JP3178363B2 - 強誘電体薄膜形成剤 - Google Patents
強誘電体薄膜形成剤Info
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- JP3178363B2 JP3178363B2 JP00457097A JP457097A JP3178363B2 JP 3178363 B2 JP3178363 B2 JP 3178363B2 JP 00457097 A JP00457097 A JP 00457097A JP 457097 A JP457097 A JP 457097A JP 3178363 B2 JP3178363 B2 JP 3178363B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は赤外線センサー、圧
電フィルター、振動子、レーザーの変調素子、光シャッ
ター、キャパシタ膜、不揮発性のメモリー等に適用され
る高純度の層状ペロブスカイト型化合物からなる強誘電
体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成剤に関する。
電フィルター、振動子、レーザーの変調素子、光シャッ
ター、キャパシタ膜、不揮発性のメモリー等に適用され
る高純度の層状ペロブスカイト型化合物からなる強誘電
体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体薄膜の成膜方法として、金属ア
ルコキシド及び／又は金属カルボン酸塩を有機溶媒に溶
かして調製された強誘電体薄膜形成剤を、スピンコート
法により基板上に塗布し、所望の厚さの塗膜を形成し、
これを焼成する方法がある。
ルコキシド及び／又は金属カルボン酸塩を有機溶媒に溶
かして調製された強誘電体薄膜形成剤を、スピンコート
法により基板上に塗布し、所望の厚さの塗膜を形成し、
これを焼成する方法がある。
【０００３】この方法は、スパッタリング法による成膜
法に比べて、容易に目的とする組成の強誘電体薄膜を形
成することができ、しかもその設備が低コストであるな
どの利点を有する。
法に比べて、容易に目的とする組成の強誘電体薄膜を形
成することができ、しかもその設備が低コストであるな
どの利点を有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、強誘電
体薄膜形成剤に用いる有機溶媒と金属アルコキシド及び
／又は金属カルボン酸塩の種類によっては、スピンコー
ト法により得られる塗膜には、ストリエーションと呼ば
れる不均質な部分が観察される。このストリエーション
のある不均質な塗膜を焼成して得られる強誘電体薄膜で
は、誘電特性に関して再現性のある薄膜を得ることが困
難である。このため、有機溶媒に対して、使用できる金
属アルコキシド及び／又は金属カルボン酸塩等に制約が
生じる。
体薄膜形成剤に用いる有機溶媒と金属アルコキシド及び
／又は金属カルボン酸塩の種類によっては、スピンコー
ト法により得られる塗膜には、ストリエーションと呼ば
れる不均質な部分が観察される。このストリエーション
のある不均質な塗膜を焼成して得られる強誘電体薄膜で
は、誘電特性に関して再現性のある薄膜を得ることが困
難である。このため、有機溶媒に対して、使用できる金
属アルコキシド及び／又は金属カルボン酸塩等に制約が
生じる。
【０００５】例えば、従来、Ｓｒ−Ｂｉ−Ｔａ−Ｎｂ系
強誘電体薄膜形成剤として、Ｓｒ及びＢｉの２−エチル
ヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂの２−メトキシエトキシド
を酢酸イソアミルに溶解してなるものが提供されている
が、この強誘電体薄膜形成剤において、水に対する安定
性を付与するために、Ｔａ及びＮｂの２−メトキシエト
キシドの代わりにＴａ及びＮｂの２−エチルヘキサン酸
塩を用いた場合には、形成される塗膜はストリエーショ
ンが観察されるものとなる。このため、この組み合せは
好ましくない。
強誘電体薄膜形成剤として、Ｓｒ及びＢｉの２−エチル
ヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂの２−メトキシエトキシド
を酢酸イソアミルに溶解してなるものが提供されている
が、この強誘電体薄膜形成剤において、水に対する安定
性を付与するために、Ｔａ及びＮｂの２−メトキシエト
キシドの代わりにＴａ及びＮｂの２−エチルヘキサン酸
塩を用いた場合には、形成される塗膜はストリエーショ
ンが観察されるものとなる。このため、この組み合せは
好ましくない。
【０００６】このように、従来においては、使用する有
機溶媒に対して、適用可能な有機金属化合物が制約を受
けるため、強誘電体薄膜形成剤の安定性や取扱性、有機
金属化合物の価格や入手し易さ等の面から任意の有機金
属化合物を選定使用することはできないという不具合が
あった。
機溶媒に対して、適用可能な有機金属化合物が制約を受
けるため、強誘電体薄膜形成剤の安定性や取扱性、有機
金属化合物の価格や入手し易さ等の面から任意の有機金
属化合物を選定使用することはできないという不具合が
あった。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決し、有機
金属化合物の種類に影響されることなく、ストリエーシ
ョンのない均質な塗膜を確実に形成することができる強
誘電体薄膜形成剤を提供することを目的とする。
金属化合物の種類に影響されることなく、ストリエーシ
ョンのない均質な塗膜を確実に形成することができる強
誘電体薄膜形成剤を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の強誘電体薄膜形
成剤は、有機金属化合物を有機溶媒に溶解してなる、
（ＳｒX Ｂｉ1-X ）Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 Ｏ
