CN1373817A - 在介电基板上形成导电图案的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种在介电基板上形成导电图案的方法,包括:a)在覆有金属膜的基板上涂覆一层保护层,涂覆的方法是让所述金属膜在含有至少一种含氮化合物的溶液中进行处理;b)在非对应将形成的导电图案的区域上,以紫外线剥除其上至少一部分的保护层,以此方式而使所述金属膜外露;以及c)所述外露的金属膜则接着以蚀刻法去除。通过这种方法可在介电基板上以可再生的方式,生产及其微细的导电图案。

Description

在介电基板上形成导电图案的方法

本发明是关于一种在介电基板上形成导电图案的方法，该基板覆有金属膜，优选为铜膜。

过去已经提出许多在电路载体上制造导电图案的不同方法。在嵌板电镀法(Panel-Plating-Verfahren)中，首先，按导体结构所需的厚度制造一铜层，该铜层覆盖钻孔印刷电路板材料的所有部分；然后，在与欲生成的导体结构相同的印刷电路板外侧区域覆盖一层保护层，使得这些层面在随后的蚀刻过程中可被保留下来。在图案电镀法(Pattern-Plating-Verfahren)中，首先，只在印刷电路板材料上形成一层薄铜层；然后，在其上涂上如光防护层，并通过在那些与欲形成的导体结构相同的位置上进行光建构(Photostructuring)作用，使所述铜层再次外露。在上述铜层外露的区域上涂上一层金属膜，接着移除光防护层并将外露的铜层蚀刻掉。如果是使用金属保护法(Metallresist-verfahren)，则需涂上如锡/铅层的金属保护层作为抗电镀层。

这些方法却具有相当的缺点，特别是在其生产条件下，不太可能以再生方式制造出结构宽度小于100μm的导体结构。而为了达到这个目标确实已经做了足够的尝试。这种种类的电路已经利用某些昂贵的方法和初始材质而被成功地制造出来，但是当大量生产时却不会考虑这种方法，因为它们太过昂贵又浪费，和/或需要相当昂贵的初始产物，然而这些方法并不适合用来制造线路的结构宽度小于50μm的电路。

已提出由咪唑或苯并咪唑的衍生物制得的薄层作为替代的抗蚀刻膜。例如，EP 0 178 864 A2中说明了制造印刷电路板的方法，所述板是利用铜予以通孔电镀，此法包括：首先在铜涂层上，以碱溶性保护剂形成所需的电路图案，再让所述板与烷基咪唑的水溶液于外露位置接触，接着使其干燥，随后即以碱性蚀刻溶液将外露的铜蚀刻除去，由此而形成抗蚀刻膜。

EP 0 364 132 A1中则提出一种适于形成保护层并可避免失去光泽的溶液，其亦可用作抗蚀刻剂。这种溶液含有具有C_5-21烷链的咪唑化合物，并另外含有铜或锌离子。

EP 0 619 333 A2中描述了制造导体结构的方法，其中使用含氮化合物来形成一层抗蚀刻膜。可以使用下列的化合物等作为含氮的化合物：被至少含三个碳原子的烷链所取代的咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、吡咯、吡唑、恶唑、异恶唑、噻唑、苯并噻唑、吲哚、腺嘌呤、嘌呤、喹啉、吡嗪、喹唑啉、鸟嘌呤、黄嘌呤、次黄嘌呤、吲唑、肌酸酐、吩嗪、铜铁灵。为了制造导体结构，首先在碱液中以一种可移除的常规保护剂形成负像，接着在所述板的外露区域上，以含有含氮化合物的抗蚀刻薄膜进行覆盖，之后再除去所述的负保护层，如此可在蚀刻过程之后形成导体结构。

DE 43 39 019 A1中则叙述了另一种方法，其中使用一种由咪唑和/或苯并咪唑制成的保护层，在这个例子中，所述保护层会只生成于穿孔壁上，且是在当另一层也已经在印刷电路板的外侧形成至高达所述穿孔板的边缘之后形成，这种层状物可以预防所述保护层在此处形成。如果在这个不同的层面上使用光敏漆，则可利用光构建法来制造导体结构。

