CN1351332A - 相干光源和使用相干光源的记录再生装置 - Google Patents

相干光源和使用相干光源的记录再生装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1351332A
CN1351332A CN01142783A CN01142783A CN1351332A CN 1351332 A CN1351332 A CN 1351332A CN 01142783 A CN01142783 A CN 01142783A CN 01142783 A CN01142783 A CN 01142783A CN 1351332 A CN1351332 A CN 1351332A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wavelength
mentioned
light
fundamental wave
coherent source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01142783A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1294563C (zh
Inventor
北冈康夫
笠澄研一
山本和久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1351332A publication Critical patent/CN1351332A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1294563C publication Critical patent/CN1294563C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/3544—Particular phase matching techniques
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0065—Recording, reproducing or erasing by using optical interference patterns, e.g. holograms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/3544—Particular phase matching techniques
    • G02F1/3546—Active phase matching, e.g. by electro- or thermo-optic tuning
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G02F1/377—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure
    • G02F1/3775—Non-linear optics for second-harmonic generation in an optical waveguide structure with a periodic structure, e.g. domain inversion, for quasi-phase-matching [QPM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
    • H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Abstract

提供具有半导体激光器和波长变换元件并控制为所希望的波长的短波长相干光源。由具有第1波长的半导体激光器1、作为用于使半导体激光器1的波长减半的波长变换元件的光波导型QPM－SHG器件2、波长分离功能7、衍射光栅8和受光元件9构成相干光源。通过利用波长分离功能7将作为基波光的半导体激光分离并使用衍射光栅8进行波长控制,将通过波长变换而得到的谐波光的波长控制为所希望的波长。

Description

相干光源和使用相干光源的记录再生装置
技术领域
本发明涉及具有半导体激光器和波长变换元件的、在光信息处理领域及光测量领域等中使用的相干光源和使用该相干光源的记录再生装置。
背景技术
为了实现光盘的高密度化和光测量的高精度化，需要小型的短波长光源。其中，利用全息图的记录再生方式可以期待100G比特/平方英寸量级的记录密度，所以，人们的目光集中到作为下一代的高密度光盘上。
图12表示以往所提案的全息光信息记录再生系统的概略结构。这就是例如由Psaltis等人提出的移位多重记录方式的光盘光学系统。
如图12所示，从激光光源46发射出的激光光束由光束扩展器47将光束直径扩大后，由半反射镜48进行分割。分割后的一方的光束通过空间光调制器(以下，称为SLM)49后，由付利叶变换透镜50聚焦到全息图盘51上，成为信号光。分割后的另一方的光束由光阑52变换为适当的光束直径后，作为参照光照射到与全息图盘51上的信号光相同的位置。全息图盘51具有在2块玻璃基板间封入了感光聚合物等全息图媒体的结构，记录信号光与参照光的干涉条纹。
SLM49由配置成2维的光开关串构成，各个光开关与记录的输入信号对应地独立地进行开/关动作。例如，使用1024单元×1024单元的SLM时，可以同时显示1M比特的信息。在信号光通过SLM49时在SLM49上显示的1M比特的信息变换为2维的光束串，作为干涉条纹记录到全息图盘51上。在再生记录的信号时，仅将参照光照射到全息图盘51上，由CCD元件53接收全息图的衍射光。
在使用全息图的光记录系统中，全息图媒体的厚度约1mm，作为厚的光栅即所谓的布拉格(ブラッグ)光栅记录干涉条纹，所以，可以进行角度多重记录。在图12的系统中，通过将球面波参照光的照射位置移位取代改变参照光的入射角，实现角度的多重。即，通过将全息图盘51略微转动而在将记录位置移位时全息图媒体的各部分感光的参照光入射角略微变化，进行多重记录。
全息图媒体的厚度为1mm时，由再生信号强度规定的角度选择性之半值全宽为0.014度，在参照光NA为0.5时，可以按约20μm间隔进行全息图的多重。这时实现的记录密度为200G比特/平方英寸，换算为12cm盘的容量，就是300GB。
布拉格光栅具有角度选择性和波长选择性，所以，在记录、再生时，需要进行光源波长的控制。全息图媒体的厚度为1mm时，光栅的波长选择性为0.24nm。
为了实现上述高密度光信息记录再生系统，小型而稳定的激光光源和可以进行多重记录的记录媒体就成了重要的技术。作为激光光源，振荡波长的绝对值是稳定的，所以，通常可以使用YAG激光器等固体激光器或Ar激光器等气体激光器。
另一方面，作为小型的短波长光源，使用半导体激光器和模拟相位整合(以下，称为QPM)方式的光波导型2次谐波发生(以下，称为SHG)器件(光波导型QPM-SHG器件)的相干光源受到了人们的注目(参见山本他：Optics Letters(光学通讯)Vol.16，No.15，1156(1991))。