Z （ただし、０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）、
［｛Ｓｒ1-m （Ｐｂ及び／又はＢａ）m ｝X Ｂｉ1-X ］
Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０＜ｍ≦
０．３、０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元
素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）、又は、
｛（Ｓｒ1-n Ｒn ）x Ｂｉ1-x ｝Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ
1-Y ）2 ＯZ （ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及びＥｒよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の元素を示し、０＜ｎ≦０．１、
０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元素に付随
する酸素原子の数の合計を示す。）の組成を有する強誘
電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成剤におい
て、該有機溶媒として、１−アルコキシ−２−プロパノ
ール及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の
分子式を持つカルボン酸とエタノールとのエステルより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の混合溶媒を用い
たことを特徴とする。
成剤は、有機金属化合物を有機溶媒に溶解してなる、
（ＳｒX Ｂｉ1-X ）Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 Ｏ
Z （ただし、０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）、
［｛Ｓｒ1-m （Ｐｂ及び／又はＢａ）m ｝X Ｂｉ1-X ］
Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０＜ｍ≦
０．３、０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元
素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）、又は、
｛（Ｓｒ1-n Ｒn ）x Ｂｉ1-x ｝Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ
1-Y ）2 ＯZ （ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及びＥｒよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の元素を示し、０＜ｎ≦０．１、
０．４≦Ｘ＜１、０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元素に付随
する酸素原子の数の合計を示す。）の組成を有する強誘
電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成剤におい
て、該有機溶媒として、１−アルコキシ−２−プロパノ
ール及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の
分子式を持つカルボン酸とエタノールとのエステルより
なる群から選ばれる１種又は２種以上の混合溶媒を用い
たことを特徴とする。
【０００９】本発明に従って、有機溶媒として１−アル
コキシ−２−プロパノール及びそのカルボン酸エステル
並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカルボン酸とエタノ
ールとのエステルよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の混合溶媒を用いることにより、有機金属化合物の
種類に関わりなく、ストリエーションのない均質な塗膜
を形成して、高特性強誘電体薄膜を製造することができ
る。
コキシ−２−プロパノール及びそのカルボン酸エステル
並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカルボン酸とエタノ
ールとのエステルよりなる群から選ばれる１種又は２種
以上の混合溶媒を用いることにより、有機金属化合物の
種類に関わりなく、ストリエーションのない均質な塗膜
を形成して、高特性強誘電体薄膜を製造することができ
る。
【００１０】本発明において、１−アルコキシ−２−プ
ロパノールとしては１−エトキシ−２−プロパノールが
好ましく、１−アルコキシ−２−プロパノールのカルボ
ン酸エステルとしては、１−エトキシ−２−アセトキシ
プロパンが好ましく、Ｃ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカル
ボン酸とエタノールとのエステルとしてはヘキサン酸エ
チルが好ましい。
ロパノールとしては１−エトキシ−２−プロパノールが
好ましく、１−アルコキシ−２−プロパノールのカルボ
ン酸エステルとしては、１−エトキシ−２−アセトキシ
プロパンが好ましく、Ｃ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカル
ボン酸とエタノールとのエステルとしてはヘキサン酸エ
チルが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１２】本発明の強誘電体薄膜形成剤は、有機金属
化合物を溶解する有機溶媒として、１−アルコキシ−２
