CN1284199C - 制造用于平板显示器的基板的方法 - Google Patents

制造用于平板显示器的基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1284199C
CN1284199C CNB031484735A CN03148473A CN1284199C CN 1284199 C CN1284199 C CN 1284199C CN B031484735 A CNB031484735 A CN B031484735A CN 03148473 A CN03148473 A CN 03148473A CN 1284199 C CN1284199 C CN 1284199C
Authority
CN
China
Prior art keywords
groove
glass substrate
floating
substrate
basal surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031484735A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1479338A (zh
Inventor
豐田治
木舩素成
山本光二
井上和則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of CN1479338A publication Critical patent/CN1479338A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1284199C publication Critical patent/CN1284199C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H01J9/242—Spacers between faceplate and backplate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

一种制造用于平板显示器的基板的方法包括通过脱除工艺在浮置玻璃基板的底表面中形成多个沟槽，以便形成包括位于各个沟槽之间的突起的阻挡肋。

Description

制造用于平板显示器的基板的方法
技术领域
本发明涉及制造用于平板显示器的基板的方法，并涉及在平板显示器中形成阻挡肋的方法。本发明特别涉及制造用于诸如等离子体显示面板(PDP)、等离子体寻址液晶显示面板(PALC)、和场致发射显示面板(FED)之类的平板显示器的基板的方法，这些显示面板包括用于在一对浮置玻璃基板之间间隔出一个空间的间壁，并涉及在这种平板显示器中形成这种阻挡肋的方法。
背景技术
下面介绍形成用于等离子体显示面板的后基板的示意性常规方法。图1A-10E是表示用于形成阻挡肋的常规方法中的步骤。如图1A中所示，在第一步骤中，地址电极11形成在浮置玻璃基板10的顶部面(没有锡的一侧的表面)上。在地址电极11是利用薄膜技术而形成时，根据如下工序形成地址电极11：通过溅射工艺形成由第一铬子层、铜子层、以及第二铬子层按照顺序设置而构成的层，然后通过光刻工艺对形成的层进行刻蚀，以便形成预定图形。在地址电极11是采用厚膜技术而形成时，根据如下工序形成地址电极11：将银粉、玻璃粘接剂、树脂、溶剂等混合在一起制备银膏，并通过丝网印刷工艺采用银膏形成图形。在这个步骤中，地址电极11形成在浮置玻璃基板的顶表面(没有锡的一侧的表面)上，以便防止出现下列现象：当地址电极11形成在浮置玻璃基板的底表面(有锡的一侧的表面)上时，铜和银与位于底表面上的锡反应，形成含有铜和银的胶体，并且形成的胶体在浮置玻璃基板中扩散，从而在浮置玻璃基板中产生带色部分。然后向地址电极11上施加介质膏，并干燥得到的介质膏，然后烘焙以形成介质层12。
在图1B所示的第二步骤中，间壁膏13施加于在第一步骤中形成的介质层12上，然后烘干所得到的间壁膏13。间壁膏13可在一个步骤中利用染料涂覆器施加于介质层12上。或者，间壁膏13可通过丝网印刷工艺设置在介质层12上以形成多个层。
在图1C所示的第三步骤中，烘干间壁膏13之后，抗蚀剂图形部分14被设置在间壁膏13上，以便抗蚀剂图形部分14覆盖用于形成阻挡肋的区域。抗蚀剂图形部分14通常是根据以下工序形成的：将于抗蚀剂膜粘接到间壁膏13上，然后通过光刻工艺刻蚀得到的干抗蚀剂膜，以便形成希望的图形。
