CN1323979C - 用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法 - Google Patents

用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了能够有效地防止条痕的产生，并且能够扩大溶胶组合物选择范围的用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法。通过使含有作为铁电薄膜形成材料的金属化合物的用于形成铁电薄膜的组合物包含下述的疏水性化合物，可以有效地抑制条痕的产生，并能够扩大溶胶组合物的选择范围，其中所述疏水性化合物具有与羟基反应的反应基团，同时除所述反应基团之外的余下部分的至少端部侧具有疏水性。

Description

用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法
技术领域
本发明涉及用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法，其中，所述用于形成铁电薄膜的组合物含有形成铁电薄膜的金属化合物。
背景技术
由于具有如下铁电薄膜的压电元件具有自发极化、高介电常数、电光效应、压电效应、热电效应等，因此被应用于广泛的设备开发中，其中所述铁电薄膜包含有以锆钛酸铅(PZT)等为代表的结晶。此外，这种铁电薄膜的成膜方法例如公知有飞溅法、溶胶-凝胶法、CVD法等，但在其中，溶胶-凝胶法是顺序进行溶胶(胶体溶液)的涂布、干燥、烧结的成膜方法，具有能够以较低的成本且简便地形成铁电薄膜的优点。例如，在这种溶胶-凝胶法中，将金属醇盐等金属化合物融解在乙醇等溶剂中，并根据需要，将加入任意的添加剂进行调整而得的用于形成铁电薄膜的组合物(溶胶)涂布到衬底上，之后进行干燥，进而进行脱脂、烧结，从而可形成铁电薄膜。
但是，如果通过以往的用于形成铁电薄膜的组合物来形成铁电薄膜，则存在由于在该铁电薄膜中产生呈放射状延伸的凹凸的条纹形状，即条痕(striation)，因此无法形成平坦的铁电薄膜的问题。另外，条痕的产生原因现在还没有清楚地弄明白。
因此，为解决上述问题，提出了将溶胶成分中的水分含量设为规定量以下的用于形成铁电薄膜的组合物(例如，参见专利文献1)。但是，存在组合物的选择，例如含有结晶水的化合物、通过水分解来含有羟基的醇盐等化合物的使用将明显受限制的问题。
此外，提出了含有硅酮的用于形成钙钛矿型氧化物薄膜的原料溶液(例如，参见专利文献2)。所述用于形成钙钛矿型氧化物薄膜的原料溶液，通过在原料溶液的成分中含有硅酮来消除条痕，所述硅酮具有难以与有机物反应的化学稳定性且具有非常小的表面张力。
但是，如上所述，由于硅酮化学性能稳定，难以与其他的化合物反应，所以即使进行干燥、烧结，也会在铁电薄膜的内部作为杂质原样残留下来，从而可能会影响压电特性。
专利文献1：日本专利特开2001-48540号公报(权利要求书)
专利文献2：日本专利特开2001-72416号公报(权利要求书，第三页，段落[0013])
发明内容
鉴于所述事由，本发明的目的在于提供一种能够有效地防止条痕的产生，并且能够扩大溶胶组合物选择范围的用于形成铁电薄膜的组合物、铁电薄膜以及铁电薄膜的制造方法。
解决上述问题的本发明的第一方式是一种用于形成铁电薄膜的组合物，其含有作为形成铁电薄膜的材料的金属化合物，其特征在于，包含疏水性化合物，所述疏水性化合物具有从卤代硅烷基、羟基硅烷基、以及烷氧基硅烷基所构成的组中选出的至少一种与羟基反应的反应基团，同时除所述反应基团之外的余下部分的至少端部侧具有疏水性。
在所述第一方式中，溶胶组合物中所含的羟基与疏水性硅烷化合物的反应基团通过化学结合而生成疏水性胶体，由此可有效地防止条痕的产生。此外，可以积极地使用含有羟基的化合物，能够扩大溶胶组合物的选择范围。
本发明的第二方式是如第一方式所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为抑制所述金属化合物水解的水解抑制剂，含有二乙醇胺。
在所述第二方式中，可以有效地防止金属化合物水解。
