JPH04174416A

JPH04174416A - 強誘電性液晶デバイス

Info

Publication number: JPH04174416A
Application number: JP2311467A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Shimizu; 正清水; Fumitaka Yasujima; 安嶋　章隆
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1989-11-20
Filing date: 1990-11-19
Publication date: 1992-06-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は強誘電性液晶デバイスにおける液晶分子を均一
に配向させた強誘電性液晶デバイスに関するものである
。

［従来の技術］従来の液晶デバイスはツィステッド・ネマチック（Ｔ　
Ｎ）型およびスーパーツィステッド・ネマチック（ＳＴ
Ｎ）型岐晶表示が主流である。

このＴＮ型およびＳＴＮ型液晶表示を用いた単純マトリ
クス・デイスプレィでは、表示画素数が増加するにつれ
て表示コントラストが低下するという問題が生じる。こ
れはＴＮ型およびＳＴＮ型液晶のしきい値特性が充分に
急峻でないために、非表示部分も半表示の状態になると
いうクロストークを生じてしまうためである。又、ＴＮ
型およびＳＴＮ型液晶表示は、見る方向によりコントラ
ストか著しく変化するという視野角依存性が大きいこと
によっても大面積表示か困難である。

現在の液晶デバイスの主流であるＴＮ型およびＳＴＮ型
液晶デバイスにおいては、表示の高精細化や大容量化が
限界に近付きつつある。強誘電性液晶は、メモリ性（双
安定性）およびマイクロ秒オーダーの高速応答性という
ＴＮ型およびＳＴＮ型液晶デバイスにはない特徴を有し
ている。従って、情報表示能力のより高いデバイスを作
ることが可能である。

強誘電性液晶表示は層構造を持つカイラルスメクチック
相（ＳｍＣ−８ｍＩなど）を用いるために、ラビングに
よる配向膜表面での局部的な方向の乱れによる層構造の
欠陥が発生し易く、デバイス全体にわたり均一に配向さ
せることが困難である。このため、強誘電性液晶の層構
造を損なわずに均一に配向させる技術が必要である。従
って、液晶分子の良好な配向を得るためには、適切な配
向膜材料の選択が必要である。

［発明が解決しようとする課題］強誘電性液晶を用いれば、単純マトリクスでも大容量表
示を実現することが可能である。それはＳｍＣ相などの
カイラルスメクチック相では液晶自体がメモリ性（双安
定性）を有するためにクロストークの問題が無いためで
あり、さらに印加電圧に対する光透過率の応答が急峻な
ためである。また、強誘電性液晶デバイスでは、ＴＮ型
およびＳＴＮ型よりも視野角依存性が小さいので、大面
積表示が可能である。

しかし、この強誘電性液晶デバイスを有効に作用させる
ためには、液晶デバイス中の液晶分子を均一に配向させ
、表示デバイス全体に単一のドメインを形成することが
必要である。大面積表示を考慮した強誘電性液晶の配向
制御方法としてはＴＮ型およびＳＴＮ型液晶の配向制御
方法として知られている樹脂配向膜のラビング法が有効
である。しかし、従来技術として知られている配向膜材
料であるポリイミドやポリビニルアルコールを配向膜と
して用いてラビングを施した後作製した強誘電性液晶デ
バイスでは、コントラストが５程度と満足のゆく表示特
性が得られないのが現状である。

［課題を解決するための手段］本発明は強誘電性液晶デバイスにおいて、強誘電性液晶
の均一な配向を得るために、液晶配向膜として液晶デバ
イスを構成する基板に、ヘテロ原子を含有する置換基を
有する有機シラン及び炭化水素基を有する有機シランの
混合物からなる配向膜を有することを特徴としている。