在图1D中所示的第四步骤中，采用含有细钙颗粒的粘接剂16，用喷砂枪15对间壁膏13进行喷砂，由此除去部分间壁膏13，该部分没有被抗蚀剂图形部分14覆盖。
在图1E中所示的第五步骤中，从得到的间壁膏13上除去抗蚀剂图形部分14，然后烘焙间壁膏13以形成阻挡肋17。
在具有根据上述工序形成的部件的浮置玻璃基板10中，在阻挡肋17之间设置沟槽。然后在对应沟槽中形成具有相应三原色的荧光层。分开制备另一基板。在该基板上形成多个成对的维持电极、覆盖该维持电极的透明介质层、以及包含MgO等并覆盖透明介质层的保护层。按照所有的部件都被设置在两个基板之间的方式，将该基板连接到浮置玻璃基板10上。在连接到一起的基板的周边提供密封材料，以便密封其间的间隔，并从该空间抽空气体。然后用含有氖和氙的混合气体填充该空间，由此获得等离子体显示面板。
为了降低等离子体显示面板的制造成本，本发明人已经提出了用于形成阻挡肋的一种新方法，该方法在日本未审定专利申请公报No.2001-43793中公开了。
在上述方法中，在制造等离子体显示面板的步骤中，以预定间距排列的沟槽被直接设置在后基板的表面中，以便形成阻挡肋。
图2是表示通过浮置工艺制造玻璃基板(浮置玻璃基板)的方法的示意图。如图2所示，将原材料如硅石砂、碱灰、和石灰石输送到设置在熔化炉101的左侧的原材料入口108，然后在1600℃使其熔化以形成基底玻璃。允许基底玻璃在熔化炉101中在如图中右箭头所示的方向上移动，同时基底玻璃释放含在其中的汽泡。
从熔化炉101移出的基底玻璃被发送到含有熔化锡104的浮置槽102中，其中熔化锡104具有由于重力作用而为平坦的表面。在浮置槽102中将基底玻璃形成为具有预定厚度的浮置玻璃板106。在这个步骤中浮置玻璃板106的表面与熔化锡104接触。这个表面称为底表面(有锡一侧的表面)，这个表面的背面称为顶表面(没有锡一侧的表面)。浮置玻璃板106在底表面的周边含有锡。
从浮置槽102移出的浮置玻璃板106被传送到退火炉103，然后在其中进行退火，以便从浮置玻璃板106中除去永久应力，同时浮置玻璃板106在滚轴105上运动。浮置玻璃板106从退火炉103移出之后，将浮置玻璃板106在切割部分107切割成具有预定尺寸的浮置玻璃基板。
在通过这个浮置工艺制造的每个浮置玻璃基板中，在熔化炉101中已从基底玻璃中除去了大气泡。然而，具有约几百μm或更小直径的小气泡仍保留在基底玻璃的顶表面的周边，并被固化。因此，该浮置玻璃基板在顶表面的周边具有很多小气泡。
在用于制造阻挡肋的常规方法中，存留在浮置玻璃基板中的汽泡不会引起问题，因为地址电极、介质层和阻挡肋都形成在浮置玻璃基板上。
然而，在利用脱除工艺直接在浮置玻璃基板中形成阻挡肋的方法中，在沟槽形成在顶表面中时，留在浮置玻璃基板的顶表面(没有锡一侧的表面)周边的小气泡在阻挡肋中会产生以下缺陷：当汽泡位于沟槽底部时，沟槽具有与汽泡尺寸和数量成正比的、大于预定值的深度，而在汽泡位于用于形成阻挡肋的区域中时，阻挡肋具有贯穿这些气泡的孔。
为了解决上述问题，本发明人已经仔细研究了形成在浮置玻璃基板的顶表面中的阻挡肋中的缺陷，并发现这种缺陷是由存留在每个浮置玻璃基板的顶表面周边处的汽泡引起的。结果是，本发明人在本发明中使沟槽通过脱除工艺形成在浮置玻璃基板的底表面(有锡一侧的表面)中，以便形成用于平板显示器的阻挡肋。
发明内容
本发明提供一种制造用于平板显示器的基板的方法，其中该方法包括：选择浮置玻璃基板的底表面，在该底表面上具有与熔化锡接触的痕迹；以及通过脱除工艺在浮置玻璃基板的被选择的底表面中形成多个沟槽，以便形成包括残留在各个沟槽之间的突起的阻挡肋。
在上述方法中，脱除工艺是喷砂工艺。
在上述方法中，脱除工艺是采用酸性蚀刻剂的化学蚀刻工艺。
在上述方法中，至少形成在浮置玻璃基板的底表面中的沟槽底部被进一步整平，以便形成电极形成表面。
在上述方法中，通过利用激光照射部分熔化沟槽表面而对沟槽底部进行整平。
在上述方法中，沟槽的底部是通过用具有用以减少沟槽表面不规则性的颗粒直径的研磨剂和/或由通过形成沟槽而从基板上切割下来的材料构成的研磨剂进行喷砂而整平的。
在上述方法中，通过用切割锯抛光沟槽的内表面而对沟槽的底部进行整平。
在上述方法中，通过在沟槽内表面上涂覆含硅的有机化合物溶液，然后加热该涂层以形成二氧化硅膜，来对沟道底部进行整平。
在上述方法中，采用光刻工艺在被整平的底表面上形成电极。