−プロパノール及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6
Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカルボン酸とエタノールとのエ
ステルよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合
溶媒を用いることを特徴とする。
化合物を溶解する有機溶媒として、１−アルコキシ−２
−プロパノール及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6
Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカルボン酸とエタノールとのエ
ステルよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合
溶媒を用いることを特徴とする。
【００１３】本発明において、１−アルコキシ−２−プ
ロパノールとしては、１−メトキシ−２−プロパノー
ル、１−プロポキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ
−２−プロパノール等が挙げられ、これらのうち、特
に、１−エトキシ−２−プロパノールが好ましい。
ロパノールとしては、１−メトキシ−２−プロパノー
ル、１−プロポキシ−２−プロパノール、１−ブトキシ
−２−プロパノール等が挙げられ、これらのうち、特
に、１−エトキシ−２−プロパノールが好ましい。
【００１４】また、１−アルコキシ−２−プロパノール
のカルボン酸エステルとしては、１−メトキシ−２−ア
セトキシプロパン、１−プロポキシ−２−アセトキシプ
ロパン、１−ブトキシ−２−アセトキシプロパン等の酢
酸エステル、１−メトキシ−２−プロピオニルオキシプ
ロパン、１−エトキシ−２−プロピオニルオキシプロパ
ン、１−プロポキシ−２−プロピオニルオキシプロパ
ン、１−ブトキシ−２−プロピオニルオキシプロパン等
のプロピオン酸エステル等が挙げられる。これらのう
ち、特に、１−エトキシ−２−アセトキシプロパンが好
ましい。
のカルボン酸エステルとしては、１−メトキシ−２−ア
セトキシプロパン、１−プロポキシ−２−アセトキシプ
ロパン、１−ブトキシ−２−アセトキシプロパン等の酢
酸エステル、１−メトキシ−２−プロピオニルオキシプ
ロパン、１−エトキシ−２−プロピオニルオキシプロパ
ン、１−プロポキシ−２−プロピオニルオキシプロパ
ン、１−ブトキシ−２−プロピオニルオキシプロパン等
のプロピオン酸エステル等が挙げられる。これらのう
ち、特に、１−エトキシ−２−アセトキシプロパンが好
ましい。
【００１５】また、Ｃ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つカルボ
ン酸とエタノールとのエステルとしては、ヘキサン酸エ
チル、２−エチルブタン酸エチル等が挙げられ、これら
のうち、特に、ヘキサン酸エチルが好ましい。
ン酸とエタノールとのエステルとしては、ヘキサン酸エ
チル、２−エチルブタン酸エチル等が挙げられ、これら
のうち、特に、ヘキサン酸エチルが好ましい。
【００１６】本発明において、有機溶媒として、これら
の３種類の溶媒の２種以上の混合溶媒を用いる場合、そ
の混合割合には特に制限はなく、任意の混合比を採用す
ることができる。
の３種類の溶媒の２種以上の混合溶媒を用いる場合、そ
の混合割合には特に制限はなく、任意の混合比を採用す
ることができる。
【００１７】本発明においては、上記特定の有機溶媒を
用いることから、有機金属化合物には特に制限を受け
ず、強誘電体薄膜を構成する金属元素の金属アルコキシ
ド、例えば、ブトキシド、エトキシド、プロポキシド、
イソプロポキシド、２−メトキシエトキシド、１−エト
キシ−２−プロポキシド、イソアミルアルコキシド等、
及び、金属カルボン酸塩、例えば、２−エチルヘキサン
酸塩、オクチル酸塩、ｎ−ヘキサン酸塩、２−エチル酪
酸塩、ｉ−吉草酸塩、２，２−ジメチル酪酸塩、３，３
−ジメチル−酪酸塩、２，３−ジメチル−酪酸塩、３−
メチルペンタン酸塩、４−メチルペンタン酸塩、２−エ
チルペンタン酸塩、３−エチルペンタン酸塩、２，２−
ジメチルペンタン酸塩、３，３−ジメチルペンタン酸
塩、２，３−ジメチルペンタン酸塩、３−エチルヘキサ
ン酸塩等その他、アセチルアセトン金属錯体、ヒドロキ
シアセトン金属錯体等の有機金属化合物のなかから任意
の組み合せで用いることができる。
用いることから、有機金属化合物には特に制限を受け
ず、強誘電体薄膜を構成する金属元素の金属アルコキシ
ド、例えば、ブトキシド、エトキシド、プロポキシド、
イソプロポキシド、２−メトキシエトキシド、１−エト
キシ−２−プロポキシド、イソアミルアルコキシド等、
及び、金属カルボン酸塩、例えば、２−エチルヘキサン
酸塩、オクチル酸塩、ｎ−ヘキサン酸塩、２−エチル酪
酸塩、ｉ−吉草酸塩、２，２−ジメチル酪酸塩、３，３
−ジメチル−酪酸塩、２，３−ジメチル−酪酸塩、３−
メチルペンタン酸塩、４−メチルペンタン酸塩、２−エ
チルペンタン酸塩、３−エチルペンタン酸塩、２，２−
ジメチルペンタン酸塩、３，３−ジメチルペンタン酸
塩、２，３−ジメチルペンタン酸塩、３−エチルヘキサ
ン酸塩等その他、アセチルアセトン金属錯体、ヒドロキ
シアセトン金属錯体等の有機金属化合物のなかから任意
の組み合せで用いることができる。
【００１８】本発明の強誘電体薄膜形成剤は、前記特定
の有機溶媒に対して、このような有機金属化合物を、所
定の組成比で、強誘電体薄膜形成剤中の金属の酸化物換
算の合計濃度が５〜１５重量％となるように溶解させる
ことにより調製することができる。
の有機溶媒に対して、このような有機金属化合物を、所
定の組成比で、強誘電体薄膜形成剤中の金属の酸化物換
算の合計濃度が５〜１５重量％となるように溶解させる
ことにより調製することができる。