本发明的第三方式是如第一方式所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为使所述金属化合物稳定的稳定剂，含有聚乙二醇。
在所述第三方式中，可有效地防止在铁电薄膜上产生裂纹、即龟裂。
本发明的第四方式是如第一方式所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为溶解所述金属化合物的溶剂，含有2-丁氧基乙醇。
在所述第五方式中，可以较容易地溶解金属化合物。
本发明的第五方式是一种铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在将第一至第四方式中任一方式所述的用于形成铁电薄膜的组合物涂布到对象物上后，通过进行干燥并烧结来形成铁电薄膜。
在所述第五方式中，通过溶胶-凝胶法，可有效地防止条痕，从而能够较容易地形成平坦的铁电薄膜。
本发明的第六方式是一种铁电薄膜，其特征在于，所述铁电薄膜是通过第五方式的制造方法而形成的，其中至少含有硅。
在所述第六方式中，通过溶胶-凝胶法可以有效地防止条痕，从而能够较容易地形成平坦的铁电薄膜。
本发明通过在用于形成铁电薄膜的组合物的成分中含有下述疏水性硅烷化合物来抑制条痕，因此不同于限制水分含量或添加硅酮等的现有技术，其中所述疏水性硅烷化合物可与被认为是条痕产生原因的羟基起化学反应来形成疏水性胶体。
附图说明
图1(a)及图1(b)是表示铁电薄膜的膜厚变化率动向的图表；
图2是喷墨式记录头的立体图；
图3(a)及图3(b)分别是喷墨式记录头的平面图及截面图；
图4(a)至图4(d)是表示喷墨式记录头制造工序的截面图；
图5(a)及图5(b)是表示喷墨式记录头制造工序的截面图。
具体实施方式
下面，基于实施方式详细说明本发明。
本发明涉及的形成铁电薄膜用的组合物是用于形成铁电薄膜的组合物，它是一种溶胶组合物，作为基本成分含有作为铁电薄膜的材料的金属醇盐等金属化合物、溶解该金属化合物的溶剂、以及其他添加剂。
这里，铁电薄膜是压电陶瓷的结晶，作为形成该铁电薄膜的材料，例如可使用锆钛酸铅(PZT)等强绝缘性压电材料，或者在其中添加了铌、镍、镁、铋、镱等金属的弛豫铁电体等。对于其成分，可以考虑压电元件的特性、用途来进行适当选择，例如可例举：PbTiO3(PT)、PbZrO3(PZ)、Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)、Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PMN-PT)、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PZN-PT)、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PNN-PT)、Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PIN-PT)、Pb(Sc1/3Ta1/2)O3-PbTiO3(PST-PT)、Pb(Sc1/3Nb1/2)O3-PbTiO3(PSN-PT)、BiScO3-PbTiO3(BS-PT)、BiYbO3-PbTiO3(BY-PT)等。
虽然特别限定使用本发明的用于形成铁电薄膜组合物进行成膜的方法，但例如优选采用溶胶-凝胶法。这是由于能够以较低成本且简便地形成铁电薄膜的缘故。
这里，可以根据所采用的成膜方法来适当选择作为形成铁电薄膜的材料的金属化合物，例如可例举：钛、锆、铅、锌等金属的甲醇盐、乙醇盐、丙醇盐、或丁醇盐等醇盐，或者醋酸盐化合物等。
另一方面，作为溶解这种金属化合物的溶剂，例如可例举2-丁氧基乙醇、丙醇等醇。
此外，在本发明中，作为抑制溶胶组合物中含有的金属化合物水解的水解抑制剂，例如可以将一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等作为添加剂来加入。另外，作为使溶胶组合物中含有的金属化合物稳定、从而防止产生条痕的稳定剂，例如可以将聚乙二醇等作为添加剂来加入。并且，除此之外，还可以加入增粘剂等添加剂。