本发明还提供一种制造用于平板显示器的基板的方法，该方法包括：选择浮置玻璃基板的底表面，在该底表面上具有与熔化锡接触的痕迹；以及通过脱除工艺在浮置玻璃基板的被选择的底表面中形成多个沟槽，以便形成包括残留在各个沟槽之间的突起的阻挡肋，然后通过喷墨工艺或喷粉(dispensing)工艺在沟槽的底部上形成电极。
在上述方法中，在比电极中所包含的低熔点玻璃的软化点高40℃的烘焙温度下烘焙基板。
附图说明
图1A-1E是表示形成阻挡肋的常规方法的示意图；
图2是表示通过浮置工艺制造浮置玻璃基板的方法的示意图；
图3是表示等离子体显示面板的示意透视图，其中该显示面板包含具有利用本发明的方法形成的阻挡肋的后浮置玻璃基板；
图4A-4E是表示根据本发明第一实施例用于形成阻挡肋的方法的示意图；
图5A-5C是表示根据本发明第二实施例用于形成阻挡肋的方法的示意图；
图6A-6C是表示根据本发明第二实施例的变型用于形成阻挡肋的方法的示意图；
图7是表示根据本发明第三实施例用于形成阻挡肋的设备的示意图；
图8是表示利用根据本发明第三实施例的阻挡肋形成方法所形成的沟槽的不规则性的示意图；
图9A和9B是表示根据本发明第四实施例用于形成阻挡肋的方法的示意图；
图10A-10C是表示根据本发明第五实施例用于形成阻挡肋的方法的示意图；
图11A-11C是表示根据本发明第六实施例用于形成阻挡肋的方法的示意图。
具体实施方式
图3是表示利用根据本发明的阻挡肋形成方法制造的包括后浮置玻璃基板27的等离子体显示面板(PDP)的透视图。PDP还包括一个前玻璃基板20。该前玻璃基板20包括：由透明材料如ITO构成的维持电极21；用于减小电极电阻的总线电极22；由低熔点玻璃构成的透明介质层23、以及通过淀积工艺形成的包括MgO的保护层24。这些部件按顺序设置在PDP的下表面上。透明介质层23覆盖维持电极21和总线电极22。
后浮置玻璃基板27包括通过脱除工艺而形成并位于其上表面的阻挡肋28；地址电极16；红荧光层25R；绿荧光层25G；以及蓝荧光层25B。每个地址电极26设置在位于相应阻挡肋28之间的相应沟槽的底部中。每个红荧光层25R、绿荧光层25G以及蓝荧光层25B分别叠置在相应的地址电极26上。每个介质层(未示出)可设置在相应地址电极26以及相应阻挡肋28的侧表面上。
通过所有上述部件都设置在前玻璃基板20和后浮置玻璃基板27之间的方式，将前玻璃基板20连接到后浮置玻璃基板27上。在连接到一起的基板周边设置密封剂以密封其间的空间。然后从该空间抽空气体，之后用含有稀有气体如氖和氙的混合气体填充该空间，该混合气体是放电气体。
利用浮置法制造的后浮置玻璃基板27可包括钠钙玻璃或高应力点玻璃，如由Asahi Glass公司制造的PD-200，或由NipponElectric Glass公司制造的PP-8。
[第一实施例]
下面参照图4A-4E介绍根据第一实施例用于制造阻挡肋的方法。
如图4A所示，将具有耐喷砂性的干抗蚀剂膜粘接到浮置玻璃基板30的底表面(有锡一侧的表面)。得到的干抗蚀剂膜通过光刻工艺被显影，形成抗蚀剂图形部分31，使得抗蚀剂图形部分31设置在用于形成阻挡肋的相应区域上。
如图4B所示，采用含有氧化铝或SiC颗粒的研磨剂33，用喷砂枪32对其上具有抗蚀剂图形部分31的底表面进行喷砂处理，由此除去未用相应抗蚀剂图形部分31覆盖的部分底表面，其中氧化铝或SiC颗粒的直径约为10-20μm。由此，在底表面中形成深度约为150-200μm的沟槽36。
如图4C所示，除去抗蚀剂图形部分31。如图4D所示，利用喷墨头34通过喷墨工艺向沟槽36的底部提供含有银细粉末、低熔点玻璃细粉末、树脂、以及有机溶剂的电极材料。在该步骤中，可采用喷粉工艺代替喷墨工艺。
如图4E所示，在约500-600℃下对位于相应沟槽36处的电极材料烘焙约15分钟，以便形成地址电极35。在这个步骤中，当烘焙温度比电极材料中所包含的低熔点玻璃的软化点高40℃时，烧结细银粉，然后压紧。这样，地址电极35的表面层只包括低熔点玻璃。由此，每个表面层用作一个介质层。或者，可采用下列工序：在接近低熔点玻璃软化点的温度下烘焙电极材料，将低熔点玻璃膏施加于沟槽36上，然后烘焙低熔点玻璃膏以形成每一个都具有这样一个介质层的地址电极35。
在本例中，采用上述喷砂工艺形成阻挡肋，如图4B所示。然而，可以采用使用酸性刻蚀剂的化学刻蚀工艺代替喷砂工艺。在这种情况下，图4A中所示的抗蚀剂图形部分31必须包括耐酸性抗蚀剂材料。
[第二实施例]