DE 37 32 249 A1中描述了一种制造三维印刷电路板的方法，所述法是在绝缘基板之上使用具有影像转移的消减/半加成技术，其中覆有铜层的基板的所有部分会先以锡-金属保护层涂覆，这种保护层可以利用无电方式和/或电沉积法而沉积，且所述金属保护层可利用激光在没有任何掩模的情况下予以选择性照射，如此则可以负型方式制造出导电图案。铜外露的区域可接着以蚀刻法来移除。

DE 41 31 065 A1涉及一种制造印刷电路板的方法，其中是将金属层以及抗蚀刻膜依次涂到电绝缘基板之上，并在与随后的线路图案直接比邻的区域上，以电磁射线除去所述抗蚀刻膜，而金属层的外露区域则被往下蚀刻直到基板表面，其方式则在使线路图案与金属层的散布区能通过蚀刻洞成为电绝缘区，并残留在基板之上。抗蚀刻膜最好是利用无电的金属沉积法形成。在此也采用其他的替代方案，例如可使用有机材质如电沉积涂料。最好使用激光来产生电磁射线，特别是Nd-YAG激光，蚀刻洞的宽度为150μm。在优选为铜层的金属膜的蚀刻期间，在蚀刻洞的边缘总可检测到35μm的下蚀刻(Unteraetzung)区。

EP 0 757 885 B1公开了一种在电绝缘基板之上形成金属性导电图案的方法，所述图案具有可焊接和/或可接合的连结区域。该方法中首先将金属喷镀层涂到基板上，然后在电浸浴中将一种有机、电镀以及抗蚀刻的保护层沉积在所述金属喷镀层上；而后在后来的连结区域中，利用激光再次把所述保护层移除，并将一种抗蚀刻、可焊接和/或可接合的末端表面，以电沉积法沉积在金属喷镀层的外露区域之上；至少在与后来的导电图案直接相连区域上的保护层须通过激光移除，最后则是再次将金属喷镀层的外露区域蚀刻至基板的表面。此例中也提到利用Nd-YAG激光作为射线源，所形成的蚀刻洞的宽度为150μm。

这些已知的方法不是过于奢侈而昂贵，就是无法证实其能以再生方式生产相当微细的结构，所述结构的宽度应为50μm或更小，尤其为20μm或更小。唯一已知的可能性是从具有至少5μm厚的铜层的材质着手进行。但是如果从操作技术的层面观之，制造这种材质是相当奢侈而昂贵的。当使用具有厚铜层的标准材质时，可看出由于导体结构有不可忽略的下蚀刻现象，因此通常不具有垂直横切面，使得它们在基板上的承压面积会非常小，也因此无法达到线路所需的附着力。

因此，本发明的任务是避免已知方法中的缺点，特别是要找出一种方法，通过所述方则即使在大量制造时亦可进行简单的建构，这种建构使其可能以再生方式制造相当微细的结构，如结构宽度为50μm及更小，尤其是20μm及更小。就导电图案的成品而言，也不应具有已知方法中存在的问题。线路的形状也应使其具有再生性，并尽量让横切面为垂直。也可以采用如此方式，确保线路和金属膜之间能在凹陷处也有确实的接触，来制造“无界设计(landless design)”中所谓的高度集成电路。在“无界设计”中，凹陷处的周遭并没有铜环生成，而这种凹陷处则可供做大部分线路面上的电连结。另外，线路会合并但不扩大到凹陷壁的金属喷镀层上。

这个问题可以利用如权利要求1中的方法来解决。本发明的优选具体实施例是在附属的权利要求中提及。

本发明的方法可用来在介电基板之上形成导电图案。

本方法是用以制造微电子的高度集成电路载体。所述方法自然也可以用来制造其他的产品，例如用来制造微反应器、储存媒体、太阳能收集器以及用来在塑胶材质上形成装饰效果的金属图样。