本発明に用いられる強誘電性液晶について以下に記す。

本発明で用いる強誘電性液晶としては、カイラルスメク
チック液晶が好ましく、例えばＳｍＣ”　　、　Ｓｍ　
　Ｉ　　”　　Ｓ　ＳｍＨ−”　　、　ＳｍＦ”　　。

ＳｍＧ”などの相を有する液晶および液晶組成物を用い
ることができる。本発明の液晶デバイスに用いる強誘電
性液晶の具体例を以下に示す。

４−デシルオキシベンジリデン−４°−アミノ−２−メ
チルブチルシンナメート４−へキシルオキシベンジリデン−４°−アミノ−２−
クロロプロピルシンナメート４−（２−メチルブチルオキシ）−２−ヒドロキシ−ベ
ンジリデン−４−オクチルアニリンこれらの液晶を単独
で用いた場合、強誘電性を示す温度範囲が狭い、粘度か
高い、ピッチ長か短いなどの問題がある。これらの問題
を解決する目的で、強誘電性液晶を２種以上混合したり
、或いは他のスメクチック液晶やカイラルネマチック液
晶などを混合しても良い。特に本発明の表示デバイスを
室温において高速で動作させる場合には、液晶を単独で
用いるよりも数種類から十数種類の強誘電性液晶からな
る液晶組成物がより好ましい。強誘電性液晶組成物とし
ては、フェニルピリミジン系強誘電性液晶組成物、シア
ノシクロへキシルビフェニル系強誘電性液晶組成物など
が挙げられる。

次に本発明に用いられる有機シランについて以下に記す
。

本発明で用いる有機シランは、一般式％式％）で表される。Ｘは例えば塩素原子、臭素原子などのハロ
ゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ
などのあるアルコキシ又はアセトキシなどのアシロキシ
基、その他の加水分解性官能基である。本発明のへテロ
原子を含有する置換基を有する有機シランにおいては、
式中、Ｒはメチル、エチル、プロピル、ブチルなどの飽
和の、またはビニル、アルケニルなどの不飽和の脂肪族
炭化水素基、またはフェニル、ナフチルなどの芳香族炭
化水素基であり、これらの炭化水素基にはケトン基、エ
ステル基、カルボン酸基、エーテル基、エポキシ基、ヒ
ドロキシ基などの酸素原子、アミノ基、シアノ基、アミ
ド基、イミド基、ウレイド基、ニトロ基などの窒素原子
、チオール基、チオエーテル基、スルフォン基、スルフ
オキシド基、チオケトン基などの硫黄原子、フロロ基、
り四口基、プロ上越、ヨード基などのハロゲン原子、そ
の他のへテロ原子を含有する官能基が置換されている。

また、本発明の炭化水素基を有する有機シランにおいて
は、式中、Ｒはメチル、エチル、プロピル、ブチルなど
の飽和の、またはビニル、アルケニルなどの不飽和の脂
肪族炭化水素基、またはフェニル、ナフチルなどの芳香
族炭化水素基である。

ヘテロ原子を含有する置換基を有する有機シランと炭化
水素基を有する有機シランとの混合物は、表示特性、特
に良好なメモリ性および高いコントラストを実現するも
のである。

本発明のへテロ原子を含有する置換基を有する有機シラ
ンと炭化水素基を有する有機シランとの混合物からなる
薄膜か、強誘電性液晶デバイスにおいて、単独の有機シ
ランからなる薄膜だけでは達成できない良好なメモリ性
や高いコントラストを実現する理由は、明らかではない
か、ヘテロ原子を含有する置換基を有する有機シランと
炭化水素基を有する有機シランとの協同作用によって実
現しているものと思われる。

各々の有機シランの作用は明らかでないが、ヘテロ原子
を含有する置換基を有する有機シランがその極性により
薄膜に一軸配同性を持たせ、かつ強誘電性液晶分子を吸
着することによりメモリ性を高め、炭化水素基を有する
有機シランがその低い表面エネルギーにより強誘電性液
晶に高いプレチルトを付与することにより層構造の欠陥
を低減し高コントラストを実現しているものと説明でき
る。

本発明のへテロ原子を含有する置換基を有する有機シラ
ンにおいて、好ましいヘテロ原子として酸素原子、窒素
原子、硫黄原子、ハロゲン原子が挙げられるが、窒素原
子が最も好ましい。