在第一实施例中，地址电极35是通过喷墨工艺或喷粉工艺形成的，如图4C所示。然而，在这种方法中，存在以下问题：在如图4C所示的步骤之后，在通过溅射工艺被处理的基板表面上形成导电层，并用光刻工艺刻蚀导电层以形成地址电极时，由于沟槽表面的不规则性而造成了刻蚀剂进入地址电极和沟槽表面之间的空间中，导致导电层的过刻蚀，由此引起地址电极的不可再生产性。
这样，在通过光刻工艺形成地址电极时，至少必须对用于形成地址电极的沟槽表面进行整平，以消除这种不规则性。由于浮置玻璃基板30的不均匀成分造成了不规则性，所以即使通过喷砂或化学刻蚀工艺形成沟槽，也将产生不规则性。
为了解决上述问题，本例中提供以下技术。图5A是表示对应图4B中所示的步骤的制造步骤的示意图。如图5A所示，在浮置玻璃基板30中形成沟槽36，然后除去浮置玻璃基板36上的抗蚀剂图形部分31。如图5B所示，波长为10.6μm和强度为200W/cm2的CO2激光束45被施加于沟槽36上以部分熔化沟槽表面，以消除表面不规则性。由此，在照射和固化之后，沟槽36被转换成具有平滑表面的平滑沟槽44，如图5C所示。在这种照射过程中，CO2激光束45可施加于沟槽36的整个表面，并且可以只施加于用于形成地址电极的表面部分。
在上述工序中，CO2激光束45的照射在大气中进行。在如图6A-6C所示的变型中，可以在硅烷和二氧化碳或一氧化二氮的混合气氛中，在几乇的压力下进行波长为126nm的Ar受激准分子激光束47的照射。在进行这种照射时，部分熔化沟槽36的表面，由此在照射和固化之后将粗糙表面转换成平滑表面。此外，在用Ar受激准分子激光束47照射的区域，硅烷与二氧化碳或一氧化二氮反应，以便在每个沟槽36的表面上形成氧化硅层，由此形成平滑层状沟槽46。在这种照射中，Ar受激准分子激光束47可施加于沟槽36的整个表面，并且可以施加于用于形成地址电极的表面部分。
[第三实施例]
图7是表示根据本发明第三实施例用于形成阻挡肋的设备的示意图。整个设备包括多个喷砂单元。浮置玻璃基板50被输送到入口54，其中浮置玻璃基板50具有以同于图4A所示的方式形成的抗蚀剂图形部分，该抗蚀剂图形部分具有耐喷砂性并位于底表面(有锡一侧的表面)上。然后浮置玻璃基板50进入喷砂室55，在那里利用从第一研磨槽51输送来的平均直径为20μm的#600氧化铝颗粒对底表面进行喷砂处理。由此，在底表面中形成具有预定深度的沟槽。从第一研磨槽51输送来的颗粒不限于包含氧化铝的颗粒，也可以包括SiC。
然后将得到的浮置玻璃基板50输送到第一平滑室56，在那里采用从第二研磨槽52输送来的平均直径为10μm的#1200氧化铝颗粒对底表面进行喷砂处理。在这个处理中，没有增加沟槽的深度，并且消除了沟槽表面的不规则性以便整平沟槽表面。从第二研磨槽52输送的颗粒不限于包括氧化铝的颗粒，也可以采用硬度基本上与浮置玻璃基板50的硬度相同的玻璃珠来代替。当采用玻璃珠时，通过控制不规则部分和玻璃珠的碾碎度，可获得与采用氧化铝颗粒相同的效果。通过浮置玻璃基板50的喷砂处理得到的碎片可以用作代替玻璃珠的研磨剂。
然后将得到的浮置玻璃基板50输送到第二平滑室57，在那里采用从第三研磨槽53输送的平均直径为5μm的#2000氧化铝颗粒对底表面进行喷砂处理。在这个处理中，由于#2000氧化铝颗粒的直径小于在第一平滑室56中使用的#1200氧化铝颗粒的直径，因此可进一步整平沟槽表面。然后将在第二平滑室57中处理过的浮置玻璃基板50输送到出口58。喷砂室55、第一平滑室56、以及第二平滑室57中使用的研磨剂颗粒被灰尘收集器回收。通过对浮置玻璃基板50进行喷砂处理而获得的玻璃碎片也被回收。
图8是表示通过根据本例的间壁形成法而形成的沟槽表面的处理条件和不规则程度的示意图。在该图中，Ry表示定义为参考水平以上的最大凸起高度或参考水平以下的最大凹陷深度的绝对值的最大粗糙度。Rz表示参考水平以上的最大凸起高度或参考水平以下的最大凹陷深度的第一到第十大绝对值的平均值。Ra表示参考水平以上的凸起高度或参考水平以下的凹陷深度的绝对值的平均值。
在图8中，样品1是只在喷砂室55中处理过的基板。样品2是在喷砂室55中和第一平滑室56中处理过的另一基板。样品3是在喷砂室55和第一平滑室56中处理过的另一基板，其中第一平滑室56中的颗粒的喷射压力比用于样品2的喷射压力大2倍。样品4是在喷砂室55、第一平滑室56以及第二平滑室57中处理过的另一基板。