为了实施本发明的方法，使用一种覆有优选为铜层的金属膜的基板，且可按本发明的建构方法，以蚀刻去除此金属膜，如此即可制造所需的导电图案。为了建构所述金属膜，

a)基板以一层保护层涂覆之，而所述层是通过让金属在含有至少一种含氮化物的溶液中处理而形成的；且

b)接着，在与欲形成导电图案不同的区域中，利用紫外线剥除其上至少一部分的保护层，以这种方式令金属膜外露；

c)利用蚀刻法除去外露的金属膜。

其中，最好以激光作为能量射线，因为这种射线具有制造相当细微的结构时所需的特性，又因为激光可达到足够高的能量密度，以便将保护层剥除。

为了选择性除去金属层的欲外露区域上的保护层，最好使用一种可特别以脉冲输送的激发激光，这种激光源特别适合用来剥除以有机材质组成的薄保护层，且不会留下任何残留物。原则上其他型式的激光也可以利用，只是使用这些型式的激光就无法保证不会有任何的保护层残留。

利用本发明的方法可形成的导电图案，其线路的结构宽度为50μm且更小，尤其为20μm且更小。例如实际上为垂直截面的线路，其可生成15μm的基底宽度。线路截面的型式基本上为梯形，也发现了与介电体相连的线路的基底面积会比其表面来的宽。这种方式可使线路与介电体间的接触面积变大，也因此可在基板上达到最适宜的附着力量。线路边缘的斜度称之为下蚀刻，它的区域相对于大约20μm宽及20μm高的线路为2.5μm。这表示线路每个边缘上的基底面积，会被线路表面下的距离投射。例如如果制造出基底面积宽度为15μm的线路，则线路表面的宽度大约为11μm。

线路的宽度也可被设定成可再生的方式，例如，可获得的线路的结构宽度可大致维持恒定，且的为20μm或甚至更小(如10μm)，而宽度的变动范围则大约在±1μm的范围内。以此方式可确定整个电路的电完整性；例如表示其可确保电路电阻的可再生性。

当使用本发明的方法时，则特别不会发生在DE 37 32 249 A1的方法中所观察到的问题，也没有发现外露铜层在随后的蚀刻中的缺陷。欲进行处理的电路的所有表面区域可毫无问题地予以蚀刻，而区域内的保护层则利用激光处理去除，且没有残余物残留。另一方面，当使用DE 37 32 249 A1提出的方法时，可注意到即使在经过激光剥除之后，仍然可在铜的表面区域上发现可观量的锡，而事实上该区域之前是没有锡存在的，这使得蚀刻的结果不尽人意。基本上，这个方法只适合于生产最小宽度大约为120μm的线路。如果想要利用这种方法来生产线路结构宽度小于50μm的电路载体，则所得的结果将不再会具有再生性。线路的形状和宽度会在非常大的范围内变动。线路之间的空隙，部分会相互连接或是观察到其在线路内破碎。而在以蚀刻法将铜层移除后，也会在导电图案的蚀刻部位观察到部分类凹陷的腐蚀现象出现。

另外，以这种方法制造的导电图案，其在随后的操作过程中会常常出现问题，例如在涂用止焊掩模(Loetstopmask)时，以及在令镍/金层组合物沉积作为末端层的方法中时。在第一个例子中，所述掩模无法与导体结构充分附着，而在第二个例子中，这种又不含锡的铜结构，其为了形成镍/金层却无法被完全蚀刻，此外，在蚀刻之后，将锡层再次由微细孔洞中移除的可能性并不大。尤其是处理基板上暗孔的过程，其中有相当多的问题发生在将锡层自洞中移除之时。而且，为了除去锡层，必须使用非常昂贵的蚀刻溶液，但是这些溶液却尚未有明确的废水处理技术。

当使用DE 41 31 065 A1和EP 0 757 885 B1提出的方法时，其在生产具有宽度小于约75μm的线路的电路载体方面，结果并不令人满意。在这个例子中，线路的边缘也还没有明确的界定，使得后续在制造宽度为50μm或更小的线路时，结果都是完全失败。此外在这个例子中也发现了当以激光剥除有机保护层时，残余物会停留在金属表面，使得随后的蚀刻过程发生问题。

