CN1264245A - 具有交叉会聚失调校正装置的彩色阴极射线管 - Google Patents

Abstract

一种彩色阴极射线管包括:一个具有面板和荧光屏的玻壳,荧光屏被设置在面板的内表面;一个一字排列式电子枪,电子枪被配置在玻壳中并且投射电子束到荧光屏上,一个偏转装置包括安置在玻壳外面的水平和垂直偏转线圈,和一个用于校正交叉会聚失调的校正装置。校正装置配备有四个分别为电子束的矩形偏转区域的四个象限设置的校正线圈。

Description

具有交叉会聚失调校正装置的彩色阴极射线管

本发明涉及到用于监视器、电视接收机、或类似装置的彩色阴极射线管(CRT)，尤其涉及到校正交叉会聚失调的装置，交叉会聚失调发生在彩色CRT的荧光屏的上半部分和下半部分的中部的水平条中。

当兰色和红色的光栅被投射到配备有一字排列式电子枪的常规的彩色CRT的荧光屏上时，所谓的“交叉会聚失调”发生如图1所示。这种交叉会聚失调是由于在由偏转装置(或者偏转线圈)生成的磁场的畸变分布和彩色CRT的面板的内表面的形状之间的细小的相互影响而发生的。

交叉会聚失调涉及一种现象：在荧光屏50的有效显示区域的上半部分和下半部分的中部的水平条中，兰色和红色光栅在垂直方向上相互有偏移。如图1所示，上半部分包括指示为(I)的第一象限和指示为(II)的第二象限，下半部分包括指示为(III)的第三象限和指示为(IV)的第四象限。在下文中，在这些象限的中间部分的每一个水平条被叫做“中间条”。

如图1所示，按不同的倾斜方向投射兰色光栅1B至4B和红色光栅1R至4R。在象限(I)和(III)中，以虚线表示的兰色光栅1B和3B分别位于以实线表示的红色光栅1R和3R的上面。在象限(II)和(IV)中，以虚线表示的兰色光栅2B和4B分别位于以实线表示的红色光栅2R和4R的下面。

这里，日本特许公开专利号64-84549揭示了一种减少发生这样的交叉会聚失调的方法。这种方法被解释如下。偏转装置的垂直偏转线圈包括一对用于生成枕形畸变磁场的线圈和一对用于生成桶形畸变磁场的线圈。以它们的相反的极性并联的两个二极管，以串联的方式，与生成枕形磁场的一对线圈连接。使用这种结构，磁场按时在枕形和桶形磁场之间切换，在那时，电子束被偏转到中间条，以便所说的交叉会聚失调能够被防止。

同时，日本特许公开的实用新型号63-80756揭示了另一种校正交叉会聚失调的方法。在这一实用新型中，至少有四块永久磁铁被放置在偏转装置的线轴的前面边缘的周围，具有磁极的每一块永久磁铁平行于线轴的轴线方向，并且被设置在线轴的延伸的对角线上，通过这些永久磁铁，能够同步地校正中间条里的光栅畸变和交叉会聚失调。

虽然使用前一现有技术所揭示的方法减少交叉会聚失调，但是，垂直光栅的线性度被降低，这是由于从桶形磁场到枕形磁场的突然切换引起的。这就导致显示在CRT荧光屏上的图象变差。

使用后一现有技术所揭示的技术，由于永久磁铁的作用，交叉会聚失调接着会发生在荧光屏的水平轴线的周围区域，那里从来未发生过。因此，虽然发生在中间条处的交叉会聚失调被校正，但是，整个荧光屏的会聚质量不能够被改善。

因此，本发明的目的是要提供一种减少交叉会聚失调的彩色阴极射线管，这种彩色阴极射线管使用在低成本下就能够容易实现的结构，不会使得垂直光栅的线性度变差和使得会聚失调转移到荧光屏的其它的区域。

按照下述的方法制造的彩色阴极射线管能够实现本发明的目的：一个具有面板和荧光屏的玻壳，荧光屏被设置在面板的的内表面；一个一字排列式电子枪，电子枪被配置在玻壳中并且投射许多电子束到荧光屏上；一个偏转装置，偏转装置包括一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈，水平偏转线圈在水平方向偏转电子束，垂直偏转线圈在垂直方向偏转电子束，水平和垂直偏转线圈被放置在玻壳的外面；以及一个校正装置，校正装置用于生成校正磁场，校正磁场被用于校正交叉会聚失调，校正磁场的强度根据在垂直方向上的电子束的偏转的量而被改变。

