CN1414330A - 一种石墨坩埚具高温复合阻碳涂层 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种石墨坩埚和模具高温复合阻碳涂层,主要用于铀铌合金高温熔铸,也可用于其他特种合金的熔铸。本发明通过对石墨进行高温处理,用CVD方法在石墨表面制备SiC内层,用涂刷的方法在CVD SiC内层表面制备Y2O3外层,用液相浸渍的方法对Y2O3外层进行致密化,制备由CVD SiC内层和Y2O3外层组成的复合阻碳涂层。所制备的复合阻碳涂层具有可实现熔铸合金零增碳、可重复使用、制备工艺简单、成本低廉等优点。

Description

一种石墨坩埚具高温复合阻碳涂层
本发明涉及一种石墨坩埚和模具表面的复合阻碳涂层,适用于防止高温熔铸时合金的增碳和污染。主要用于铀铌合金高温熔铸,也可用于其他对碳含量和洁净度要求高的特种合金的熔铸。
铀铌合金是一种非常重要的核燃料,在能源工业领域具有广阔的应用前景。铀铌合金作为核燃料的性能主要取决于污染程度,而污染程度取决于坩埚具材料。铀铌合金的熔铸温度高达1600℃,因而通常采用感应加热快速升温,以减少合金的增碳和污染,同时减少合金挥发,保证合金成分。由于铀铌合金非常活泼,在高温下极易与坩埚具材料反应而污染合金熔体。熔铸坩埚具材料应满足如下性能要求:
(1)良好的热化学稳定性,防止铀铌合金与坩埚具反应;
(2)良好的抗热震性能;防止熔铸过程中坩埚具开裂;
(3)良好的导电性和导热性能,便于进行感应加热。
热力学计算表明,Y2O3与铀铌合金具有最好的热化学稳定性。但Y2O3由于热膨胀系数大,抗热震性能差,而且Y2O3不导电,导热性也差,因而用Y2O3做整体坩埚具不能满足使用要求。石墨是常用的熔铸坩埚具材料,不仅具有优异的抗热震性能,而且具有良好的导电和导热性能。但石墨在铀铌合金熔体中有较高的溶解度,因而用石墨坩埚具直接熔铸铀铌合金熔体将导致严重增碳,大幅度降低铀铌合金的性能。显然,结合石墨和Y2O3的优点是铀铌合金熔铸坩埚具材料的合理选择。因此,国内外均采用石墨做坩埚具,用Y2O3做阻碳涂层。
Y2O3做为阻碳涂层在铀铌合金的生产中一直沿用至今,但这种简单的阻碳涂层仍然容易导致合金熔体的增碳。引起增碳的碳源主要来自两方面:
(1)Y2O3与石墨之间高温界面反应生成的CO气体;
(2)高温下石墨挥发产生的气态碳。
引起增碳的扩散途径有两条:
(1)Y2O3与石墨之间热膨胀失配引起的涂层龟裂和剥落;
(2)Y2O3涂层基本没有烧结产生的高开口孔隙率。
研究表明,引起增碳的碳源主要是CO气体,其次是气态碳。Y2O3涂层产生龟裂和剥落使熔体直接与石墨接触,产生最严重的增碳,因而是不允许发生的。由于Y2O3涂层的孔隙是不可避免的,碳源主要通过Y2O3涂层的孔隙扩散进入合金熔体。控制合金熔体的增碳首先是控制碳源,其次是阻止碳源的扩散。
为了控制熔体增碳,阻碳涂层的发展方向是采用以Y2O3为外层的复合涂层。已经报道的复合阻碳涂层的内层有ZrO2和Nb两种。虽然ZrO2内层可以提高界面结合强度,但高温下ZrO2与石墨也存在生成CO气体的界面反应。由此可知,氧化物做复合涂层的内层都是不合适的。Nb与石墨能发生反应生产碳化物而具有很高的界面热稳定性,但Nb与石墨之间存在更大的热膨胀失配。如果Nb层太薄,则不能有效阻止气态C的扩散;而如果Nb层太厚,则在快速升温过程中容易发生龟裂和剥落。因此,无论使用ZrO2还是金属Nb为内层,都不能从根本上控制铀铌合金熔体的增碳。
本发明提出一种以Y2O3为外层,以SiC为内层的复合阻碳涂层。这种石墨坩埚具复合阻碳涂层的制备过程见附图1。复合阻碳涂层的制备包括如下四个核心环节:
(1)对石墨进行高温处理;
(2)CVD SiC内层的制备;
(3)Y2O3外层的制备;
(4)Y2O3外层的致密化。
本发明对石墨进行高温处理有两方面的作用:一是减少石墨挥发性气体,抑制增碳源;二是在石墨表面产生微孔,提高SiC内层与石墨的界面结合强度。如果石墨原料石墨化温度较低或含有有机物等杂质,高温处理对控制合金增碳是至关重要的。石墨表面的微孔能使SiC层与石墨之间呈咬合状,提高界面结合强度(附图2)。
本发明用化学气相沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)制备SiC内层。CVD SiC涂层不仅制备温度低(1000℃),在熔铸过程中不会产生微裂纹,而且均匀致密,对气态碳有良好的阻挡作用,适合做复合阻碳涂层的内层(附图3)。CVD SiC做复合涂层的内层有如下优点:
(1)由于在CVD过程中,SiC能向石墨表面的孔隙中渗透,形成C-SiC梯度过渡层,SiC
   内层与石墨之间具有很高的界面结合强度,在强急冷急热情况下也不会发生剥落,
   因而具有优异的抗热震性能;
(2)热力学计算表明,Y2O3外层与CVD SiC内层之间比Y2O3与石墨之间具有更低的界
   面CO气相压力,CVD SiC内层有效地降低了界面反应导致的碳源量,因而具有较
   好的界面热化学相容性;
(3)石墨的膨胀系数为1.0×10-6/cm左右,Y2O3的膨胀系数为9.0×10-6/cm左右,而CVD
  SiC的热膨胀系数为4.0×10-6/cm左右,介于石墨与Y2O3之间,可以缓解Y2O3与石
  墨的热膨胀失配,因而具有良好的热物理相容性。
Y2O3外层的质量主要受涂料的固液比(Y2O3粉体与水溶液的重量比)、流动性和悬浮性三种特性的控制。固液比越高,Y2O3外层干燥后越致密,收缩越小;流动越好,Y2O3外层越均匀,与CVD SiC内层的结合强度越高;悬浮性越好,Y2O3涂料的性能越稳定,使用越方便。固液比和流动性与涂料的含气量有关;而流动性和悬浮性与涂料的添加剂有关。热膨胀失配导致石墨的CVD SiC内层室温下存在裂纹,涂挂过程中Y2O3涂料能进入裂纹中。由于升温过程中裂纹的愈合,Y2O3外层与CVD SiC内层具有很高的界面结合强度(附图4)。
Y2O3很难烧结,因而Y2O3外层非常疏松,而且强度很低。这不仅影响Y2O3外层与CVDSiC内层的结合强度,使Y2O3外层在使用过程中容易损坏,而且不能有效阻止碳源的扩散。用液相浸渍ZrO2的方法对Y2O3外层进行致密化,能有效提高Y2O3外层的密度、烧结强度及其与CVD SiC内层的结合强度。由于液相浸渍生成的活性纳米ZrO2颗粒分布于Y2O3大颗粒之间及CVD SiC内层表面,能促进Y2O3外层的烧结致密化及其与CVD SiC内层的反应结合(附图5)。
综上所述,本发明提出的复合阻碳涂层具有以下优点:
(1)具有高温处理减少气态碳源,CVD SiC内层阻挡气态碳及减少CO碳源,致密化Y2O3
   外层阻挡碳源的扩散三种阻碳功能,可以实现铀铌合金熔铸的零增碳;
(2)具有优良的抗热震性能和合理的外层烧结强度,熔铸过程中不易损坏,可以实现多
   次重复使用;
(3)制备工艺简单,成本低廉。
附图1给出了内层为CVD SiC、外层为Y2O3的复合阻碳涂层的制备工艺流程。
附图2给出了石墨经过高温处理后表面的变化,图中1-石墨、2-微孔。
附图3给出了石墨表面制备CVD SiC内层后的界面结合情况,图中3-C-SiC梯度过渡层、4-CVD SiC内层、5-裂纹。
附图4给出了在CVD SiC内层表面制备Y2O3外层后的界面结合情况,图中6-Y2O3外层。
附图5给出了对Y2O3外层进行致密化的情况,7-Y2O3颗粒、图中8-ZrO2颗粒。
下面,结合附图对本发明的实施作进一步的描述。
实施例:
选用高纯石墨,加工成坩埚具后在真空炉中进行进行高温处理。处理工艺条件为:最高温度2200℃,保温时间2小时,真空度0.1Pa。高温处理后进行超声清洗15分钟,去除石墨表面的挥发物。将石墨坩埚具置于化学气相沉积炉中制备CVD SiC内层,沉积所用的先驱体为-甲基三氯硅烷(CH3SiCl3,简称MTS)。沉积条件为:沉积温度1000℃,时间20~40小时,气氛压力为3kPa,H2气流量200~350ml·min-1,H2气流量400ml·min-1,H2与MTS的摩尔质量比大于10。配制浓度为1%的羧甲基纤维素钠(RnOCH2COONa,简称为CMC)水溶液,与粒度为320目的Y2O3粉料混合后,球磨除气30~40小时。Y2O3粉料与水溶液的固液比为4/3~4/2。将经过球磨的涂料涂刷在CVD SiC内层表面制备Y2O3外层,外层厚度控制在0.2~0.5mm。涂刷完成后放置5~10小时使外层流平,然后烘干,烘干条件为:温度65~75℃,时间8~12小时。Y2O3外层制备结束后,进行高温焙烧,焙烧条件为:温度1600℃,保温时间1小时。将草酸(H2C2O4)配制成浓度为0.25%mol的水溶液,氯氧化锆(ZrOCl2)配制成浓度为0.5%mol的水溶液。将草酸水溶液和氯氧化锆水溶液混合,制成草酸锆(ZrC2O4)水溶液。在12小时以内,用草酸锆水溶液对Y2O3外层进行浸渍致密化。浸渍条件为:浸渍时间5~10分钟,浸渍次数3~5。每次浸渍完成后均需进行烘干,烘干条件为:温度50~65℃,时间8~12小时。致密化完成后进行高温烧结,烧结条件为:温度1300~1500℃,保温时间1小时。