另外，使用本发明的方法，则可能会毫无任何问题地在所谓的“无界设计”中制造电路载体。藉着让线路的横切面以可再生的方式生成，使得此技术在实施之时并不会发生问题。而且当铜层蚀刻后，导电图案上也没有发现出现类凹陷腐蚀区。

其次，铜层蚀刻之后接着除去保护层，此时也没有问题产生。除此之外，与已知方法相反，保护层可以从非常狭窄的凹陷处移除，甚至可以通过稀无机酸而从暗洞中移除。

另外如果使用本发明的方法，则蚀刻后的电路载体在进一步处理时就不会产生问题。与已知的方法相反，在这个例子中涂用止焊掩模时，其在随后的镍/金层沉积过程中所引起的困难会少之又少。当使用本发明的方法时，止焊掩模在线路上的附着力便够强；另一方面，当使用已知方法时，则线路表面会无法在涂上末端层之前完成令人满意的蚀刻。

如果使用本发明的方法，在移除保护层时所伴随的液体废水处理上，不会产生任何问题。

与传统上使用光-或网版印刷抗蚀剂的建构技术相比，则本发明的剥除法大体上历时较短，且需要较少的程序步骤，特别是不需要保护层的显影步骤。

为了制造保护层，让铜层与优选以水为溶剂的酸性溶液接触，所述溶液除了不能仅只为水外，也可以利用其他溶剂与水混合，或是溶剂间相互混合。溶液中含有至少一种含氮化含物，例如优选为六环的环状和/或芳香族化合物，尤其是以烷基侧链，或是环状化合物的低聚物或聚合物取代，以及其他成分。

含氮化合物最好使用以烷基、芳基和/或芳烷基取代的环状化合物，例如选自以下物质种类的化合物：咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、吡咯、吡唑、恶唑、异恶唑、噻唑、苯并噻唑、吲哚、腺嘌呤、漂呤、喹啉、吡嗪、喹唑啉、鸟嘌玲、黄嘌呤、次黄嘌呤、吲唑、肌酸酐、吩嗪、铜铁灵、四唑、噻二唑、噻三唑、异噻唑及其衍生物，其中所述烷基中具有至少3个碳原子。

也可以使用含低聚物或聚合物链的替代性化合物作为含氮化合物，其可与之前提及的化合物连接起来。例如，聚乙烯基咪唑即可形成一种具有相当抗蚀刻性的蚀刻层。

这些物质在溶液中可用的浓度范围为，例如由0.001g/l到400g/l，优选由1g/l到50g/l。

另外，含有含氮化合物的溶液中具有至少一种酸，如磷酸、硫酸、氢氯酸、亚磷酸、甲酸、乙酸、乙醇酸、草酸、丁二酸、顺丁烯二酸、酒石酸、已二酸或乳酸。

溶液的pH值应该比7小，且优选在2至5的范围内。

溶液中也可以含有其他成分，例如可加入碱性物质来稳定pH值(即缓冲)，加入铜和/或其他重金属的盐类则可使层面坚固。可使用的碱性物质最好是脂肪胺类，例如乙烯基二胺、单烷基胺、二烷基胺类、乙醇胺，诸如单、二与三乙醇胺。

在形成保护层时，将溶液加热到优选为30℃到95℃的温度，再让基板与所述溶液接触大约2到10分钟。

在不同的方法里，当基板与溶液接触的同时，也会与一个外电流和一种也和溶液接触的反向电极电连接，或是直接连接到一种也和处理溶液接触的第二电极。在此，保护层是在当铜层与具有含氮化合物的溶液接触之时，由电化学反应生成，该过程中至少会在铜层与电极之间供以间歇性电压；或是由于铜层与电极之间的标准电位差，使得铜层极化成阳极，而电极则极化为阴极。通过这种方式，可使铜层与电极之间有电流流通。