【００１９】このような本発明の強誘電体薄膜形成剤に
より強誘電体薄膜を形成するには、スピンコート法によ
り、Ｐｔ，Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／
Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｒｕ／
ＲｕＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2
／Ｒｕ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ
／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ等の基
板上に本発明の強誘電体薄膜形成剤を塗布し、乾燥（仮
焼成）及び本焼成を行う。なお、１回の塗布では、所望
の膜厚が得られない場合には、塗布、乾燥の工程を複数
回繰り返し行った後、本焼成を行う。ここで、乾燥は、
１５０〜４００℃で行われ、本焼成は４５０〜８００℃
で３０分〜２時間程度行われる。
より強誘電体薄膜を形成するには、スピンコート法によ
り、Ｐｔ，Ｓｉ，Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／
Ｔａ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｒｕ／
ＲｕＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2 ／Ｓｉ，ＲｕＯ2
／Ｒｕ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ，Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ
／Ｉｒ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＩｒＯ2 ／Ｓｉ等の基
板上に本発明の強誘電体薄膜形成剤を塗布し、乾燥（仮
焼成）及び本焼成を行う。なお、１回の塗布では、所望
の膜厚が得られない場合には、塗布、乾燥の工程を複数
回繰り返し行った後、本焼成を行う。ここで、乾燥は、
１５０〜４００℃で行われ、本焼成は４５０〜８００℃
で３０分〜２時間程度行われる。
【００２０】このようにして形成される強誘電体薄膜の
厚さは、通常の場合、３００〜５０００Å程度である。
厚さは、通常の場合、３００〜５０００Å程度である。
【００２１】なお、本発明の強誘電体薄膜の組成は下記
〜である。
〜である。
【００２２】 （ＳｒX Ｂｉ1-X ）Ｂｉ2 （ＴａY Ｎ
ｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１
で、Ｚは各金属元素に付随する酸素原子の数の合計を示
す。） ［｛Ｓｒ1-m （Ｐｂ及び／又はＢａ）m ｝X Ｂｉ
1-X ］Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０＜
ｍ≦０．３，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。） ｛（Ｓｒ1-n Ｒn ）X Ｂｉ1-X ｝Ｂｉ2 （ＴａY Ｎ
ｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及びＥｒよりなる群から選
ばれる１種又は２種以上の元素を示し、０＜ｎ≦０．
１，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元素に
付随する酸素原子の数の合計を示す。） 上記〜の組成において、Ｘが０．４以上１未満であ
るため、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体薄
膜が得られる。Ｘが０．４未満であると残留分極が著し
く低下する。
ｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１
で、Ｚは各金属元素に付随する酸素原子の数の合計を示
す。） ［｛Ｓｒ1-m （Ｐｂ及び／又はＢａ）m ｝X Ｂｉ
1-X ］Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０＜
ｍ≦０．３，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。） ｛（Ｓｒ1-n Ｒn ）X Ｂｉ1-X ｝Ｂｉ2 （ＴａY Ｎ
ｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及びＥｒよりなる群から選
ばれる１種又は２種以上の元素を示し、０＜ｎ≦０．
１，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元素に
付随する酸素原子の数の合計を示す。） 上記〜の組成において、Ｘが０．４以上１未満であ
るため、残留分極が大きく、膜疲労の少ない強誘電体薄
膜が得られる。Ｘが０．４未満であると残留分極が著し
く低下する。
【００２３】Ｔａの一部又は全部をＮｂで置換すること
により残留分極を大きくすることができる。この置換割
合は、０≦Ｙ≦０．７の範囲であることが好ましい。
により残留分極を大きくすることができる。この置換割
合は、０≦Ｙ≦０．７の範囲であることが好ましい。
【００２４】上記の組成において、Ｓｒの一部をＢａ
で置換することにより、抗電界を小さくする作用が得ら
れるが、この置換割合が過度に多いと残留分極の低下を
引き起こす。また、Ｓｒの一部をＰｂで置換することに
より、残留分極の増大が図れるが、この置換割合が過度
に大きいと抗電界も増大する。このため、Ｂａ及び／又
はＰｂの置換割合は、０＜ｍ≦０．３とする。
で置換することにより、抗電界を小さくする作用が得ら
れるが、この置換割合が過度に多いと残留分極の低下を
引き起こす。また、Ｓｒの一部をＰｂで置換することに
より、残留分極の増大が図れるが、この置換割合が過度
に大きいと抗電界も増大する。このため、Ｂａ及び／又
はＰｂの置換割合は、０＜ｍ≦０．３とする。
【００２５】また、上記の組成において、Ｓｒの一部
をＬａ，Ｃｅ，Ｒｒ，Ｎｂ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及
びＥｒよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の元素
で置換することにより残留分極を大きくすることができ
るが、この割合が過度に大きいと強誘電性が損なわれる
ため、０＜ｎ≦０．１とする。
をＬａ，Ｃｅ，Ｒｒ，Ｎｂ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及
びＥｒよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の元素
で置換することにより残留分極を大きくすることができ
るが、この割合が過度に大きいと強誘電性が損なわれる
ため、０＜ｎ≦０．１とする。
【００２６】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２７】薄膜形成の熱処理時に、鉛、ビスマスは蒸
発することを考慮して、以下の実施例１〜１０２及び比
較例１〜１２では、請求項で示した薄膜の金属組成と同
じ組成を持つ薄膜形成剤に、更に、鉛、ビスマスを過剰
に加えたものを用いてある。それらの薄膜形成剤を用い
て形成した薄膜の金属組成をＥＰＭＡ及びＩＣＰ発光分
析法により調べた結果、どの薄膜の金属組成もそれぞれ
対応する請求項に示した組成を満たした。
発することを考慮して、以下の実施例１〜１０２及び比
較例１〜１２では、請求項で示した薄膜の金属組成と同
じ組成を持つ薄膜形成剤に、更に、鉛、ビスマスを過剰
に加えたものを用いてある。それらの薄膜形成剤を用い
て形成した薄膜の金属組成をＥＰＭＡ及びＩＣＰ発光分
析法により調べた結果、どの薄膜の金属組成もそれぞれ
対応する請求項に示した組成を満たした。
【００２８】実施例１〜１７、比較例１，２ 有機金属化合物として、Ｓｒ，Ｂｉ，Ｔａ及びＮｂの２
−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳｒ：Ｂｉ：Ｔ
ａ：Ｎｂ＝０．８：２．４：１．３：０．７のモル比と
なるように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０
重量％となるように、表１に示す有機溶媒に溶解して強
誘電体薄膜形成剤を調製した。
−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳｒ：Ｂｉ：Ｔ
ａ：Ｎｂ＝０．８：２．４：１．３：０．７のモル比と
なるように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０
重量％となるように、表１に示す有機溶媒に溶解して強
誘電体薄膜形成剤を調製した。
【００２９】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００３０】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表１に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表１に示し
た。
【００３１】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表１に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表１に示した。
【００３２】
【表１】
【００３３】実施例１８〜３４、比較例３，４ 有機金属化合物として、Ｓｒ及びＢｉの２−エチルヘキ
サン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用い、これらを
Ｓｒ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．８：２．４：１．３：
０．７のモル比となるように、かつ、金属の酸化物換算
の合計濃度が１０重量％となるように、表２に示す有機
溶媒に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製した。
サン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用い、これらを
Ｓｒ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．８：２．４：１．３：
０．７のモル比となるように、かつ、金属の酸化物換算
の合計濃度が１０重量％となるように、表２に示す有機
溶媒に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製した。
【００３４】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００３５】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表２に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表２に示し
た。
【００３６】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表２に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表２に示した。
【００３７】なお、実施例１８〜３４において、エトキ
シドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキ
シド、２−メトキシエトキシド又はアルコキシドを用い