使用这一结构，具有适合于交叉会聚失调量的强度的校正磁场能够被生成，因此，可靠地校正随着由电子束的偏转的量而改变的交叉会聚失调。

使用具有校正装置的彩色阴极射线管能够更有效地校正交叉会聚失调，校正装置改变校正磁场的强度，使得：当电子束被偏转到需要最大的交叉会聚失调校正量的区域时，作用于电子束的强度变得最大，当在垂直方向上电子束偏转量为零时，作用于电子束的强度变得最小。

校正装置包括：多个分别生成校正磁场的校正线圈；和一个控制提供到校正线圈的电流的控制装置。根据在垂直方向上电子束的偏转量，控制装置增加提供给校正线圈的电流，其中，每一个校正线圈是通过把筒形线圈绕在可饱和磁芯上而制成，当提供给校正线圈上的电流达到预定值时，校正磁场的强度变得最大，而在电流超过预定值以后，由于可饱和磁芯饱和，校正磁场的强度被减小。

使用这种简单结构，当电子束被偏转到荧光屏的水平轴线时，由校正线圈生成的校正磁场的强度是小的。同时，当电子束被偏转到荧光屏的上半部分或者下半部分的中间部分的水平条时，校正磁场的强度最大。此后，当电子束被向上或者向下偏转到达荧光屏的顶部或者底部边缘时，由垂直偏转线圈提供的电流被增加，然后可饱和的磁心被饱和。在可饱和的磁心饱和以后，磁场的强度减小。因为校正线圈在可饱和的磁心的饱和区域工作，所以，当电子束被偏转到需要校正交叉会聚失调的区域时，由校正线圈生成的磁场强度能够被设置成最大值。

并且，控制装置提供电流给校正线圈，该电流的变化与提供给垂直偏转线圈的垂直偏转电流成正比。结果，该电流与电子束的垂直偏转同步地被提供给校正线圈，并且，根据电子束的偏转量而被增加。

与垂直偏转电流成正比例变化的电流涉及以与垂直偏转电流相同周期变化的电流，并且，其电流值的变化与垂直偏转电流的电流值成正比例。在这种情况下，比例系数可能是1。

通过下面的说明，结合说明本发明的实施例和伴随的附图，本发明的这些和其他的目的、优点、和特性将会变得明了。

在图中：

图1是帮助解释发生于常规的彩色CRT的荧光屏的交叉会聚失调的视图；

图2是本发明的一个实施例的彩色CRT的侧视图，图中有部分被剖开；

图3是配备有偏转线圈和校正线圈的偏转装置的放大透视图；

图4是说明采用本发明的彩色CRT的电视接收机的电路配置的方框图；

图5表示校正线圈和垂直偏转线圈的连接状态；

图6表示当电子束被向上偏转时，由校正线圈生成的磁场的方向；

图7是解释由校正线圈生成的磁场怎样校正交叉会聚失调的视图；

图8是说明在电子束的垂直偏转量和由校正线圈生成的磁场强度之间的关系图；

图9表示校正线圈和垂直偏转线圈的另外连接的实施例；

图10是说明当校正线圈和垂直偏转线圈按图9所示连接时，在电子束的垂直偏转量和由校正线圈生成的磁场强度之间的关系图；

下面是本发明的实施例的说明，同时也参考附图。

图2是本发明的一个实施例的彩色CRT100的侧视图，图中有部分被剖开，如图2所示，彩色CRT100包括一个玻壳3、一个阴罩4、和一个一字排列式电子枪7。玻壳3包括三色荧光屏2，三色荧光屏2射出红、绿、和蓝光并且被配置在面板1的内表面。面向荧光屏2设置阴罩4。一字排列式电子枪7被配置在玻壳3的颈部5中，并且投射电子束6到荧光屏2上。

一个偏转装置9被配置在漏斗状物8和颈部5之间的玻壳3的外面。一个会聚装置13被放置在偏转装置9和一字排列式电子枪7之间的颈部5的外面。会聚装置13包括一个二极磁铁10、一个四极磁铁11、和一个六极磁铁12，这些磁铁被用于调整色纯度和稳定的会聚。

图3是偏转装置9的放大透视图。偏转装置9包括一对水平偏转线圈14和一对垂直偏转线圈16，通过用作绝缘和支撑的树脂框架15，水平偏转线圈14和垂直偏转线圈16被整体地互相放置在一起。一对水平偏转线圈14生成一个基本上为枕形畸变的水平偏转磁场。一对垂直偏转线圈16生成一个基本上为桶形畸变的垂直偏转磁场。铁氧体磁心18被放置在偏转装置9的锥体部分的外面。