本発明に好適なヘテロ原子を含有する置換基を有する有
機シランの具体例を以下に示す。

Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）　３　Ｓｉ　（ＯＣ２Ｈ５）　３３−
アミノプロピルトリエトキシシランＨ２Ｎ（ＣＨ２）　
３５ｉＣＨ３（ＯＣ２Ｈｓ　）　２８−アミノプロピル
メチルジェトキシシランＣＨ３ＮＨ（ＣＨ２）　３５ｔ
（ＯＣＨ：＋　）コＮ−メチルアミノプロピルトリメト
キシシランＣＨ３ＮＨ（ＣＨ２）　　３　Ｓｉ　　（ＯＣ２Ｈ５）
　　３Ｎ−メチルアミノプロピルトリエトキシシランＨ２Ｎ（ＣＨ２）　　　２　　ＮＨ（ＣＨ２）　　　３
　５ｌ（ＯＣＨ３）　　　３アミノエチルアミノプロビ
ルトリメトキシシランＣＨ２−ＣＨＣｂ　　Ｈ４ＣＨ２ＮＨ（ＣＨ２）　　２
　　ＮＨ−（Ｃ）１２　　）　　３５ｉ（ＯＣＨ３）　
　３ビニルベンジルアミノエチルプロピルトリメトキシ
シランＨ２ＮＣ０ＮＨＣ３Ｈｂ　５ｉ（ＯＣＨ３）　３３−ウ
レイドプロピルトリメトキシシランＨ８Ｃ５Ｈ６Ｓｉ（
ＯＣＨ３）　　３３−メルカプトプロピルトリメトキシシランＮＣＣ２Ｈ
４５ｉ（ＯＣＨｚ　）　　３２−シアノエチルトリメト
キシシランＮＣＣ５Ｈｂ　Ｓｔ　（ＣＨ３）　２　Ｃｌ３−シアノ
プロピルジメチルクロロシラン３−グリシルオキシプロ
ビルトリメトキシシランＣＩＣＧ　　Ｈ６５ｉ（ＯＣＨ３）　　３３−クロロプ
ロビルトリメトキシシランＢｒＣ５Ｈｂ　　５ｉＣ１３３−ブロモプロピルトリクロロシランＣ６ＦｓＳｉ　（０８３）　２Ｃｌペンタフロロフ工ニルジメチルクロロシラン本発明に好
ましい炭化水素基を有する有機シ。

ランは、ヘテロ原子を含有する置換基を有する有機シラ
ンの種類および用いられる強誘電性液晶に当然依存する
が、高プレチルト化させるために、ホモジニアス配向す
る範囲内で表面エネルギの小さな炭素数の多い直鎖炭化
水素基を有する有機シランが好ましい。