た場合にも同等の結果が得られた。
シドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキ
シド、２−メトキシエトキシド又はアルコキシドを用い
た場合にも同等の結果が得られた。
【００３８】
【表２】
【００３９】実施例３５〜５１、比較例５，６ 有機金属化合物として、Ｓｒ，Ｐｂ，Ｂａ，Ｂｉ，Ｔａ
及びＮｂの２−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳ
ｒ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７：０．１：
０．０５：２．４：１．３０：０．７０のモル比となる
ように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０重量
％となるように、表３に示す有機溶媒に溶解して強誘電
体薄膜形成剤を調製した。
及びＮｂの２−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳ
ｒ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７：０．１：
０．０５：２．４：１．３０：０．７０のモル比となる
ように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０重量
％となるように、表３に示す有機溶媒に溶解して強誘電
体薄膜形成剤を調製した。
【００４０】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００４１】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表３に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表３に示し
た。
【００４２】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表３に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表３に示した。
【００４３】
【表３】
【００４４】実施例５２〜６８、比較例７，８ 有機金属化合物として、Ｓｒ，Ｐｂ，Ｂａ及びＢｉの２
−エチルヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用
い、これらをＳｒ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝
０．７：０．１：０．０５：２．４：１．３０：０．７
０のモル比となるように、かつ、金属の酸化物換算の合
計濃度が１０重量％となるように、表４に示す有機溶媒
に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製した。
−エチルヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用
い、これらをＳｒ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝
０．７：０．１：０．０５：２．４：１．３０：０．７
０のモル比となるように、かつ、金属の酸化物換算の合
計濃度が１０重量％となるように、表４に示す有機溶媒
に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製した。
【００４５】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００４６】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表４に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表４に示し
た。
【００４７】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表４に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表４に示した。
【００４８】なお、実施例５２〜６８において、エトキ
シドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキ
シド、２−メトキシエトキシド又はアルコキシドを用い
た場合にも同等の結果が得られた。
シドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキ
シド、２−メトキシエトキシド又はアルコキシドを用い
た場合にも同等の結果が得られた。
【００４９】
【表４】
【００５０】実施例６９〜８５、比較例９，１０ 有機金属化合物として、Ｓｒ，Ｌａ，Ｂｉ，Ｔａ及びＮ
ｂの２−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳｒ：Ｌ
ａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７６：０．０４：２．４：
１．３０：０．７０のモル比となるように、かつ、金属
の酸化物換算の合計濃度が１０重量％となるように、表
５に示す有機溶媒に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製
した。
ｂの２−エチルヘキサン酸塩を用い、これらをＳｒ：Ｌ
ａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７６：０．０４：２．４：
１．３０：０．７０のモル比となるように、かつ、金属
の酸化物換算の合計濃度が１０重量％となるように、表
５に示す有機溶媒に溶解して強誘電体薄膜形成剤を調製
した。