第二电极或反向电极与基板之间的电压，最好设定在0.5伏特到1.5伏特的范围。产生的电流则最好在0.1A/dm²到1A/dm²的范围。

如果没有使用外部电流，且基板是直接与第二电极连接时，则利用比铜更贵重的金属作为电极材料，例如使用精炼钢或金。

当保护层形成之后，令基板干燥来固化保护层。为达到此目的，将基板置于如循环空气干燥箱中，或是置于本方法的红外线加热装置中进行干燥。亦可联合使用连续干燥箱及红外线加热装置，或是热空气法。

其后，用紫外线使基板外露，优选以激光进行。保护层可以利用照射其上的激光束而移除，以这种方式，可以除去与欲形成的导电图案不同的区域上的保护层。激光的作用是打散保护层上的有机物质，并将其转化成气相。最好以脉冲性激发激光作为适合的激光，可以通过它来打破有机分子间的键合(光解作用)。所产生的气态产物可以利用基板周围的适当泵系统抽走，其目的是预防生成新层。

为了将导电图案复制到覆有金属膜的基板上，尤其可使用一种能透过紫外线的掩模(mask)。

影像排列式的掩模会格外适合，其中在间隔基板一段距离处，将所述掩模引进激光的平行光路中(非接触法)，再接着将掩模的图案直接传送到基板上。最好使用一种薄铬层来制造掩模，所述层是在石英基板之上以线路图案建构。这种掩模在制造时可具有大约0.2μm的分辨率。其次，可以在掩模和基板之间的光路中，导入一种影像透镜系统，通过此系统，保护层上的掩模影像可以放大或缩小的方式复制，而基板则不在影像透镜系统的焦点上。由于激光束没有足够大的光束截面，所以如果掩模没有以激光束完全照射时，那么，不是掩模可垂直移动到激光束，就是激光束可在掩模之上移动，使得激光束将逐一覆盖掩模上的所有区域。以这种方式，可以扫描掩模的图案。假如掩模移动了，基板也会跟着以同方位的移动方式移动。

在一种替代的排列方式中，掩模的位置也可以直接和保护层表面接触，藉此可以很明显的发现，照射不足的效应会比使用非接触法时更容易予以预防。然而这种排列有其缺点，即无法使用可将掩模影像放大或缩小的影像透镜系统。而且当掩模相对于基板做适当的同方位移动时，其图样亦无法在保护层表面做数次复制。在使用非接触法时，可通过配合其他适当的光阑系统来挡住于边缘处散失的射线，因而大大减少了照射不足的问题。

原则上，导体结构也可以利用一种聚焦激光束，在没有掩模的情况下(激光直接成像)将之“写”到保护层的表面上。通过使用一种相当强烈聚集的激光束，也可能可以减少主光束周围散失的射线，使其在保护层表面上移动时，可在保护层上形成相当微细的结构(50μm)。

接着在蚀刻过程中除去铜的外露区域，其优选以碱性的铜蚀刻溶液(氨的氯化铜(II)蚀刻溶液)来达到此目的，由此而形成导电图案。

其没将保护层自形成的铜结构上移除，此过程则靠酸性溶液达到。可使用无机酸水溶液等，例如稀盐酸或硫酸溶液。

所得的铜的图案为具有陡峭的边缘、陡峭且直立的非常微细的铜结构。

所述铜层可以不同的方法技术加以处理。例如，可将铜层提供的基板降下到装盛于储存槽的浴中，让它浸泡在处理溶液中。基板与处理溶液接触的优选方式包括使用一种水平连续法来形成保护层并除去外露的铜层。本方法是引导基板以水平的运输方向通过这个系统，此处所述基板可保持在垂直或水平的方向，并再次以水平或相对于运输平面的垂直方向引导所述基板，利用适当的喷管将溶液带至基板表面上，例如喷射、喷洒或喷雾喷管。使用这些喷管，即使最微细的凹陷处也能确保其达到有效的浸满。