在位于靠近荧光屏2的前缘处，通过树脂夹持器(图中没有表示)，围绕树脂框架15放置四个校正线圈17a、17b、17c、和17d。如后面将要说明的图7中所示，校正线圈17a到17d被安置在矩形的偏转区域21的外面，通过与玻壳3的轴线垂直的平面，偏转区域21几乎被内接在玻壳3的区域中。说得更清楚些，校正线圈17a到17d被安置在偏转区域21的右边和左边，不低于偏转区域21的底缘，也不高于偏转区域21的顶缘。校正线圈17a到17d分别为偏转区域21的四个象限配置。

校正线圈17a到17d中的每一个线圈是通过把筒形线圈绕在可饱和型磁心上制成的。如在后面详细说明的那样，通过生成其强度按照电子束的垂直偏转量变化的磁场，校正线圈17a到17d分别校正交叉会聚失调。由校正线圈17a到17d生成的磁场后面被叫做“校正磁场”。

图4是说明使用本发明的彩色CRT100的电视接收机200的电路配置的方框图。

如图4所示，电视接收机200包括：一个接收电路202、一个音频电路203、一个彩色信号还原电路204、一个同步电路205、一个喇叭206、一个垂直偏转电路207、一个水平偏转电路208、和一个彩色CRT100。

接收电路202检测通过天线201接收的电视信号并把这些信号分成音频、视频、和同步信号。然后，这三种信号分别被传送到音频电路203、彩色信号还原电路204、和同步电路205。

按照接收到的音频信号，通过驱动喇叭206，音频电路203发出声音。

按照接收到的视频信号，彩色信号还原电路204解调R(红)、G(绿)、和B(蓝)三种信号。然后，彩色信号还原电路204施加适合于彩色信号的电压到一字排列式电子枪7，使得一字排列式电子枪7投射对应于R、G、和B的三种电子束。

同步电路205把接收到的同步信号分成垂直和水平同步信号，然后，把这二种同步信号分别传送到垂直偏转电路207和水平偏转电路208。按照接收到的垂直和水平同步信号，电路207和208分别生成锯齿形的电流为垂直偏转电路和水平偏转电路。然后，电路207和208把垂直和水平偏转电流分别提供给偏转装置9的一对垂直偏转线圈16和一对水平偏转线圈14。于是，涉及R、G、和B的电子束6按各自的方向周期地被偏转，由此执行在荧光屏2上的光栅扫描。

图5表示校正线圈17a到17d和一对垂直偏转线圈16的连接状态。

如图5所示，校正线圈17a到17d以串联方式与一对垂直偏转线圈16相连接。在P和Q之间，提供由垂直偏转电路207生成的垂直偏转电流。校正线圈17a到17d被安排成：使得它们的磁极方向(或者磁心的轴向)平行于玻壳3的轴线。而且，校正线圈17a到17d的每一个线圈被安置成使得它的北或南磁极面向荧光屏2，如后面参考图6的说明。

图6表示：当从前面看时，由偏转装置9的校正线圈17a到17d生成的磁场的磁极和方向。注意，图6表示当电子束6被投射到荧光屏2的上半部分(后面叫做“向上偏转”)时，由校正线圈17a到17d生成的磁场方向。

如图6所示，面向荧光屏2的磁极与相对于垂直轴线位于右边的校正线圈相同，而且，也与相对于垂直轴线位于左边的校正线圈相同。明确地说，校正线圈17a和17b的北极面向荧光屏2，而校正线圈17c和17d的南极面向荧光屏2。同时，当电子束6被投射到荧光屏2的下半部分(后面叫做“向下偏转”)时，以与向上偏转情况相反的方向，提供由垂直偏转电路207生成的垂直偏转电流。因此，为向下偏转生成的磁场方向与为向上偏转生成的磁场方向是相反的。更明确地说，校正线圈17a和17b的南极面向荧光屏2，而校正线圈17c和17d的北极面向荧光屏2。

图7是解释通过校正线圈17a到17d生成的磁场怎样校正交叉会聚失调的视图。为便于说明，应该注意到：位于水平轴线下面的校正线圈17b和17d的磁场方向相反于图6中所示的方向，因为图7的偏转区域21的下半部分表示向下偏转的情况。

首先把注意力集中到当前投射到为第一象限配备的校正线圈17a附近的电子束6。由一字排列式电子枪7的结构能够理解到：与涉及G和B的其它电子束6相比较，投射到发红光的荧光材料(这一电子束6在图7中表示为R)上的电子束6位于最外面。这就是说，与R结合的电子束6最接近于校正线圈17a。这样，这一电子束6受到由校正线圈17a生成的校正磁场的校正作用的影响最大，如在图7中由最长的向上箭头所示。