本発明に好適な炭化水素基を有する有機シランの具体例
を以下に示す。

ＣＨ３５ｉＣ１３メチルトリクロロシランＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）　３メチルトリメトキシシランＣＨ３８１（ＱＣ２Ｈｓ　）　３メチルトリエトキシシランＣＨ：ｌ　　（ＣＨ２）　　２　　ＳＩＣ＋３プロピル
トリクロロシランＣＨ３（ＣＨ２）　２　Ｓｉ（ＯＣＨ３）　３プロピル
トリメトキシシランＣｓ　Ｈｐ　Ｓｉ　（ＱＣ２Ｈ５）　３ペンチルトリエ
トキシシランＣ）１３　　（ＣＨ２）　ｓ　５ｉＣ１ｚヘキシルトリ
クロロシランＣＨコ　（ＣＨ２）　　ｓ　　５ｉ（ＯＣＨ３）　　３
ヘキシルトリメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　６５ｉＣＩ３ヘプチルトリクロロシランＣＨ３（Ｃ）＋２　）　６　Ｓｉ（ＯＣＨ３）　３ヘプ
チルトリメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　７８１０１３オクチルトリクロロシランＣＨ３（ＣＨ２）　７５ｔ（ＯＣＨ３）　３オクチルト
リメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　７　Ｓｔ　（００２Ｈｓ　）　３オ
クチルトリエトキシシランＣ）１３　　（Ｃ）１２　　）　　ｓ　　５ＩＣ１３デ
シルトリクロロシランＣ８）　　（Ｃ）＋２　）　ａ　５ｊ（ＱＣ）＋３）　
３デシルトリメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　ｕ　５ｉ（ＯＣＨｚ　）　３ドデシ
ルトリエトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　Ｉ）　５ｉＣＩ３テトラデシルトリクロロシランＣＨ３（ＣＨ２）　Ｉ）　５Ｉ（ＯＣＨ３）　３テトラ
デシルトリメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　ｎ　５ｉＣＩ３ヘキサデシルトリクロロシランＣＨｓ　（Ｃ）１２　）　ｔｙ　３１（ＯＣＨ＋　）　
ｓヘキサデシルメトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）　ｌ？ｓＩｃ＋３オクタデシルトリクロロシランＣＨｚ　　（ＣＨ２）　ｒｒ　８１（ＯＣＨｚ　）　ｓ
オクタデシルトリメトキシシランＣ１（３（ＣＨ２）　ａ　８１　（ＱＣ２Ｈｓ　）　２
オクタデシルトリエトキシシランＣＨ３（ＣＨ２）２９ＳＩＣＩ　３モリアコンチルトリクロロシラン（ＣＨ３）　　２　５ｉ（ＯＣＨコ　）　２ジメチルジ
メトキシシラン（ＣＨ３）　ｚｓｉ（ＯＣ２Ｈｓ）　２ジメチルジエト
キシシラン（ＣＨ３）　３５ｉＯＣＨｚメトキシトリメチルシランＣＨ２−ＣＨ（Ｈ３Ｃ）２５ｉＯＣ２Ｈｓビニルジメチ
ルエトキシシランＣＨ２−ＣＨ８ｉ＜ＯＣｚ　Ｈ５）　３ビニルトリエト
キシシランＣ６Ｈｕ　５ｆＣＩ　３シクロヘキシルトリクロロシランＣ６Ｈ５５ｉ（ＯＣ２Ｈｓ）３フェニルトリエトキシシラン本発明における有機シランの混合物において、混合され
る有機シランは何種類であっても良いかへテロ原子を含
有する置換基を有する有機シラン１種類と炭化水素基を
有する有機シラン１種類のみでも本発明の効果は充分に
発揮できる。

また、有機シランの混合物における混合比は、混合され
る有機シランの種類に依存して最適な値が存在するが、
有機シランの混合物におけるヘテロ原子を含有する置換
基を有する有機シランと炭化水素基を有する有機シラン
の混合物の混合比は１００：　１から　１：１００が好
ましく、１０：１から　１：ｌＯがより好ましい範囲で
ある。

有機シランの薄膜を基板上に形成する方法としては特に
限定されないが、有機シランを含有する塗布液を用いて
基板上に形成する方法がもっとも簡便で好ましい。

有機シランを含有する塗布液を用いて、液晶配向膜を形
成する際、その塗布液の有機シランの濃度が低すぎては
、配向性能が充分得られず、また高すぎた場合には成膜
のうねり、屈折率からくる反射光の干渉色および透明導
電膜上の抵抗値の増大が生じるため、塗布液中の有機シ
ランの濃度は、０．１〜５重量％が好ましい。

有機シランの溶剤としては、その溶解性の他に溶液状態
での貯蔵安定性や薄膜形成の揮散性、膜中への残留性、
基板への影響等を考慮しなければならない。本発明の有
機シランに好適な溶媒の例を上げれば、メタノール、エ
タノール、イソプロピルアルコール、ブタノールなどの
アルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等の
ケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系
溶媒、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなとのアミド系
溶媒がある。これらの溶媒は単独または２種以上を混合
して用いても良い。

有機シランの加水分解性官能基の加水分解性を高めるた
めに、上記溶媒中に触媒として酢酸、プロピオン酸など
の有機酸または塩酸、硫酸などの無機酸を添加しても良
い。また、加水分解を早める目的で溶媒中に水を添加す
ることも好ましい。