为了制造高度集成电路载体，可使用含有介电体的碱性材质，所述介电体是装备在铜层的单或双侧。这种碱性材质可先以传统的方式制造，利用未熟化且饱和树脂的玻璃纤维布让铜箔成薄层状，或是经由倒灌法，或是将树脂在适当的载体基板上打薄并熟化所述树脂。载体基板最好以传统的方式将之生成为具有粗电路结构的多层电路载体，例如，在接地、供应电流或遮蔽物时，其是以适当的方式，经由穿孔电镀凹穴而互相连接和/或连接到另外配置的介电层上的讯号配线平板。根据配线密度的需求，所述介电层可以配置在载体基板的单或双侧。

导电图案各自在新层面上形成，则多层涂层的可能性也显而易见。以这种方式，则讯号配线的密度便可以用任何方式做实质性的增加。其在此处可显见当其他介电层建构之前，即必须完成各自的导电图案。

各层内的铜层可经由介电体的金属化而制造。已知经由金属化法，可使铜层与介电体之间达到充分的附着键合。例如树脂即可在适当的蚀刻预处理后，以化学方式使其金属化。为了达到这个目的，所述介电体首先先以如贵金属盐类活化，然后以无电方式也可能用电解法镀铜。另一种方法中，介电体也可以通过电浆法而金属化，为了达到这个目的，所述介电体首先在辉光放电管中进行蚀刻，之后，也是在辉光放电管中，以贵金属盐类进行涂覆(PECVD法，如溅射等物理涂覆方法)。如此可使用无电法以及若情况需要时的电解法而使铜沉积并安全地附着。

将铜涂到介电体上的电解法，其在传统上是使用直流电，但利用脉冲法(脉冲电镀)也有其优点，所述法中使用了单极或双极电流或电位冲。一般可形成大约10μm到20μm厚的铜层。

以下的实施例用以对本发明做较为详细的说明：

实施例1：

将涂覆在17.5μm厚的铜箔一侧的绝绿材料(FR4材质：玻璃纤维衬垫，其中刨含防火树脂，已熟化)，置于铜电镀硫酸浴(其中含20g/lCu²⁺的硫酸铜、200g/l H₂SO₄、含50mg/l Cl^-的氯化钠、上光剂、均染剂)中，使之强化为20μm的厚度。

接着，把镀铜板浸泡到涂料溶液中以形成保护层。这个溶液的组成如下：

2-正戊基苯并咪唑                10g

甲酸                            32g

氯化铜(II)                      1.0g

以水填充至                      11

将所述板置于加热到40℃的溶液中处理5分钟，接着在用水漂洗之后，放至130℃的循环空气干燥箱中干燥10分钟。

经过溶液处理后，可在铜层上形成一层有机薄层(厚度在1到10μm的范围)作为保护层。

在另外一种测试中，使用化合物2-正已基苯并咪唑以取代2-正戊基苯并咪唑，发现可以得到相同的结果。

为了形成结构宽度为20μm导体结构，之后可藉着脉冲性激发激光来建构保护层，其初始激光出功率为50W且能量密度为150mJ/cm²到200mJ/cm²为达到此目的，将一种掩模(在石英板模上以导电图案建构的铬层)引到激光的光路中。掩模与绝绿材料板间放置影像透镜系统，且自透镜系统观之，其位置须使绝缘材料板坐落在光束焦点的反侧。因此，掩模的导电图案以线性因子2而复制到保护层上。由于激光只照射到掩模的一小部分，所以掩模和绝缘材料板是以同方位移动方式而垂直移动到光束轴，且位于其相反方向，如此可使整个导电图案依次复制到保护层上。

外露的铜在激光建构期间，以氨的CuCl₂蚀刻溶液移除。

此步骤之后，再次以3重量％的HCl溶液除去有机层。

这样就形成了包含铜线路的图案，线路的宽度大约为20μm(在基底之上)且厚度为20μm。

蚀刻的结果利用扫描电子显微镜予以证实：线路具有非常平整的横切面，形状为梯形。线路在FR4材质上的承压面是大于线路的表面。所得线路的边缘平整、垂直且又陡峭，使得下蚀刻的部分为2.5μm。

