CN1338121A - 用于产生混合色电磁辐射的半导体元件 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
用于产生混合色电磁辐射(S)的半导体元件,它具有包含第一半导体层(R)和与其相邻安排的具有电致发光区(B)的第二半导体层(E)。第一半导体层(R)具有一种材料,该材料在用由第二半导体层(E)发射的波长λE的第一电磁辐射激发时,再发射至少一种较长波长λR的辐射。
Description
本发明涉及产生混合色电磁辐射，尤其是白光的半导体元件，它具有包含第一半导体层和与其相邻安排的具有电致发光区的第二半导体层的半导体芯片。
白光现在主要用发射具有宽光谱光的白炽灯或荧光管产生。
相反，发光半导体元件，如发光二级管(LED)或半导体激光二极管，具有典型只有10到25nm宽的，即它近似地为单色的发射光谱。但它具有特殊的优点，它只需白炽灯或荧光管所需电流的一小部分。此外，其寿命明显大于白炽灯或荧光管。当需要大面积发射体时，LED或激光二极管以简单方式联接成阵列。
用三原色红、绿、兰或两互补色兰和黄的LED可以通过相叠加的混色产生对人眼显示白色的光。但这里特殊的缺点是：必须分别单个用电控制三只或两只发光二极管，因此必需高价的控制线路(不同类的LED通常需要不同的控制电压)，这必需较高的装配开销和强烈制约组件的微型化。
在WO97/50132内描述了发射白光的发光二极管元件，其中在发射兰光的发光二极管芯片上淀积包含YAG磷光体的发光变换层。发光变换层在通过兰光或紫外辐射激励时在黄光频谱区内发射。对眼而言由兰色一次光和黄色二次光组成的混合色作为白光感受。这里的缺点是为制造发光变换层要附加工艺步骤。
本发明的任务是发展发射混合色光的半导体元件，其制造只需较少的技术费用。
本任务主要通过具有权利要求1特征的半导体元件解决。
半导体元件的有益的实施结构和发展是从属权利要求2到6的对象。
据此，在本文开始所述类型的半导体元件中，第一半导体层主要具有其吸收光谱边的位置相当于波长λabs的材料，该λabs大于从第二半导体层发射的辐射波长λE，并且在用小于λabs波长的辐射激励时再发射大于λabs的波长λR的辐射。
在优选的实施结构中，衬底作为第一半导体层用于第二半导体层的外延生长。
在另一优选的实施结构中，无论第一或第二半导体层均借助外延淀积在生长衬底上。
一种有利的实施结构具有包含ZnSe的第一半导体层(R)，和包含CdxZn1-xSe/ZnSe量子阱系统(其中0≤x≤1)，尤其是多量子阱系统作为有源区的第二半导体层(E)。
半导体层这个概念在这里不仅指由均匀半导体材料构成的单层，而且也指层系或由多个不同层构成的层系和/或指渐变层。
本发明依靠三个实施例并结合附图1至5详细说明如下。即：
图1示出发光二极管芯片的第一原理结构，
图2示出发光二极管芯片的第二原理结构，
图3示出发光二极管芯片的第3原理结构，以及
图4示出本发明发光二极管芯片的原理波长谱，
图5示出本发明发光二极管芯片的原理能带图。
在图1的发光二极管芯片C的原理结构中，一功能半导体层E淀积在衬底R上。
通常衬底R是单晶的，借助于从熔体中控制，切成薄圆片并抛光制成。
关于功能半导体层E，以下大多简称为发射层E，应理解为用于在电流通过芯片时在电致发光区B内产生电磁辐射的一层或多层半导体层的安排。
衬底R作为牢固的机械基底具有几百微米厚度，约比其上外延生长的发光层厚约100倍。
发光二极管芯片的典型功能半导体层E众知多由不同厚度、组成和掺杂的多层半导体层构成。具有量子薄膜的pn结常用作电致发光区B.整个系统的厚度通常处于微米范围。
为了通过有目的的掺杂或混合，以及通过在功能半导体层E内产生原子级光滑界面达到特性的有目的改变，这些借助于例如MBE(分子束外延)和/或MOVPE(金属有机汽相外延)制造。
在图1的实施例，功能半导体层E的发射波长λE短于相当于衬底R吸收光谱边的波长λabs。
当用比λabs短的波长的辐射激励时，在室温或运行温度下，在衬底R中在波长λR(再发射波长)时高效辐射复合占主要地位。因此衬底R的禁带宽度小于发射层E的发射跃迁的禁带宽度。在衬底R内，在发光二极管芯片工作时吸收至少一部分由发射层E向衬底R方向发射的辐射。接着在大于λabs的再发射波长λR，出现从衬底R的再发射，其中，在这里衬底R的禁带宽度内的一些能态参与了再发射。
因此，实现了发射二种显著不同波长辐射S的紧装芯片。因为彼此邻近存在两个产生光的体积，所以对人眼而言，产生混色光的印象以及在特殊情况下也可产生白光印象。当发光二极管芯片处于小抛物镜P内时，正如LED流行的并如图1简图所示那样，这种效应更会加强。
图2的实施例与图1的区别主要在于：吸收和再发射不发生在生长衬底A内，而是在这里提供在生长衬底A和发射层E之间安排的单独的再发射层R，并具有如图1实施例衬底相同的特性。在这里生长衬底A构成为不是透明的就是吸收的，在这里只用作生长衬底。
图3的实施例基本上与图2相同，其区别仅在于：在这里再发射层R不安排在生长衬底A和功能半导体层B之间，而是安排在与生长衬底A对置的发射层E的一侧上。
通过例如在具有量子阱结构的功能半导体层E内量子阱厚度的改变或在功能半导体层E内组成的改变，可以在一定范围内调整发射波长λE，其中应注意到条件λE＜λabs。衬底或再发射层R的吸收边的位置由选择衬底材料或再发射层材料决定。再发射波长λR(相对于吸收边A)与产生禁带宽度能态的类型有关。
通过以下几点可以有目的影响比值(衬底R或再发射层R发射的辐射强度/功能半导体层E发射的辐射强度)，即：
a)衬底或再发射层R的厚度和因此吸收的和再发射的体积的厚度(这可以例如通过变薄达到)，
b)在衬底或再辐射层R内的辐射复合率(这可以通过(不)辐射的再复合通道的有目的的加入)，
c)波导体的有效性(极明亮的LED作为所谓的双异质结构制造，这里人们通过层的相应的折射率突变达到垂直生长方向的波导效果。这种波传输越好，则通常到达衬底里或在再发射层R里的光子越少，与从衬底或从再发射层R发射的辐射比较它的部分越大)；以及