有機シランの薄膜の膜厚の均一性や塗布作業性を高める
目的で、溶媒の粘度を増加させるニトロセルロース、エ
チルセルロースなどの増粘剤を添加することもできる。

上記条件を満たした有機シランの溶液を、ディッピング
法、スピンコード法、印刷法などにより基板に塗布し、
５０℃〜２５０℃で乾燥・焼成し薄膜とする。

本発明の薄膜に強誘電性液晶を一軸配向させる能力を付
与する方法としては、薄膜に直接ラビングを施す方法、
ラビングを施した下地層に本発明の薄膜を設置する方法
、グレーティングや斜方蒸着により一軸性の形状を付与
した下地層に本発明の薄膜を施す方法などが挙げられる
。

この中で、有機シランの薄膜に直接ラビングを施す方法
が簡便ゆえに最も好ましい。

薄膜にラビングを施す方法としては当業者に公知の方法
をそのまま適用することができ、特に限定するものでは
ない。薄膜に直接ラビングを施すことにより液晶配向膜
とするものである。

本発明の強誘電性液晶デバイスについて以下に記す。

本発明の強誘電性液晶デバイスの構造を、−実施形態で
ある第１図を用いて説明するか、これに限定されるもの
ではない。第１図において１は基板、２は透明電極膜、
３は液晶配向膜、４はシール材、５はスペーサ、６は強
誘電性液晶を示す。

強誘電性液晶デバイスには、必要に応じて上下に偏光フ
ィルム、位相差シートなどを貼付してもよい。

液晶配向膜３は、本発明に用いる有機シランの混合物を
透明電極膜２上に成膜することによって得られる。成膜
する方法としては、混合物または混合物を含有する塗布
液を塗布した後、焼成する方法が挙げられる。また、塗
布する方法としては、スピンコード法、バーコード法、
ロールコート法、ディッピング法、印刷法が挙げられる
。

基板１としては、ガラスが主に使用されるか、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポ
リエーテルスルホン、ポリカ−ボネート、酢酸セルロー
スなどのプラスチックも使用できる。基板　ｌに蒸着、
スパッタ、ＣＶＤなどの公知の手段によって酸化スズ、
酸化インジウムやＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　
０ｘｉｄｅ）等の透明電極膜２が設けられる。シール材
４は液晶デバイス内に液晶を封止するためのものであり
、スペーサ５は基板と基板の間隔を一定に保つためのも
のである。

液晶配向膜３のラビングは２枚の基板１の少なくとも一
方に施されていれば良い。両方の基板にラビングを施し
た場合、ラビングの方向として互いに平行であるか反平
行であるかの何れでも良いが反平行がより好ましい。

Ｃ実施例コ以下、実施例によって本発明を具体的に説明する。なお
、実施例に記載の各成分の量（部）は重量部である。

実施例１透明電極膜（ＩＴＯ）付ガラス基板に、Ｎ−メチルアミ
ノプロピルトリメトキシシラン（以下″ＭＡＰ″と略称する）１．５部オクタデシルトリエトキシシラン（以下“ＯＴＳ”と略称する）１．５部水　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５部酢酸　　
　　　　　　　　　　　０．０４部酢酸ｎ−ブチル　　
　　　　　　　５０部ｎ−ブタノール　　　　　　　　
　　５０部からなる溶液を基板の電極膜上にスピンコー
ドした後、１２０℃で２０分間加熱し、厚み約５００人
の有機シランの薄膜を形成した。

ガラス基板上に形成した有機シランの薄膜に植毛布によ
り一方向にラビングを施した。この一対のガラス基板を
、スペーサとして２μ■のシリカ粒を用い、上下のラビ
ング方向が反平行となる様に重ね合わせ、注入口となる
箇所を除いてその周辺をシーリングした。

次にフェニルピリミジン系強誘電性液晶組成物Ｃ８−１
０１８（チッソ石油化学■社製）を９０℃に加熱して等
吉相とし、上記で作製したセル内に注入口から注入した
。このセルを６時間かけて９０℃から３０℃まで徐冷し
た。