另外，本发明的铁电薄膜形成组合物，在这些成分中作为必要成分还要加入疏水性化合物，所述疏水性化合物具有与羟基反应的反应基团，同时至少在除该反应基团之外的余下部分的端部侧具有疏水性。
所述疏水性化合物例如是在分子链的一侧端部具有与羟基反应的反应基团，同时在另一侧的端部具有疏水性的化合物，可以是当反应基团与羟基反应时疏水性化合物的外侧显示疏水性，例如形成疏水性胶体的化合物。另外，这里，所谓羟基是指由溶胶组合物中所含有的水分、结晶水等所产生的，由水解的醇盐所产生的，以及由作为上述添加剂的二乙醇胺或聚乙二醇所产生的羟基。
另一方面，作为疏水性化合物的反应基团，例如可例举羧基、卤代硅烷基、羟基硅烷基、以及烷氧基硅烷基等。另外，卤代硅烷基是指以-Si-X(X表示卤元素)表示的反应基团，羧基硅烷基是指以-Si-OH表示的反应基团，烷氧基硅烷基是指以-Si-OR(R表示烷基)表示的反应基团。另外，反应基团只要是与上述羟基起化学反应的即可，例如可以是异氰酸基。
此外，疏水性化合物的除反应基团之外的余下部分的至少端部显示疏水性，是指在反应基团与羟基进行反应的状态下至少端部显示疏水性，最好是分子链的余下部分显示疏水性。例如可例举除反应基团之外的余下部分在直链或者分支的烃基上，或者在烃的分子链中或端部上存在氨基的化合物，只要是至少在端部存在烷基、氨基等疏水性基团即可。
另外，在本发明中使用的疏水性化合物不是在分子链中具有聚硅氧烷键的化合物，因此可与硅酮化合物区别开。
由于本发明的用于形成铁电薄膜的组合物含有这种疏水性化合物，所以通过与溶胶组合物中存在的羟基进行化学反应而结合，从而可以减少组合物中存在的羟基，由此可有效地防止在铁电薄膜中产生条痕。即，在这种本发明的组合物中，即使将含有羟基的物质用作溶剂或添加剂，或者作为金属化合物使用含有结晶水的，由于这些羟基与疏水性化合物的反应基团起化学反应，因此可有效地防止条痕。换句话说，作为组合物可以积极地使用例如含有结晶水的化合物、通过水解来具有羟基的醇盐等化合物。即，在用于形成铁电薄膜的组合物的调制中，具有能够扩大溶胶组合物选择范围的效果。
另外，在本发明中，形成铁电薄膜时，若使用弛豫铁电材料则会很有效。即，弛豫铁电材料例如与PZT相比，由于金属醇盐等金属化合物的量较多，所以随之需要注入大量具有羟基的添加剂，例如，水解抑制剂或稳定剂等。例如，由于与PMN-PT、PZN-PT、Nb(金属醇盐)的添加相应地会使水解抑制剂等添加剂的浓度增加，因此随之会增加羟基，从而容易产生条痕。即使在这种情况下，在本发明中，也可以通过注入上述疏水性化合物来有效地防止条痕的产生。
这里，基于下面例举的实施例1及比较例1，对本发明进行更加详细的说明。
(实施例1)
将2-丁氧基乙醇作为主溶剂，向其中混合作为金属化合物的四乙酰丙酮锆(Zr(CH3COCHCOCH3)4)、四异丙醇钛(Ti((CH3)2CHO)4)，并在室温下搅拌20分钟时间。接着，加入作为水解抑制剂的二乙醇胺(HN(CH2CH2OH)2)，再加入作为疏水性化合物的氨基硅烷化合物(NH2C2H4NHC3H6Si(OCH3)3)，并加热到80℃。在加热的状态下搅拌20分钟时间后，冷却至室温，从而将其作为实施例1的用于形成铁电薄膜的组合物。
(比较例1)
将除了不向成分中加入氨基硅烷化合物以外其他都与实施例1相同的物质作为比较例1的用于形成铁电薄膜的组合物。
(实验例1)
使实施例1的用于形成铁电薄膜的组合物中所含的氨基硅烷化合物的含有率为10wt％，另外使实施例1及比较例1的用于形成铁电薄膜的组合物中所含的二乙醇胺的含有率为9.6wt％，分别测定在改变聚乙二醇的含有率时在铁电薄膜(PZT膜)中产生的条痕(放射状的条纹形状)的大小、即凹入部分(谷)与凸起部分(山)的膜厚，根据各膜厚的测定值来求出PZT膜的平均膜厚，调查PZT膜的膜厚变化率(％)的动向。将其结果表示在图1(a)中。这里，图1(a)是聚乙二醇的含有率与铁电薄膜的膜厚变化的关系图表。