【００５１】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００５２】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表５に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表５に示し
た。
【００５３】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表５に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表５に示した。
【００５４】なお、実施例６９〜８５において、Ｌａの
代りにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｇｄ又は
Ｅｒ、或いは、これらとＬａのうちの２種以上の元素を
用いた場合も同様の結果が得られた。
代りにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｇｄ又は
Ｅｒ、或いは、これらとＬａのうちの２種以上の元素を
用いた場合も同様の結果が得られた。
【００５５】
【表５】
【００５６】実施例８６〜１０２、比較例１１，１２ 有機金属化合物として、Ｓｒ，Ｌａ，及びＢｉの２−エ
チルヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用い、
これらをＳｒ：Ｌａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７６：
０．０４：２．４：１．３０：０．７０のモル比となる
ように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０重量
％となるように、表６に示す有機溶媒に溶解して強誘電
体薄膜形成剤を調製した。
チルヘキサン酸塩とＴａ及びＮｂのエトキシドを用い、
これらをＳｒ：Ｌａ：Ｂｉ：Ｔａ：Ｎｂ＝０．７６：
０．０４：２．４：１．３０：０．７０のモル比となる
ように、かつ、金属の酸化物換算の合計濃度が１０重量
％となるように、表６に示す有機溶媒に溶解して強誘電
体薄膜形成剤を調製した。
【００５７】得られた強誘電体薄膜形成剤をスピンコー
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
ト法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で４インチ
Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布した。
【００５８】得られた塗膜表面を光学顕微鏡により観察
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表６に示し
た。
し、ストリエーションの有無を調べ、結果を表６に示し
た。
【００５９】また、得られた強誘電体薄膜形成剤をスピ
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表６に示した。
ンコート法により３０００ｒｐｍで１５秒間の条件で、
４インチのＰｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ2 ／Ｓｉ基板上に塗布し
た。その後、４００℃で１０分間乾燥させた。この工程
を３回行った。その後、８００℃の酸素雰囲気中で１時
間焼成した。得られた強誘電体薄膜の膜厚と、印加電圧
３Ｖにおける、その強誘電体薄膜の誘電特性を調べ、結
果を表６に示した。
【００６０】なお、実施例８６〜１０２において、Ｌａ
の代りにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｇｄ又
はＥｒ、或いは、これらとＬａのうちの２種以上の元素
を用いた場合も同様の結果が得られた。また、エトキシ
ドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキシ
ド、２−メトキシエトキシド、１−エトキシ−２−プロ
ポキシド、イソアミルアルコキシドを用いた場合にも同
等の結果が得られた。
の代りにＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｇｄ又
はＥｒ、或いは、これらとＬａのうちの２種以上の元素
を用いた場合も同様の結果が得られた。また、エトキシ
ドの代りにブトキシド、プロポキシド、イソプロポキシ
ド、２−メトキシエトキシド、１−エトキシ−２−プロ
ポキシド、イソアミルアルコキシドを用いた場合にも同
等の結果が得られた。
【００６１】
【表６】
【００６２】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の強誘電体薄
膜形成剤によれば、スピンコート法により基板上にスト
リエーションのない均質な塗膜を形成することができ、
この塗膜を焼成することで、誘電特性に関して再現性の
ある強誘電体薄膜を形成することができる。
膜形成剤によれば、スピンコート法により基板上にスト
リエーションのない均質な塗膜を形成することができ、
この塗膜を焼成することで、誘電特性に関して再現性の
ある強誘電体薄膜を形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社総合研究所内 (56)参考文献 特開 平８−153854（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−286619（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C01G 35/00 H01B 3/12 312 C01B 13/32 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属化合物を有機溶媒に溶解してな