同时，与其它的电子束6相比较，投射到发蓝光的荧光材料(这一电子束6在图7中表示为B)上的电子束6位于远离校正线圈17a处。因此，与B相关的电子束6受到由校正线圈17a生成的磁场的校正作用的影响最小，如在图7中由最短的向上箭头所示。

因此，与R相关的电子束6，以R和B的校正量之间的差较多地向上偏转，使得交叉会聚失调被消除。

在每一个象限中，位于在偏转量是垂直方向上的一半的部分，交叉会聚失调的电平最高。因此，相对应的校正线圈17a到17d应优先地设置在一半偏转量的位置。

为了简化说明，校正线圈17a已经被说明为假设它被定位在偏转区域21的右边的垂直象限21a。然而，事实上，校正线圈17a被配置在偏转装置9的树脂框架15的外面。明确地说，校正线圈17a被放置在位置K，即：位于连接偏转区域21的中点O和象限21a的上半部分的中点J的连线的延长线上。

假定连线O-J与水平轴线构成的角度为θ，如图7中所示。在这种情况下，当高宽比是4∶3时，这是正常的，tanθ＝(3/2)/4＝3/8。因比，计算出的角θ为27°。然后，校正线圈17a被放置在与树脂框架15的水平轴线的成27°高的位置。相似地，其它的校正线圈17b到17d分别被放置在对应的象限内。

图8是说明电子束6在垂直方向上的偏转量和由校正线圈17a到17d生成的磁场强度之间的关系的图。

图的横向轴线表示在偏转区域21或者荧光屏2中在垂直方向上偏转的电子束6的位置。在这一横向轴线上，0表示水平轴线的位置，V表示顶部边缘的位置，而-V表示底部边缘的位置。

图的垂直轴线表示校正磁场的强度。当V是正值时，即：在向上偏转的情况时，垂直轴线表示校正线圈17a或17c的磁场强度。当V是负值时，即：在向下偏转的情况时，垂直轴线表示校正线圈17b或17d的磁场强度。

如图8中所示，当电子束6到达荧光屏2的水平轴线时，垂直偏转电流为0，因此，由校正线圈17a到17d生成的磁场全部为0，基本上，交叉会聚失调不发生在水平轴线周围。因此，当电子束6到达水平轴线时，如果校正磁场为0是不会有问题的。

如上面用图5解释的那样，垂直偏转电流，以与垂直偏转线圈16串联的方式，被提供给校正17a到17d。当电子束6被向上或向下偏转时，与垂直偏转电流同步，由校正线圈17a到17d生成的磁场强度变得比较大。该强度达到在V/2或者-V/2附近的预定值H1。

然而，可饱和型铁氧体磁心被用作上述校正线圈17a到17d中的每一个线圈，如上面所述。这样，通过适当地设置可饱和型铁氧体磁心的材料和尺寸，磁场强度能够被设置成在H1时饱和。这样，当电子束6由于后继的垂直偏转电流的增加而被向上或者向下偏转时，校正磁场的强度变得较小。

于是，最好是：具有如在图8中所示的可饱和特性的校正线圈17a到17d被设置在适当的位置，使得：当电子束6在V/2或者-V/2(参见图7)附近被垂直偏转时，作用在电子束6上的校正磁场最大。通过这样安置的校正线圈17a到17d，发生在中间条中的交叉会聚失调最有效地校正，并且，在水平轴线周围的会聚保持不变。而且，在偏转区域21的顶部和底部边缘周围的会聚几乎保持不变。于是，交叉会聚失调的最佳校正被实现。

假定，交叉会聚失调的校正最大量(即：垂直方向上的在R和B电子束之间的最大的偏差)是D，以及彩色CRT100的荧光屏2的垂直长度是2L。又假定，当电子束6被偏转到上部边缘(垂直方向被偏转L)时，由垂直偏转线圈16生成的周围的磁场强度(最大磁场强度)是H2。在这种情况下，为了通过D垂直移动位于最接近于对应的校正线圈的电子束(例如：R电子束)与位于远离校正线圈的另外的电子束(例如：B电子束)相符合，具有通过算式r＝D/L×100(％)计算的百分数值乘以H2而得到的强度的磁场应该被生成在垂直方向上需要的最大校正量D的位置处。为了生成这样的磁场，线圈匝数、将要施加的电流量，等等，合适地为校正线圈而设置。建立表示为下列等式的关系。