这里，在设置于衬底表面的金属层的表面上，以1000～3000rpm旋转涂布用于形成铁电薄膜的组合物长达10～30秒，从而形成厚度为1.0μm的PZT膜。然后，例如通过能量分散型X射线(EDX)及荧光X射线等来对实施例1及比较例1的PZT膜进行元素分析。其结果是，从实施例1的PZT膜，相对于约1.00[mo1]的PZT，检测到约1.05[mol]的硅，所述硅被认为是实施例1的用于形成铁电薄膜的组合物中所含的氨基硅烷化合物的硅，但是从比较例1的PZT膜却没有检测到硅。由此可知，对于实施例1的PZT膜与比较例1的PZT膜，可以通过在元素分析中是否检测到硅来对二者进行判断。
此外，对PZT膜的膜厚变化率动向的进行调查的结果如图1(a)所示，在比较例1中，PZT膜的膜厚变化率在聚乙二醇的含有率达到约4.7wt％之前急剧增加，然后缓缓增加，并在使聚乙二醇的含有率为12wt％时大约达到7％。由此可知，如果使聚乙二醇的含有率增加，则容易产生条痕。
与此相对，从实施例1可知，不知是否是由于氨基硅烷化合物的反应基团与溶胶组合物中存在的羟基、特别是聚乙二醇的羟基起化学反应，从而减少了组合物中存在的羟基的原因，即使使聚乙二醇的含有率到达约12wt％，也可以将PZT膜的膜厚变化率抑制在约3.5％。即可知，通过实施例1的组合物，与比较例1的组合物相比，  能够将PZT膜的膜厚变化率减小到约一半以下。由此可以确定，如实施例1所示，通过使用含有氨基硅烷化合物的用于形成铁电薄膜的组合物，即使增加聚乙二醇的添加量，也能够有效地防止条痕。
(实验例2)
使实施例1的用于形成铁电薄膜的组合物中所含氨基硅烷化合物的含有率为10wt％，另外使实施例1及比较例1的用于形成铁电薄膜的组合物中所含聚乙二醇的含有率为4.7wt％，并调查除了改变二乙醇胺的含有率以外、与实验例1相同地形成的铁电薄膜(PZT膜)的膜厚变化的动向。将其结果表示在图1(b)中。这里，图1(b)是表示二乙醇胺的含有率与铁电薄膜的膜厚变化之间关系的图表。
如图1(b)所示，关于铁电薄膜的膜厚变化率，在比较例1中可知，若增加二乙醇胺的含有率，则膜厚变化率也与之成正比地增大，并且若使二乙醇胺的含有率约为19wt％，则PZT膜的膜厚变化率将达到约10％。
与此相对，在实施例1中，不知是否是氨基硅烷化合物的反应基团与溶胶组合物中存在的羟基、特别是聚乙二醇的羟基起化学反应，从而减少了组合物中存在的羟基的原因，与比较例1相比，即使使聚乙二醇的含有率约为19wt％，也能够将PZT膜的膜厚变化率抑制在约4％。即可知，若根据实施例1的组合物，则与比较例1的组合物相比，能够与上述实验例1相同地将PZT膜的膜厚变化率减小到约一半以下。由此可以确定，如实施例1所示，通过使用含有氨基硅烷化合物的用于形成铁电薄膜的组合物，即使增加聚乙二醇的添加量，也能够有效地防止条痕。
另外，上述本发明所涉及的用于形成铁电薄膜的组合物以及由该用于形成铁电薄膜的组合物所形成的铁电薄膜，能够应用于广泛的设备开发中，其用途等不受特别限制，例如，可以应用于微致动器、滤波器、延迟线、舌簧选择器、音叉振荡器、音叉表、无线电收发机、压电传感器、压电耳机、压电麦克风、SAW滤波器、RF调制器、谐振器、延迟元件、多带耦合器(multi-strip coupler)、压电加速度计、压电扬声器等。
下面，参照图2和图3(a)、图3(b)详细说明下述的喷墨式记录头，其中所述喷墨式记录头是将本发明应用于压电致动器中的液体喷头的一个例子。图2是简要表示作为液体喷头的一个例子的喷墨式记录头的分解立体图，图3(a)和图3(b)分别是图2的平面图及截面图。如图2及图3(a)、图3(b)所示，在本实施例中，流路形成衬底10由面方位(100)的硅单结晶衬底构成，在其一面上形成有弹性膜50，该弹性膜50由事先通过热氧化而形成的氧化硅(SiO2)构成，其厚度为1～2μm。
在所述流路形成衬底10上，通过对硅单结晶衬底从一面进行各向异性蚀刻，在宽度方向上并列设置了由多个隔板11划分的压力发生室12。此外，在其长度方向的外侧，形成有连通部分13，所述连通部分13与后述的封闭衬底30的储墨部分32相连通。此外，所述连通部分13分别在各压力发生室12的长度方向一端通过墨水供给通路14而连通。