图13表示使用光波导型QPM-SHG器件的SHG蓝色光源的概略结构。如图13所示，作为半导体激光器，使用了具有分布布拉格反射器(以下，称为DBR)区域的波长可变DBR半导体激光器54。波长可变DBR半导体激光器54是0.85μm波段的100mW级AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器，由活性层区域56、相位调整区域57和DBR区域58构成。并且，通过同时改变向相位调整区域57和DBR区域58注入的注入电流，可以连续地改变振荡波长。
作为波长变换元件的光波导型QPM-SHG器件55在X板Mg搀杂LNbO3基板59上形成，由光波导60和周期性的极化反相区域61构成。光波导60通过在焦磷酸中进行质子交换而形成。另外，周期性的极化反相区域61通过在X板MgO搀杂LiNbO3基板59上形成梳子形的电极并加上电场来制作。
在图13所示的SHG蓝色光源中，对于100mW的激光输出，60mW的激光与光波导60耦合。并且，通过控制向波长可变DBR半导体激光器54的相位调整区域57和DBR区域58注入的注入电流量，使振荡波长固定在光波导型QPM-SHG器件55(波长变换元件)的相位整合波长允许范围内。通过使用该SHG蓝色光源，可以得到约10mW的波长425nm的蓝色光，但是，得到的蓝色光之横模为TE00模，具有衍射极限的聚焦特性，噪音特性也小于相对噪音强度是-140dB/Hz以下。
如上所述，在使用全息图的光记录系统中，记录的衍射图形随光的入射方向和波长而变化。因此，记录时光的波长与再生时光的波长不同时，将引起串音信号增加或信号光强度降低。
图12所示的全息图盘51上的信息作为记录的干涉条纹的布拉格衍射光而再生。为了以足够的光量再生全息图盘51上的信息，需要满足布拉格条件。即，对全息图媒体的参照光光束的入射角度和参照光光束的波长必须分别调整为最佳值。
例如，假定全息图媒体的厚度为1mm、光源的波长为515nm、干涉条纹的周期为0.5μm的系统，对用衍射效率减半的波长的值定义的参照光光束的波长的布拉格条件的允许范围为515nm±0.24nm。
另外，还需要考虑全息图媒体的热膨胀。即，由于全息图媒体的热膨胀，记录的干涉条纹的周期将发生变化，从而满足布拉格条件的最佳再生波长也发生变化。
说明作为全息图媒体使用了杜邦公司制造的感光聚合物、即オムニデクス352原版的例子。其线热膨胀率为7.1×10-5(参见特开平5-16538号公报)，对温度变化范围25℃的最佳波长的变化量为0.18％，换算为Ar激光器的振荡波长，就是515+0.9nm。该值是布拉格条件的允许范围515±0.24nm的3倍以上的大的值。对于全息图媒体的温度变化范围，为了稳定地进行全息图再生，必须与再生中的全息图媒体的温度变化对应地对再生光源的波长进行最佳控制。
发明内容
本发明就是为了解决现有技术的上述问题而提案的，目的在于提供具有半导体激光器和波长变换元件的控制为所希望的波长的短波长相干光源和使用该相干光源的记录再生装置。
为了达到上述目的，本发明的相干光源的第1结构是包括具有第1波长的基波光和用于使上述基波光的波长减半的波长变换元件并由上述波长变换元件将上述基波光变换为具有第2波长的谐波光的相干光源，其特征在于：通过检测上述基波光的波长并将上述基波光的波长控制为所希望的波长，进行上述谐波光的波长控制。
另外，在上述本发明的相干光源的第1结构中，上述基波光最好是从具有波长可变功能的半导体激光器发射出的光。另外，这时，具有波长可变功能的半导体激光器最好至少由活性区域、相位调整区域和DBR(分布布拉格反射)区域构成。这时，最好上述所希望的波长处于上述波长变换元件的相位整合波长允许范围内，改变向上述相位调整区域或上述DBR区域注入的注入电流来补偿与上述基波光的工作电流变化对应的上述基波光的波长变化。
另外，本发明的相干光源的第2结构是包括具有第1波长的基波光和用于使上述基波光的波长减半的波长变换元件并且由上述波长变换元件将上述基波光变换为具有第2波长的谐波光的相干光源，其特征在于：具有检测上述基波光的波长并将上述基波光的波长控制为所希望的波长的第1机构和将上述波长变换元件的相位整合波长控制为上述基波光的波长的第2机构，使用上述第1和第2机构进行上述谐波光的波长控制和输出控制。
另外，在上述本发明的相干光源的第1或第2结构中，最好检测透过上述波长变换元件后的上述基波光的波长，将上述基波光的波长控制为所希望的波长。
另外，在上述本发明的相干光源的第1或第2结构中，最好在由上述波长变换元件进行波长变换后的光通过的光路上，设置将上述基波光与上述谐波光分离并只检测上述基波光的装置。
另外，在上述本发明的相干光源的第1或第2结构中，最好进而具有衍射光栅和受光元件，由上述受光元件检测由上述衍射光栅衍射后的上述基波光。另外，这时，最好上述波长变换元件具有光波导，在上述光波导上形成上述衍射光栅。按照该理想的例子，不需要反射型衍射光栅和波长分离功能等部件，所以，可以实现小型而廉价的波长稳定化机构。这时，最好上述受光元件设置在形成上述光波导的基板的侧面。另外，这时，最好由上述受光元件检测由上述衍射光栅衍射后的上述基波光的位置。另外，这时，上述衍射光栅最好由光栅间隔随场所而变化的线性调制光栅构成。
另外，在上述本发明的相干光源的第1或第2结构中，最好进而具有Cs(铯)气体单元和受光元件，由上述受光单元检测透过上述Cs气体单元后的上述基波光。
另外，在上述本发明的相干光源的第2结构中，最好通过利用电光效应或温度变化改变上述波长变换元件的折射率，来改变上述波长变换元件的相位整合波长。
另外，本发明的记录再生装置的第1结构是安装了上述本发明的相干光源的记录再生装置，其特征在于：在再生记录在媒体上的全息图信息时，将上述相干光源调整为最佳波长，以便满足布拉格条件。
另外，本发明的记录再生装置的第2结构的特征在于：具有上述本发明的相干光源和将从上述相干光源发射出的光聚焦到信息载体上的光学系统。
附图说明
图1是表示本发明实施例1的相干光源的结构的模式图。
图2是表示本发明实施例1的相干光源的受光部的结构的模式图。
图3是由本发明实施例1的相干光源的受光部检测的信号波形图。
图4是表示本发明实施例2的相干光源的结构的模式图。
图5是表示本发明实施例2的相干光源的另一结构的模式图。
图6是表示本发明实施例2的相干光源的又一结构的模式图。
图7是表示本发明实施例3的相干光源的结构的模式图。
图8是表示本发明实施例4的相干光源的结构的模式图。
图9是表示本发明实施例4的相干光源的另一结构的模式图。
图10是表示本发明实施例4的波长检测系统的结构的模式图。
图11是表示注入本发明实施例4的活性层区域的电流与波长可变DBR半导体激光器的振荡波长的关系的图。
图12是现有技术的全息光信息记录再生系统的概略结构图。
图13是使用现有技术的光波导型QPM-SHG器件的SHG蓝色光源的概略结构图。
具体实施方式
下面，使用实施例更具体地说明本发明。
本实施例的相干光源由具有第1波长的基波和用于将上述基波的波长减半的波长变换元件即2次谐波发生(以下，称为SHG)器件构成。特别是在以下的各实施例中，说明作为基波使用800nm波段的近红外半导体激光器、作为谐波而得到蓝色光～紫色光的结构。
实施例1.