最大粗糙度Ry是在制造步骤中产生问题的不规则指数。样品1的最大粗糙度Ry为30.9μm。样品2的最大粗糙度Ry为22.2μm，即样品2的最大粗糙度Ry小于样品1的最大粗糙度Ry。样品3的最大粗糙度Ry为20.2μm。样品4的最大粗糙度Ry为16.9μm。就是说，样品4的最大粗糙度Ry是最小的。从而，样品4的处理条件是优选的。优选第一平滑室56和第二平滑室57中的颗粒的喷射压力不足以形成沟槽。理想地，在这些整平步骤中，较低的压力和较长的处理时间是优选的。然而，由于研磨剂颗粒具有足够小的直径，因此喷射压力可以设置成使得可以用稳定方式喷射研磨剂颗粒。
当在浮置玻璃基板的顶表面中用于形成沟槽的区域中存在汽泡时，形成的沟槽的深度为几十μm或更深。这样，即使通过本例的上述方法对沟槽进行整平，得到沟槽也不会具有足以投入实际使用的平滑度。
[第四实施例]
下面参照图9A-9B介绍根据第四实施例的制造阻挡肋的方法。图9A表示用与图4B所示相同的方式处理的浮置玻璃基板30。如图9B所示，用宽度小于沟槽36的宽度的旋转切割锯60对通过脱除工艺形成的沟槽36的底部进行整平，以便形成平滑底部61。在本例中，采用单个切割锯60。然而，在其它实施例中，可以采用平行的多个切割锯，由此实现高生产率。
通常，当只利用这种切割锯在浮置玻璃基板中形成深度为150-200μm的沟槽时，趋于形成玻璃碎片的边缘，这取决于切割锯的耐久性，由此在阻挡肋中产生缺陷。然而，在本例中，只在整平步骤中使用切割锯60以在对应为最大值的最大粗糙度Ry的深度研磨浮置玻璃基板30，其中该深度约为几μm。因此，切割锯的耐久性不会产生问题。
用切割锯60在所有的相应沟槽36中形成平滑底部61之后，从浮置玻璃基板30除去抗蚀剂图形部分31，在该步骤中抗蚀剂图形部分31被清除干净。
为了形成平滑底部61，可使用宽度小于沟槽36的宽度的锉刀代替切割锯60。
在使用切割锯的整平步骤之后，可以用研磨机对位于浮置玻璃基板30的周边并用于形成将地址电极连接到驱动电路的端子的区域进行整平。
[第五实施例]
下面参照图10A-10C介绍根据第五实施例的制造阻挡肋的方法。在本例中，图10A表示用与图4B中所示相同的方式处理过的浮置玻璃基板30。
如图10A所示，浮置玻璃基板30具有位于其上的抗蚀剂图形部分31和位于其中的沟槽36。如图10B所示，从浮置玻璃基板30除去抗蚀剂图形部分31。具有与沟槽36的形状相对的形状的模具62被压到浮置玻璃基板30上。仅将模具62或将模具62和浮置玻璃基板30二者加热到浮置玻璃基板30的塑性变形温度。由此，在浮置玻璃基板30中的对应沟槽36的底部形成平坦底部63。塑性变形温度取决于在模具62和浮置玻璃基板30的接触面积基础上的线性负载，并取决于浮置玻璃基板30的塑性。该温度通常在300-600℃的范围内。
[第六实施例]
下面参照图11A-11C介绍根据第六实施例的用于平坦化间壁表面的方法。图11A表示用与图4B中所示相同的方式处理过的浮置玻璃基板30。
如图11B所示，用分配器70将溶液71加到浮置玻璃基板30中的沟槽36中。溶液71含有5g乙醇和溶解在乙醇中的10g脂族酸硅盐，如硅己酸盐。用于将溶液71施加于沟槽36的方式不限于这种喷粉工艺，可采用各种工艺，只要可以将溶液71施加于浮置玻璃基板30中的沟槽36中即可。在本例中，溶液71含有硅己酸盐(siliconcaproate)。然而，溶液71可含有其它脂肪酸硅盐，例如四乙氧基硅烷(TEOS)。在这种情况下，与上述情况相比，脂族酸硅盐和乙醇的混合比必须改变。施加溶液之后，在烘干炉中将得到的浮置玻璃基板30在60℃下烘干10分钟。
烘干步骤之后，在400℃下将得到的浮置玻璃基板30烘焙一小时，以便在具有粗糙表面的沟槽36上形成氧化硅层72。由此，用相应的氧化硅层72覆盖粗糙表面，如图9C所示。氧化硅层72具有小于浮置玻璃基板30的膨胀系数。因此，当接通包括这种浮置玻璃基板的平板显示器且浮置玻璃基板的温度上升时，压缩应力施加于浮置玻璃基板中的沟槽。由此，可以防止在浮置玻璃基板中形成裂纹。这种裂纹趋于从由于沟槽的不规则性形成的微型裂纹形成。
[例1]
制备在顶表面(没有锡一侧的表面)上具有沟槽的十个42英寸显示面板基板以及在底表面(有锡一侧的表面)上具有沟槽的另外十个42英寸显示面板基板，其中这些基板具有如图4C所示的结构。通过视觉检测这些基板以测量阻挡肋和沟槽中的缺陷数量。结果是，在顶表面上具有沟槽的基板中，平均缺陷数为5.5。相反，在底表面上具有沟槽的基板中，缺陷数为零。
如上所述，根据本发明，提供一种用于制造用于平板显示器的基板的方法，由此以低成本制造具有高可靠性的基板。

Claims (11)

1、一种制造用于平板显示器的基板的方法，该方法包括：
选择浮置玻璃基板的底表面，在该底表面上具有与熔化锡接触的痕迹；以及
通过脱除工艺在浮置玻璃基板的被选择的底表面中形成多个沟槽，以便形成包括残留在各个沟槽之间的突起的阻挡肋。
2、根据权利要求1的方法，其中脱除工艺是喷砂工艺。
3、根据权利要求1的方法，其中脱除工艺是采用酸性蚀刻剂的化学蚀刻工艺。
4、根据权利要求1的方法，其中至少形成在浮置玻璃基板的底表面中的沟槽的底部被进一步整平，以便形成电极形成表面。
5、根据权利要求4的方法，其中通过利用激光照射来部分熔化沟槽表面，对沟槽的底部进行整平。
6、根据权利要求4的方法，其中用具有用于减小沟槽的表面不规则性的颗粒直径的研磨剂和/或由通过形成沟槽而从基板切割下来的材料构成的研磨剂，通过喷砂处理对沟槽的底部进行整平。
7、根据权利要求4的方法，其中通过用切割锯抛光沟槽的内表面，对沟槽的底部进行整平。
8、根据权利要求4的方法，其中通过在沟槽的内表面上涂敷含硅的有机化合物溶液，然后加热涂层以形成二氧化硅膜，来对沟槽的底部进行整平。
9、根据权利要求4的方法，其中通过光刻工艺在被整平的底表面上形成电极。
10、一种制造用于平板显示器的基板的方法，该方法包括：
选择浮置玻璃基板的底表面，在该底表面上具有与熔化锡接触的痕迹；以及
通过脱除工艺在浮置玻璃基板的被选择的底表面中形成多个沟槽，以便形成包括残留在各个沟槽之间的突起的阻挡肋，然后通过喷墨工艺或喷粉工艺在沟槽的底部上形成电极。
11、根据权利要求10的方法，其中在比形成电极的材料中所包含的低熔点玻璃的软化点高40℃的烘焙温度下烘焙基板。
CNB031484735A 2002-08-26 2003-06-27 制造用于平板显示器的基板的方法 Expired - Fee Related CN1284199C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002245719A JP4264927B2 (ja) 2002-08-26 2002-08-26 薄型表示装置用基板の製造方法
JP245719/2002 2002-08-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1479338A CN1479338A (zh) 2004-03-03
CN1284199C true CN1284199C (zh) 2006-11-08

Family

ID=31884681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031484735A Expired - Fee Related CN1284199C (zh) 2002-08-26 2003-06-27 制造用于平板显示器的基板的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7473151B2 (zh)
JP (1) JP4264927B2 (zh)
KR (1) KR100778970B1 (zh)
CN (1) CN1284199C (zh)
TW (1) TWI237841B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136799B2 (ja) * 2002-07-24 2008-08-20 富士フイルム株式会社 Ｅｌ表示素子の形成方法
US20050056056A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Wong Marvin Glenn Healing micro cracks in a substrate
US7557369B2 (en) * 2004-07-29 2009-07-07 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display and method for manufacturing the same
US20060135028A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-22 Andreas Klyszcz Substrate for a display and method for manufacturing the same
EP1696006B1 (en) 2005-02-28 2009-06-17 Samsung SDI Germany GmbH metal ink and substrate for a display and method for manufacturing the same
US20060192183A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Andreas Klyszcz Metal ink, method of preparing the metal ink, substrate for display, and method of manufacturing the substrate
KR101494153B1 (ko) * 2007-12-21 2015-02-23 주성엔지니어링(주) 박막형 태양전지 및 그 제조방법
US9103358B2 (en) * 2010-03-16 2015-08-11 Eaton Corporation Corrosion-resistant position measurement system and method of forming same
CN102054642B (zh) * 2010-11-16 2012-09-26 绵阳信利电子有限公司 一种等离子显示用电极浆料的再生液
US20160221140A1 (en) * 2013-09-13 2016-08-04 Stora Enso Oyj Method for creating a grit pattern on a grindstone
DE102016014143B4 (de) 2016-10-21 2018-05-24 Schott Ag Verfahren zur Herstellung einer Dekorblende