形成有上述压力发生室12等的流路形成衬底10的厚度，最好对应于压力发生室12的设置密度来选择最佳的厚度。例如，在每一英寸对应180个(180dpi)左右地设置压力发生室12时，流路形成衬底10的厚度为180～280μm合适，优选220μm左右。此外，例如在以360dpi左右的较高密度来配置压力发生室12时，流路形成衬底10的厚度最好为100μm以下。这是由于这种厚度能够保持相邻压力发生室12之间的隔板11的刚性，同时还能提高排列密度的缘故。当然，也可以以360dpi以上，例如以600dpi高密度地排列压力发生室12。
此外，在流路形成衬底10的开口面一侧通过粘接剂或热熔粘薄膜等固定有喷嘴板20，所述喷嘴板20贯穿设置有喷嘴口21，所述喷嘴口21与各压力发生室12的墨水供给通路14相反侧的端部附近相连通。
另一方面，在与所述流路形成衬底10的开口面相反侧的弹性膜50上，例如形成有厚度为约0.4μm的绝缘膜55，在该绝缘膜55上，通过后述的工艺层叠形成了厚度例如为约0.2μm的下电极膜60、厚度例如为约1μm的铁电薄膜70、以及厚度例如为约0.05μm的上电极膜80，由此构成了压电元件300。这里，压电元件300是指包含下电极膜60、铁电薄膜70、以及上电极膜80的部分。一般来说，将压电元件300的任一侧电极作为共用电极，并为每个压力发生室12通过图案化来形成另一电极以及铁电薄膜70。另外，这里将由通过图案化而形成的任一个电极以及铁电薄膜70构成的、通过向两个电极施加电压而产生压电变形的部分称为压电体主动部分。在本实施方式中，虽然将下电极膜60作为压电元件300的共用电极，将上电极膜80作为压电元件300的个别电极，但也可以根据驱动电路或布线的情况来相反地进行设置。此外，在这里，将压电元件300和通过所述压电元件300的驱动而产生位移的振动板合在一起称为压电致动器。另外，在本实施方式中，弹性膜50、绝缘膜55以及下电极膜60起振动板作用。
此外，在流路形成衬底10的压电元件300一侧，在确保不妨害压电元件300运动的程度的空间的状态下，接合着具有可密封所述空间的压电元件支承部分31的密封衬底30，压电元件300被密封在该压电元件支承部分31内。另外，在密封衬底30上，设置有储墨部分32，所述储墨部分32构成作为各压力发生室12的共用墨水室的储墨室(reserve)100的至少一部分，所述储墨部分32如上述那样与流路形成衬底10的连通部分13相连通，从而构成作为各压力发生室12的共用墨水室的储墨室100。此外，在密封衬底30的压电元件支承部分31与储墨部分32之间的区域内，设置有在厚度方向上贯穿密封衬底30的贯穿孔33。另外，从各压电元件300引出的引导电极90，其端部附近在贯穿孔33内露出。
另外，在这种密封衬底30上，接合有由密封膜41及固定板42构成的柔性(compliance)衬底40。此外，固定板42由金属等硬质材料形成。由于所述固定板42的与储墨室100相对的区域构成在厚度方向上完全被除去的开口部分43，因此储墨室100的一面只被具有挠性的密封膜41密封着。
在所述实施方式的喷墨式记录头中，从没有图示的外部墨水供给装置取入墨水，从储墨室100直至喷嘴口21使内部充满墨水后，根据来自没有图示的驱动IC的驱动信号，向对应于压力发生室12的各个下电极膜60与上电极膜80之间施加驱动电压，从而使弹性膜50、绝缘膜55、下电极膜60以及铁电薄膜发生挠性变形，由此各压力发生室12内的压力升高，从而从喷嘴口21喷出液滴。
图4(a)～图4 (d)及图5(a)、图5(b)是压力发生室12在长度方向上的截面图，下面，参照这些图4(a)～图4(d)及图5(a)、图5(b)来说明本实施方式的喷墨式记录头的制造方法。首先，如图4(a)所示，将构成流路形成衬底10的硅单结晶衬底的晶片在约1100℃的扩散炉中进行热氧化，从而在各个面上形成由氧化硅构成的弹性膜50之后，在该弹性膜50上形成由氧化锆(ZrO2)等构成的绝缘膜55。接着，如图4(b)所示，在绝缘膜55的整个面上形成下电极膜60之后，通过图案化来形成为预定形状。这里，例如下电极60是在绝缘膜55的面上至少层叠铂与铱而形成的。