图1是表示本发明实施例1的相干光源的结构的模式图。
如图1所示，作为基波而使用的半导体激光器1是具有活性层区域1a、分布布拉格反射(以下，称为DBR)区域1b和相位调整区域1c的输出100mW、波长820nm的AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器。并且，通过按一定的比率向DBR区域1b和相位调整区域1c注入电流，可以改变波长。
作为波长变换元件，使用模拟相位整合(以下，称为QPM)方式的光波导型SHG器件(光波导型QPM-SHG器件)2。光波导型QPM-SHG器件2可以利用大的非线性光学常数，另外，由于是光波导，可以采用长的相互作用长度，所以，可以实现高的变换效率。光波导型QPM-SHG器件2由在X板MgO搀杂LiNbO3基板3上形成的光波导4和与其正交的周期性的极化反相区域5构成。光波导4通过在焦磷酸中进行质子交换而形成。另外，周期性的极化反相区域5通过在X板MgO搀杂LiNbO3基板3上形成梳子形的电极并加上电场来制作。
半导体激光器1和光波导型QPM-SHG器件2在Si小固定架6上一体化地由帕耳帖元件进行温度控制。作为基波光的半导体激光器的光不使用透镜而是通过直接耦合、与光波导型QPM-SHG器件2的光波导4耦合。对于100mW的激光输出，60mW的激光与光波导4耦合，通过控制向半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)1的DBR区域1b和相位调整区域1c注入的注入电流量，振荡波长固定于光波导型QPM-SHG器件(波长变换元件)2的相位整合波长820nm。通过使用该相干光源，可以得到约10mW的波长410nm的蓝色光。另外，对相位整合的波长允许范围是，蓝色光输出的半值全宽为0.1nm。
如图1所示，从光波导4发射出的基波光和谐波光由波长分离功能7进行分离。分离后的基波光导入反射型衍射光栅8，其1次衍射光通过聚焦透镜10聚焦到受光元件9上。作为反射型衍射光栅8，使用具有1000/mm(＝1/d)的间距d的光栅，作为聚焦透镜10，使用焦距f＝50mm的透镜。对波长λ的光的衍射角θ由下述(数式1)规定，聚焦平面上的光点位置的变化量δx由下述(数式2)表示。[数式1]
λ＝d·sinθ[数式2]
δx＝f·θ
对于波长变化820nm±0.04nm的光点位置的变化量为δx＝±50×0.00007＝±3.5μm。
在本实施例中，作为受光元件9，使用Si-PIN光电二极管。另外，如图2所示，受光元件9分割为2个受光部分11，各个受光部分11的大小为50μm×50μm，受光部分11的间隔为10μm。受光元件9上的光点直径为20μm。如图2所示，受光元件9调整为基波光的波长为820nm时聚焦到分割后的2个受光部分11的正中间。
通过获得来自2个受光部分11的输出之差，对基波光的波长变动可以得到图3所示的信号。为了使通过差动而得到的信号为零，通过控制作为基波的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)1的振荡波长，即通过按一定的比率控制注入DBR区域1b和相位调整区域1c的电流，可以使基波光的波长稳定为820nm±0.02nm。这时，在波长变换元件(光波导型QPM-SHG器件2)的相位整合波长允许范围内，可以将振荡波长固定于所希望的波长，谐波光的波长也稳定在410nm±0.01nm的范围内。
在使用全息图的存储器中，布拉格光栅具有角度选择性和波长选择性，所以，在记录和再生时需要进行光源波长的控制。全息图媒体的厚度为1mm时的光栅的波长选择性为0.24nm。由本实施例得到的谐波光的波长稳定性为410±0.01nm，充分满足该波长选择性。因此，可以得到良好的再生特性。
在本实施例中，模块温度即半导体激光器1和光波导型QPM-SHG器件2的温度利用帕耳帖元件而获得稳定，所以，相位整合波长几乎没有变化，可以稳定得到蓝色光输出。
在本实施例中，由波长变换元件进行了波长变换的谐波光(2次谐波光)作为向全息图媒体的记录再生光利用。在利用2次谐波发生(SHG)的波长变换中，变换效率约为20％，所以，基波光的波长几乎不发生变换，从光波导4射出。在本实施例中，利用基波光进行波长检测，是因为有以下(1)～(5)的优点。即，
(1)可以总是对基波光进行监视。
(2)受光元件9对基波光的灵敏度比对谐波光的灵敏度高。
(3)可以利用波长变换后的不需要的光。
(4)基波光的输出比谐波光大。
(5)基波光的波长长，所以，衍射角大。
在SHG蓝色光源时，基波光的波长偏离光波导型QPM-SHG器件(SHG元件)2的相位整合波长时，谐波光的输出减少。因此，如果检测谐波光进行波长控制，则在基波光的波长偏离光波导型QPM-SHG器件(SHG元件)2的相位整合波长时，由于不能检测光，所以，就不能进行波长检测。另一方面，基波光总是从光波导4发射出，所以，通过利用基波光，可以总是实现稳定的波长控制。另外，在Si-PIN光电二极管等受光元件9中，波长短时，量子效率降低，所以，受光灵敏度变低。此外，通过波长变换而得到的谐波光比基波光小，另外，作为向全息图媒体的记录再生光利用，所以，希望用于波长检测的光的强度尽可能小。这样，在利用基波光进行波长控制时，就可以获得可以利用受光元件9检测的信号强度，所以，可以进行稳定的波长控制。另外，根据上述(数式1)，基波光的波长比谐波光的波长长，所以，对于相同的衍射光栅的间距，可以得到大的衍射角。
通过利用基本波光进行波长检测，不仅可以进行稳定的波长控制，而且可以提高谐波光的利用效率，即几乎可以将进行了波长变换的所有的谐波光用于向全息图媒体的记录再生，所以，其实用效果很大。
在本实施例中，使用了二分割的受光元件9，但是，这是用于检测衍射光(基波光)的位置的单元，即使受光元件是阵列型的位置检测单元，也可以获得同样的效果。
实施例2.