偏光顕微鏡観察によって、セル内の強誘電性液晶は均一
に水平配向していることが確認できた。

セルの電極に電圧±５０Ｖ５５０部１０Ｈｚ正弦波を３
０秒間印加した後、クロスニコル下で第２図に示した±
ＩＯＶの駆動波形に用いて、コントラストを測定した。

この時のコントラストは５０であった。

実施例２〜３有機シラン薄膜の混合比を第１表に示した組゛成に代え
た以外は実施例１と同様に行った。結果を第１表に示す
。

第１表比較例１〜２有機シラン薄膜の組成を第２表に示した単独の有機シラ
ンに代えた以外は実施例１と同様に行った。結果を第２
表に示す。

第２表実施例４〜５実施例１の強誘電性液晶組成物Ｃ８−１０１８を、シア
ノシクロへキシルビフェニル系強誘電性液晶組成物ＺＬ
Ｉ−３４８８（Ｅ、メルク社製）またはＴＫＰ−ＨＩ３
　（帝国化学産業■社製）に代えた以外は実施例１と同
様に行った。その結果を第３表に示す。

第３表実施例６〜８実施例１の有機シランの組成比をＭＡＰ　　Ｏ，５゜部
、０ＴＳ２．０部に代え、強誘電性液晶を表４に示した
シアノシクロへキシルビフェニル系強誘電性液晶組成物
に代えた以外は、実施例１と同様に行った。

第４表実施例９透明電極膜（ＩＴＯ）付ガラス基板に、ＭＡＰ　　　　
　　　　　　　　　　　　１．５部ＯＴ　Ｓ　　　　　
　　　　　　　　　　　１．５部水　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　０．５部酢酸　　　　　
　　　　　　　　０．０４部ｎ−ブタノール　　　　　
　　　　９７部からなる溶液をスピンニートした後、１
８０”ｃで６０分間加熱し、厚み約５００人の有機シラ
ンの薄膜を形成した。

ガラス基板上に形成した有機シランの薄膜に植毛布によ
り一方向にラビングを施した。この一対のガラス基板を
、スペーサとして１．８μｍのシリカ粒を用い、上下の
ラビング方向が反平行となる様に重ね合わせ、注入口と
なる箇所を除いてその周辺をシーリングした。

次にフェニルピリミジン系強誘電性液晶組成物Ｃ３−１
０２４（チッソ石油化学■製）を１００℃に加熱して等
六相とし、上記で作製したセル内に注入口から注入した
。このセルを７時間かけて１００℃から３０℃まで徐冷
した。

偏光顕微鏡観察によって、セル内の強誘電性液晶は均一
に水平配向していることか確認できた。

セルの電極に電圧±３５Ｖ、周波数１０Ｈｚの正弦波を
印加した後、クロスニコル下で第２図に示した±４Ｖの
駆動波形によって、コントラストを測定した。

この時のコントラストは３５０であった。

実施例１０〜２１有機シラン薄膜の組成を第５表に示した組成に代えた以
外は実施例９と同様に行った。結果を第５表に示す。

第５表比較例３〜１５有機シラン薄膜の組成を第６表に示した単独の有機シラ
ンに代えた以外は実施例９と同様に行った。結果を第６
表に示す。

第６表［発明の効果コ以上説明したように、本発明によれば、強誘電性液晶を
大面積にわたって均一に配向させることが可能になり、
さらに電界除去後も電界印加後の状態を維持するメモリ
効果を持つ強誘電性液晶デバイスを得ることかできる。

また、共誘電性液晶の層構造を乱すことなく、液晶分子
を基板に平行に、大面積にわたり均一に配向させること
ができ、高コントラストで動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の液晶セルの１実施例を表す断面図。第２図は本発明の実施例で用いた液晶セルの駆動波形と
透過光量変化を示したグラフである。図中、ｌはガラス基板、２は透明電極膜、３は有機シラ
ンの薄膜からなる配向膜、４はシール材、５はスペーサ
、６は強誘電性液晶を表す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板に液晶配向膜として、ヘテロ原子を含有する
置換基を有する有機シラン及び炭化水素基を有する有機
シランの混合物からなる薄膜を用いたことを特徴とする
強誘電性液晶デバイス。