并未发现有缺口、漏斗状腐蚀以及其他缺陷的存在。

使用含2-正戊基苯并咪唑的涂料溶液，以及使用含2-正己基苯并咪唑的涂料溶液都可以得到这些结果。

实施例2：

重复实施例1中的测试，在电流存在下，于苯并咪唑溶液中进行处理以形成保护层。为了达到此目的，令另一种由镀铂的展成钛金属所制成的电极与溶液接触，并在铜层和电极之间设定一个电压，使得其间流通的电流大约为0.2A/dm²(与铜层有关)。

使用相同的溶液来形成如实施例1中的保护层，并利用相同的排列在保护层上以激发激光形成导电图案。

蚀刻的给果与实施例1相同。

实施例3：

重复实施例2，但使用不含气化铜(II)的溶液来形成铜层。

蚀刻的结果与实施例1相同。

Claims (13)

1、一种在介电基板之上形成导电图案的方法，该方法包括：

a)在一种覆有金属膜的基板上涂覆一层保护层，所述保护层是通过将金属膜放入含有至少一种含氮化合物的溶液中进行处理而得；

b)在非对应于将形成导电图案的区域上，以紫外线剥除其上至少部分的保护层，以这种方式使所述金属膜外露；以及

c)利用蚀刻法除去所述外露的金属膜。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导电图案是在覆有一层铜层的基板上形成的。

3、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使用激光作为照射的紫外线。

4、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在步骤b)中，利用一种脉冲性激发激光来除去欲外露区域上的保护层。

5、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，采用一种可使紫外线通过的掩模，将导电图案复制到所述的覆有金属膜的基板上。

6、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述的含氮化合物是选自包括以下被烷基、芳基和/或芳烷基取代的化合物群中：咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、吡咯、吡唑、恶唑、异恶唑、噻唑、苯并噻唑、吲哚、腺嘌呤、嘌呤、喹啉、吡嗪、喹唑啉、鸟嘌呤、黄嘌呤、次黄嘌呤、吲唑、肌酸酐、吩嗪、铜铁灵、四唑、噻二唑、噻三唑、异噻唑以及其衍生物，其中所述烷基中具有至少3个碳原子。

7、如权利要求1-5之一所述的方法，其特征在于，所述的含氮化合物中包含连接于其上的低聚物或聚合物链，且所述的含氮化合物选自包括以下被烷基、芳基和/或芳烷基所取代的化合物群中：咪唑、苯并咪唑、三唑、苯并三唑、吡咯、吡唑、恶唑、异恶唑、噻唑、苯并噻唑、吲哚、腺嘌呤、嘌呤、喹啉、吡嗪、喹唑啉、鸟嘌呤、黄嘌呤、次黄嘌呤、吲唑、肌酸酐、吩嗪、铜铁灵、四唑、噻二唑、噻三唑、异噻唑及其衍生物，其中所述烷基中具有至少3个碳原子。

8、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述保护层的形成是通过使所述金属层与一种含至少一个氮的化合物的酸性水溶液接触而得。

9、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述用以形成保护层的溶液中含有至少一种选自如下的酸：磷酸、硫酸、盐酸、亚磷酸、甲酸、乙酸、乙醇酸、草酸、丁二酸、顺丁烯二酸、酒石酸、己二酸或乳酸。

10、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述保护层是是利用电化学反应形成的，其中，当所述金属层与含有含氮化合物的溶液接触时，在所述金属层与同样和溶液接触的电极之间至少施以一个间歇性电压；或者由于所述金属层与所述电极间的标准电位差，结果使所述金属层极化为阳极，而所述电极则极化为阴极，使得所述金属层和所述电极之间有电流流通。

11、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述外露的金属膜是利用碱金属蚀刻溶液予以移除。

12、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，使用水平连续法来形成所述保护层，并除去所述外露的金属膜。

13、如前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述保护层是在所述金属膜已经移除之后再予以剥除。