d)相对于衬底或再发射层R的吸收边的发射波长λE的位置(发射波长λE处于越接近衬底或再发射层R的吸收边，则衬底或再发射层R越透明，在那里吸收/再发射越少。为了维持衬底或再发射层部分较小，即使还发生满足λE＞λabs的吸收时，偏离条件λE＜λabs也可能是必须的。)
在图4所示的波长谱中，横坐标上是波长λ，纵坐标上是强度，都没有标度。具有峰值波长λE的发射层E的发射光谱ES处于比具有峰值波长λR的再发射层R的发射光谱RS较短的波长下。再发射层R的吸收边K处在发射光谱ES和再发射光谱RS之间的波长λabs处。
在图5的能带图上，垂直方向表示能量。左边部分示出发射层E的禁带宽度，垂直的和蛇形箭头表示在发射层内的辐射跃迁。能带图的右边部分用禁带宽度中的能态示出再发射层R的禁带宽度。垂直的的蛇形的箭头也表示在再发射层的辐射跃迁。在再发射层R内的再发射通过由发射层E发出的辐射激发。
用于制造这种半导体芯片的优选的材料系，例如是在作为第一半导层R的ZnSe衬底上包含CdxZn1-xSe/ZnSe(0≤x≤1)的第二半导体层E。
在室温ZnSe具有2.7eV的禁带宽，这相当于460nm的波长。在体积材料的许多生长法中，高温或原材料的缺少的纯度导致杂质非有意地掺λ到晶体内，这些杂质随后可以导致在禁带宽度内的一些能态。导电的ZnSe衬底示出约600nm的特别强的室温电致发光，正如它们能够通过在锌蒸汽内附加的退火或通过用铝掺杂产生的那样。
在这种情况下，例如具有(Cd，Zn)Se/ZnSe多量子阱系统的简单的ZnSe-p-n二极管作为有源区(电致发光区B)适合作第二半导体层E。各按镉含量，由这种有源区发射的兰色辐射(460nm)的波长λE可移位到绿色(540nm)。
衬底吸收边λabs通过高碘含量移位到515nm。因此，当例如具有489nm和/或508nm发射波长的发光二极管结构淀积到衬底上时，就满足了图1实施例的半导体元件的所有前提，
优先应用借助布里奇曼晶体生长法制造的ZnSe：I衬底作衬底。其它可能的衬底晶体生长法是碘输运晶体生长法和升华晶体生长法。
上述衬底不一定用作在层的生长过程期间的衬底。确切地说，层和吸收/再发射衬底的接触恰在事后例如通过晶片键合制造。
所希望的混合色可通过合适选择发射层(第二半导体层E)和衬底(第一半导体层R)达到。
Claims (6)
1.用于产生混合色电磁辐射(S)，尤其是白光的半导体元件，它具有包含一个第一半导体层(R)和与其相邻安排的第二半导体层(E)的半导体芯片(C)，而第二半导体层(E)包含电致发光区(B)，其特征为，
第一半导体层(R)具有一种材料，该材料在用由第二半导体层(E)发射的波长λE的第一电磁辐射激发时，发射至少较长的波长λR的辐射；波长λE的发射的辐射和波长λR的再发射的辐射一起产生混合色辐射(S)。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征为，
第一半导体层(R)主要包含具有吸收边的材料，其能级相当于波长λabs，该波长λabs大于由第二半导体层(E)发射的辐射的波长λε，该材料在用比λabs短的波长激发时再发射大于λabs的波长λR的辐射。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征为，
用于第二半导体层(E)外延生长的衬底同时用作第一半导体层(R)。
4.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征为，
第一半导体层(R)安排在生长衬底(A)和第二半导体层(E)之间。
5.根据权利要求1或2所述的半导体元件，其特征为，
第一半导体层(R)安排在与生长衬底(A)对置的第二半导体层(E)的一侧上。
6.根据权利要求1到5之一所述的半导体元件，其特征为，
第一半导体层(R)具有掺杂的ZnSe，而第二半导体层(E)具有CdxZn1-xSe/ZnSe(0≤x≤1)。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19902750.1 | 1999-01-25 | ||
| DE19902750A DE19902750A1 (de) | 1999-01-25 | 1999-01-25 | Halbleiterbauelement zur Erzeugung von mischfarbiger elektromagnetischer Strahlung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1338121A true CN1338121A (zh) | 2002-02-27 |
| CN1166009C CN1166009C (zh) | 2004-09-08 |
Family
ID=7895252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB008030936A Expired - Lifetime CN1166009C (zh) | 1999-01-25 | 2000-01-25 | 用于产生混合色电磁辐射的半导体元件 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6900466B2 (zh) |
| EP (1) | EP1153442B1 (zh) |
| JP (1) | JP4851648B2 (zh) |
| CN (1) | CN1166009C (zh) |
| DE (1) | DE19902750A1 (zh) |
| TW (1) | TW478177B (zh) |
| WO (1) | WO2000044053A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW497277B (en) * | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7112916B2 (en) * | 2002-10-09 | 2006-09-26 | Kee Siang Goh | Light emitting diode based light source emitting collimated light |