在上述实施例1中，从光波导4发射出的基波光和谐波光利用波长分离功能7进行分离，仅将基波光导入反射型衍射光栅8，通过将其1级衍射光聚焦到受光元件9上，进行谐波光的波长控制。在本实施例中，说明在波长变换元件中的光波导上形成衍射光栅并使用其衍射光进行谐波光的波长控制的结构。
图4是表示本发明实施例2的相干光源的结构的模式图。
如图4所示，和上述实施例1一样，作为基波的半导体激光器12，使用具有活性层区域12a、DBR区域12b和相位调整区域12c的输出100mW、波长820nm的AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器。并且，通过按一定的比率将电流注入DBR区域12b和相位调整区域12c，可以改变基波光的波长。在本实施例的结构中，希望设计为仅把基波光作为衍射光而取出，使谐波光的衍射效率尽可能减小。
作为波长变换元件，使用光波导型QPM-SHG器件13。光波导型QPM-SHG器件13由在X板MgO搀杂LiNbO3基板14上形成的光波导15和与其正交的周期性的极化反相区域16构成。图4中，18是用于使从半导体激光器12发射出的基波光与光波导15耦合的耦合透镜。
基波光的波长为820nm，进行波长变换后的谐波光的波长为410nm。在X板MgO掺杂LiNbO3基板14上形成的光波导15的有效折射率n约为2.2。
在光波导型QPM-SHG器件13的光波导15上，形成衍射光栅17。对波长λ的光的衍射角θ在空气侧和基板侧分别由下述(数式3)和(数式4)规定。[数式3]
空气侧：d·(n-sinθ)＝λ[数式4]
基板侧：nd·(1-sinθ)＝λ
因此，设计为在空气侧的45度方向衍射时，衍射光栅17的间距(周期)d为549nm。这时，基波光(1次)衍射到基板侧的19度方向，谐波光(1次)衍射到基板侧的41度方向。
如图4所示，由衍射光栅17在空气侧的45度方向衍射的基波光成为圆弧状的射出光束，聚焦到受光元件19上。衍射光栅17与受光元件19的距离设定为20mm，与受光元件19上的波长变化820nm±0.04nm对应的光点位置的变化量为δx＝±20×0.0001＝±2μm。
在本实施例中，作为受光元件19，也是使用Si-PIN光电二极管。另外，受光元件19分割为2个受光部分19a，并且调整为基波光的波长为820nm时聚焦到分割后的2个受光部分19a的正中间。
通过取得来自2个受光部分19a的输出之差，对基波光的波长变动可以得到S字信号。为了使通过差动而得到的信号成为零，通过控制作为基波的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)12的振荡波长，即通过按一定的比率控制DBR12b和相位调整区域12c的电流，可以使基波光的波长稳定为820nm±0.02nm。这时，可以将振荡波长在波长变换元件(光波导型QPM-SHG器件13)的相位整合波长允许范围内固定为所希望的波长，谐波光的波长也可以稳定在410nm±0.01nm的范围内。
下面，说明有关本实施例的波长变换元件的光波导型QPM-SHG器件13的制造方法。首先，在形成光波导15和周期性的极化反相区域16的X板MgO搀杂LiNbO3基板14上，涂布抗蚀剂。通过以膜片状来形成衍射光栅17，可以聚焦衍射光。形成衍射光栅时的掩模，设计为光波导15的入射端侧的周期大于549nm、射出端侧的周期小于549nm。这样，就可以将圆弧状的射出光束聚焦到相距20mm的位置的受光元件19上。其次，在形成的抗蚀剂光栅上，形成由SiO2构成的溅射膜，通过湿法腐蚀除去抗蚀剂，利用分离法在光波导15上制作成由SiO2构成的衍射光栅。
光栅长采用2mm。受光元件19上的圆弧状的射出光束的宽度约为10μm。光栅的深度设计得浅，基波光的衍射效率为5％。这时，谐波光的衍射效率为5％以下。
在本实施例中，模块温度即半导体激光器12和光波导型QPM-SHG器件13的温度利用帕耳帖元件实现稳定。因此，相位整合波长几乎没有变化，从而可以稳定地得到蓝色光输出。
另外，在图5所示的结构中，仅基波光通过方向耦合器20与相邻的光波导21耦合。另外，在相邻的光波导21上形成衍射光栅22。在图4所示的结构中，谐波光通过在光波导15上形成的衍射光栅17的衍射效率为5％以下。但是，在这样的结构中，通过波长变换而得到的谐波光的利用效率已降低了。在本结构中，方向耦合器20降低了谐波光的损耗，未进行波长变换而传播来的基波光由方向耦合器20取出，用于波长的稳定，所以，可以大幅度地提高谐波光的利用效率。
如图5所示，在光波导型QPM-SHG器件23的射出部形成方向耦合器20，在其光波导21上形成和图4一样的衍射光栅22。方向耦合器20设计成波导的间隔为3μ、耦合长度为0.5mm。在具有通过质子交换而制造的光波导的波长变换元件中，基波光的模大于谐波光的模，因此，模的渗透也大。波导间隔为3μm时，几乎没有谐波的耦合系数，仅基波光与相邻的光波导21耦合。这时，基波光的耦合系数约10％，谐波光的损耗为0.5％。
与相邻的光波导21耦合的基波光由衍射光栅22衍射到受光元件的方向，和图4的情况一样，检测基波光的波长。因此，通过控制作为基波的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)24的振荡波长，可以将振荡波长在波长变换元件(光波导型QPM-SHG器件23)的相位整合波长允许范围内固定为所希望的波长，从而可以得到波长稳定的蓝色光。
在使用全息图的存储器中，布拉格光栅同时具有角度选择性和波长选择性，所以，需要进行记录、再生时的光源波长的控制。全息图媒体的厚度为1mm时的光栅的波长选择性为0.24nm。由本实施例得到的谐波光的波长稳定性为410±0.01nm，充分满足其波长选择性。因此，可以得到良好的再生特性。
另外，在图6所示的结构中，通过由设置在作为波长变换元件的光波导型QPM-SHG器件74的侧面的受光元件75检测由衍射光栅72衍射后的基波光，进行谐波光的波长控制。图6中，73表示周期性的极化反相区域。
基波光的波长为820nm、进行了波长变换的谐波光的波长为410nm。在X板MgO搀杂LiNbO3基板上形成的光波导71的有效折射率n约为2.2。按照上述(数式4)，衍射光栅72的间距(周期)d为373nm时，衍射角θ为0度，即基波光的衍射角相对于前进方向为90度，聚焦到设置在衍射光栅72的横向的受光元件75上。衍射光栅72和在光波导型QPM-SHG器件13上形成的一样，是膜片状的衍射光栅。衍射光栅72利用和在光波导型QPM-SHG器件13上形成的相同的方法来形成。
光栅长采用2mm。受光元件75上的缝隙状的射出光束的宽度约为10μm。光栅的深度设计得浅，基波光的衍射效率为5％。这时，谐波光的衍射效率也为5％以下。衍射光栅72与受光元件75的距离设定为10mm。
在本结构中，作为受光元件75，也使用二分割的Si-PIN光电二极管，并且调整为基波光的波长为820nm时聚焦到2分割后的受光部分的正中间。
通过取得来自2个受光部分的输出之差，对于基波光的波长变动可以得到S字信号。为了使通过差动而得到的信号成为零，通过控制作为基波的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)70的振荡波长，可以使基波的振荡波长稳定。因此，可以将振荡波长在波长变换元件(光波导型QPM-SHG器件74)的相位整合波长允许范围内固定为所希望的波长，谐波光的波长也可以稳定。
按照本实施例，通过在波长变换元件的光波导上形成衍射光栅，就不需要反射型衍射光栅及波长分离功能等部件了，所以，可以实现小型而廉价的波长稳定机构。
在本实施例中，利用不进行波长变换而从光波导射出的基波光进行波长检测，所以，可以大幅度地提高谐波光的利用效率，其实用的效果很大。
实施例3.
