CN1326545A - 检测电路 - Google Patents

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Abstract

公开了一种使用跨阻抗放大器电路的光电二极管检测电路。通过与光电二极管串联的过载保护二极管,把光电二极管的过载电流引到电压电源,例如地线,而不进入放器。还公开了一种差动结构。

Description

检测电路
技术领域
本发明涉及一种检测电路，更具体地说，一种产生取决于入射光信号中的光强度的电压信号的电路。
发明背景
众所周知包括产生与入射光的强度成比例的电流的光电二极管检测器的检测电路。所述电路还包括把所述电流转换成输出电压的跨阻抗放大器电路。例如，美国专利US-5030925说明了这种类型的检测电路。
所述类型的检测电路的一个公认的问题是输入光信号强度以及因此与其成比例的光电二极管电流可在极广的动态范围内变化。例如，可能必需处理在几个数量级内变化的输入信号。如果没有特别注意在放大器输入端的阻抗的设计值，则在对低信号电平产生足以大到有用的输出信号而对大输入信号电平产生电路可以处理的、不会饱和或者限幅的输出信号方面会有问题。
美国专利US-5708392公开了一种带有限幅跨阻抗放大器(TIA)电路的检测电路，在所述电路中，放大器电路具有反馈电阻器，该反馈电阻的两端接有二极管。因此，在高信号电平，所述二极管传导输入的电流，并把输出电压限制到低于将导致放大器的输出级饱和的电平。在输入/输出之间使用二极管的TIA放大器必须处理其输出级的过载电流，这就需要具有更大电容的更大晶体管。因此这些设计更复杂并且当在集成电路中进行制作时需要更多的硅面积。
此外，欧洲专利EP-A-0745868公开了一种带有光电二极管检测器与跨阻抗放大器的检测电路。为了能在初始检测阶段期间处理过多的输入电流，通过另外的一个二极管把光电二极管接地，还通过一个RC网络把光电二极管连接到正电源电压。
发明概要
本发明涉及一种在最佳实施例中能处理高过载电流的检测电路，更具体地说，一种能处理持续高过载电流的检测电路。
有利地，本发明的检测电路可包括与检测光电二极管串联并通过低AC阻抗及平坦频率响应的连接件连接到电源电压的过载保护二极管。过载保护二极管与检测光电二极管之间的接点馈给跨阻抗放大器，最好在截止信号电流调整跨阻抗放大器的输入阻抗与过载保护二极管的阻抗匹配。对低于截止电流的信号电流来说，大部分电流施加到跨阻抗放大器，反之，对高于截止电流的信号电流来说，大部分电流通过过载保护二极管未进入跨阻抗放大器。
这具有可简化放大器设计的优点。
附图简介
图1是根据本发明的第一检测电路的示意电路图。
图2是根据本发明的第二检测电路的示意电路图。
图3是根据本发明的第三检测电路的示意电路图。
图4是根据本发明的第四检测电路的示意电路图。
图5是根据本发明的第五检测电路的示意电路图。
图6是根据本发明的第六检测电路的示意电路图。
图7是根据本发明的第七检测电路的示意电路图。
图8是根据本发明的第八检测电路的示意电路图。
最佳实施例详细说明
图1示出了检测电路2。设置检测光电二极管4来检测入射光信号，所述入射光信号可以是例如包含在从光纤输出的光中的信号。通常，所述光纤可能正传送由逻辑“1”和“0”构成的数字信号。逻辑“1”的光强度可能是逻辑“0”的十倍。然而，光电平可在极广的范围内变化。所述检测电路可从与功率广泛变化的发射机相连接的光纤接收信号。此外，所述检测电路可结合长的或短的光纤一起使用，这些光纤相应地有着不同程度的光信号衰减。因此，将上述两点合起来，逻辑“0”的强度可按几个数量级变化。
在本示例实施例中，检测光电二极管4以反向偏置直接连接到正电源电压Vcc，就原理而论，可通过低DC及AC阻抗与一般平坦频率响应的任何连接件连接到正电源电压Vcc。
所述检测光电二极管的作用是引出与入射光强度成比例的信号电流Is。
所述检测光电二极管4的正极与跨阻抗放大器电路6相连，所述电路6包括跨阻抗放大器8与反馈电阻器10。本身已经知道构成跨阻抗放大器电路6的电路的组成。放大器8的增益为A1，电阻器10的电阻值为Rt。在输出端子12，跨阻抗放大器电路6的输出构成检测电路输出。
放大器的增益在很大程度上不受输入信号电平支配，而如上所述，信号电流Is可在很宽的范围内变化。例如，信号电流可低至几毫微安培，高至几毫安。因此，如果要有可接受的宽动态范围，检测电路2需要能够处理在高输入信号电平下的过载电流。