| DE102004052245A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem derartigen Halbleiterchip |
| US9331252B2 (en) | 2011-08-23 | 2016-05-03 | Micron Technology, Inc. | Wavelength converters, including polarization-enhanced carrier capture converters, for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
| US8975614B2 (en) | 2011-08-23 | 2015-03-10 | Micron Technology, Inc. | Wavelength converters for solid state lighting devices, and associated systems and methods |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3137685C2 (de) | 1981-09-22 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leuchtdiode für Signalleuchten. |
| FR2538171B1 (fr) * | 1982-12-21 | 1986-02-28 | Thomson Csf | Diode electroluminescente a emission de surface |
| US4784722A (en) * | 1985-01-22 | 1988-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Method forming surface emitting diode laser |
| US4775876A (en) * | 1987-09-08 | 1988-10-04 | Motorola Inc. | Photon recycling light emitting diode |
| DE3835942A1 (de) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | Telefunken Electronic Gmbh | Flaechenhafter strahler |
| JPH0429374A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-01-31 | Omron Corp | 面出射型半導体発光素子およびその作製方法 |
| JPH04186679A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-03 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2685377B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1997-12-03 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| SE468410B (sv) * | 1991-05-08 | 1993-01-11 | Asea Brown Boveri | Ytlysande lysdiod |
| US5488233A (en) * | 1993-03-11 | 1996-01-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device with compound semiconductor layer |
| US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
| JPH0856203A (ja) | 1994-08-12 | 1996-02-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 無線測定方法および装置とこれを用いた無線中継装置 |
| JPH11503879A (ja) | 1995-12-21 | 1999-03-30 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 多色光放出ダイオード、その製造方法及びこのｌｅｄが組み込まれた多色表示装置 |
| JP2734441B2 (ja) * | 1996-01-29 | 1998-03-30 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JP3471161B2 (ja) | 1996-03-22 | 2003-11-25 | 三菱電機株式会社 | ケーブル接続用補助具及びケーブル接続方法 |
| EP0856202A2 (en) * | 1996-06-11 | 1998-08-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices |
| EP1439586B1 (de) | 1996-06-26 | 2014-03-12 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| JPH1056203A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-24 | Nippon Sanso Kk | 発光素子 |
| JPH10144961A (ja) * | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子 |