在上述实施例1中，从光波导4射出的基波光和谐波光利用波长分离功能7进行分离，仅将基波光导入反射型衍射光栅8，通过使其1次衍射光聚焦到受光元件9上，进行谐波光的波长控制。在本实施例中，说明利用Cs吸收线将基波光的波长控制为852nm而进行谐波光的波长控制的结构。
图7是表示本发明实施例3的相干光源的结构的模式图。
如图7所示，和上述实施例1一样，作为基波的半导体激光器25，使用具有活性层区域25a、DBR区域25b和相位调整区域25c的输出100mW、波长850nm波段的AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器。并且，通过按一定的比率将电流注入DBR区域25b和相位调整区域25c，可以改变基波光的波长。
在本实施例中，设计光波导型QPM-SHG器件26的周期性的极化反向区域27的周期，以使相位整合波长成为852nm。从光波导型QPM-SHG器件26的光波导28射出的基波光和谐波光利用波长分离功能29进行分离。分离后的基波光导入封装了Cs气体的Cs气体单元30，由受光元件31检测其透过光。Cs吸收线的中心波长为852nm。通过控制基波光的波长以使由受光元件31检测的Cs气体单元30的透过光强度成为最小，可以将基波光的波长控制为相位整合波长852nm，同时可以将谐波光的波长稳定地控制为426nm。
在本实施例中，模块温度即半导体激光器25和光波导型QPM-SHG器件26的温度利用帕耳帖元件实现稳定。因此，相位整合波长几乎也没有变化，从而也可以稳定地得到蓝色光输出。
在光栅或光波导上的衍射光栅上，由于温度变化及随着时间的变化等，绝对波长发生微妙的变化，但是，通过如本实施例那样使用Cs气体单元30等物质的吸收线，可以使波长绝对化，从而可以更高精度地进行波长控制。
在本实施例中，利用不进行波长变换而从光波导射出的基波光进行波长检测，所以，可以大幅度地提高谐波光的利用效率，其实用的效果很大。
实施例4.
在上述实施例1～实施例3中，通过将基波光的波长控制在波长变换元件的相位整合波长允许范围内(约0.1nm)，使谐波光的波长实现稳定。但是，对于全息图媒体的温度变化范围25℃，根据线膨胀系数计算，最佳波长的变化量为0.18％(杜邦公司制的感光聚合物、即オムニデクス352原版)，换算为Ar激光器的振荡波长，就是515nm+0.9nm。
在本实施例中，说明对温度变化范围稳定地进行全息图再生用的与再生中的全息图媒体的温度变化对应地将波长控制为最佳的相干光源。
图8是表示本发明实施例4的相干光源的结构的模式图。
如图8所示，和上述实施例1一样，作为基波的半导体激光器32，使用具有活性层区域32a、DBR区域32b和相位调整区域32c的输出100mW、波长820nm的AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器。并且，通过按一定的比率将电流注入DBR区域32b和相位调整区域32c，可以改变基波光的波长。
和上述实施例1一样，作为波长变换元件，使用光波导型QPM-SHG器件33。在本实施例中，和上述实施例1不同，在光波导34上形成加热器35。作为基板的X板MgO搀杂LiNbO3基板的折射率具有温度依赖性。因此，改变波长变换元件的温度时，极化反向区域36的有效周期发生变化。另外，光波导34的有效折射率也发生变化。这样，相位整合波长就具有温度依赖性。
本实施例的光波导型QPM-SHG器件33具有0.06nm/℃的温度依赖性，通过增大向加热器35的注入电流，光波导34部分的温度上升，相位整合波长向长波长侧移动。具体而言，通过向加热器35的电流注入，光波导34部分的温度上升30℃，相位整合波长移动约1.8nm。
对于100mW的激光输出，60mW的激光与光波导34耦合，通过控制向半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)32的DBR区域32b和相位调整区域32c的注入电流量，振荡波长固定为光波导型QPM-SHG器件(波长变换元件)33的相位整合波长820nm。通过利用该相干光源，可以得到约10mW的波长410nm的蓝色光。另外，对相位整合的波长允许范围，在蓝色输出的半值全宽中是0.1nm。
在具有DBW区域32b和相位调整区域32c的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)32中，在约2nm的范围内可以连续地改变波长。因此，通过控制向光波导型QPM-SHG器件(波长变换元件)33上的加热器35的注入电流量和向半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)32的DBR区域32b和相位调整区域32c的注入电流量，可以使基波光的波长在820nm到821.8nm的范围内改变，可以在410nm到410.9nm的范围内使谐波光的输出保持一定而改变波长。
将Ar激光器(515nm)作为光源使用时，本实施例的相干光源对于全息图媒体的温度变化范围25℃可以在所需要的光源的波长可变范围0.9nm中改变波长，所以，对于全息图媒体的温度变化，总是可以得到稳定的再生特性。
图9是表示本发明实施例4的相干光源的另一结构的模式图。
如图9所示，作为基波的半导体激光器37，和图8的结构一样，使用具有活性层区域37a、DBR区域37b和相位调整区域37c的输出100mW、波长820nm的AlGaAs系波长可变DBR半导体激光器。并且，通过按一定的比率将电流注入DBR区域37b和相位调整区域37c，可以改变基波光的波长。
作为波长变换元件，和图8的结构一样，使用光波导型QPM-SHG器件38。在本结构中，和图8的结构不同，在光波导39的两侧形成平行电极40。作为基板的X板MgO搀杂LiNbO3基板具有电光效应，加上电场时，折射率发生变化。因此，将电压加到在光波导39的两侧形成的平行电极40上时，光波导39的折射率发生变化。这样，便可改变相位整合波长。本结构的光波导型QPM-SHG器件38对于施加电压5V，可以实现2nm的波长改变。
对于100mW的激光输出，60mW的激光与光波导39耦合，通过控制向半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)37的DBR区域37b和相位调整区域37c的注入电流量，振荡波长固定为光波导型QPM-SHG器件(波长变换元件)38的相位整合波长820nm。通过使用该相干光源，可以得到约10mW的波长410nm的蓝色光。
在具有DBR区域37b和相位调整区域37c的半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)37中，在约2nm的范围内可以连续地改变波长。因此，通过控制向光波导型QPM-SHG器件(波长变换元件)38上的平行电极40的注入电流量和向半导体激光器(波长可变DBR半导体激光器)37的DBR区域37b和相位调整区域37c的注入电流量，可以使基波光的波长在820nm到822nm的范围内改变，可以在410nm到411nm的范围内保持谐波光的输出一定而改变波长。
将Ar激光器(振荡波长：515nm)作为光源使用时，本实施例的相干光源对于全息图媒体的温度变化范围25℃，可以在所需要的光源的波长可变范围0.9nm中改变波长，所以，对于全息图媒体的温度变化，也总是可以得到稳定的再生特性。
在图8和图9的结构中，为了满足全息图媒体的布拉格条件，必须将对全息图媒体的参照光光束的波长调整为最佳值。因此，使用上述实施例1～实施例3所示的基波光的波长检测单元是有效的。另外，如果使用图8和图9所示的相干光源，则通过跟踪光源的波长，对于全息图媒体的温度变化可以得到稳定的再生特性。在上述实施例1和实施例2中，使用了二分割的受光元件，但是，在本实施例中，为了检测波长的绝对值，使用阵列型的受光元件。