根据本发明，过载电流由过载保护二极管处理，在本发明的本示例实施例中，所述过载保护二极管采取NPN晶体管14的形式，其集电极与基极端子连接在一起并与光电二极管4的正极相连，并且其发射极端子接地。
在集电极-发射极传导路径上，所述晶体管14的电阻Re是在此路径通过的电流Ic的反函数。因此，在低电流下，晶体管14有高电阻，但在较高电流下，电阻降低。更具体地说，电阻由下列算式给出：
Re＝Vt/Ic
其中，Vt是二极管热电压，在室温下大约25毫伏。
同时，所述跨阻抗放大器电路6有通常恒定的输入阻抗Ra，而且在很大程度上，所述输入阻抗Ra由所述放大器8的增益A1与所述电阻器10的电阻值Rt确定。大致上，输入阻抗由下列算式给出
Ra＝Rt/A1
按照取决于跨阻抗放大器电路输入阻抗Ra与过载保护二极管动态电阻Re的相对量的比例，信号电流的一部分Ia流入所述跨阻抗放大器电路6，剩余部分Ic流入所述过载保护二极管14。
在某些情况下，最好可在所述光电二极管4的正极与所述放大器6的输入端之间插入一个电容器，以便可单独地对放大器加偏压，以适应电路装置与可用电源。
通过适当地选择电阻值Rt与放大器增益A1，可调整跨阻抗放大器电路输入阻抗，以便优先将超过一定范围的过载电流传递到过载保护二极管。例如，可将输入阻抗设计为与一特定电流下的二极管电阻相等。在较低电流下，大部分信号电流传送到放大器；在较高电流下，大部分信号电流通过过载保护二极管传送到地线。
在一个最佳实施例中，Rt＝6千欧，而且A1＝30，产生200欧姆的输入阻抗。当Ic＝125微安时，Re＝200欧姆。
在较低光信号电平并因此较低的光电二极管电流下，大部分光电二极管电流流入放大器。在那种情况下，由表示“1”和“0”的光信号之间的光电二极管电流的变化导致的差动输出电压Vout取决于放大器输入电流与反馈电阻器10的电阻值Rt。把表示“1”的光信号的光电二极管电流定义为Is1，而把表示“0”的光信号的光电二极管电流定义为Is0，并且以所有光电二极管电流传送到放大器输入端的限幅情况为例，差动输出电压由下列算式给出：
Vout＝Rt.(Is1-Is0)
其中，例如表示“1”的光信号的光电二极管电流是10微安，表示“0”的光信号的光电二极管电流是1微安，而且，其中Rt＝6千欧，Vout＝54毫伏。
在较高的光信号电平并因此较高的光电二极管电流下，大部分光电二极管电流流入过载保护二极管，因为过载保护二极管的电阻比跨阻抗放大器的输入阻抗低。例如，表示“1”的光信号的光电二极管电流可为5毫安，而且表示“0”的光信号的光电二极管电流可为500微安。(其中，与上述示例中200欧姆的放大器阻抗相比，其电阻是5欧姆的过载保护二极管的电流是5毫安。)在那种情况下，由表示“1”和“0”的光信号之间的光电二极管电流的变化导致的差动输出电压Vout取决于由所通过的增加的电流所造成的晶体管基极-发射极电压的增加。然后放大器将所述增加的基极-发射极电压放大。
仍然把表示“1”的光信号的光电二极管电流定义为Is1，而把表示“0”的光信号的光电二极管电流定义为Is0，并且以所有光电二极管电流传送到过载保护二极管的限幅情况为例，差动输出电压由下列算式给出： Vout = Al . Vt . log t ( Is 1 Is 0 ) = Al . Vt . log t 10 . log 10 ( Is 1 Is 0 )
如前所述，由于表示“1”的光信号的光电二极管电流通常是表示“0”的光信号的光电二极管电流的10倍，而且如前所述A1＝30，那么，在室温下，Vout＝1800毫伏。
因此，在上述两种情况之间，虽然输入信号电平增加(5毫安/10微安)＝500倍，输出信号电平仅增加(1800毫伏/54毫伏)＝33倍。
因此，在高信号电流下，二极管的电阻降低，而且更多的信号电流流入二极管而不是跨阻抗放大器电路。随着信号电流变化，自动进行这种调整。因此提供了过载保护，增加了检测电路的动态范围。此外，因为到电源的连接件具有低AC与DC阻抗，检测电路既可处理高频率瞬时过载也可处理低频率持续过载。
图2示出了根据本发明的一种可选检测电路22，其中检测光电二极管24被反向偏置地连接在正电源电压Vcc与地线之间，而且引出取决于入射光强度的信号电流Is。
然而，在本实施例中使用了一种差动跨阻抗放大器结构。更具体地说，第一跨阻抗放大器电路26被连接到光电二极管24的负极，而第二跨阻抗放大器电路28被连接到光电二极管24的正极。第一跨阻抗放大器电路26包括放大器30与电阻器32，第二跨阻抗放大器电路28包括放大器34与电阻器36。两个跨阻抗放大器相匹配，具有相同的原理图与匹配的电路图。第一与第二跨阻抗放大器电路的输出信号被传送到差动电路放大单元38，所述放大单元38产生差动输出信号。