Claims (5)

1、石墨坩埚具高温复合阻碳涂层,其特征在于:对石墨进行高温处理,用CVD方法在石墨表面制备SiC内层,用涂刷的方法在CVD SiC内层表面制备Y2O3外层,用液相浸渍的方法对Y2O3外层进行致密化,制备由CVD SiC内层和Y2O3外层组成的复合阻碳涂层,实现石墨坩埚具的重复使用和铀铌合金熔铸过程的零增碳。
2、如权利要求1所述的方法,其特征在于:对石墨进行高温处理,减少挥发性碳源,同时在石墨表面形成微孔,使石墨与CVD SiC内层实现梯度结合,提高界面结合强度。
3、如权利要求1所述的方法,其特征在于:在石墨表面制备CVD SiC内层,减少石墨与Y2O3外层界面的反应性碳源,同时缓解石墨与Y2O3外层的热膨胀失配,提高抗热震性。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于:选择Y2O3涂料固液比和羧甲基纤维素钠浓度及球磨除气方法,制备均匀、光滑且厚度合适的Y2O3外层。
5、如权利要求1所述的方法,其特征在于:用草酸锆水溶液对Y2O3外层进行致密化,利用草酸锆分解的活性纳米ZrO2促进Y2O3外层及其与CVD SiC内层的烧结。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101839643A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 通用电气公司 用于熔炼钛合金的增强型耐火坩埚
CN102139877A (zh) * 2011-01-26 2011-08-03 山东盛华光伏材料有限公司 一种采用含铁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法
CN102320723A (zh) * 2011-08-24 2012-01-18 陕西科技大学 一种石英坩埚的制备方法
CN101210290B (zh) * 2006-12-27 2012-10-10 通用电气公司 用于高活性合金的物品
CN102918605A (zh) * 2010-04-21 2013-02-06 恩特格林斯公司 经涂覆之石墨物件及石墨物件之反应性离子蚀刻制造及整修
CN103056318A (zh) * 2008-03-05 2013-04-24 南线公司 作为熔融金属中的防护屏蔽层的铌
CN101230424B (zh) * 2006-12-27 2013-09-18 通用电气公司 熔化高活性合金时降低碳污染的方法
CN103827048A (zh) * 2011-08-05 2014-05-28 科卢斯博知识产权有限公司 坩埚材料
CN104528732A (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 大连理工大学 一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法
CN113789512A (zh) * 2021-09-10 2021-12-14 厦门中材航特科技有限公司 一种复合涂层材料的制备方法
CN114394855A (zh) * 2021-12-31 2022-04-26 中核四0四有限公司 用于反重力铸造超高温熔体感应加热的复合涂层制备方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101230424B (zh) * 2006-12-27 2013-09-18 通用电气公司 熔化高活性合金时降低碳污染的方法
CN101210290B (zh) * 2006-12-27 2012-10-10 通用电气公司 用于高活性合金的物品
CN103056318A (zh) * 2008-03-05 2013-04-24 南线公司 作为熔融金属中的防护屏蔽层的铌
CN101839643A (zh) * 2009-03-20 2010-09-22 通用电气公司 用于熔炼钛合金的增强型耐火坩埚
TWI501285B (zh) * 2010-04-21 2015-09-21 Entegris Inc 經塗覆之石墨物件及用於製造與整修彼之方法
CN102918605A (zh) * 2010-04-21 2013-02-06 恩特格林斯公司 经涂覆之石墨物件及石墨物件之反应性离子蚀刻制造及整修
CN102918605B (zh) * 2010-04-21 2015-06-17 恩特格林斯公司 经涂覆之石墨物件及石墨物件之反应性离子蚀刻制造及整修
CN102139877A (zh) * 2011-01-26 2011-08-03 山东盛华光伏材料有限公司 一种采用含铁化合物去除工业硅中硼磷杂质的方法
CN103827048A (zh) * 2011-08-05 2014-05-28 科卢斯博知识产权有限公司 坩埚材料
CN103827048B (zh) * 2011-08-05 2017-05-10 科卢斯博知识产权有限公司 坩埚材料
CN102320723A (zh) * 2011-08-24 2012-01-18 陕西科技大学 一种石英坩埚的制备方法
CN104528732A (zh) * 2014-12-25 2015-04-22 大连理工大学 一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法
CN104528732B (zh) * 2014-12-25 2017-04-12 大连理工大学 一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法
CN113789512A (zh) * 2021-09-10 2021-12-14 厦门中材航特科技有限公司 一种复合涂层材料的制备方法
CN114394855A (zh) * 2021-12-31 2022-04-26 中核四0四有限公司 用于反重力铸造超高温熔体感应加热的复合涂层制备方法

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