接着，如图4(c)所示，在晶片的整个面上，以预定的厚度形成铁电形成膜75，所述铁电形成膜75是作为构成各压电元件的铁电薄膜70的。在本实施方式中是通过溶胶-凝胶法来形成结晶已取向(配向)的铁电形成膜75的，即，将含有与羟基结合的、且形成疏水性胶体的特定化合物的用于形成铁电薄膜的组合物涂布干燥并胶化，进而通过在600～800℃的高温下烧结而获得由金属氧化物构成的铁电形成膜75。另外，溶胶-凝胶法是通过顺序进行溶胶的涂布、干燥、脱脂及烧结来进行成膜的方法，具有能够以较低成本且简便地形成铁电薄膜的优点。另外，当一次涂布无法到达期望的膜厚时，也可以在进行多次涂布及干燥之后，进行脱脂、烧结。这里，在进行涂布之后，进行干燥是为了除去膜中所含的溶剂，进行烧结是为了使金属化合物水解并转化成复合氧化物。
具体地说，在晶片的下电极膜60上，使作为铁电的锆钛酸铅(PZT)膜成膜为规定的厚度，在本实施方式中为0.2μm左右，从而形成PZT膜(铁电前驱体膜)。由于一次成膜所形成的PZT膜的厚度约为0.1μm左右，所以在本实施方式中，通过两次成膜来形成约0.2μm左右厚度的PZT膜。接着，在扩散炉中烧结所述晶片从而使PZT膜晶化。然后，通过重复多次形成所述PZT膜的成膜工序和烧结PZT膜的烧结工序，在本实施方式中重复五次，从而形成约1μm厚度的铁电薄膜70。当然，也可以通过在进行多次成膜工序后，进行一次烧结工序来形成铁电形成膜。
这样，在本实施方式中，由于使用用于形成铁电薄膜的组合物并通过溶胶-凝胶法在下电极膜60上形成了铁电形成膜75，因此可以减少成分中所含的羟基，从而可有效地防止条痕。
此外，以往的溶胶组合物由于与流路形成衬底之间的粘着性不好，因此，若涂布后使衬底倾斜或竖起，则所述溶胶组合物会从该衬底流出来，但是在本实施方式中，不知是否是用于形成铁电薄膜的组合物中所含的疏水性化合物的反应基团与羟基反应，从而提高了溶胶组合物的粘性的原因，具有即使将流路形成衬底竖起，所述组合物也不会从该衬底流出的优点。因此，即使不使衬底处于精度非常高的水平面上，也可以连续进行此后的成膜工序，从而具有能够提高成膜工艺的操作性的效果。
另外，作为构成如上述形成的铁电形成膜75的材料，虽然使用了锆钛酸铅类的材料，但是作为在喷墨式记录头中使用的材料，只要是能够获得良好的位移特性，并不仅限于锆钛酸铅类材料。即，当使压力发生室12为高密度，例如600dpi时，优选使用上述弛豫铁电体。所述弛豫铁电体，由于金属醇盐等金属化合物的量比PZT多，因而含有羟基的添加剂的量也增多，但在本发明中，通过加入上述疏水性化合物，可以有效地防止条痕。
另外，在本实施方式中，作为成膜方法举例说明了溶胶-凝胶法，但显然并不仅限于此，只要是MOD(有机金属裂解法)等伴随旋转涂布的铁电薄膜形成方法，就可以有效地防止条痕的产生，从而可以较容易地形成由用于形成铁电薄膜的组合物构成的平坦的铁电薄膜。
然后，在如上述形成铁电薄膜70之后，例如通过层叠形成由铱(Ir)构成的上电极形成膜85，并在与各压力发生室12相对的区域内通过图案化来形成铁电形成膜75及上电极形成膜85，由此，如图4(d)所示，形成由下电极膜60、铁电膜70及上电极膜80构成的压电元件300。然后，在流路形成衬底10的整个面上形成由金(Au)构成的引导电极形成膜95后，例如在每一个压电元件300上经以抗蚀剂等构成的掩膜图案(没有图示)通过图案化而形成引导电极形成膜95，从而形成引导电极90。
以上是膜形成工艺。在通过上述来进行膜的形成之后，利用上述碱性溶液进行晶片的各向异性蚀刻，从而形成压力发生室12、连通部分13及墨水供给通路14。具体地说，首先，如图5(a)所示，在晶片的压电元件300侧，接合事先已形成有压电元件支承部分31、储墨部分32等的密封衬底30。接着，如图5(b)所示，将在与晶片的密封衬底30的接合面相反的面上形成的氧化硅膜图案化为规定形状而作为掩膜51，经所述掩膜51利用上述碱性溶液进行各向异性蚀刻，由此在晶片上形成压力发生室12、连通部分13及墨水供给通路14等。另外，在密封了密封衬底30的表面的状态下进行如上述的各向异性蚀刻。
之后，在晶片的与密封衬底30相反的面上接合贯穿设置了喷嘴口21的喷嘴板20，同时在密封衬底30上接合柔性衬底40并分割成各小片(chip)尺寸，从而作为如图2所示的本实施方式的喷墨式记录头。