| US5966393A (en) * | 1996-12-13 | 1999-10-12 | The Regents Of The University Of California | Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications |
| JP3449194B2 (ja) | 1997-01-28 | 2003-09-22 | 松下電工株式会社 | 回転機器の異常診断方法およびその装置 |
| JPH10261818A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
| JPH10282494A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6784463B2 (en) * | 1997-06-03 | 2004-08-31 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices |
| JP3559446B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
| TW406442B (en) * | 1998-07-09 | 2000-09-21 | Sumitomo Electric Industries | White colored LED and intermediate colored LED |
| JP4348488B2 (ja) * | 1998-11-13 | 2009-10-21 | 住友電気工業株式会社 | 発光基板ｌｅｄ素子 |
| TW413956B (en) * | 1998-07-28 | 2000-12-01 | Sumitomo Electric Industries | Fluorescent substrate LED |
-
1999
- 1999-01-25 DE DE19902750A patent/DE19902750A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-01-25 JP JP2000595388A patent/JP4851648B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-25 WO PCT/DE2000/000201 patent/WO2000044053A1/de active Application Filing
- 2000-01-25 CN CNB008030936A patent/CN1166009C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-25 EP EP00907442.8A patent/EP1153442B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-25 TW TW089101168A patent/TW478177B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-25 US US09/915,985 patent/US6900466B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1153442A1 (de) | 2001-11-14 |
| DE19902750A1 (de) | 2000-08-03 |
| WO2000044053A1 (de) | 2000-07-27 |
| JP2003529200A (ja) | 2003-09-30 |
| EP1153442B1 (de) | 2015-01-07 |
| US20020008244A1 (en) | 2002-01-24 |
| JP4851648B2 (ja) | 2012-01-11 |
| CN1166009C (zh) | 2004-09-08 |
| TW478177B (en) | 2002-03-01 |
| US6900466B2 (en) | 2005-05-31 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| C06 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH + CO. OHG Free format text: FORMER NAME: SIEMENS AG |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Regensburg, Germany Patentee after: Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Address before: Regensburg, Germany Patentee before: Siemens AG |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: OSRAM AG Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH + CO. OHG Effective date: 20111229 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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|
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20040908 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |