CN1292100A - 电光学装置及其制造方法和电子机器 - Google Patents

Abstract

在TFT有源矩阵驱动方式的电光学装置中,为了用比较简单的构成而能够中继象素电极和半导体层且提高象素开口率并能够高品位图象显示,电光学装置在TFT阵列基板(10)上设置有TFT(30)、数据线(6a)、扫描线(3a)、电容线(3b)和象素电极(9a)。象素电极和TFT之间中继第一阻挡层(80a),并且接触孔(8a)和接触孔(8b)电气连接。第二阻挡层(80b)设置得比数据线更宽,其一部分与象素电极重叠,并界定象素开口区。

Description

电光学装置及其制造方法和电子机器

本发明属于电光学装置及其制造方法技术领域，特别是涉及具有使象素电极与象素切换用的薄膜晶体管(下称TFT)之间电气导通良好的中继用导电层的电光学装置及其制造方法和电子机器。

原来，这种电光学装置是在一对基板之间夹持有液晶等电光学物质，在一方基板的一例的TFT阵列基板上设置有矩阵状多个象素电极，另一方基板的一例的对面基板上规定有各象素上的象素开口区(即：各象素上的使光通过电光学物质部分的区域)，所以，一般对应于象素电极的间隙，把遮光膜设置成格子状。这种情况下，为了不会因各象素电极的周边漏光而使显示图象的对比度降低，沿平面看格子状的遮光膜都与各象素电极有些重叠。这时，因为设置在对面基板侧上的遮光膜经电光学物质等离象素电极比较远，所以考虑到斜射光或两基板贴合错位，上述的象素电极与遮光膜必须留有相当的余量重叠起来。这就成为提高象素开口率(即各象素的象素开口区所占的比率)时的大的障碍。

因此，最近按照所谓进行明亮的图象显示的一般要求，为了提高各象素中的象素开口率，不是仅在对面基板侧的遮光膜上界定象素开口区，而是形成宽的数据线，以便用Al(铝)等遮光性材料覆盖象素电极的纵方向的间隙，从而部分地规定各象素开口区。按照这种技术，因为用数据线来部分地界定各象素开口区，所以能够提高象素开口率。

另一方面，在这种电光学装置中，各象素电极与例如设置在各象素上的TFT等的切换元件必须相互连接起来，但是，由于在两者之间存在包含扫描线、电容线、数据线等配线以及使它们相互电气绝缘的多层层间绝缘膜的例如大约1000nm或更厚的叠层结构，所以，就很难开用来使两者电气连接的接触孔。

按照这种电光学装置中的所谓显示图象的高品位化的一般要求，象素节距的细微化、象素开口率的提高、对象素电极稳定地提供图象信号等就尤为重要。

但是，按照用上述数据线部分地界定象素开口区的技术，因为数据线与象素电极经层间绝缘膜部分地重叠起来，如果考虑到设置在各象素中的TFT的话，对应于上述数据线与象素电极的重叠，就会在源极和漏极之间产生寄生电容。这里，一般经数据线供给图象信号的TFT在整个1帧期间进行切换动作，以便把对应图象信号的一定电位保持在象素电极上，但是，在该期间内，由于数据线向供给其他行的TFT的图象信号的电位频繁地摆动，所以，上述源极与漏极之间的寄生电容使TFT异常动作，并把应保持在象素电极上的电压泄放掉。结果，对象素电极的图象信号的供给就不稳定，最终会招致显示图象的劣化。

另一方面，按照这种电光学装置中的装置构成的简单化和低成本化的要求，在附加或提高某种功能时，重要的是不要过分增加叠层结构中的导电层或绝缘膜的层数，或有效地利用一层膜来实现多功能。

本发明就是鉴于上述的问题，提供一种具有比较简单的构成、能够提高象素开口率并能够进行高品位图象显示的电光学装置及其制造方法。

为了解决上述问题，本发明的电光学装置在基板上设置有：

多条扫描线、

多条数据线、

对应于所述各扫描线与所述各数据线的交叉处配置的薄膜晶体管和象素电极、

插在构成所述薄膜晶体管的源和漏区的半导体层和所述象素电极之间并与所述半导体层电气连接且与所述象素电极电气连接的遮光性的第一导电层、以及由与所述第一导电层同一薄膜构成并沿平面看至少部分地与所述数据线重叠的第二导电层。

按照本发明的电光学装置的构成，第一导电层插在半导体层和象素电极之间，一方与半导体层电气连接，另一方与象素电极电气连接。因此，第一导电层起电气连接象素电极与半导体层的漏区的中继导电层的作用，就能够避免经一个接触孔把两者直接连接起来的情况的困难性。

因为沿平面看第二导电层至少部分地与所述数据线重叠，所以除数据线之外，第二导电层能够冗长各象素的遮光。

在本发明的电光学装置的一个方案中，沿平面看所述第二导电层至少部分地与所述象素电极重叠。

按照这种构成，沿平面看至少部分邻接的象素电极之间形成的第二导电层特别重叠在象素电极上。因此，用与该象素电极部分重叠的第二导电层能够至少部分地界定各象素中的象素开口区。这时，特别是在用第二导电层规定象素开口区的地方，因为沿平面看象素电极与第二导电层之间没有间隙，所以，不会引起经这样的间隙的漏光。结果，最终使对比度提高。同时，在由第二导电层规定象素开口区的地方，由于不必像原来那样由数据线来界定象素开口区，所以，就不必使数据线与象素电极重叠。结果，由于数据线与象素电极经层间绝缘膜重叠起来的结构就能够不发生各象素中的薄膜晶体管的源极和漏极之间的寄生电容。因此，能够防止对在一帧规定的期间内供给其他行的薄膜晶体管的图象信号的电位频繁地摆动的数据线的相应电位的波动引起的由上述源极与漏极之间的寄生电容使薄膜晶体管异常动作，并能够防止应保持在象素电极上的电压泄放。即：为了把对应于图象信号的一定的电位保持在象素电极上，薄膜晶体管进行切换动作，从而能够经数据线和薄膜晶体管对象素电极稳定地供给图象信号，最终，由于减低闪烁和行不稳而能够使显示图象高品位化。

另外，因为第一导电层具有中继薄膜晶体管和象素电极的功能，同时在与该第一导电层同一膜构成的第二导电层不仅能够稳定供给图象信号同时具有界定象素开口区的功能，所以，作为一个整体，就能够使叠层结构和制造工艺简单化和低成本化。

在本发明的电光学装置的其他方案中，所述第一导电层经第一接触孔与所述半导体层电气连接，并经第二接触孔与象素电极电气连接。

按照这种构成，与从象素电极到半导体层的漏区开一个接触孔的情况相比较，能够减小接触孔的孔径。即：一般在开深接触孔的过程中，因为蚀刻精度下降，为防止穿透薄的半导体层，必须中途停止能够减小接触孔孔径的干蚀刻，最后再用湿蚀刻把孔开到半导体层，所以，用无指向性湿蚀刻就不得不扩大接触孔的孔径。与此不同，在本方案中，因为可以用2个串联的第一和第二接触孔来连接象素电极和半导体层，所以，就能够用干蚀刻来开孔，或至少可以用湿蚀刻来缩短开孔距离。结果，能够分别缩小各接触孔的孔径，从而能够促进处于第一或第二接触孔的上方的象素电极部分的平坦化。

按照本发明的电光学装置的其他方案，所述数据线经第三接触孔与所述半导体层电气连接。

按照这样的构成，数据线与半导体层的源区能够经第三接触孔良好地电气连接起来。

按照本发明的电光学装置的其他方案，沿平面看所述数据线至少部分地与所述象素电极不重叠。

按照这样的构成，数据线与象素电极尽可能地不重叠，与数据线与象素电极相重叠的情况比较，确实能够减小数据线与象素电极之间的寄生电容。因此，特别能够稳定象素电极上的电压并能够减低闪烁和行不稳。

另外，能够抑制在数据线与象素电极经层间绝缘膜重叠的地方发生的可能性高的两者之间的电短路等缺陷的发生，最终能够降低装置缺陷率，并提高制造时的成品率。

按照本发明的电光学装置的其他方案，所述第二导电层被电气连接在恒电位线上。

按照这样的构成，在至少部分重叠的象素电极和第二导电层之间虽然多少有寄生电容存在，但是第二导电层的电位被保持为恒定电位。因此，经象素电极和第二导电层之间的寄生电容就能够降低第二导电层的电位变动对象素电极的电位产生的恶劣影响，从而能够使象素电极的电压更加稳定，更进一步地降低闪烁和行不稳。

按照本发明的电光学装置的其他方案，在所述半导体层之中的至少沟道区的所述基板侧，还设置有经衬底绝缘膜形成的遮光膜。

按照这样的构成，在半导体层之中的至少沟道区的基板侧用经衬底绝缘膜形成的遮光膜能够进行沟道区对来自TFT阵列基板侧的光的遮光。因此，在该电光学装置动作时，减少了投射光、内面反射光、反射光等对薄膜晶体管的光照射产生的沟道区的漏光，从而能够降低薄膜晶体管的特性的变化或劣化，同时还能够实现高品位的图象显示。

按照本发明的电光学装置的其他方案，所述第一导电层和所述第二导电层包含有高熔点金属。

按照这样的构成，第一导电层和第二导电层由包含例如Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物等构成。因此，在制造过程中就不会因形成第一导电层和第二导电层后进行的各种工序中的高温处理使该第一导电层和第二导电层变形破坏。

按照本发明的电光学装置的其他方案，经层间绝缘膜至少部分地面对配置所述第二导电层和所述数据线。

按照这样的构成，由不是在与电位随应保持的图象信号变动的象素电极之间而是与电位更加稳定的第二导电层之间由数据线附加有电容，所以，可以适度地增加与第二导电层之间的电容，而不会招致数据线的电位摆动。特别是，使象素节距细微化，随之也使数据线宽度细微化，增加与第二导电层之间的电容就能够抑制数据线的容量的不足，从而能够阻止经该数据线对图象信号的象素电极供电时的写入能力的不足。

按照本发明的电光学装置的其他方案，还设置有连接在所述象素电极上的蓄电电容器。

按照这样的构成，用蓄电电容器能够大大地延长象素电极中的图象信号的电压保持时间，并能够非常有效地提高对比度。

在该方案中，也可以经绝缘膜把所述第一导电层和第二导电层设置在所述扫描线和所述蓄电电容器的一个电极上。

按照这样的构成，经绝缘膜设置在所述扫描线和所述蓄电电容器的一个电极上的第一导电层可以中继象素电极和半导体层，通过经绝缘膜设置在所述扫描线和所述蓄电电容器的一个电极上的第二导电层可以界定象素开口区，另外，在第二导电层与蓄电电容器的一个电极之间能够简单地构成电容。

在还设置有该蓄电电容器的方案中，也可以使由所述半导体层的一部分构成的第一蓄电电容器电极和作为所述蓄电电容器的一个电极的第二蓄电电容器电极经第一介质膜面对地配置，所述第二蓄电电容器电极与由所述第一导电层的一部分构成的第三蓄电电容器电极经所述绝缘膜即第二介质膜面对地配置，并形成所述蓄电电容器。

按照这样的构成，由半导体层的一部分构成的第一蓄电电容器电极和所述蓄电电容器的一方电极即第二蓄电电容器电极经第一介质膜面对地配置，来构成第一蓄电电容器，另一方面，第二蓄电电容器电极与由所述第一导电层的一部分构成的第三蓄电电容器电极经所述绝缘膜即第二介质膜面对地配置，来构成第二蓄电电容器。由这些第一和第二蓄电电容器在各个象素电极中形成蓄电电容，所以，能够有效地利用非象素开口区，从而能够利用立体结构构成容量比较大的蓄电电容器。

在还设置有该蓄电电容器的方案中，所述第二导电层也可以连接在所述第二蓄电电容器电极上。

按照这样的构成，在至少部分地重叠的象素电极和第二导电层之间多少有些寄生电容，但是能把第二导电层的电位保持在第二蓄电电容器电极的电位上。

这样，在把第二导电层连接在第二蓄电电容器电极的情况下，所述第二导电层经第四接触孔连接到所述第二蓄电电容器电极上，所述第四接触孔也可以按与所述第一接触孔开孔工序同样的工序来开孔。

按照这样的构成，能够比较容易地把第二导电层连接在第二蓄电电容器电极上，但是，与开第一接触孔的同时，来开第四接触孔，所以，可以实现制造工艺简单化。

也可以延长设置该第二蓄电电容器电极作为电容线。

按照这样的构成，电容线是恒定电位或至少是大容量，其电位变动小。因此，通过象素电极和第2导电层之间的寄生电容，能减少第2导电层的电位变动对象素电极电位的恶劣影响。

该第2蓄电电容器电极也可以与遮光膜连接。

按照这样的构成，能够使第二蓄电电容器电极与遮光膜的电位同一，如果采用把第二蓄电电容器电极与遮光膜的某一方作为规定电位的结构，另一方也能够为规定电位。结果，能够减轻由于第二蓄电电容器电极与遮光膜的电位的摆动引起的恶劣的影响。而且，有能够使遮光膜构成的配线和电容线相互作为冗长配线的功能。

该遮光膜配线可以兼作电容线，所述第二蓄电电容器电极也可以在所述基板上的平面状邻接的数据线间沿所述扫描线延伸，从而在每个象素电极上构成为岛状，同时连接到遮光膜上。

按照这样的构成，因为能够在每个象素电极上把第二蓄电电容器电极构成为岛状，所以，能够提高象素开口率。而且，如果把第二蓄电电容器也作为配线，就能够与遮光膜一起作为电容线的冗长配线。

另外，所述遮光膜也可以经在与所述第四接触孔不同的平面位置上开出的第五接触孔电连接到所述电容线上。

按照这种构成，用在半导体层的至少沟道区的基板侧经衬底绝缘膜形成的遮光膜能够进行对来自基板侧的光的沟道区的遮光。而且，因为遮光膜是导电性的，并经第五接触孔连接到电容线，所以，能够把遮光膜作为电容线的冗长配线来用，通过使电容线低阻抗化就能够使电容线的电位更加稳定，最终能够使显示图象高品位化。第四接触孔和第五接触孔形成在不同的平面上，从而能够防止第四接触孔和第五接触孔中的连接不良。

另外，所述第二导电层和所述遮光膜也可以经第二蓄电电容器电极电连接起来，所述第二导电层和所述遮光膜也可以连接到邻接的象素电极上。

按照这种构成，能够把第二导电层用作电容线。而且把第二蓄电电容器电极作为电容线，把第二导电层和第二蓄电电容器电极连接起来，就能够构成双重电容线，从而能够实现冗长结构。

按照本发明的电光学装置的其他方案，所述第一导电层和第二导电层被设置在比所述数据线更下面的下层上。

按照这种构成，用设置在比所述数据线更下面的下层上的第一导电层可以中继象素电极和半导体层，用设置在比所述数据线更下面的下层上的第二导电层可以界定象素开口区，另外，第一导电层和第二蓄电电容器电极之间能够简单地构成电容。

按照本发明的电光学装置的其他方案，所述第二导电层沿平面看被设置为岛状，从而能够至少部分地界定象素开口区之中的沿所述数据线的区域。

按照这种构成，用沿平面看被设置为岛状的第二导电层能够至少部分地界定象素开口区之中的沿数据线的区域。例如：在沿数据线的象素开口区之中的除薄膜晶体管的沟道区或开了连接数据线和半导体层的接触孔的区域之外的大部分区域上能够形成第二导电层，并能够由该第二导电层来界定该大部分区域内的象素开口区。

或者，按照本发明的电光学装置的其他方案的特征是所述第一导电层和所述第二导电层作成为比所述数据线离所述基板更远的层，即：被设置在上层。

按照这种构成，用作为比数据线离基板更远的层而设置的第一导电层能够中继象素电极和半导体层，用设置在数据线更上层上的第二导电层能够界定象素开口区。这种情况下，可以把第二导电层经层间绝缘膜设置在数据线的整个区域上，也可以经层间绝缘膜设置在扫描线上。如果在非开口区内，则连接第一导电层和象素电极的接触孔的位置能够设定在任意位置上，所以，对于增大设计自由度是有利的。

在该方案中，所述第二导电层也可以沿平面看除所述第一导电层所在的区域之外设置成所述格子状，并且界定分别沿象素开口区的所述数据线和所述扫描线的区域。

按照这样的构成，因为第二导电层除第一导电层存在的区域之外都设置成格子状，所以能够界定分别沿象素开口区的数据线和扫描线的区域，即：能够界定象素开口区的全部轮廓。另外，关于第一导电层和第二导电层的间隙，例如用对面基板侧的遮光膜、薄膜晶体管的下侧的薄膜晶体管、数据线的延长部分等能够简单地防止漏光。

在该第一导电层和第二导电层被设置在上层的方案中，所述半导体层和所述第一导电层也可以经与所述数据线同一膜构成的中继导电层连接起来。

按照这种构成，用设置在比数据线更上层的第一导电层把从象素电极到与所述数据线同一膜构成的中继导电层电气连接起来，用该中继导电层进一步电连接到半导体层，所以，用两个中继用的导电层即第一导电层和中继导电层就能够良好地从象素电极中继到半导体层。特别是即使在构成数据线的Al膜和构成象素电极的ITO(铟锡氧化物)膜的电气的相容性不好的情况下，如果用与两者的电气的相容性良好的材料(例如高熔点金属)形成第一导电层是有利的。

在该第一导电层和第二导电层设置在上层的方案中，也可以具有连接在所述象素电极上的蓄电电容器，所述数据线也可以经层间绝缘膜被夹持在所述蓄电电容器的一方电极和所述第二导电层之间。

按照这种构成，不是在与电位根据应保持的图象信号而变动的象素电极之间把电容附加在数据线上，而是在与电位更稳定的第二导电层和蓄电电容器的一方电极之间把电容附加在数据线上，能够适度地增加数据线的电容量以使之不招致电位摆动。特别是即使使象素节距细微化，随之而使数据线宽度细微化，也能够通过增加第二导电层与第二蓄电电容器电极之间的电容量来抑制数据线的电容量之不足，并能够阻止经相应数据线向象素电极供给图象信号时的写入能力之不足。

为了解决上述问题，本发明的第一电光学装置制造方法所制造的电光学装置在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、连接在所述各扫描线和所述各数据线上的薄膜晶体管和连接所述薄膜晶体管的象素电极；其特征在于所述制造方法包括如下步骤：

在所述基板上形成源区、沟道区和漏区构成的半导体层；

在所述半导体层上形成绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上的规定区域形成扫描线和蓄电电容器的一方电极；

在所述扫描线和蓄电电容器的一方电极上形成第一层间绝缘膜；

在所述绝缘薄膜和所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第一接触孔；

在所述第二绝缘膜上形成遮光性的第一导电层和由与所述第一导电层同一膜构成的第二导电层，以使其经所述第一接触孔电气连接到所述半导体层上；

在所述第一导电层和所述第二导电层上形成第二层间绝缘膜；

在所述第二层间绝缘膜上形成数据线；

在所述数据线上形成第三层间绝缘膜；

在所述第二层间绝缘膜和所述第三层间绝缘膜上开连通到所述第一导电层的第二接触孔；

形成象素电极，以使其经所述第二接触孔电气连接到所述第一导电层；

形成所述第二导电层使其沿平面看至少部分地与所述数据线重叠。

按照本发明的第一电光学装置制造方法，按如下顺序在基板上叠层形成半导体层、绝缘薄膜、扫描线和蓄电电容器的一方电极和第一层间绝缘膜。然后，在绝缘薄膜和第一层间绝缘膜上开连通到半导体层的第一接触孔；形成遮光性的第一导电层，以使其经第一接触孔电气连接到半导体层上；同时，形成由与该第一导电层同一膜构成的第二导电层，以使其至少部分地配置在沿平面看在形成象素电极的区域的间隙内。接下来按顺序层叠形成第二层间绝缘膜、数据线和第三层间绝缘膜。然后，开连通到第一导电层的第二接触孔；形成象素电极，以使其经所述第二接触孔电气连接到所述第一导电层。因此，能够比较容易地制造具有如下构成的本发明的电光学装置，即：作为比所述数据线更靠近基板的层形成第一和第二导电层，并经两个接触孔用第二导电层中继象素电极和半导体层。特别是因为用同一膜来形成第一和第二导电层，所以能够实现制造过程简单化并且低成本化。

在本发明的第一电光学装置制造方法的一个方案中，在形成所述第二层间绝缘膜之后，还包含在所述第二层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第三接触孔的步骤；在形成所述数据线的步骤中，形成所述数据线，以使其经所述第三接触孔电气连接到所述半导体层；在所述第一接触孔开孔的步骤中，开所述第一接触孔的同时，在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述蓄电电容器的一方电极的第四接触孔；在形成所述第二导电层的步骤中，形成第二导电层，以使其经所述第四接触孔电气连接到所述蓄电电容器的一方电极。

按照这种构成，形成第二层间绝缘膜之后，开连通到半导体层的第三接触孔，然后形成数据线，以使其经该第三接触孔电气连接到半导体层。另外，在开第一接触孔的同时，开连通到蓄电电容器的一方电极的第四接触孔，再形成第二导电层，以使其经第四接触孔电气连接到蓄电电容器的一方电极。因此，把所述数据线与半导体层经接触孔电气连接起来，第二导电层与蓄电电容器的一方电极经接触孔电气连接起来，从而能够比较容易地制造具有这种构成的本发明的电光学装置。特别是，因为这两个接触孔同时开孔，所以，能够实现制造过程简单化并且低成本化。

为了解决上述的课题，本发明的第二电光学装置制造方法，所述电光学装置在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、连接在所述各扫描线和所述各数据线上的薄膜晶体管和连接所述薄膜晶体管的象素电极；其特征在于所述制造方法包括如下步骤：在所述基板上形成源区、沟道区和漏区构成的半导体层；在所述半导体层上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上形成扫描线和蓄电电容器的一方电极；在所述扫描线和蓄电电容器的一方电极上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第一接触孔；在所述第一层间绝缘膜上形成数据线的同时，形成与所述数据线同一膜构成的中继导电层，以使其经所述第一接触孔电气连接到所述半导体层；在所述数据线和所述中继导电层上形成第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜上开连通到所述中继导电层的第二接触孔；在所述第二层间绝缘膜上形成遮光性的第一导电层，以使其经所述第二接触孔电气连接到所述中继导电层，同时形成由与所述第一导电层同一膜构成的第二导电层，以使该层沿平面与所述数据线重叠；在所述第一导电层和第二导电层上形成第三层间绝缘膜；在所述第三层间绝缘膜上开连通到所述第一导电层的第三接触孔；形成象素电极，以使其经所述第三接触孔电气连接到所述第一导电层。

按照本发明的第二电光学装置制造方法，按如下顺序在基板上叠层形成半导体层、绝缘薄膜、扫描线和蓄电电容器的一方电极和第一层间绝缘膜。然后，开连通到半导体层的接触孔；形成数据线的同时，用与数据线同一膜形成中继导电层，以使其电气连接到半导体层。接着，在形成第二层绝缘膜之后，开连通到中继导电层的接触孔；并形成遮光性的第一导电层，以使其电气连接到中继导电层上。同时，用与第一导电层同一膜形成第二导电层。接着形成第三层间绝缘膜，然后，开连通到第一导电层的接触孔并形成象素电极，以使其电气连接到第一导电层；因此，能够比较容易地制造具有如下构成的本发明的电光学装置，即：作为与所述数据线同一膜构成的导电层，形成中继导电层；同时作为比数据线更远离基板的层即上层形成第一导电层；并经三个接触孔用中继导电层和第一导电层中继象素电极和半导体层，同时用第二导电层界定象素开口区。特别是因为用同一膜来形成第一和第二导电层，所以能够实现制造过程简单化并且低成本化。

在本发明的第二电光学装置的制造方法的一个方案中，其特征在于在形成所述第一层间绝缘膜之后，还包含在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第四接触孔的步骤；在形成所述数据线的步骤中，形成所述数据线，以使其经所述第四接触孔电气连接到所述半导体层；在开所述第二接触孔的步骤中，开所述第二接触孔的同时，在所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上开连通到所述蓄电电容器的一方电极的第五接触孔；在所述形成第二导电层的步骤中，形成所述第二导电层，以使其经所述第五接触孔电气连接到所述蓄电电容器的一方电极。

按照该方案，第一层间绝缘膜形成后，开连通到半导体层的第四接触孔，形成数据线，以使其电气连接到半导体层；另外，在第二层间绝缘膜上开接触孔时，同时开连通到蓄电电容器的一方电极的接触孔；形成第三导电层，以使其电气连接到蓄电电容器的一方电极。因此，能够比较容易地制造具有如下构成的本发明的电光学装置，即：上述的数据线和半导体层经接触孔电气连接起来，第二导电层和蓄电电容器的一方电极经接触孔电气连接起来。特别是，因为这两个接触孔同时开孔，所以，能够实现制造过程简单化并且低成本化。

从下面说明的实施例可以清楚本发明的这种作用和其他优点。

附图简要说明

图1是设置在构成第一实施例的电光学装置中的图象显示区的矩阵状多个象素内的各种元件、配线等的等效电路。

图2是形成第一实施例的电光学装置中的数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。

图3是图2的A-A＇断面图。

图4是图2的B-B＇断面图。

图5是按顺序表示第一实施例的电光学装置的制造工序的工序图(之一)。

图6是按顺序表示第一实施例的电光学装置的制造工序的工序图(之二)。

图7是按顺序表示第一实施例的电光学装置的制造工序的工序图(之三)。

图8是按顺序表示第一实施例的电光学装置的制造工序的工序图(之四)。

图9是第二实施例的电光学装置中的形成数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。

图10是图9的A-A＇断面图。

图11是图9的B-B＇断面图。

图12是第三实施例的电光学装置的断面图。

图13是第四实施例的电光学装置中的形成数据线、扫描线、象素电极、遮光膜等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。

图14是图13的A-A＇断面图。

图15是图13的B-B＇断面图。

图16是与各实施例的电光学装置中的在其上构成TFT阵列基板的各构成要素一起从面对基板侧看的平面图。

图17是图16的H-H＇断面图。

图18是按照本发明的电子机器的实施例的概略构成方框图。

图19是作为电子机器的一例表示投影机的断面图。

图20是作为电子机器的另一例表示个人计算机的正面图。

实施发明的最佳形态

以下根据附图来说明本发明的实施例。

(第一实施例)

参照图1至图4来说明本发明的第一实施例的电光学装置的结构。图1是形成为构成电光学装置中的图象显示区的矩阵状的多个象素内的各种元件、配线等的等效电路，图2是形成数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图，图3是图2的A-A＇断面图，图4是图2的B-B＇断面图。在图3和图4中，为了把各层或各部件作成都能在图面上认清的大小，所以对各层或各部件采用不同的缩尺。

在图1中，形成为构成按照本实施例的电光学装置的图象显示区的矩阵状的多个象素对应于扫描线3a和数据线6a的交叉处把用来控制象素电极9a的TFT30形成为多个矩阵状，供给图象信号的数据线6a被电气连接到该TFT30的源极上。写入到数据线6a的图象信号S1、S2、…、Sn可以按这个顺序依次供给数据线，对于相邻接的多条同样的数据线6a，供给每一组就行。扫描线3a被电气连接到TFT30的栅极上，按规定的定时把扫描信号G1、G2、…、Gm以这个顺序脉冲式地加到扫描线3a上。象素电极9a被电气连接到TFT30的漏极上，作为切换元件的TFT30仅在一定的期间关闭其切换，从而按规定的定时写入从数据线6a供给的图象信号S1、S2、…、Sn。作为电光学物质的一例，经象素电极9a写入到液晶上的规定电平的图象信号S1、S2、…、Sn在与形成在对面基板(后述)的对向电极(后述)之间被保持一定期间。由于液晶的分子集合的排列方向或秩序因所施加的电压电平而改变，就能调制光来实现灰度级显示。如果是正常白电平模式，对应于所施加的电压，入射光就不能通过该液晶部分；如果是正常黑电平模式，对应于所施加的电压，入射光就能通过该液晶部分，作为整体，从电光学装置发射出具有对应于图象信号的对比度的光。这里，为了防止漏泄所保持的图象信号，附加蓄电电容器70和形成在象素电极9a与对向电极之间的液晶电容。例如，象素电极9a的电压用蓄电电容器70保持得只比在TFT30的源极上施加图象信号的时间长3位的时间。这样，就能够进一步改善保持性，并能够实现对比度高的电光学装置。

图2中，在电光学装置的TFT阵列基板上设置有矩阵状多个透明的象素电极9a(用点线部9a＇表示轮廓)，沿象素电极9a的纵横边界分别设置有数据线6a、扫描线3a和电容线3b。数据线6a经接触孔5与例如由多晶硅膜构成的半导体层1a中的后述的源区电气连接。在沿相邻接的象素电极9a间的间隙中扫描线3a的区域和沿数据线6a的区域(用图中右上方的斜线表示的区域)中分别设置岛状的第一导电层(下称第一阻挡层)80a和第二导电层(下称第二阻挡层)80b。在本实施例中，第一阻挡层80a和第二阻挡层80b用同一遮光性导电膜形成。象素电极9a中继第一阻挡层80a，经接触孔8a和接触孔8b电气连接到半导体层1a中的后述的漏区，电容线3b经接触孔8c连接到第二阻挡层80b。扫描线3a被配置得面对用半导体层1a中的图中的右下方的斜线表示的沟道区1a＇，扫描线3a起栅极的作用。这样，在扫描线3a与数据线6a的交叉处分别设置有扫描线3a作为其栅极，面对地配置在沟道区1a＇上的象素切换用TFT30。

电容线3b具有沿扫描线3a大体呈直线状伸出的主线部和从与数据线6a交叉处沿数据线6a突出的突出部。

特别是，第一阻挡层80a分别用接触孔8a电气连接到半导体层1a的漏区，用接触孔8b电气连接到象素电极9a，被用作半导体层1a的漏区和象素电极9a之间的缓冲器。后面将详细描述该第一阻挡层80a、接触孔8a和接触孔8b。

在图中用粗实线表示的区域内，也可以分别设置第一遮光膜11a使之通过扫描线3a、电容线3b和TFT30的下侧。第1遮光膜11a分别沿扫描线3a形成为条纹状，同时，在图中的下方，与数据线6a交叉处形成宽幅，从TFT阵列基板侧看，可以把象素切换用TFT30的沟道区分别设置在用该宽幅部分覆盖的位置上。

下面，如图3的断面图所示，电光学装置具有构成透明的一方基板一例的TFT阵列基板10和对向该基板配置的构成透明的另一方基板一例的对面基板20。TFT阵列基板10由例如石英基板、玻璃基板、硅基板构成，对面基板20由例如玻璃基板或石英基板构成。象素电极9a设置在TFT阵列基板10上，其上侧设置有实施研磨处理等规定的取向处理的定向膜16。象素电极9a由例如ITO膜等透明导电性薄膜构成。取向膜16例如由聚酰亚胺薄膜等有机薄膜构成。

另一方面，对面基板20的整个面上设置对面电极21，其下侧设置有实施研磨处理等规定的取向处理的取向膜22。对面电极21由例如ITO膜等透明导电性薄膜构成。取向膜22例如由聚酰亚胺薄膜等有机薄膜构成。

在TFT阵列基板10上，在邻接各象素电极9a的位置上设置有切换控制各象素电极9a的象素切换用TFT30。

如图3所示，在对面电极20上，第二遮光膜23设置在各象素的非开口区。因此，入射光不会从对面基板20侧侵入到象素切换用TFT30的半导体层1a的沟道区1a＇或低浓度源区1b和低浓度漏区1c。另外，第二遮光膜23具有提高对比度和防止形成滤色器时的色彩的混色的功能。

在这样构成来使象素电极9a和对面电极21对面配置的TFT阵列基板10和对面基板20之间，用后述的密封材料围起来的空间中封入作为电光学材料一例的液晶，从而形成液晶层50。在不施加来自象素电极9a的电场的状态下，液晶层50由取向膜16和22取为规定的取向状态。液晶层50由例如一种或多种向列液晶混合的液晶构成。密封材料是用来把TFT阵列基板10和对面基板20在其周边贴合起来的粘接剂，例如是由光硬化树脂或热硬化树脂构成的粘接剂，并且混入使两基板之间的距离为规定值的玻璃纤维或玻璃珠等的间隙材料。

如图3所示，在分别与象素切换用TFT30相对的位置上，可以把第一遮光膜11a设置在TFT阵列基板10与象素切换用TFT30之间。第一遮光膜11a最好由包含有不透明的高熔点金属Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物构成。如果由这样的材料构成，由于TFT阵列基板10上的第一遮光膜11a的形成工序之后进行的象素切换用TFT30的形成工序中的高温处理就能够不把第一遮光膜11a熔融破坏。因为形成有第一遮光膜11a，所以，能够防止对来自TFT阵列基板10侧的反射光(返回光)等射入到象素切换用TFT30的沟道区1a＇或低浓度源区1b、低浓度漏区1c，从而就不会由于因此导致的光引起的电流的产生而使象素切换用TFT30的特性变化和劣化。

形成为条纹状的第一遮光膜11a例如可以沿扫描线3a向下延伸设置并电气连接到恒电位线上。按照这样的构成，第一遮光膜11a的电位变动就不会对与第一遮光膜11a对向配置的象素切换用TFT30有恶劣的影响。这种情况下，作为恒电位线，列举有供给用来驱动相应的电光学装置的外围电路(例如：扫描线驱动电路、数据线驱动电路等)的负电源、正电源等恒电位线以及供给接地电源、对面电极21的恒电位线等。也可以沿数据线6a和扫描线3a把第一遮光膜11a形成为格子状，也可以形成岛状，至少把象素切换用TFT30的沟道区1a＇或低浓度源区1b、低浓度漏区1c覆盖起来。

另外，在第一遮光膜11a和多个象素切换用TFT30之间设置有衬底绝缘膜12，衬底绝缘膜12是为了使构成象素切换用TFT30的半导体层1a与第一遮光膜11a绝缘而设置的。在TFT阵列基板10的整个面上形成衬底绝缘膜12，衬底绝缘膜12就具有象素切换用TFT30用的衬底膜的功能。即：具有防止TFT阵列基板10的表面研磨时的皱裂或洗净后残留污物使象素切换用TFT30的特性劣化的功能。衬底绝缘膜12由例如NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(磷硼硅酸盐玻璃)等高绝缘性玻璃或氧化硅膜、氮化硅膜等构成。用衬底绝缘膜12能够防止第一遮光膜11a污染象素切换用TFT30等。

在本实施例中，从高浓度漏区1e开始延长设置半导体层1a作成为第一蓄电电容器电极1f，把与此相对的电容线3b的一部分作成为第二蓄电电容器电极，把包含栅极绝缘膜的绝缘薄膜2从面对扫描线3a的位置开始延伸设置作成为被夹持在这些电极之间的第一介质膜，由此来构成第一蓄电电容器70a。另外，把与该第二蓄电电容器电极对向的第一阻挡层80a的一部分作成为第三蓄电电容器电极，并把第一层间绝缘膜81设置在这些电极之间。第一层间绝缘膜81起第二介质膜的作用，形成第二蓄电电容器70b。这些第一蓄电电容器70a和第二蓄电电容器70b经接触孔8a并联连接起来构成蓄电电容器70。特别是，因为除用高温氧化形成在多晶硅膜上的TFT30的栅极绝缘膜之外，作为第一蓄电电容器70a的第一介质膜的绝缘薄膜2不再成为其他膜，所以，能够作成为既薄又能耐高压的绝缘膜，第一蓄电电容器70a能够构成面积较小而容量大的蓄电电容器。因为第一层间绝缘膜81也能形成得与绝缘薄膜2一样或比绝缘薄膜2更薄，所以，第二蓄电电容器70b也能够构成面积较小而容量大的蓄电电容器。因此，由这些第一蓄电电容器70a和第二蓄电电容器70b立体构成的蓄电电容器70能够有效地利用数据线6a下的区域和所谓沿扫描线3a产生液晶的旋转位移(デイスクリネ-ツョン)(Disclination)的区域的象素开口区以外的空间，从而作成面积小容量大的蓄电电容器。

这样构成第二蓄电电容器70b的第一层间绝缘膜81也可以由氧化硅膜、氮化硅膜构成，也可以由多层膜构成。一般，用形成栅极绝缘膜等的第二绝缘薄膜2所使用的各种公知技术(减压CVD法、等离子体CVD法、热氧化法等)能够形成第一层间绝缘膜81。把第一层间绝缘膜81形成得薄就能够使接触孔8a的孔径更小，所以，能够使前述的接触孔8a中的第一阻挡层80a的坑凹或凹凸更小，能够进一步促进处于其上方的象素电极9a的平坦化。

在图3中，象素切换用TFT30具有LDD(轻掺杂漏区)的结构，设置有扫描线3a、由来自该扫描线3a的电场形成沟道的半导体层1a的沟道区1a＇、包含使扫描线3a与半导体层1a绝缘的栅极绝缘膜的绝缘薄膜2、数据线6a、半导体层1a的低浓度源区1b和低浓度漏区1c、半导体层1a的高浓度源区1d和高浓度漏区1e。多个象素电极9a中的对应的一个象素电极中继第一阻挡层80a，并连接到高浓度漏区1e。如后面所述，根据对于半导体层1a形成n型还是p型沟道来掺杂规定浓度的n型或p型杂质来形成低浓度源区1b和高浓度源区1d以及低浓度漏区1c和高浓度漏区1e。n型沟道的TFT具有动作速度快的优点，所以多用作象素切换元件即象素切换用TFT30。特别是在本实施例中，数据线6a由Al等低阻抗金属膜或金属硅化物等合金膜之类的遮光性且导电性的薄膜构成。在第一阻挡层80a和第一层间绝缘膜81上形成有分别形成通到高浓度源区1d的接触孔5和通到第一阻挡层80a的接触孔8b的第二层间绝缘膜4。数据线6a经通到该高浓度源区1d的接触孔5电气连接到高浓度源区1d，另外，在数据线6a和第二层间绝缘膜4上形成有形成通到第一阻挡层80a的接触孔8b的第三层间绝缘膜7。象素电极9a经该接触孔8b电气连接到第一阻挡层80a，并中继第一阻挡层80a，经接触孔8a电气连接到高浓度漏区1e。前述的象素电极9a被设置在这样构成的第三层间绝缘膜7的上面。

虽然如上所述象素切换用TFT30最好具有LDD结构，但是，也可以具有在低浓度源区1b和低浓度漏区1c中不进行掺杂的偏置结构，也可以是把由扫描线3a的一部分构成的栅极作为掩膜高浓度掺杂并自调整地形成高浓度源极区和漏极区的自调整型的TFT。

在本实施例中，虽然是在高浓度源区1d和高浓度漏区1e之间仅配置一个象素切换用TFT30的栅极的单栅极结构，但是，在其之间也可以配置两个以上的栅极。这时，在各栅极上施加同一信号。这样按照两栅极或三栅极以上构成TFT，就能够防止沟道区、源区和漏区的结合部的漏电流，并能够降低截止时的电流。如果把这些栅极的至少一个栅极构成为LDD结构或偏置结构，就能够进一步降低截止电流，从而能够得到稳定的切换元件。

如图2和图3所示，在本实施例的电光学装置中，经接触孔8a和接触孔8b把高浓度漏区1e和象素电极9a经由第1阻挡层80a电气连接起来，所以，与从象素电极9a到漏区开一个接触孔的情况相比，能够分别减小接触孔8a和接触孔8b的孔径。即：在开一个接触孔的情况下，因为深开接触孔的过程中，蚀刻精度会下降，所以，为了防止穿透例如大约50nm非常薄的半导体层1a，就要中途停止能够减小接触孔径的干蚀刻，最后必须用湿蚀刻组合工序把孔一开直到半导体层1a。或者，必须另外设置一个防止因干蚀刻引起穿透的多晶硅膜。

与此不同，在本实施例中，因为用两个串联的接触孔8a和接触孔8b把象素电极9a和高浓度漏区1e连接起来，所以，能够分别用干蚀刻来开接触孔8a和接触孔8b。或者，至少能够用湿蚀刻缩短开孔的距离。但是，因为在接触孔8a和接触孔8b附加有少许锥度，所以，也可以在干蚀刻之后特意进行比较短时间的湿蚀刻。

按照上述的本实施例，因为能够分别减小接触孔8a和接触孔8b的孔径，并能够减小接触孔8a中的第一阻挡层80a的表面上形成的坑凹或凹凸，所以，能够在某种程度上促进处于其上方的象素电极9a的部分中的平坦化。另外，由于能够减小在第二接触孔8b中的象素电极9a的表面上形成的坑凹或凹凸，所以，能够在某种程度上促进该象素电极9a部分的平坦化。

特别是在本实施例中，第一阻挡层80a由导电型的遮光膜构成，因此，用第一阻挡层80a就能够至少部分地界定各象素开口区。例如：第一阻挡层80a由包含有不透明的高熔点金属Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb之中的至少一种的金属单体、合金、金属硅化物等构成。因此，在第一阻挡层80a和象素电极9a之间就能够经接触孔8b构成良好的电气连接。第一阻挡层80a的膜厚例如最好是大于50nm而小于500nm。如果是50nm的膜厚，在制造过程中的第二接触孔8b开孔时，被穿透的可能性就低，如果是大约500nm，第一阻挡层80a的存在所引起的象素电极9a的表面凹凸就不成问题，或能够比较容易地平坦化。

在本实施例中，由沿数据线6a伸长的岛状的第二阻挡层80b和接触孔5周边上的数据线6a部分来界定各象素中的象素开口区之中的沿数据线6a的区域的左右边，并由第一阻挡层80a和第一遮光膜11a来分别界定各象素中的象素开口区之中的沿扫描线3a和电容线3b的区域的上边和下边。

更具体地说，如图2和图4所示，沿平面看，第二阻挡层80b被部分地设置在象素电极9a的间隙内，并部分地与象素电极9a重叠。因此，该象素电极9a与第二阻挡层80b部分地重叠就能够界定各象素中的象素开口区之中的左右边的大部分。特别是这时在由第二阻挡层80b界定象素开口区的地方，沿平面看，在象素电极9a与第二阻挡层80b之间没有间隙，所以就不会发生经这种间隙的漏光。结果，最终能够提高对比度。同时，在由第二阻挡层80b界定象素开口区的地方，因为不必用数据线6a来界定象素开口区，所以，在此处数据线6a的宽度就比第二阻挡层80b的宽度细一些。结果，如图4所示，数据线6a与象素电极9a不经第三层间绝缘膜7重叠，也能使各象素中的TFT30的源极和漏极之间不产生寄生电容。因此，能够防止在一帧等规定的期间内供给其他行的TFT30的图象信号的电位频繁地摆动的数据线6a的相应电位的波动引起的由上述源极与漏极之间的寄生电容使TFT30异常动作，并能够防止应保持在象素电极9a上的电压泄放。其结果能够减低显示图象中的闪烁和行不稳。但是，在没有第二阻挡层80b的接触孔5的周边的比较小的区域内，也可以使数据线6a的宽度少许宽一些，由数据线6a来界定象素开口区。

如果像上面那样来界定象素开口区，在对面基板20上就能够不形成第二遮光膜23，所以，能够减少对面基板的成本。另外，能够防止因对面基板20和TFT阵列基板10的调整偏差引起的象素开口率的下降或零散。在第二遮光膜23设置在对面基板20上的情况下，即使与TFT阵列基板10的错位不降低象素开口率而形成得小，如上所述，因为借助于数据线6a、第一阻挡层80a和第二阻挡层80b以及形成在TFT阵列基板10侧的所谓第一遮光膜11a的遮光性的膜界定象素开口部，所以，能够高精度地界定象素开口部，与由对面基板20上的第二遮光膜来决定开口部的情况相比，能够提高象素开口率。

如图2和图4所示，由于在结构上使数据线6a的宽度稍窄并不与象素电极9a的边缘部分重叠，所以，能够抑制在数据线6a与象素电极9a经第三层间绝缘膜7而重叠的地方发生的可能性高的两者间的电气短路等缺欠的发生，最终能够降低装置的缺欠率并提高制造时的成品率。

第二阻挡层80b最好电气连接在电容线3b或其他恒电位线上。即：因为第二阻挡层80b的边缘部分与象素电极9a的边缘部分重叠，所以两者之间虽然附加有一点寄生电容，但是如果把第二阻挡层80b的电位保持一定的话，就能够降低第二阻挡层80b的电位的变动对象素电极9a的电位造成的恶劣影响。在本实施例中，可以用与开接触孔8a同样的工序来开用来使第二阻挡层80b和电容线3b电气连接的接触孔8c，从而不会招致制造过程的复杂化。而且，这种情况下，在每一个象素中，第二阻挡层80b都经接触孔8c被电气连接到电容线3b上。

在如上所述的第二阻挡层80b与数据线6a经第二层间绝缘膜4相对配置的构成中，在数据线6a上在与电位更稳定的第二阻挡层80b之间附加有电容。因此，能够把数据线6a的电容量设定为不会招致电位摆动的适度大小。特别是，即使使象素节距微细化并使与之相伴数据线6a的宽度微细化，通过增加与第二阻挡层80b之间的电容量，就能够抑制数据线6a的电容量之不足。这样，就能够阻止经数据线6a向象素电极9a供给图象信号时写入能力的不足。换言之，使象素节距微细化时特别有利，能够比较容易地得到数据线6a抗噪声能力更强的结构。

本实施例的各接触孔(8a、8b、8c和5)的平面形状虽然也可以是圆形或四边形或其他多边形等，但是，圆形特别能够防止接触孔周围的层间绝缘膜等的破裂。而且，为了得到良好的电气连接，最好在干蚀刻后进行湿蚀刻，使这些接触孔中都少许带点锥度。

如上说明的那样，按照第一实施例的电光学装置，在第一阻挡层80a上具有中继TFT30和象素电极9a的功能，同时，在由与该第一阻挡层80a同一膜构成的第二阻挡层80b上具有能稳定供给图象信号并界定象素开口区的功能，所以，作为一个整体，能够实现叠层结构及制造过程的简单化、低成本化。

(第一实施例中的电光学装置的制造工艺)

下面参照图5至图8来说明构成具有上述结构的实施例中的电光学装置的TFT阵列基板的制造工艺。图5至图8是表示使各工序中的TFT阵列基板侧的各层，与图3一样，对应于图2的A-A＇断面的工序图。

如图5的步骤(1)所示，首先准备石英基板、硬玻璃基板、硅基板等TFT阵列基板10。这里，最好是在N2(氮气)等惰性气体的气氛下且在约900～1300℃的高温下进行热处理，然后进行前处理，以使实施高温处理中的TFT阵列基板10中产生的变形小。即：符合以制造过程中的最高温度进行高温处理的温度，预先按同一温度或其以上的温度对TFT阵列基板10进行热处理。用溅散技术等在这样处理过的TFT阵列基板10的整个面上形成Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb等金属或金属硅化物等的金属合金膜，形成100～500nm最好约200nm膜厚的遮光膜11。为了缓和表面反射，也可以在遮光膜11上形成多晶硅膜等防反射膜。

如步骤(2)所示，用光刻法在所形成的遮光膜11上形成对应于第一遮光膜11a的图形的保护掩膜，经该保护掩膜对遮光膜11进行蚀刻，由此来形成第一遮光膜11a。

如步骤(3)所示，在第一遮光膜11a上，例如用常压或减压CVD法等，使用TEOS(四乙基原硅酸盐)气体、TEB(四乙基硼酸盐)气体、TMOP(四甲基氧磷酸盐)气体等，形成由NSG(无掺杂硅酸盐玻璃)、PSG(磷硅酸盐玻璃)、BSG(硼硅酸盐玻璃)、BPSG(磷硼硅酸盐玻璃)等硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的衬底绝缘膜12。该衬底绝缘膜12的膜厚取为例如约500～2000nm。

如步骤(4)所示，在约450～550℃、最好在约500℃的较低的温度环境中，使用流量约为400～600cc／min的单-硅烷气体、乙硅烷气体等的减压CVD(例如：压力约为20～40帕的CVD)方法，在衬底绝缘膜12上形成非晶硅膜。此后，在氮气气氛中、约600～700℃的温度下实施热处理约1～10小时，最好是4～6小时，由此使多晶硅膜1固相生长到约50～200nm的膜厚，最好生长到约100nm的膜厚。作为固相生长的方法，也可以是使用RTA(快速热退火)的热处理，也可以是使用受激准分子激光器的激光热处理。

这时，作为图3所示的象素切换用TFT30，在作成n沟道型的象素切换用TFT30的情况下，也可以用离子注入等方法仅在相应的沟道区域内掺杂Sb(锑)、As(砷)、P(磷)等V族元素杂质。而在使象素切换用TFT30为P沟道型的情况下，用离子注入法等，仅掺杂B(硼)Ga(镓)In(铟)等III族元素的杂质。也可以不经非晶质膜而直接用减压CVD法形成多晶硅膜1。或者，也可以在用减压CVD法等堆积的多晶硅膜中渗入硅离子，暂时非晶质化，然后通过热处理使之再结晶来形成多晶硅膜1。

如步骤(5)所示，用光蚀刻步骤、蚀刻步骤形成具有包含第一蓄电电容器电极1f的规定图形的半导体层1a。

如步骤(6)所示，通过对构成象素用切换TFT30的半导体层1a用约900～1300℃的温度、最好是约1000℃的温度进行热氧化来形成约30nm的厚度较薄的热氧化硅膜2a；进而如步骤(7)所示，用减压CVD法等堆积厚度约为50nm的较薄的由高温氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜构成的绝缘膜2b，形成具有包含热氧化硅膜2a和绝缘膜2b的多层结构的象素切换用TFT30的栅绝缘膜以及包含用来形成蓄电电容器的第一介质膜的绝缘薄膜2。结果，半导体层1a的厚度成为约30～150nm，最好是约35～50nm；绝缘薄膜2的厚度约20～150nm，最好是30～100nm。这样，通过缩短高温热氧化时间，就能够防止在使用8英寸大型基板的情况下的热弯曲。但是，仅对多晶硅膜1进行热氧化，也可以形成具有单层结构的绝缘薄膜2。

如步骤(8)所示，用光蚀刻步骤、蚀刻步骤等在除成为第一蓄电电容器电极1f的部分之外的半导体层1a上形成保护层500之后，按约3×10¹²／cm²的剂量掺杂例如P离子，使第一蓄电电容器电极1f低阻抗化。

如步骤(9)所示，除去保护层500之后，用减压CVD法等堆积多晶硅膜3，再进行热扩散P，使多晶硅膜3导电化。另外，也可以用在多晶硅膜3成膜的同时导入P离子的低阻抗的多晶硅膜。多晶硅膜3的厚度堆积到约100～500nm，最好堆积到约300nm。

如图6的步骤(10)所示，用使用保护掩膜的光蚀刻步骤和蚀刻步骤来一起形成规定图形的扫描线3a和电容线3b。扫描线3a和电容线3b也可以用高熔点金属或金属硅化物等金属合金膜来形成，也可以作成为于与多晶硅膜等组合起来的多层配线。

如步骤(11)所示，在把图3所示的象素切换用TFT30作成为具有LDD结构的n沟道型TFT的情况下，为了在半导体层1a上首先形成低浓度源区1b和低浓度漏区1c，把由扫描线3a的一部分构成的栅极作为掩膜，低浓度掺杂P之类的V族元素，例如按1～3×10¹³／cm²的剂量掺杂P离子。这样，扫描线3a下的半导体层1a就成为沟道区1a＇。用这种掺杂也能够使电容线3b和扫描线3a低阻抗化。

如步骤(12)所示，为了形成构成象素切换用TFT30的高浓度源区1d和高浓度漏区1e，在扫描线3a上用比扫描线3a的宽度更宽的掩膜形成保护层600之后，高浓度掺杂同样的P之类的V族元素，例如按1～3×10¹⁵／cm²的剂量掺杂P离子。在把象素切换用TFT30作成为p沟道型的情况下，为了在半导体层1a上形成低浓度源区1b和低浓度漏区1c以及高浓度源区1d和高浓度漏区1e，使用B之类的III族元素进行掺杂。例如不进行低浓度的掺杂，也可以作成为偏置结构的TFT，把扫描线3a作为掩膜，也可以用使用P离子、B离子等的离子注入技术作成自调整型的TFT。用这种掺杂也能使电容线3b和扫描线3a进一步低阻抗化。

也可以与这些TFT30的元件形成步骤并列进行，在TFT阵列基板10上的外围形成由n沟道型TFT和p沟道型TFT构成的具有互补型结构的数据线驱动电路、扫描线驱动电路等外围电路。这样，在本实施例中，如果用多晶硅膜形成构成象素切换用TFT30的半导体层1a的话，就能够用与象素切换用TFT30的形成使几乎一样的步骤来形成外围电路，这在制造上是有利的。

如步骤(13)所示，除去保护层600之后，在电容线3b、扫描线3a和绝缘薄膜2上，用减压CVD法、等离子体CVD法等把由高温氧化硅膜(HTO膜)或氮化硅膜构成的第一层间绝缘膜81堆积到约200nm以下的较薄的厚度。但是，如上所述，也可以由多层膜来构成第一层间绝缘膜81，一般，可以用形成TFT的栅绝缘膜所用的各种公知技术形成第一层间绝缘膜81。

如步骤(14)所示，用反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻技术来形成用来电气连接第一阻挡层80a和高浓度漏区1e的接触孔8a以及用来电气连接第二阻挡层80b和电容线3b的接触孔8c。因为这样的干蚀刻方法方向性高，所以能够开出口径小的接触孔8a和接触孔8c。或者，也可以与有利于防止接触孔8a穿透半导体层1a的湿蚀刻并用。这种湿蚀刻对于接触孔8a来说，从附加为了构成更良好的电气连接的锥度的观点来看，也是有效的。特别是，如上所述，接触孔8a和接触孔8b能够同时开孔，这在制造上是很有利的。

如步骤(15)所示，在经第一层间绝缘膜81和接触孔8a看到的高浓度漏区1e和经接触孔8c看到的电容线3b的整个面上用溅散等技术堆积Ti、Cr、W、Ta、Mo和Pb等金属或金属硅化物等的金属合金膜，形成厚度为50～500nm的导电膜80。如果是50nm左右的厚度，后来开接触孔8b时就几乎没有被穿透的可能性。为了缓和表面反射，也可以在该导电膜80上形成多晶硅膜等防反射膜。导电膜80也可以是堆积了金属或金属硅化物等的金属合金膜或者多晶硅膜的多层膜。

如步骤(16)所示，在所形成的该导电膜80上进行光蚀刻步骤和蚀刻步骤形成第一阻挡层80a和第二阻挡层80b。其中，关于第二阻挡层80b，特别如图4所示的那样，可以形成得使其一部分与后来形成的象素电极9a重叠少许。

如步骤(17)所示，为了覆盖第一层间绝缘膜81和第一阻挡层80a以及第二阻挡层80b，例如使用常压或减压CVD法或TEOS气体等形成由NSG、PSG、BSG、BPSG之类的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的第二层间绝缘膜4。第二层间绝缘膜4的厚度最好是约500～1500nm。如果第二层间绝缘膜4的厚度大于500nm，数据线6a与扫描线3a之间的寄生电容不会过分，或几乎不成问题。

在步骤(18)中，为了使半导体层1a活性化，在进行大约20分钟的约1000℃的热处理之后，在绝缘薄膜2、第一层间绝缘膜81以及第二层间绝缘膜4上开用以电气连接数据线6a与半导体层1a的高浓度漏区1e的接触孔5。也可以用与接触孔5同样的步骤在基板周边的区域内开用以将扫描线3a或电容线3b与未图示的配线电气连接的接触孔。

如步骤(19)所示，在第二层间绝缘膜4上，用溅散等方法堆积遮光性的Al等低阻抗金属或金属硅化物等，作为金属膜6，其厚度为约100～500nm，最好是300nm。

如步骤(20)所示，用光蚀刻工序和蚀刻工序等来形成数据线6a。这里，关于数据线6a，特别如图4所示，形成得不与后形成的象素电极9a重叠，而与第二阻挡层80b重叠。

如图8的步骤(21)所示，为了覆盖数据线6a，例如用常压或减压CVD法或TEOS气体等来形成由NSG、PSG、BSG、BPSG之类的硅酸盐玻璃膜、氮化硅膜或氧化硅膜等构成的第三层间绝缘膜7。第三层间绝缘膜7的厚度最好是约500～1500nm。

如步骤(22)所示，用反应性离子蚀刻、反应性离子束蚀刻等干蚀刻技术来形成用来电气连接象素电极9a和第一阻挡层80a的接触孔8b。为了作成锥状，也可以追加湿蚀刻。

如步骤(23)所示，在第三层间绝缘膜7上，用溅散法等堆积ITO膜等透明性导电膜9，其厚度为约50～200nm；如步骤(24)所示，用光蚀刻工序和蚀刻工序等来形成象素电极9a。在把电光学装置用作反射型装置的情况下，也可以由Al等反射率高的不透明材料来形成象素电极9a。

如以上所说明的那样，按照本实施例的制造工艺，能够用比较少的步骤而且使用比较简单的各步骤来制造出上述的第一实施例的电光学装置。

(第二实施例)

下面参照图9到图11来说明本发明的第二实施例的电光学装置的构成。图9是第二实施例的电光学装置中的形成数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板相邻接的多个象素群的平面图。图10是图9的A-A＇断面图。图11是图9的B-B＇断面图。在图10和图11中，为了把各层和各部件绘制成在图面上能够看清楚的大小，每层和每个部件采用不同的缩尺。在图9至图11的第二实施例中，有关与图2至图4所示的第一实施例同样的构成要素，标注同样的标号，省略其说明。

在图9至图11中，按照第二实施例，电光学装置设置有中继导电层6b和第一阻挡层90a，中继导电层6b经接触孔88a与半导体层1a的高浓度漏区1e电气连接，并由与数据线6a同一层构成，第一阻挡层90a由经接触孔88c与象素电极9a电气连接的遮光性的导电层构成。中继导电层6b和第一阻挡层90a经形成在数据线6a和中继导电层6b上的第二层间绝缘膜4相对地配置，并经该第二层间绝缘膜4上开的接触孔88b电气连接在一起。另一方面，在第二实施例中，设置由与第一阻挡层90a同一遮光性导电层构成的第二阻挡层90b，第二阻挡层90b和电容线3b经接触孔88d电气连接。这样，把第二阻挡层90b作为蓄电电容器电极并与相邻接的象素群连接，这就能够代用作电容线。这种情况下，也可以把电容线3b作为蓄电电容器电极，对各象素形成为岛状。这样，就能够把象素开口作大。把第二阻挡层90b和电容线3b电气连接起来，就能够形成双重电容线，从而实现冗长结构。如图9所示，第二阻挡层90b被形成为格子状，沿平面看除第一阻挡层90a存在的区域的周围之外，它覆盖着象素电极9a的间隙，并且界定分别沿象素开口区之中的数据线6a和扫描线3a的左右边和上下边。即使在这种情况下，也与第一实施例的情况相同，第二阻挡层90b的边缘部分与象素电极9a的边缘部分少许重叠。用中继导电层6b或相对基板侧的第二遮光膜23覆盖第一阻挡层90a与第二阻挡层90b的间隙，这样就能够简单地防止漏光。有关其他构成，与第一实施例的情况一样。

这样，在第二实施例中，用两个中继导电层即中继导电层6b和第一阻挡层90a就能够实现从象素电极9a到半导体层1a的良好的中继。特别是象素电极9a由ITO膜构成、数据线6a由Al膜构成的情况下，最好由能够在两者之间得到良好电气连接的Ti、Cr、W等高熔点金属等构成。

如图11所示，数据线6a经介质膜即第一层间绝缘膜81和第二层间绝缘膜4被夹持在电容线3b和阻挡层90b之间，在这种结构中，电位更加稳定的电容线3b和第二阻挡层90b之间的电容就附加到数据线6a上。因此，能够把数据线6a的电容设定得适度地大，而不会招致电位摆动，并能够阻止经数据线6a向象素电极9a供给图象信号时的写入能力之不足。

由与这样的Al膜同一膜构成的中继导电层6b，例如在第一实施例制造过程中的步骤(18)中，把接触孔88a开到高浓度漏区1e，在步骤(20)，可以对步骤(19)形成的Al膜实施光蚀刻工序和蚀刻工序，以便在包含该接触孔88a的高浓度漏区1e的上方形成中继导电层6b。另外，对于第二层间绝缘膜4和第一阻挡层90a以及第二阻挡层90b，也可以用与第一实施例中的步骤(13)到步骤(16)同样的工艺来形成。

(第三实施例)

参照图12来说明本发明的第三实施例的电光学装置的构成。图12是第三实施例中的与形成了数据线、扫描线、象素电极等的断面图对应的断面图。在图12中，为了把各层和各部件绘制成在图面上能够看清楚的大小，每层和每个部件采用不同的缩尺。在图12所示的第三实施例中，有关与图10所示的第二实施例同样的构成要素，标注同样的标号，省略其说明。

在图12中，第三实施例与第二实施例不同，不使用中继导电层6b，用第一阻挡层90a＇直接连接在与高浓度漏区1e之间，其他构成与第二实施例的情况一样。

因此，按照第三实施例，能够用与构成象素电极9a的ITO膜电气相容性良好的由高熔点金属构成的第一阻挡层90a＇将象素电极9a与高浓度漏区1e进行电气中继连接。

(第四实施例)

参照图13至图15来说明本发明的第四实施例的电光学装置的构成。图13是第四实施例的电光学装置中的形成了数据线、扫描线、象素电极等的TFT阵列基板的相邻接的多个象素群的平面图。图14是图13的A-A＇断面图，图15是图13的B-B＇断面图。在图14和图15中，为了把各层和各部件绘制成在图面上能够看清楚的大小，每层和每个部件采用不同的缩尺。在图13至图15所示的第四实施例中，有关与图2至图4所示的第一实施例同样的构成要素，标注同样的标号，省略其说明。

在图13至图15中，第四实施例与第一实施例不同，第一遮光膜11a＇穿过相邻接的象素电极9a的间隙形成为格子状，电容线3b经接触孔15在每一个象素上与第一遮光膜11a＇电气连接。这样就能够把第一遮光膜11a＇作为电容线3b的冗长配线来使用，通过使电容线3b的低阻抗化能够使蓄电电容器70的电位稳定。用这样的构成，把第一遮光膜11a＇代用作电容线，也可以在结构上把电容线3b在每一个象素中作为岛状的蓄电电容器电极。这样，就能够把象素开口率作得大。另外，通过与第二实施例组合，使电容线3b与第一遮光膜11a＇和第二阻挡层90b电气连接起来，也可以把用来形成蓄电电容器的电容线作成为3重配线。把电容线3b作为蓄电电容器电极，并在每一个象素中形成为岛状的情况下，第一遮光膜11a＇与第二阻挡层90b经蓄电电容器电极电气连接起来，同时与邻接的象素相连接。用以把接触孔15、第二阻挡层80b和电容线3b连接起来的接触孔8c在不同的平面位置开孔，就能够防止接触孔15和接触孔8c中的连接不良。

另外，如图14和图15所示，TFT阵列基板10＇的配线或TFT30的至少一部分形成为凹状的坑，上侧表面形成平坦状。结果，形成数据线6a、扫描线3a、电容线3b等配线或TFT30的平面区域中的第三层间绝缘膜7的表面就被平坦化。其他构成与第一实施例的情况一样。

因此，按照第四实施例，与数据线6a重叠而形成扫描线3a、TFT30、电容线3b等的区域与象素开口区的阶梯差就被减小了。这样，由于象素电极9a被平坦化，所以，能够根据相应的平坦化的程度降低液晶层50的旋转位移(デイスクリネ-シヨン)(Disclination)。结果，能够显示更高品位的图象，并能够扩大象素开口区。

而且，不是在这样的TFT阵列基板10＇上形成沟来平坦化，而是例如用CMP(化学机械抛光)处理、旋涂处理、回流法等来进行平坦化，也可以用有机SOG(玻璃旋转)膜、无机SOG膜、聚酰亚胺膜等来进行第二层间绝缘膜4或第三层间绝缘膜7中的平坦化。上述的构成也能够适用于第一实施例、第二实施例和第三实施例。

(电光学装置的整体构成)

参照图16和图17来说明像上面那样构成的各实施例中的电光学装置的整体构成。图16是从对面基板20侧来一起看TFT阵列基板10和形成在其上的各构成要素的平面图，图17是图16的H-H＇的断面图。

在图16中，在TFT阵列基板10上沿其边缘设置有密封材料52，与其内侧并行地设置有作为例如界定用与第二遮光膜23相同或不同的材料构成的图象显示区的周边的额缘的第三遮光膜53。在密封材料52的外侧区域，沿TFT阵列基板10的一边设置有把图象信号按规定的定时供给数据线6a来驱动数据线6a的数据线驱动电路101和外部电路连接端子102，并沿与该一边相邻接的两边设置有把扫描信号按规定的定时供给扫描线3a来驱动扫描线3a的扫描线驱动电路104。如果供给扫描线3a的扫描信号延迟不成问题的话，扫描线驱动电路104仅单侧良好是不言而喻的。也可以沿图象显示区的边缘把数据线驱动电路101排列在两侧。奇数列数据线例如：也可以从沿图象显示区的一边配置的数据线驱动电路供给图象信号；偶数列数据线从沿上述图象显示区的对面的边配置的数据线驱动电路供给图象信号。这样，如果按梳齿状驱动数据线的话，因为能够扩大数据线驱动电路的占有面积，所以，就能够构成复杂的电路。另外，在TFT阵列基板10的剩余的一边设置有用来连接设置在图象显示区的两侧的扫描线驱动电路104之间的多条配线105。对面基板20的角部的至少一处设置有用来使在TFT阵列基板10与对面基板20之间电气导通的导通材料106。如图17所示，用密封材料52把具有与图16所示的该密封材料52几乎同样轮廓的对面基板20固定在TFT阵列基板10上。在TFT阵列基板10上，除这些数据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等之外，还可以形成有取样电路、预充电电路和检查电路，取样电路按规定的定时把图象信号施加于多条数据线6a，预充电电路分别先于图象信号把规定电压电平的预充电信号施加于多条数据线6a，检查电路用来检查制造中或发货时该电光学装置的质量、缺欠等。按照本实施例，可以把对面基板20上的第二遮光膜23形成得比TFT阵列基板10上的遮光膜更小，从而能够根据电光学装置的用途容易地除掉。

在以上从参照图1到图17所说明的各实施例中，也可以不把数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104设置在TFT阵列基板10上，而是经设置在TFT阵列基板10的周边部上的各向异性导电膜电气及机械地连接到实际安装到例如TAB(自动粘接带)基板上的驱动用LSI上。根据例如TN(扭转向列)模式、VA(垂直对正)模式、PDLC(聚合物弥散液晶)模式等工作模式或正常白电平模式／正常黑电平模式之不同按规定的方向把偏光膜、相位差膜、偏光板等分别配置在对面基板20的投射光入射侧和TFT阵列基板10的出射光出射侧。

为了把以上所说明的各实施例中的电光学装置适用于投影仪，把三个电光学装置分别用作RGB用的光阀，分别经RGB分色用的二向色镜分解的各色光作为投射光被分别入射到各光阀中。因此，在各实施例中，不把滤色片设置在对面基板20上。但是，在面对未形成第二遮光膜23的象素电极9a的规定区域内也可以把RGB的滤色片与其保护膜一起形成在对面基板20上。这样，各实施例中的电光学装置能够适用于液晶投影仪以外的直视型或反射型的彩色电光学装置。另外，在对面基板20上也可以形成与象素一一对应的微透镜。或者，可以在面对TFT阵列基板10上的RGB的象素电极9a的下面用彩色保护膜等形成彩色滤色层。这样，就能够提高入射光的集光效率，从而能够实现明亮的电光学装置。另外，在对面基板20上堆积各层折射率不同的干涉层，也可以形成利用光的干涉作出RGB色的二向色滤色层。如用附加了该二向色滤色层的对面基板能够实现更明亮的彩色电光学装置。

在以上所说明的各实施例中的电光学装置中，与原来一样，从对面基板20侧入射入射光，但是由于设置有第一遮光膜11a(或11a＇)，所以，也可以从TFT阵列基板10侧入射入射光，从对面基板20侧射出。即：即使把电光学装置这样安装在投影仪中，也能够防止光入射到半导体层1a的沟道区1a＇和低浓度源区1b以及低浓度漏区1c，从而能够显示高质量的图象。这里，原来，为了防止在TFT阵列基板10里面侧的反射，另外设置了被覆防反射用的AR(防反射)的偏光板，还必须贴附AR膜，但是，在各实施例中，因为在TFT阵列基板10的表面与半导体层1a的至少沟道区1a＇和低浓度源区1b以及低浓度漏区1c之间形成有第一遮光膜11a(或11a＇)，所以，就不必一面使用被覆有这样AR的的偏光板或AR膜，还要使用对TFT阵列基板10实施了AR处理的基板。因此，按照各实施例，能够降低材料成本，并在贴附偏光板时，不会因灰尘、损伤等而降低成品率。而且因为耐光性优越，所以可以使用明亮的光源，并用偏光分束器进行偏光变换，来提高光利用率，也不会因光的串扰等引起图象质量劣化。

作为各象素中设置的切换元件，虽然说明了正交错型或共面型多晶硅TFT，即使对于反交错型的TFT或非晶硅TFT等其他形式的TFT，各

实施例也是有效的。

(电子机器)

下面参照图18到图20来说明具备上面详细描述的电光学装置100的电子机器的实施例。

首先，在图18中，表示具备这种电光学装置100的电子机器的概略构成。

在图18中，电子机器由显示信息输出源1000、显示信息处理电路1002、驱动电路1004、电光学装置100、时钟信号发生电路1008以及电源电路1010构成。显示信息输出源1000包含有ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)、光盘装置等存储器、调谐输出图象信号的调谐电路等，根据来自时钟信号发生电路1008的时钟信号把规定格式的图象信号等显示信息输出到显示信息处理电路1002。显示信息处理电路1002由放大·极性翻转电路、串行-并行变换电路、旋转电路、灰度系数补偿电路、嵌位电路等众所周知的各种处理电路构成，并根据时钟信号从所输入的显示信息依次生成数字信号，再与时钟信号CLK一起输出到驱动电路1004。驱动电路1004驱动电光学装置100。电源电路1010对上述各电路供给规定的电源。在构成电光学装置100的TFT阵列基板上，也可以装载驱动电路1004，除此之外，还可以装载显示信息处理电路1002。

图19到图20中，分别表示了这样构成的电子机器的具体例。

在图19中，作为电子机器一例的投影仪1100准备有三个光阀分别用作各RGB用光阀100R、100G和100B，光阀包含有TFT阵列基板上装载了上述驱动电路1004的电光学装置100。在投影仪1100中，从金属卤化物灯等白色光源的照明单元1102发出投射光时，用三面镜子1106和两面2向色镜1108把投射光分成为对应于RGB三原色的光分量R、G、B，并分别导入与各色对应的光阀100R、100G、100B。这时，特别是为了防止长光路引起的光损，经由入射透镜1122、中继透镜1123和出射透镜1124构成的中继透镜系统1121导入B光。把对应于由光阀100R、100G、100B分别调制的三原色的光分量再次用2向色棱镜1112合成之后，经投射透镜1114投射导屏幕1120上，作为彩色图象。

在图20中，作为电子机器的其他例子的多媒体对应的便携式小型个人计算机(PC)1200，把上述电光学装置100设置在顶盖盒内，另外，还设置有在容纳CPU、存储器、调制解调器等的同时把键盘1202组装起来的主体1204。

除以上参照图19和图20说明的电子机器之外，作为图18所示的电子机器的例子，还列举有：液晶电视、取景器型或监视器直视型的录象机、汽车导航装置、电子帐本、台式电子计算机、字处理器、工程·工作站(EWS)、携带式电话、电视电话、POS终端、具有触摸式面板的装置等。

如上之说明，按照本实施例，能够实现具有制造效率高、可以高品位图象显示的电光学装置的各种电子机器。

Claims (30)

1．一种电光学装置，其特征在于在基板上设置有：

多条扫描线、

多条数据线、

对应于所述各扫描线与所述各数据线的交叉处配置的薄膜晶体管和象素电极、

插在构成所述薄膜晶体管的源和漏区的半导体层和所述象素电极之间并与所述半导体层电气连接且与所述象素电极电气连接的遮光性的第一导电层、以及

由与所述第一导电层同一薄膜构成并沿平面看至少部分地与所述数据线重叠的第二导电层。

2．根据权利要求1记载的电光学装置，其特征在于沿平面看所述第二导电层至少部分地与所述象素电极重叠。

3．根据权利要求1或2记载的电光学装置，其特征在于所述第一导电层经第一接触孔与所述半导体层电气连接，且经所述第二接触孔与所述象素电极电气连接。

4．根据权利要求1至3的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述数据线经第三接触孔与所述半导体层电气连接。

5．根据权利要求1至4的任一项记载的电光学装置，其特征在于沿平面看所述数据线至少部分地与所述象素电极重叠。

6．根据权利要求1至5的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层与定电位线电气连接。

7．根据权利要求1至6的任一项记载的电光学装置，其特征在于在所述半导体层之中的至少沟道区的所述基板侧还设置有经衬底绝缘膜形成的遮光膜。

8．根据权利要求1至7的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第一导电层和所述第二导电层包含高熔点金属。

9．根据权利要求1至8的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层和所述数据线经层间绝缘膜至少部分地面对配置。

10．根据权利要求1至9的任一项记载的电光学装置，其特征在于还设置有连接在所述象素电极上的蓄电电容器。

11．根据权利要求10记载的电光学装置，其特征在于所述第一导电层和所述第二导电层经绝缘膜被设置在所述扫描线和所述蓄电电容器的一方的电极上。

12．根据权利要求11记载的电光学装置，其特征在于由所述半导体层的一部分构成的第一蓄电电容器电极和所述蓄电电容器的一方的电极即第二蓄电电容器电极经第一介质膜面对地设置，所述第二蓄电电容器电极与由所述第一导电层的一部分构成的第三蓄电电容器电极经第二介质膜面对地配置，从而形成所述蓄电电容器。

13．根据权利要求10至12的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层连接在所述第二蓄电电容器电极上。

14．根据权利要求13记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层经第四接触孔电气连接在所述第二蓄电电容器电极上；

所述第四接触孔通过与所述第一接触孔的开孔工艺同样的工艺开孔。

15．根据权利要求12记载的电光学装置，其特征在于所述第二蓄电电容器电极被延伸设置，并且是电容线。

16．根据权利要求13记载的电光学装置，其特征在于所述第二蓄电电容器电极与所述遮光膜连接。

17．根据权利要求16记载的电光学装置，其特征在于所述遮光膜兼做电容线，所述第二蓄电电容器电极使所述基板上的平面形状相邻接的数据线间沿所述扫描线延伸，并在每个象素电极上构成为岛状，同时，连接在所述遮光膜上。

18．根据权利要求15记载的电光学装置，其特征在于所述遮光膜经开孔在不同于所述第四接触孔的平面位置上的第五接触孔电气连接在所述电容线上。

19．根据权利要求10至18的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层和所述遮光膜经第二蓄电电容器电极电气连接，所述第二导电层和所述遮光膜被连接在邻接的象素电极上。

20．根据权利要求1至19的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第一导电层和所述第二导电层被设置在比所述数据线更下面的下层上。

21．根据权利要求1至20的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层沿平面看被设置为岛状，并至少部分地规定沿象素开口区之中的所述数据线的区域。

22．根据权利要求1至10的任一项记载的电光学装置，其特征在于所述第一导电层和所述第二导电层被设置在比所述数据线更上面的上层上。

23．根据权利要求22记载的电光学装置，其特征在于所述第二导电层除所述第一导电层存在的区域之外，沿平面看被设置为格子状，并规定沿象素开口区域的所述数据线和所述扫描线的区域。

24．根据权利要求22或23记载的电光学装置，其特征在于所述半导体层和所述第一导电层经与所述数据线同一膜构成的中继导电层连接起来。

25．根据权利要求24记载的电光学装置，其特征在于所述数据线经层间绝缘膜被夹持在所述蓄电电容器的一方电极与所述第二导电层之间。

26．一种电光学装置的制造方法，所述电光学装置在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、连接在所述各扫描线和所述各数据线上的薄膜晶体管和连接所述薄膜晶体管的象素电极；其特征在于所述制造方法包括如下步骤：

在所述基板上形成源区、沟道区和漏区构成的半导体层；

在所述半导体层上形成绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上形成扫描线和蓄电电容器的一方电极；

在所述扫描线和蓄电电容器的一方电极上形成第一层间绝缘膜；

在所述绝缘薄膜和所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第一接触孔；

在所述第一层间绝缘膜上形成遮光性的第一导电层和由与所述第一导电层同一膜构成的第二导电层，以使其经所述第一接触孔电气连接到所述半导体层上；

在所述第一导电层和所述第二导电层上形成第二层间绝缘膜；

在所述第二层间绝缘膜上形成数据线；

在所述数据线上形成第三层间绝缘膜；

在所述第二层间绝缘膜和所述第三层间绝缘膜上开连通到所述第一导电层的第二接触孔；电层；

所述第二导电层沿平面看至少部分地与所述数据线重合。

27．根据权利要求23记载的电光学装置的制造方法，其特征在于在形成所述第二层间绝缘膜的步骤之后，还包含在所述第二层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第三连接孔的步骤；在形成所述数据线的步骤中，形成所述数据线，以使其经所述第三连接孔电气连接到所述半导体层；

在开所述第一连接孔的步骤中，开所述第一连接孔的同时，在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述蓄电电容器的一个电极的第四连接孔；在所述形成第二导电层的步骤中，形成第二导电层，以使其经所述第四连接孔电气连接到所述蓄电电容器的一个电极。

28．一种电光学装置的制造方法，所述电光学装置在基板上设置有多条扫描线、多条数据线、连接在所述各扫描线和所述各数据线上的薄膜晶体管和连接所述薄膜晶体管的象素电极；其特征在于所述制造方法包括如下步骤：

在所述基板上形成成为源区、沟道区和漏区的半导体层；

在所述半导体层上形成绝缘薄膜；

在所述绝缘薄膜上形成扫描线和蓄电电容器的一个电极；

在所述扫描线和蓄电电容器的一个电极上形成第一层间绝缘膜；

在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第一连接孔；

在所述第一层间绝缘膜上形成数据线的同时，由与所述数据线同一膜构成中继导电层，以使其经所述第一连接孔电气连接到所述半导体层；

在所述数据线和所述中继导电层上形成第二层间绝缘膜；

在所述第二层间绝缘膜上开连通到所述中继导电层的第二连接孔；

在所述第二层间绝缘膜上形成遮光性的第一导电层，以使其经所述第二连接孔电气连接到所述中继导电层，同时形成由与所述第一导电层同一膜构成的第二导电层，该层沿平面看与所述数据线重合；

在所述第一导电层和第二导电层上形成第三层间绝缘膜；

在所述第一导电层和第二导电层上形成第三层间绝缘膜；

在所述第三层间绝缘膜上开连通到所述第一导电层的第三接触孔；

形成象素电极，以使其经所述第三接触孔电气连接到所述第一导电层。

29．根据权利要求28记载的电光学装置的制造方法，其特征在于在形成所述第一层间绝缘膜的步骤之后，还包含在所述第一层间绝缘膜上开连通到所述半导体层的第四接触孔的步骤；在形成所述数据线的步骤中，形成所述数据线，以使其经所述第四接触孔电气连接到所述半导体层；

在开所述第二接触孔的步骤中，开所述第二接触孔的同时，在所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上开连通到所述蓄电电容器的一方电极的第五接触孔；在所述形成第二导电层的步骤中，形成所述第二导电层，以使其经所述第五接触孔电气连接到所述蓄电电容器的一方电极。

30．一种电子机器，其特征在于具有权利要求1至25的任一项记载的电光学装置。

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