另外，在本实施方式中，作为一种液体喷头举例说明了喷出墨水的喷墨式记录头，但并不仅限于此，例如可以例举出在打印机等图像记录装置中使用的记录头，在液晶显示器等彩色滤波器的制造中使用的色料喷头，在有机EL显示器、FED(场发射显示器)等的电极形成中使用的电极材料喷头，在生物芯片(biochip)制造中使用的生物有机物喷头等。

Claims (6)

1.一种用于形成铁电薄膜的组合物，含有作为形成铁电薄膜的材料的金属化合物，其特征在于，包含疏水性化合物，所述疏水性化合物具有从卤代硅烷基、羟基硅烷基、以及烷氧基硅烷基所构成的组中选出的至少一种与羟基反应的反应基团，同时除所述反应基团之外的余下部分的至少端部侧具有疏水性。
2.如权利要求1所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为抑制所述金属化合物水解的水解抑制剂，含有二乙醇胺。
3.如权利要求1所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为使所述金属化合物稳定的稳定剂，含有聚乙二醇。
4.如权利要求1所述的用于形成铁电薄膜的组合物，其特征在于，作为溶解所述金属化合物的溶剂，含有2-丁氧基乙醇。
5.一种铁电薄膜的制造方法，其特征在于，在将权利要求1至4中任一项所述的用于形成铁电薄膜的组合物涂布在对象物上后，通过进行干燥并烧结来形成所述铁电薄膜。
6.一种铁电薄膜，其特征在于，所述铁电薄膜是通过权利要求5所述的制造方法而形成的，其中至少含有硅。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG124303A1 (en) 2005-01-18 2006-08-30 Agency Science Tech & Res Thin films of ferroelectric materials and a methodfor preparing same
JP5019020B2 (ja) * 2005-03-31 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 誘電体膜の製造方法及び圧電体素子の製造方法並びに液体噴射ヘッドの製造方法
JP4548376B2 (ja) 2006-03-31 2010-09-22 ブラザー工業株式会社 インクジェットヘッド
KR101460156B1 (ko) * 2008-01-25 2014-11-10 삼성전자주식회사 압전 방식 전압 발생기를 구비한 액적 토출 장치, 및 이를이용한 액적 토출 방법
JP2013207155A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Mitsubishi Materials Corp 強誘電体薄膜の製造方法
CN109293288B (zh) * 2018-09-21 2021-03-26 山东省交通科学研究院 一种多元工业废料环保型道路建材及其制备方法
CN113206651A (zh) * 2021-06-04 2021-08-03 电子科技大学 一种具有高机电耦合系数的兰姆波谐振器及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1267654A (zh) * 2000-04-06 2000-09-27 中国科学院上海技术物理研究所 锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62291620A (ja) * 1986-06-11 1987-12-18 Canon Inc 液晶素子
JPH0348817A (ja) * 1989-07-18 1991-03-01 Seiko Epson Corp 液晶電気光学素子
BE1004293A3 (fr) * 1989-07-20 1992-10-27 Solvay Procede de fabrication d'un composite d'oxydes metalliques, poudres composites d'oxydes metalliques et materiaux ceramiques.
