描头发射入射光至多个平台，并在使这些平台同时作用的结构中，在这些平台上反射该入射光。因此该光学扫描头比起在一个平台反射入射光的结构来，可减少其总的厚度。这样，多个平台中的每一个的重量明显减少，从而极大地提高了驱动速度。

下面将描述根据本发明有上述结构的光学扫描头制造方法的一最佳实施例的每个步骤。与上述本发明的光学扫描头的附图相比，以下描述制造过程所引用的附图只是为便于理解的示意图。

1.上部结构的制造方法

A)如图10A所示，第一基板100由具有可处理厚度(如300μm)的玻璃晶片组成。在第一基板100上有一个蚀刻掩膜101。该蚀刻掩膜101可由一能耐受基板100的蚀刻过程的膜形成。

B)如图10B所示，将没有覆盖蚀刻掩膜101的基板100的暴露部分蚀刻穿透，然后，去掉蚀刻掩膜101。

C)如图10C所示，一个绝缘体上外延硅晶片(SOI)由氧化层203、晶片201和202的叠层构成，氧化层203在形成活动电极梳的过程中用作防蚀刻体。SOI晶片被用做第二基板200。在第二基板上有由光阻材料形成的蚀刻掩膜102，它具有与平台和框架之间的分隔区域相对应的开口。

D)如图10D所示，将没有覆盖蚀刻掩膜102的基板200的暴露部分用干法或湿法蚀刻掉，然后，去掉蚀刻掩膜102。在此，只对氧化层203上面的部分进行蚀刻。

E)如图10E所示，使用阳极连接(anodic bonding)将第一基板100连接至第二基板200。将第二基板通过化学机械抛光(CMP)打磨至预定的厚度，如50-100μm。

F)如图10F所示，将一个金属晶种层204沉积在整个第二基板的背面。这个金属晶种层204通过沉积厚度大约为500埃的铬和其上厚度大约为1500-2000埃的金Au形成。

G)如图10G所示，在金属晶种层204上形成一个镀敷掩膜205。金属晶种层204的未覆盖镀敷掩膜205的暴露部分上的一个AuSn镀敷层形成共晶连接层206。镀敷掩膜205在金属晶种层204上要形成框架的部分以外的部分上形成。为此，镀敷掩膜205要经过一个形成图案的过程，包括要全部覆盖光阻剂和光刻材料。将由有预定厚度的AuSn镀敷层组成的共晶连接层206覆盖在金属晶种层204未被镀敷掩膜205盖住的暴露部分。

H)如图10H所示，将镀敷掩膜205用蚀刻剂去除，在共晶连接层206上形成蚀刻掩膜207，将金属晶种层204未被蚀刻掩膜207盖住的暴露部分去除。在此，蚀刻掩膜207覆盖金属晶种层204和共晶连接层206的整个表面，也就是晶片的整个表面，然后形成图案。蚀刻掩膜207的图案形成是通过普通的光刻法实现。将金属晶种层204未被蚀刻掩膜207盖住的暴露部分用化学蚀刻剂去除。

I)如图10I所示，将共晶连接层206上的蚀刻掩膜207去除，通过普通的光刻法将用于形成活动电极梳的有预定图形的蚀刻掩膜209形成在第二基板200的后表面上。

J)如图10J所示，将第二基板200未被蚀刻掩膜209覆盖的部分用等离子电感偶合活化离子蚀刻(Inductively Coupled Plasma Reactive IonEtching，ICPRIE)蚀刻到氧化层203，以形成活动电极梳33。

K)如图10K所示，将蚀刻掩膜209去除。第二基板200的氧化层203的暴露部分被缓冲氧化蚀刻剂(Buffered Oxide Etchant，BOE)去除，形成分隔区域208。由此，前面提到的平台3在分隔区域208内形成，包围平台3的第一部分框架21在分隔区域的外边形成。在此，前面所说的支撑件4，也就是扭杆41和支撑条42，被设置在平台3和第一部分框架21之间。这种最终结构是从上述的蚀刻过程中的掩膜的图案得到的。

L)如图10L所示，经过了以上过程的该装置(最终结构)被翻转过来，随后，在暴露于第一基板100内的平台3的上表面涂敷由金Au或类似物构成的反射层，以形成镜面5。

以上描述的过程主要针对一个装置的制造。然而，该装置通常在晶片单元的加工过程中制成，可在一个晶片上获得多个这种装置。在多个装置在一个晶片上形成的同时，可以进行另外的加工，并且须将这些装置从晶片上切割下来。由于活动电极梳33在切割过程中可能会损坏，切割前要在活动电极梳上形成一个保护层，以保护活动电极梳。切割完成后，这个保护层最终被去除。