る、（ＳｒX Ｂｉ1-X ）Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 Ｏ
Z （ただし、０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）の組成
を有する強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形
成剤において、 該有機溶媒として、１−アルコキシ−２−プロパノール
及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の分子
式を持つカルボン酸とエタノールとのエステルよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の混合溶媒を用いたこ
とを特徴とする強誘電体薄膜形成剤。 - 【請求項２】 有機金属化合物を有機溶媒に溶解してな
る、［｛Ｓｒ1-m （Ｐｂ及び／又はＢａ）m ｝X Ｂｉ
1-X ］Ｂｉ2 （ＴａY Ｎｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、０＜
ｍ≦０．３，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金
属元素に付随する酸素原子の数の合計を示す。）の組成
を有する強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形
成剤において、 該有機溶媒として、１−アルコキシ−２−プロパノール
及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の分子
式を持つカルボン酸とエタノールとのエステルよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の混合溶媒を用いたこ
とを特徴とする強誘電体薄膜形成剤。 - 【請求項３】 有機金属化合物を有機溶媒に溶解してな
る、｛（Ｓｒ1-n Ｒn ）X Ｂｉ1-X ｝Ｂｉ2 （ＴａY Ｎ
ｂ1-Y ）2 ＯZ （ただし、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｇｄ及びＥｒよりなる群から選
ばれる１種又は２種以上の元素を示し、０＜ｎ≦０．
１，０．４≦Ｘ＜１，０≦Ｙ≦１で、Ｚは各金属元素に
付随する酸素原子の数の合計を示す。）の組成を有する
強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成剤にお
いて、 該有機溶媒として、１−アルコキシ−２−プロパノール
及びそのカルボン酸エステル並びにＣ6 Ｈ12Ｏ2 の分子
式を持つカルボン酸とエタノールとのエステルよりなる
群から選ばれる１種又は２種以上の混合溶媒を用いたこ
とを特徴とする強誘電体薄膜形成剤。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、１−アルコキシ−２−プロパノールが１−エトキシ
−２−プロパノールであり、１−アルコキシ−２−プロ
パノールのカルボン酸エステルが１−エトキシ−２−ア
セトキシプロパンであり、Ｃ6 Ｈ12Ｏ2 の分子式を持つ
カルボン酸とエタノールとのエステルがヘキサン酸エチ
ルであることを特徴とする強誘電体薄膜形成剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00457097A JP3178363B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 強誘電体薄膜形成剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00457097A JP3178363B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 強誘電体薄膜形成剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199336A JPH10199336A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3178363B2 true JP3178363B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=11587708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00457097A Expired - Fee Related JP3178363B2 (ja) | 1997-01-14 | 1997-01-14 | 強誘電体薄膜形成剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3178363B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4030243B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2008-01-09 | 日本電気株式会社 | 強誘電体薄膜形成用溶液及び強誘電体薄膜形成方法 |
| JP4572364B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 強誘電体薄膜形成用組成物及び強誘電体薄膜並びに強誘電体薄膜の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-14 JP JP00457097A patent/JP3178363B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10199336A (ja) | 1998-07-31 |
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