仍然由NPN晶体管40与42构成的、其基极与集电极连接在一起的各个过载保护二极管与光电二极管24的负极与正极相连。所述二极管40直接连接到正电源电压Vcc，而所述二极管42直接接地。
此外，由于两个放大器电路26与28的输入必须有相同的DC电压，其来自光电二极管的各自的输入信号通过各个电容器44与46被AC耦合到放大器电路输入端。
方便地，图2中所示电路22可集成于一块单芯片上。换句话说，过载保护二极管可为包含检测电路其它部分的芯片的外部。
因此，如上所述，在高信号电流下，过载保护二极管40与42的电阻降低，而且更多的信号电流Is流入过载保护二极管而不是跨阻抗放大器电路26与28。
目前，图1与2的电路代表本发明的最佳实施例。一般而言，所述过载保护二极管可由具有随所通过的电流而变化的电阻的任何电路块或组件来代替。
图3是一般类似于图1中装置的一种装置的电路图(图中相同的标号表示相同的组件)，其中过载保护二极管14由保护电路60代替。
如前所述，在某些情况下，最好可在所述光电二极管4的正极与所述放大器6的输入端之间插入电容器，以便可单独地对放大器加偏压，以适应电路装置与可用电源。
类似地，图4是一般类似于图2中装置的一种装置的电路图(图中相同的标号表示相同的组件)，其中过载保护二极管40与42由保护电路62与64代替。
例如，在某些情况下，最好可增加跨阻抗放大器电路可用的前置空间(headroom)。在那种情况下，如图5所示，保护电路62与64可采取各个成对串联二极管66、68与70、72的形式。
图6与7示出了另外的电路，其中保护电路采取不同的形式。在两种情况下，这些电路是基于图3中的电路，与图3中相同的组件由相同的标号表示，在此将不再说明。
在图6的电路中，保护电路60包括NPN晶体管80，其集电极端子与光电二极管4的正极相连而其发射极端子接地。另一个NPN晶体管82的基极端子与晶体管80的集电极相连，其发射极端子与晶体管80的基极相连。晶体管82的发射极端子还通过电流源84接地。所述电路允许设置偏置电平，以便在高光电二极管电流下，大部分电流转向地线。
在图7的电路中，保护电路60包括NPN晶体管90，其集电极端子与光电二极管4的正极相连而其发射极端子接地。在晶体管90的基极端子与集电极端子之间连接有低阻抗参考电压源92。这允许设置光电二极管4正极的电压为所需的电平。此外，可设计参考电压源92以向电路提供所需的温度系数。
图8示出了根据本发明的另一种检测电路。仍然，所述装置一般类似于图1中的装置(图中相同的标号表示相同的组件)。在这种情况下，所述电路包括AC耦合电容器70，所述电容器70先前曾说明过但未举例说明，并接在光电二极管4的正极与放大器6的输入端之间。
另外，在正电源电压干线与光电二极管4的正极之间连接有恒流Ib的恒流源72。所述偏置电流Ib增加了不受光电二极管电流支配的过载保护二极管14内的电流，这意味着，比较输入“1”和“0”，在过载的情况下，过载保护二极管内的电流的比率(而且因此差动输出电压)降低了。
这一相同的原理可用于双端电路。例如，在图2的电路中，电流源可与光电二极管24并联。换句话说，第一电流源可连接在正电源电压干线与光电二极管24的正极之间，而第二电流源连接在接地电源电压干线与光电二极管24的负极之间。
至此利用由双极晶体管构成的二极管说明了检测电路。将会知道，用BiCMOS或CMOS来实现所述检测电路同样是可能的。
这里，说明了一种动态地对高输入信号电平反映的电路，以使过载电流不进入放大器来实现宽动态范围的检测电路。

Claims (16)

1.一种检测电路，包括：
引出取决于入射其上的光信号强度的电流的光电二极管；
与所述光电二极管串联并在连接节点与所述光电二极管相连的可变阻抗电路，所述可变阻抗电路的阻抗取决于通过所述可变阻抗电路的电流；
跨阻抗放大器电路，包括跨阻抗放大器与反馈电路，并具有输入端与输出端，所述跨阻抗放大器电路输入端与所述连接节点相连，所述跨阻抗放大器电路输出端构成检测电路输出端；
由具有低AC与DC阻抗的连接件将所述可变阻抗电路与所述光电二极管连接在一对电压电源干线之间的串联连接，其中
在截止电流下，所述跨阻抗放大器电路的输入阻抗与所述可变阻抗电路的阻抗相匹配，而在过载电流下，所述跨阻抗放大器电路的输入阻抗与所述可变阻抗电路的阻抗相比较则高。
2.权利要求1的检测电路，其特征在于所述跨阻抗放大器电路的反馈电路包括电阻器。
3.权利要求1的检测电路，其特征在于还包括在所述跨阻抗放大器电路与所述连接接点之间连接的电容器。