图10表示使用阵列型的受光元件和反射型衍射光栅的波长检测系统的结构。如图10所示，从光波导射出的基波光和谐波光利用波长分离功能41进行分离。分离后的基波光导入反射型衍射光栅42，其1次衍射光通过聚焦透镜43聚焦到受光元件44上。作为反射型衍射光栅42，使用具有1000条/mm(＝1/d)的间距d的光栅，作为聚焦透镜43，使用焦距f＝20mm的透镜。与波长变化820nm+0.4nm对应的光点位置的变化量为δx＝20×0.0007＝14μm。
作为受光元件44，使用了Si-PIN光电二极管。此外，把受光元件44阵列状地分割为5个受光部分45，各个受光部分45的大小为9μm×9μm，受光部分45的间隙为5μm。基波光的波长为820nm(谐波光的波长：410nm)时，调整为在受光部分45的1～5中受光部分45的光检测强度成为最大。这样，在受光部分45的2中的光检测强度成为最大时，可以将基波光的波长控制为820.4nm(谐波光的波长：410.2nm)。另外，在受光部分45的5中的光检测强度成为最大时，可以将基波光的波长控制为822nm(谐波光的波长：411nm)。即，可以使谐波光的波长在410nm到411nm的范围内每隔0.2nm不连续地变化。
将Ar激光器(振荡波长：515nm)作为光源使用时，对于全息图媒体的温度变化范围25℃，所需要的光源的波长可变范围为0.9nm。本实施例的相干光源是不连续的，但可以在1nm的波长范围内检测波长并使之变化，所以，对于全息图媒体的温度变化，也可以选择对再生最佳的波长，从而可以得到稳定的再生特性。
下面，参照表示使用先有的光波导型QPM-SHG器件的SHG蓝色光源的图13进一步说明稳定的控制方式。
在SHG蓝色光源中，如图13所示，通过对与光波导型QPM-SHG器件55的光波导60耦合的基波光进行波长变换，可以得到谐波光。得到的谐波光的输出与基波光的输出的平方成正比，所以，为了使谐波光的输出保持一定，必须使与光波导60耦合的基波光的输出保持一定。但是，在SHG蓝色光源中，由于模块即波长可变DBR半导体激光器54和光波导型QPM-SHG器件55的畸变等，光耦合状态发生变化，所以，与光波导60耦合的基波光的输出也发生变化。因此，为了得到稳定的谐波光的输出，必须控制作为基波的波长可变DBR半导体激光器54的输出。下面，说明其控制方法。
图11表示注入活性层区域56(参见图13)的电流与波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长的关系。电流注入活性层区域56时，该电流中未变换为光的部分变换为热，使波长可变DBR半导体激光器(半导体激光芯片)54的温度上升。因此，活性层区域56、相位调整区域57(参见图13)和DBR区域58(参见图13)的温度也分别上升。并且，由于它们的温度上升，将发生以下的(a)、(b)这2种现象。即
(a)由于活性层区域56的温度上升，活性层区域56的折射率发生变化，从而有效的共振器长度发生变化。结果，光的相位状态发生变化，从而波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长发生变化。
(b)由于从活性层区域56向DBR区域58的热的传导，DBR区域58的衍射光栅的折射率增大，结果，向活性层区域56反馈的光的波长向长波长侧移动。
如图11所示，随着注入活性层区域56的电流增大，波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长向长波长侧移动。由图11可知，对波长可变DBR半导体激光器54进行强度调制时，其振荡波长移动约0.1～0.2nm。
如果上述结果可以补偿改变波长可变DBR半导体激光器54的输出时发生的温度变化(相位变化)，则在波长可变DBR半导体激光器54的输出变化时，可以使振荡波长保持为一定。
这里，使用在相位调整区域57发生的热量补偿改变波长可变DBR半导体激光器54的输出时在活性层区域56发生的热量。
设向活性层区域56的注入电流(mA)为I1、活性层区域56的工作电压为V1、激光输出为P时，在活性层区域56发生的热量可以由下述(数式5)表示。[数式5]
I1×V1-P
通过使用在相位调整区域57发生的热量补偿该热量，可以使波长可变DBR半导体激光器(半导体激光芯片)54的温度保持一定。
在活性层区域56发生的热量可以如以下那样用在相位调整区域57发生的热量进行补偿。即，在光耦合状态发生变化，与光波导60耦合的基波光的输出降低，相应地向活性层区域56的注入电流增加时，就减少向相位调整区域57的注入电流。相反，在减少向活性层区域56的注入电流时，就增加向相位调整区域57的注入电流。具体而言，设向相位调整区域57的注入电流(mA)为I2、相位调整区域57的工作电压为V2时，可以控制为满足下述(数式6)的关系。[数式6]
I1×V1+I2×V2-P＝一定
通过控制为满足上述(数式6)的关系，可以使波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长保持一定。
这样，在控制波长可变DBR半导体激光器54的输出，使与光波导60耦合的基波光的输出保持一定而使得到的谐波光的输出稳定时，在图1的结构中，通过进行上述控制也使由受光元件9检测的信号(参见图3)的差分成为零，可以使波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长保持一定。这时，可以简单地进行波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长的控制，所以，可以高速地进行谐波光的波长控制和输出控制。
在本实施例中，通过改变向相位调整区域57的注入电流，补偿波长可变DBR半导体激光器54的振荡波长的变化，但是，通过改变向DBR区域58的注入电流，也可以获得同样的效果。
另外，在本实施例中，说明了使用将波长控制最佳的相干光源的全息图规则。即，在本实施例中，通过控制基波光的波长，控制导入全息图媒体的谐波光的波长，即使全息图媒体的温度发生变化，也可以选择对再生最佳的波长，从而可以实现稳定的再生特性。在SHG蓝色光源中，使用基波光进行波长控制的方式也可以利用于全息图记录以外的情况。在将SHG蓝色光源应用于光盘的记录再生时，使用塑料透镜等时，透镜的色差就成为问题。另外，记录媒体(相变化盘或磁光磁盘)的记录灵敏度也随波长而异。这时，像本实施例那样通过控制光源的波长，便可实现更稳定的记录再生。
如上所述，按照本发明，可以任意改变谐波光的波长。结果，在使用需要全息图存储器等的绝对波长的光源时，不仅波长稳定，而且，还可以改变波长，所以，其实用的效果很大。

Claims (16)

1.一种包括具有第1波长的基波光和用于使上述基波光的波长减半的波长变换元件并且由上述波长变换元件将上述基波光变换为具有第2波长的谐波光的相干光源，其特征在于：通过检测上述基波光的波长并将上述基波光的波长控制为所希望的波长，进行上述谐波光的波长控制。
2.按权利要求1所述的相干光源，其特征在于：上述基波光是从具有波长可变功能的半导体激光器发射出的光。
3.按权利要求2所述的相干光源，其特征在于：具有波长可变功能的半导体激光器至少由活性区域、相位调整区域和DBR(分布布拉格反射)区域构成。
4.按权利要求3所述的相干光源，其特征在于：上述所希望的波长处于上述波长变换元件的相位整合波长允许范围内，改变向上述相位调整区域或上述DBR区域的注入电流，补偿与上述基波光的工作电流变化对应的上述基波光的波长变化。