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5622657A (en) 1979-07-26 1981-03-03 Fujitsu Ltd Treatment of glass surface
JPS5983950A (ja) 1982-11-02 1984-05-15 Nec Corp ガラス基板の製造方法
US5209688A (en) * 1988-12-19 1993-05-11 Narumi China Corporation Plasma display panel
JPH04265936A (ja) * 1991-02-20 1992-09-22 Sony Corp 画像表示装置の製造方法
JP2786377B2 (ja) 1992-06-30 1998-08-13 シャープ株式会社 透明板表面の欠陥修正方法
JPH09161683A (ja) 1995-12-04 1997-06-20 Dainippon Printing Co Ltd プラズマディスプレイパネル
EP0820635A1 (en) * 1996-02-09 1998-01-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Thin-type display device
US5990619A (en) * 1996-03-28 1999-11-23 Tektronix, Inc. Electrode structures for plasma addressed liquid crystal display devices
US5898271A (en) * 1996-04-25 1999-04-27 U.S. Philips Corporation Hollow cathodes with an I-beam or C-beam cross section for a plasma display device
JPH11273557A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Mitsubishi Electric Corp プラズマディスプレイパネルの製造方法及びその製造に用いられるインクジェットプリンタ装置
JP2000268716A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Nec Corp プラズマディスプレイパネルの製造装置とその製造方法
JP2000277011A (ja) 1999-03-23 2000-10-06 Ttt:Kk 放電型表示装置の背面側基板の製造方法
JP4273566B2 (ja) 1999-04-13 2009-06-03 旭硝子株式会社 ディスプレイ基板用フロートガラス
JP2001089191A (ja) * 1999-09-27 2001-04-03 Nippon Sheet Glass Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたディスプレイ用ガラス基板
JP2001110304A (ja) 1999-10-05 2001-04-20 Fujitsu Ltd 表示パネルの隔壁形成方法とその隔壁構造
JP2001189132A (ja) * 2000-01-05 2001-07-10 Sony Corp 交流駆動型のプラズマ表示装置及びその製造方法
DE10026976C2 (de) 2000-05-31 2002-08-01 Schott Glas Kanalplatte aus Glas für Flachbildschirme und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6544090B1 (en) * 2000-06-16 2003-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming barrier structures on a substrate and the resulting article
JP4030713B2 (ja) 2000-08-30 2008-01-09 三星エスディアイ株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP2002117769A (ja) 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Ltd ガス放電型表示装置とその製造方法
US20020127942A1 (en) * 2000-11-14 2002-09-12 Plasmion Displays, Llc. Method of fabricating capillary discharge plasma display panel using combination of laser and wet etchings
JP2005336018A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Central Glass Co Ltd 低融点ガラス及びその作製方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004087266A (ja) 2004-03-18
CN1479338A (zh) 2004-03-03
TWI237841B (en) 2005-08-11
KR20040018948A (ko) 2004-03-04
KR100778970B1 (ko) 2007-11-22
US7473151B2 (en) 2009-01-06
JP4264927B2 (ja) 2009-05-20
TW200405390A (en) 2004-04-01
US20040038616A1 (en) 2004-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1284199C (zh) 制造用于平板显示器的基板的方法
CN1694206A (zh) 等离子显示板及其制造方法
CN1255842C (zh) 在基片上形成阻挡结构的方法及其形成的物体
KR20000053578A (ko) 디스플레이 패널의 제조 방법 및 디스플레이 장치
CN1259687C (zh) 等离子体显示板
CN1279566C (zh) 用于气体放电板的基板组件、其制造工艺以及气体放电板
CN1728319A (zh) 成型材料转移方法和衬底结构
US20060043637A1 (en) Methods of forming barrier rib microstructures with a mold
CN1411606A (zh) 等离子显示装置及其制造方法
CN1306551C (zh) 图像显示装置
JP2008511123A (ja) ローラ上に提供された別個のモールドで微細構造を形成する方法
CN1300045A (zh) 电极板、具有电极板的气体放电显示板及其制造方法
CN1285094C (zh) 等离子显示板及其制造方法
KR101117813B1 (ko) 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 제조 장치
CN1324630C (zh) 等离子体显示屏及其制法
JPH10326571A (ja) プラズマディスプレイパネル用隔壁及びその製造方法
CN1753139A (zh) 等离子体显示面板及其制造方法
CN1124579C (zh) 制造平面的显示面板装置的方法
JPH11219658A (ja) プラズマ表示装置及びその製造方法
JPH11283506A (ja) プラズマ表示装置用基板及びその製造方法
CN1498413A (zh) 气体放电面板的制造方法
JP2008511121A (ja) モールドでバリヤリブ微細構造体を形成する方法
CN1708823A (zh) 等离子体显示板的后板
JP2001194651A (ja) プラズマアドレス液晶ディスプレイ用基板
JPH11135026A (ja) プラズマディスプレイパネル

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU LIMITED

Effective date: 20060127

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20060127

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: Hitachi Manufacturing Co., Ltd.

Address before: Kanagawa, Japan

Applicant before: Fujitsu Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI PLASMA PATENT LICENSING CO.

Free format text: FORMER OWNER: HITACHI CO., LTD.

Effective date: 20080801

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20080801

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Kabushiki Kaisha Hitachi Plasma Patent License

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Hitachi Manufacturing Co., Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI LTD.

Free format text: FORMER OWNER: KABUSHIKI KAISHA HITACHI PLASMA PATENT

Effective date: 20130403

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130403

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Hitachi Consumer Electronics Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Kabushiki Kaisha Hitachi Plasma Patent License

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20061108

Termination date: 20150627

EXPY Termination of patent right or utility model