4.权利要求1的检测电路，其特征在于所述可变阻抗电路包括一个过载保护二极管。
5.权利要求4的检测电路，其特征在于所述过载保护二极管包括基极与集电极连接在一起的双极晶体管。
6.权利要求4的检测电路，其特征在于所述过载保护二极管直接与一条电压电源干线相连。
7.一种检测电路，包括：
引出取决于入射其上的光信号强度的电流的光电二极管，所述光电二极管连接在第一与第二连接节点之间；
通过具有低AC与DC阻抗的连接件连接在所述第一连接节点与第一电压电源干线之间的第一可变阻抗电路；
通过具有低AC与DC阻抗的连接件连接在所述第二连接节点与第二电压电源干线之间的第二可变阻抗电路；和
差动跨阻抗放大器电路，包括各具有输入端与输出端的第一与第二跨阻抗放大器电路，通过第一电容器将所述第一跨阻抗放大器电路输入端连接到所述第一连接节点，通过第二电容器将所述第二跨阻抗放大器电路输入端连接到所述第二连接节点，并且所述第一与第二跨阻抗放大器电路输出信号构成用以提供检测电路输出信号的差动放大器的输入信号；
在过载电流下，所述跨阻抗放大器电路的输入阻抗与所述可变阻抗电路的阻抗相比较为高。
8.权利要求7的检测电路，其特征在于每个跨阻抗放大器电路具有包括电阻器的反馈电路。
9.权利要求7的检测电路，其特征在于每个可变阻抗电路包括过载保护二极管。
10.权利要求9的检测电路，其特征在于每个过载保护二极管包括各自的基极与集电极连接在一起的双极晶体管。
11.权利要求9的检测电路，其特征在于每个过载保护二极管直接与各个电压电源干线相连。
12.一种检测电路，包括：
引出取决于入射其上的光信号强度的电流的光电二极管，所述光电二极管连接在第一与第二连接节点之间；
通过具有低AC与DC阻抗的连接件连接在所述第一连接节点与第一电压电源干线之间的第一可变阻抗电路；所述第一可变阻抗电路的所述阻抗取决于通过所述第一可变阻抗电路的电流；
通过具有低AC与DC阻抗的连接件连接在所述第二连接节点与第二电压电源干线之间的第二可变阻抗电路；所述第二可变阻抗电路的阻抗取决于通过所述第二可变阻抗电路的电流；和
差动跨阻抗放大器电路，包括各具有输入端与输出端的第一与第二跨阻抗放大器电路，通过第一电容器将所述第一跨阻抗放大器电路输入端连接到所述第一连接节点，通过第二电容器将所述第二跨阻抗放大器电路输入端连接到所述第二连接节点，并且所述第一与第二跨阻抗放大器电路的输出信号构成用以提供检测电路输出信号的差动放大器的输入信号；其中
在截止电流下，所述跨阻抗放大器电路的输入阻抗与所述可变阻抗电路的阻抗相匹配，而在过载电流下，所述跨阻抗放大器电路的输入阻抗与所述可变阻抗电路的阻抗相比较为高。
13.权利要求12的检测电路，其特征在于每个跨阻抗放大器电路具有包括电阻器的反馈电路。
14.权利要求12的检测电路，其特征在于每个可变阻抗电路包括过载保护二极管。
15.权利要求14的检测电路，其特征在于每个过载保护二极管包括各自的基极与集电极共同相连的双极晶体管。
16.权利要求14的检测电路，其特征在于每个过载保护二极管直接与各个电压电源干线相连。
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TW (1) TW437157B (zh)
WO (1) WO2000029821A1 (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7586081B2 (en) 2005-04-18 2009-09-08 Panasonic Corporation Output impedance varying circuit
CN102135712A (zh) * 2010-01-21 2011-07-27 英特赛尔美国股份有限公司 用于投影仪光束对准的系统和方法
CN102468884A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 安立股份有限公司 光电转换电路
CN103178748A (zh) * 2013-02-05 2013-06-26 天津大学 一种光电转换电路
CN104535179A (zh) * 2015-01-06 2015-04-22 山西大学 一种光电探测器
CN106130491A (zh) * 2016-06-28 2016-11-16 无锡思泰迪半导体有限公司 一种实现tia自动匹配输出阻抗的电路
CN107710740A (zh) * 2015-07-13 2018-02-16 夏普株式会社 放射线检测器