5.一种包括具有第1波长的基波光和用于使上述基波光的波长减半的波长变换元件并且由上述波长变换元件将上述基波光变换为具有第2波长的谐波光的相干光源，其特征在于：具有检测上述基波光的波长并将上述基波光的波长控制为所希望的波长的第1机构和将上述波长变换元件的相位整合波长控制为上述基波光的波长的第2机构，使用上述第1和第2机构进行上述谐波光的波长控制和输出控制。
6.按权利要求1或权利要求5所述的相干光源，其特征在于：检测透过上述波长变换元件后的上述基波光的波长，将上述基波光的波长控制为所希望的波长。
7.按权利要求1或权利要求5所述的相干光源，其特征在于：在由上述波长变换元件进行波长变换后的光通过的光路上，设置将上述基波光与上述谐波光分离并只检测上述基波光的装置。
8.按权利要求1或权利要求5所述的相干光源，其特征在于：进而具有衍射光栅和受光元件，由上述受光元件检测由上述衍射光栅衍射后的上述基波光。
9.按权利要求8所述的相干光源，其特征在于：上述波长变换元件具有光波导，在上述光波导上形成上述衍射光栅。
10.按权利要求8所述的相干光源，其特征在于：由上述受光元件检测在上述衍射光栅衍射后的上述基波光的位置。
11.按权利要求8所述的相干光源，其特征在于：上述衍射光栅由光栅间隔随场所而变化的线性调制光栅构成。
12.按权利要求9所述的相干光源，其特征在于：上述受光元件设置在形成上述光波导的基板的侧面。
13.按权利要求1或权利要求5所述的相干光源，其特征在于：进而具有铯气体单元和受光元件，由上述受光元件检测透过上述铯气体单元后的上述基波光。
14.按权利要求5所述的相干光源，其特征在于：通过利用电光效应或温度变化改变上述波长变换元件的折射率，来改变上述波长变换元件的相位整合波长。
15.一种安装了权利要求1～14的任一权项所述的上述相干光源的记录再生装置，其特征在于：在再生记录在媒体上的全息图信息时，将上述相干光源调整为最佳波长以便满足布拉格条件。
16.一种记录再生装置，其特征在于：具有权利要求1～14的任一权项所述的上述相干光源和将从上述相干光源发射出的光聚焦到信息载体上的光学系统。
CNB011427833A 2000-10-31 2001-10-31 相干光源和使用相干光源的记录再生装置 Expired - Fee Related CN1294563C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP332037/00 2000-10-31
JP2000332037 2000-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1351332A true CN1351332A (zh) 2002-05-29
CN1294563C CN1294563C (zh) 2007-01-10

Family

ID=18808294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011427833A Expired - Fee Related CN1294563C (zh) 2000-10-31 2001-10-31 相干光源和使用相干光源的记录再生装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6845113B2 (zh)
CN (1) CN1294563C (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100432821C (zh) * 2004-07-15 2008-11-12 松下电器产业株式会社 相干光源和使用该光源的光学装置
CN102170311A (zh) * 2010-07-07 2011-08-31 曹祥东 一种基于远端全相干发射与接收的相干传输方法及装置
CN101055731B (zh) * 2006-04-13 2011-10-12 汤姆森特许公司 用于全息存储系统中的波长失配补偿的方法
CN101939699B (zh) * 2008-02-19 2012-09-05 日本碍子株式会社 高次谐波发生器
CN104103295A (zh) * 2013-04-05 2014-10-15 日立乐金资料储存股份有限公司 光信息记录再现装置和光信息记录再现方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7010006B2 (en) * 2001-06-22 2006-03-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source apparatus and its control method
JP2003188455A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 単一波長レーザモジュール
EP1550905A4 (en) * 2002-09-10 2009-02-25 Furukawa Electric Co Ltd WAVELENGTH IMPLEMENTATION MODULE
KR100536712B1 (ko) * 2003-08-25 2005-12-14 주식회사 대우일렉트로닉스 홀로그래픽 롬 재생 시스템
JP2005195965A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Sharp Corp ホログラム素子、その製造方法、電子光学部品
JPWO2005098529A1 (ja) * 2004-04-09 2008-02-28 松下電器産業株式会社 コヒーレント光源および光学装置
JP5107028B2 (ja) * 2005-03-02 2012-12-26 パナソニック株式会社 記録再生装置
US8050302B2 (en) * 2007-12-07 2011-11-01 Panasonic Corporation Wavelength conversion laser light source, laser light source device and two-dimensional image display device adopting the same, and method of setting temperature of wavelength conversion element
US20110116520A1 (en) * 2008-07-07 2011-05-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Eye-safe laser-based lighting

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927945A (en) * 1974-10-29 1975-12-23 Harry Eugene Bates Optical coherence and wavelength measurement
US4939388A (en) * 1985-05-10 1990-07-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Second harmonic generation by inclusion complexes of cyclodextrin compounds