JPH04174416A (ja) * 1989-11-20 1992-06-22 Asahi Chem Ind Co Ltd 強誘電性液晶デバイス
JPH0695455A (ja) * 1992-09-09 1994-04-08 Fuji Xerox Co Ltd 導電性カプセルトナーを用いる電子写真法
JP2851546B2 (ja) * 1994-12-01 1999-01-27 サンスター技研株式会社 有機分散型エレクトロルミネッセンス素子および該素子に用いる反射絶縁層用組成物
JP3178363B2 (ja) * 1997-01-14 2001-06-18 三菱マテリアル株式会社 強誘電体薄膜形成剤
JP4146533B2 (ja) * 1997-08-21 2008-09-10 ローム株式会社 強誘電体膜形成用溶液および強誘電体膜の形成法
EP0939434A1 (en) * 1998-02-25 1999-09-01 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method for fabricating ferroelectric thin films using a sol-gel technique
JP4572439B2 (ja) 1999-06-30 2010-11-04 住友化学株式会社 チタン酸マグネシウム粉末の製造方法
JP4006896B2 (ja) * 1999-08-06 2007-11-14 三菱マテリアル株式会社 Ｐｌｚｔ強誘電体薄膜形成用組成物及びｐｌｚｔ強誘電体薄膜の形成方法
JP4062831B2 (ja) 1999-09-02 2008-03-19 三菱マテリアル株式会社 ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液及びペロブスカイト型酸化物薄膜の形成方法
JP2001110237A (ja) * 1999-10-12 2001-04-20 Jsr Corp 強誘電体薄膜形成用塗布液、その製造方法及び強誘電体薄膜
JP4030243B2 (ja) * 1999-12-20 2008-01-09 日本電気株式会社 強誘電体薄膜形成用溶液及び強誘電体薄膜形成方法
JP2001213624A (ja) * 2000-01-27 2001-08-07 Seiko Epson Corp 強誘電体薄膜用原料溶液および強誘電体薄膜の作製方法
US20010022990A1 (en) * 2000-02-28 2001-09-20 Yoshimi Sato Coating solutions for use in forming bismuth-based ferroelectric thin films and a method of forming bismuth-based ferroelectric thin films using the coating solutions
JP2003095651A (ja) * 2001-09-21 2003-04-03 Ricoh Co Ltd 誘電体膜形成用前駆体ゾル、前駆体ゾルの調製方法、誘電体膜、及び誘電体膜の形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1267654A (zh) * 2000-04-06 2000-09-27 中国科学院上海技术物理研究所 锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法

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Publication number Publication date
KR100621280B1 (ko) 2006-09-14
KR20050002629A (ko) 2005-01-07
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JP4572364B2 (ja) 2010-11-04
US20080217574A1 (en) 2008-09-11
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US20050100759A1 (en) 2005-05-12
JP2005038830A (ja) 2005-02-10
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US20080090098A1 (en) 2008-04-17
US7553364B2 (en) 2009-06-30

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