CN113008748A (zh) * 2021-03-10 2021-06-22 深圳市汇投智控科技有限公司 一种红外检测电路
CN113949449A (zh) * 2021-09-24 2022-01-18 昂纳信息技术（深圳）有限公司 光电二极管检测电路、光模块及其监控系统、监控方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000216733A (ja) * 1997-11-28 2000-08-04 Kokusai Electric Co Ltd 光電気変換方法及び受光回路及び光通信システム
JP3668926B2 (ja) * 1999-08-27 2005-07-06 株式会社ルネサステクノロジ 光インタコネクション受信モジュール
US6433638B1 (en) * 2000-09-06 2002-08-13 International Business Machines Corporation Fully balanced transimpedance amplifier for high speed and low voltage applications
US6525305B2 (en) * 2000-09-11 2003-02-25 Perkinelmer Canada, Inc. Large current watchdog circuit for a photodetector
US6756578B1 (en) * 2002-01-17 2004-06-29 Trimble Navigation Limited Photocell bias circuit
KR100444911B1 (ko) * 2002-01-29 2004-08-21 한국과학기술원 광수신기용 차동 트랜스임피던스 증폭기
JP3813516B2 (ja) * 2002-02-27 2006-08-23 株式会社東芝 光検出回路
TWI222755B (en) * 2004-02-06 2004-10-21 Ind Tech Res Inst Optical receiving device
US7385170B1 (en) * 2004-08-24 2008-06-10 Semiconductor Components Industries, Llc Ambient light suppression circuit for photodiode receiver applications
US7361882B2 (en) * 2005-04-14 2008-04-22 Sensors Unlimited, Inc. Method and apparatus for providing non-linear, passive quenching of avalanche currents in Geiger-mode avalanche photodiodes
DE102005044679A1 (de) * 2005-09-19 2007-03-22 Vishay Semiconductor Gmbh Schaltungsanordnung zur Versorgung einer Photodiode mit einer Vorspannung
JP5320841B2 (ja) * 2008-06-17 2013-10-23 住友電気工業株式会社 増幅器および光モジュール
KR101183986B1 (ko) 2008-12-19 2012-09-19 한국전자통신연구원 고입력 임피던스를 갖는 리드아웃 회로
US20130092843A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Marcos de Azambuja Turqueti Miniature Radiation Detector Module Configured as Smart Mobile Device/Phone Ad-On
WO2013162552A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Open-gain trans-impedance amplifier with programmable input impedance
CN104508976A (zh) * 2012-08-13 2015-04-08 惠普发展公司，有限责任合伙企业 与光模块热隔离的跨阻抗放大器(tia)