2.下部结构的制造方法

A)如图11A所示，由硼硅酸玻璃制造的第三底基板300在本发明的光学扫描头中作为第一基板。将由光阻材料制造的蚀刻掩膜301形成于第三底基板300上。第三底基板300上未被蚀刻掩膜301覆盖的部分被蚀刻到预定的深度，形成沟302。沟302被形成在第3底基板300，即光学扫描头的基板1之上的互连层填满。沟302利用诸如活化离子蚀刻(reactive ionetching，RIE)干蚀而成。

B)如图11B所示，蚀刻掩膜301被去除，一个金属层303作为互连层被置于第三底基板300的整个上表面。金属层303被连接到本发明的光学扫描头的固定电极梳上。由于金属层303被用来连接金导线，所以金属层303最好由金构成。金属层303的厚度要大于沟302的深度，以便金属层303在阳极连接中与固定电极梳完全地电连接。

C)如图11C所示，金属层303除了沟302的部分之外的其它部分被去除，以形成一个互连层304。在此，可用干蚀刻和湿蚀刻，最好用带掩膜的湿蚀刻进行。

D)如图11D所示，第四基板400由硅晶片制成，在第四基板400之上形成一个蚀刻掩膜401，其图形与前面所描述的静态电极基础和第二部分框架之间的分隔区域相符。第四基板400被RIE蚀刻形成分隔沟402。在此分隔沟402将第四基板400上的固定电极梳彼此隔绝，并限定了电极和框架，以使它们分开。

E)如图11E所示，将蚀刻掩膜401从第四基板400去除。用阳极连接将第四基板400连接至第三基板300。根据所需光学扫描头的驱动要求，第四基板400，即硅晶片被化学机械抛光(CMP)磨至50-100μm的厚度。

F)如图11F所示，在被进行CMP处理之后的第四基板400上形成蚀刻掩膜403，该掩膜有与第二部分框架22相符、但比其窄的开口403’。第四基板400的暴露部分被蚀刻到预定的深度。这里，将公知的对准键插入，用来与上部结构相连接。由于蚀刻深度是活动电极梳和固定电极梳的交错地带的函数，为了设计交错地带，应对蚀刻深度合适地控制。

G)如图11G所示，第四基板400上的掩膜403被去除。一个金属层500在第四基板400的整个表面沉积。在此，金属层500最好是用与金属晶种层204一样的金属制造。在这个步骤之后，进行步骤H或I。

H)如图11H所示，只在与第二部分框架22对应的金属层500的一部分上形成蚀刻掩膜501。当金属层500未被蚀刻掩膜501覆盖的暴露部分被去除后，进行步骤J。

I)如图11I所示，与上层结构不同，下层结构可被共晶连接层覆盖，用来连接上部和下部结构。在此，由光阻材料构成的镀敷掩膜504形成在金属层500上，共晶连接层206被形成在金属层500上。镀敷掩膜504被去除，金属层500的暴露部分用步骤H去除。

J)如图11J所示，将一个用于填满框架的牺牲层505平滑地涂敷，以形成固定电极梳的图形，并进行抛光找平工艺。

K)如图11K所示，在第四基板400上与固定电极梳和框架对应的部分形成蚀刻掩膜506，然后形成图形。

L)如图11L所示，第四基板400未被蚀刻掩膜506覆盖的暴露部分被ICPRIE蚀刻到预定深度。电极梳与第二部分框架电绝缘。

以上过程之后，在第四基板400的整个结构上形成光阻保材料保护膜，并将该保护层切割分成单元下部结构。切割之后，牺牲层、保护层以及蚀刻掩膜被化学蚀刻剂去除，然后进行清洗和干燥。

3.上部和下部结构的组合

这个步骤是将从上述过程中获得的上部结构和下部结构结合起来完成光学扫描头。

图12显示了将上部和下部结构排列好，然后结合在一起。真空吸盘600用来辅助上部和下部结构的排列和结合。分开的上部和下部结构用倒装片连接器连接在一起。上部和下部结构被固定在两个真空吸盘600上(上部结构的两个框架被固定于一个真空吸盘，下部结构的中间固定在另一个真空吸盘上)，吸盘600设有显微镜观察，通过将两个真空吸盘600相互靠近使两个结构结合成在一起。在此，通过保持预定的压力和共晶温度，框架之间的金属共晶连接层熔化并粘接。由此使上部和下部结构结合成在一起。

根据以上描述，本发明的光学扫描头能容易地增加电极梳的数量。因此，能获得与只在矩形平台的下面有电极梳的光学扫描头几乎同样的驱动速度而要求的驱动电压明显地降低。同时，将镜面分成多个镜面，也使镜面的质量降低，这样能实现高速扫描。

进一步说，根据本发明制造光学扫描头的方法可用于连续制造所需的光学扫描头，并能稳定制造过程。因此可提高产量。

Claims (17)

1.一种光学扫描头，包括：

一个底基板，上面形成具有预定图案的互连层；

一个框架，它为矩形框状，形成于底基板之上；

一个H型平台，它有一个在框架中相对于单轴中心轴往复运动、并定位于单轴中心轴的中心区和四个延伸区，这四个延伸区从单轴中心轴穿过的中心区的两侧平行于单轴中心轴延伸；

支撑件，其具有定位于中心轴上并与框架相连的支撑条和从支撑条延伸出并连接于平台中心区的扭杆；

平台驱动机构，包括活动电极梳和固定电极梳，它们分别位于平台的下面和与平台正对的底基板的上面。

2.如权利要求1所述的光学扫描头，其中框架包括位于底基板上的第二部分框架、第二部分框架上的第一部分框架、第一部分框架和第二部分框架之间的连接层，支撑件与第一部分框架和平台结合成一体。

3.如权利要求1或2所述的光学扫描头，其中平台延伸区下的活动电极梳与底基板上的固定电极梳相交错，延伸区具有支撑活动电极梳的梳状构架。

4.如权利要求1或2所述的光学扫描头，其中与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

5.如权利要求3所述的光学扫描头，其中与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

6.一种光学扫描头，包括：

一个底基板，上面形成具有预定图案的互连层；

一个矩形框架，形成在底基板之上；

排列在框架内的多个平台；

使平台从框架悬空的支撑件；

平台驱动机构，包括活动电极梳和固定电极梳，它们分别在平台的下面和与平台相对的底基板的上面形成；

其中每一个平台都是H形，并有一个定位于中心轴的中心区和四个延伸区，这四个延伸区从中心轴穿过的中心区的两侧平行于中心轴延伸出来，每个支撑件都具有与框架相连的支撑条和从支撑条延伸出并连接于平台中心区的扭杆。

7.如权利要求6所述的光学扫描头，其中框架包括位于底基板上的第二部分框架、第二部分框架上的第一部分框架、第一部分框架和第二部分框架之间的连接层，支撑件与第一部分框架和平台结合成一体。

8.如权利要求6或7所述的光学扫描头，其中平台延伸区上的活动电极梳与底基板上的固定电极梳相交错，延伸区具有支撑活动电极梳的梳状构架。

9.如权利要求6或7所述的光学扫描头，其中与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

10.如权利要求8所述的光学扫描头，其中与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳包括彼此电绝缘的第一固定电极梳和第二固定电极梳。

11.一种制造光学扫描头的方法，包括：

制造一个上部结构，该结构包括矩形的第一部分框架、由支撑件支撑、并与扭杆直接相连的中心区、从中心区延伸出并平行于扭杆的H型平台，其中支撑件包括位于第一部分框架中分隔区域内并从第一框架延伸出的支撑条和从支撑条延伸出的扭杆；

制造一个下部结构，该结构包括与第一部分框架相对的第二部分框架和支撑第二部分框架并与平台相分离的基板；

通过共晶连接将第一部分框架连接到第二部分框架上，从而将上部结构和下部结构结合成一个整体。

12.如权利要求11所述的方法，其中，在形成上部和下部结构的一个步骤中，在第一和第二部分框架之一上形成用来共晶连接的连接层。

13.如权利要求11所述的方法，其中，在形成上部结构的步骤中，在平台的下面形成垂直的活动电极梳。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在形成下部结构的步骤中，在基板上形成与平台下面的活动电极梳相对的固定电极梳。

15.如权利要求11所述的方法，其中制造上部结构的步骤包括：

在第一基板上形成一个大于平台的洞；

在第二基板上将与分隔区域对应的部分蚀刻到预定宽度和深度；

阳极连接第一和第二基板；

将第二基板打磨至预定的厚度；

在第二基板的下在与第一部分框架对应的部分上形成上部金属层；

将第二基板的下表面蚀刻成预定的图案，以穿透与分隔区域对应的部分，并在平台下面形成有预定高度的活动电极梳。

16.如权利要求11的方法，其中制造下部结构的步骤包括：

在支撑下部结构的第三基板上形成有预定图案的互连层；

在第二部分框架和第四基板下面的固定电极梳之间形成有预定宽度和深度的下部分隔区域；

阳极连接第三和第四基板；

在第四基板上将与第二部分框架对应的部分蚀刻至预定的深度；

在第四基板的蚀刻部分中形成下部金属层；

形成一个掩膜覆盖与第二部分框架和固定电极梳对应的部分，并暴露出在第二部分框架和固定电极梳之间的分隔区域；

将没有被掩膜覆盖的部分蚀刻到预定的深度，以穿透下部分隔区域，并在下部分隔区域中形成有预定高度的固定电极梳。

17.如权利要求15所述的方法，其中，形成上部金属层的步骤包括：

在第一部分框架的下面形成金属晶种层；

用共晶连接层覆盖金属晶种层。

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