JP2805400B2 (ja) 1991-06-14 1998-09-30 富士写真フイルム株式会社 光波長変換装置
JPH05165388A (ja) 1991-12-11 1993-07-02 Dainippon Printing Co Ltd ホログラム
US5301059A (en) 1992-03-03 1994-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Short-wavelength light generating apparatus
US5303247A (en) * 1992-03-11 1994-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical harmonic generating device for generating harmonic wave from fundamental wave and shorter wavelength laser generating apparatus in which fundamental wave of laser is converted to harmonic wave with the device
US5202741A (en) * 1992-06-29 1993-04-13 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Active imaging system with Faraday filter
EP0703649B1 (en) * 1994-09-14 2003-01-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for stabilizing output of higher harmonic waves and short wavelength laser beam source using the same
US5835650A (en) * 1995-11-16 1998-11-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical apparatus and method for producing the same
US5960259A (en) * 1995-11-16 1999-09-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical apparatus and method for producing the same
US6370169B1 (en) * 1998-04-22 2002-04-09 Nippon Telegraph & Telephone Corporation Method and apparatus for controlling optical wavelength based on optical frequency pulling
JP4485617B2 (ja) * 1998-05-18 2010-06-23 パナソニック株式会社 光波長変換素子並びにそれを使用したコヒーレント光発生装置及び光情報処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100432821C (zh) * 2004-07-15 2008-11-12 松下电器产业株式会社 相干光源和使用该光源的光学装置
CN101055731B (zh) * 2006-04-13 2011-10-12 汤姆森特许公司 用于全息存储系统中的波长失配补偿的方法
CN101939699B (zh) * 2008-02-19 2012-09-05 日本碍子株式会社 高次谐波发生器
CN102170311A (zh) * 2010-07-07 2011-08-31 曹祥东 一种基于远端全相干发射与接收的相干传输方法及装置
CN104103295A (zh) * 2013-04-05 2014-10-15 日立乐金资料储存股份有限公司 光信息记录再现装置和光信息记录再现方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1294563C (zh) 2007-01-10
US20020061033A1 (en) 2002-05-23
US6845113B2 (en) 2005-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1294563C (zh) 相干光源和使用相干光源的记录再生装置
CN1302587C (zh) 光源装置
CN1248203C (zh) 全息照相术光信息记录再现装置
KR100254640B1 (ko) 광학장치 및 그 제조방법
CN1739061A (zh) 光学波导设备、采用它的相干光源和具有它的光学装置
CN101046988A (zh) 记录光学信息的介质,设备和方法
EP1096484A3 (en) Optical multilayer disk, multiwavelength light source, and optical system using them
KR20050010809A (ko) 고융점의 기록층을 갖는 기록 매체 및 그 기록 매체의정보 기록 방법, 및 그 기록 매체로부터 정보를 재생하는정보 재생 장치 및 정보 재생 방법
CN1339706A (zh) 动态控制衍射光栅,信息读/写装置和信息读取装置
CN101040225A (zh) 相干光源及使用了该相干光源的记录再生装置
CN1223891C (zh) 光波导器件、使用了光波导器件的相干光源及光学装置
CN1320540C (zh) 光信息处理装置和记录介质
JP2001194695A (ja) 光導波路デバイス及びこれを用いた多波長光源及びこれを用いた光学システム
US5461602A (en) Optical recording and reproducing method and apparatus using light beams of two different wavelenghts
JP2002204023A (ja) コヒーレント光源及びそれを用いた記録再生装置
CN1522440A (zh) 光学记录再生介质、光学记录再生介质制造用原盘以及光学记录再生装置
JP3707775B2 (ja) 光ディスクシステム
Okumura et al. Multi-beam light source using optical waveguide for optical recording
JPS60154337A (ja) 光ピツクアツプ装置
JPH11232680A (ja) 短波長光源および、それを用いた光記録装置
JPH09265652A (ja) 光ピックアップ
JP3707774B2 (ja) 光ディスクシステム
JP3990302B2 (ja) 光記録再生方法及び光記録媒体
JPH10143909A (ja) 光ピックアップ装置
JPH01312754A (ja) 電荷像記録の再生装置における再生素子のトラッキング制御方式

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070110

Termination date: 20101031