CN105899918B (zh) * 2014-01-08 2018-01-16 旭化成微电子株式会社 二极管型传感器的输出电流检测ic芯片以及二极管型传感器装置
EP2896940B1 (en) * 2014-01-20 2019-04-24 Molecular Devices, LLC Differential photodiode integrator circuit for absorbance measurements
KR101667305B1 (ko) * 2014-07-30 2016-10-19 전자부품연구원 버스트 모드에서 고속으로 외란 광을 제거할 수 있는 tia
US9754981B2 (en) * 2015-06-05 2017-09-05 General Electric Company Solid state photomultiplier having an intermediate region coupled between high and low voltage regions and associated detector
US9882638B2 (en) * 2015-07-28 2018-01-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical receiver signal strength indicator (RSSI) circuit having a variable supply voltage filter impedance
CN108141185B (zh) * 2015-10-05 2021-08-03 瑞典爱立信有限公司 包括限幅的放大装置
US10145736B2 (en) * 2016-04-19 2018-12-04 Texas Instruments Incorporated Bias currents to reverse-bias photodiode in light detection system
CN107765075B (zh) * 2016-08-16 2021-08-24 中兴通讯股份有限公司 一种电流信号处理装置
JP7029639B2 (ja) * 2017-07-20 2022-03-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ペロブスカイト型化合物を含む光電変換層を備える光センサ及びそれを用いた光検出装置
EP3666180B1 (en) * 2018-12-14 2021-07-14 Stichting IMEC Nederland A device for read-out of a photoplethysmography signal and a wearable sensor
KR102219713B1 (ko) * 2019-04-19 2021-02-24 한화시스템 주식회사 레이저 탐색기
CN112449126B (zh) * 2019-09-05 2023-02-10 昇佳电子股份有限公司 光感测器电路
JP7467298B2 (ja) 2020-09-16 2024-04-15 株式会社東芝 保護回路

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4415803A (en) * 1980-10-22 1983-11-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Optical receiver with improved dynamic range
DE3218439A1 (de) * 1982-05-15 1983-12-01 kabelmetal electro GmbH, 3000 Hannover Schaltungsanordnung fuer einen opto/elektrischen wandler
US4623786A (en) * 1984-11-07 1986-11-18 At&T Bell Laboratories Transimpedance amplifier with overload protection
NL8602408A (nl) * 1986-09-24 1988-04-18 Philips Nv Voorversterker voor een optische ontvanger.
JP2564133B2 (ja) * 1987-04-17 1996-12-18 オリンパス光学工業株式会社 固体撮像装置
GB2233525B (en) * 1989-06-09 1994-02-16 Stc Plc Optical receivers
DE3938097A1 (de) 1989-11-16 1991-05-23 Standard Elektrik Lorenz Ag Optischer empfaenger
GB2247798B (en) * 1990-09-06 1994-10-26 Stc Plc Optical receiver
US5130667A (en) 1991-04-11 1992-07-14 Bell Communications Research Inc. Differential transimpedance amplifier
US5442321A (en) 1993-07-08 1995-08-15 Anadigics, Inc. Automatic transimpedance control amplifier
EP0643496A1 (de) 1993-09-10 1995-03-15 Siemens Aktiengesellschaft Optischer Empfänger mit grosssignalfestem Transimpedanzverstärker
JP3335455B2 (ja) 1994-01-19 2002-10-15 富士通株式会社 電流電圧変換回路
US5532471A (en) 1994-12-21 1996-07-02 At&T Corp. Optical transimpedance amplifier with high dynamic range
US5565672A (en) 1994-12-30 1996-10-15 Lucent Technologies Inc. Optical transimpedance receiver with compensation network
US5696657A (en) 1995-06-02 1997-12-09 Hughes Electronics Temperature compensated APD detector bias and transimpedance amplifier circuitry for laser range finders
US5592124A (en) 1995-06-26 1997-01-07 Burr-Brown Corporation Integrated photodiode/transimpedance amplifier
US5679953A (en) * 1996-08-05 1997-10-21 International Business Machines Corporation Automatic threshold setting circuit

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7586081B2 (en) 2005-04-18 2009-09-08 Panasonic Corporation Output impedance varying circuit
CN1855720B (zh) * 2005-04-18 2010-09-29 松下电器产业株式会社 输出阻抗可变电路
CN102135712A (zh) * 2010-01-21 2011-07-27 英特赛尔美国股份有限公司 用于投影仪光束对准的系统和方法
CN102135712B (zh) * 2010-01-21 2014-11-12 英特赛尔美国股份有限公司 用于投影仪光束对准的系统和方法
CN102468884A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 安立股份有限公司 光电转换电路
CN102468884B (zh) * 2010-11-12 2015-02-11 安立股份有限公司 光电转换电路
CN103178748A (zh) * 2013-02-05 2013-06-26 天津大学 一种光电转换电路
CN104535179B (zh) * 2015-01-06 2016-09-28 山西大学 一种光电探测器
CN104535179A (zh) * 2015-01-06 2015-04-22 山西大学 一种光电探测器
CN107710740A (zh) * 2015-07-13 2018-02-16 夏普株式会社 放射线检测器
CN107710740B (zh) * 2015-07-13 2020-03-10 夏普株式会社 放射线检测器
CN106130491A (zh) * 2016-06-28 2016-11-16 无锡思泰迪半导体有限公司 一种实现tia自动匹配输出阻抗的电路
CN106130491B (zh) * 2016-06-28 2023-05-23 杭州思泰微电子有限公司 一种实现tia自动匹配输出阻抗的电路
CN113008748A (zh) * 2021-03-10 2021-06-22 深圳市汇投智控科技有限公司 一种红外检测电路
CN113949449A (zh) * 2021-09-24 2022-01-18 昂纳信息技术（深圳）有限公司 光电二极管检测电路、光模块及其监控系统、监控方法
CN113949449B (zh) * 2021-09-24 2023-11-17 昂纳科技(深圳)集团股份有限公司 光电二极管检测电路、光模块及其监控系统、监控方法

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Publication number Publication date
TW437157B (en) 2001-05-28
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EP1137916A1 (en) 2001-10-04
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DE69923475D1 (de) 2005-03-03
GB2343943B (en) 2003-11-26
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