H1＝H2×(D/L)......①

然而，使位于最接近于那个校正线圈的电子束偏转的校正线圈的磁力，在相同的方向，也轻微地作用在位于远离校正线圈的电子束上。明确地说，如在图7中所示的第一象限中，使R电子束偏转的校正线圈17a的磁力也轻微地作用在B电子束上。由于这个原因，为了完全消除在这两个光栅之间的交叉会聚失调，这就需要设置H1的值，这一值略大于通过计算等式①而获得的值。事实上，参考通过计算等式①而获得的值，在制造样机阶段，制造工人在近处观察荧光屏并细致地调整H1的值。这就意味着制造工人设置H1的值使得没有交叉会聚失调发生。

使用下述的一个实施例，详细给出说明。当彩色CRT100的荧光屏尺寸是19英寸，其高宽比为4∶3时，交叉会聚失调的最大校正量大约是0.05mm到1mm。对于这样的荧光屏尺寸，2L就是256mm。当D＝0.05mm时，按照(0.05/132.5)×100＝0.038(％)计算r。另一方面，当D＝1mm时，按照(1/132.5)×100＝0.75(％)计算r。因此，在本实施例中，通过在样机试制阶段的所述的细致调整过程，确定H1是0.038％到0.05％作为与H2相关的指导，并且，校正线圈17a到17d的最后的技术规格被确定。

下面的实验是使用19英寸的平面配置的彩色CRT对交叉会聚失调进行检测。对于这一实验，校正线圈是这样制造的：用直径为0.2mm的40匝铜线绕在高为25mm和横截面的长和宽均为1mm的棱柱形的铁氧体磁心上。为了制造这样的棱柱形铁氧体磁心，使用Mg-Zn基、Mn-Zn基、或者Ni-Zn基材料。对于第一象限，这一校正线圈被放置在偏转装置9的树脂框架15的外表面，位于与水平轴线大约成27°那么高的位置处。相似地，对于其它三个象限的每一个象限，校正线圈被放置在相对应的位置。使用这一结构，交叉会聚失调基本不会发生于CRT的荧光屏上。

按照所述的实施例已经描述了本发明。应该明白：本发明不限于该实施例，以至于能够实现下面的修改。

(1)在本实施例中，可饱和型铁氧体磁心被用作构成校正线圈17a到17d中的每一个线圈，这些校正线圈17a到17d，以串联的方式被连接到垂直偏转线圈16。结果，磁场强度随着在垂直方向上的电子束6的偏转量而变化，如图8中所示。然而，可以使用在下面的(1-1)和(1-2)中说明的结构。

(1-1)可以另外配备有生成锯齿形电流的电流生成装置，锯齿形电流的相位与由垂直偏转电路207生成的垂直偏转电流一致并且与由垂直偏转电路207生成的垂直偏转电流成正比。这一电流生成装置可以被用作控制器，该控制器用于控制由校正线圈17a到17d生成的校正磁场。

(1-2)在所述的实施例中，可饱和型磁心被用作构成校正线圈17a到17d。然而，普通的磁心可以被用来替代可饱和型(铁氧体)磁心。在这种情况下，磁场强度能够以图8中所示的方式只通过控制提供的电流量而改变。

图9表示这样的一个电流控制电路的实施例，而图10是说明当使用该电流控制电路时，在电子束的偏转量和磁场强度之间的关系图。

在图10中，当为图8的情况时，横向的轴线表示在偏转区域21或者荧光屏2上的垂直方向上偏转的电子束的位置。当V为正时，图的垂直轴线表示由校正线圈17a或17c生成的磁场强度，而当V为负时，图的垂直轴线表示由校正线圈17b或17d生成的磁场强度。

在图9中表示的本发明的修改的电流控制电路中，第一电路31以并联方式与第二电路32连接，通过接点S，这一并联电路以串联方式与一对垂直偏转线圈16相连接。通过以串联方式连接开关电路19到电阻20，构成第一电路31。通过以并联方式连接二极管19a和19b，构成开关电路19，二极管19a和19b方向相反。通过以串联方式连接校正线圈17a到17d，构成第二电路32。如图5中所示的情况，这一电流控制电路的两个端点P和Q被连接到垂直偏转电路207，以便在P和Q之间提供垂直偏转电流。

二极管19a和19b具有相同的特性，当施加等于或大于预定电压E1的正电压时，二极管19a和19b中的一个二极管允许电流通过。当电子束6被偏转到中间条时施加到开关电路19的每一端的电压被设置作为电压E1。

假定：在从P到Q的方向为向上偏转提供垂直偏转电流，而在从Q到P的方向上为向下偏转提供垂直偏转电流。虽然能够为向上偏转和向下偏转的两种情况获得相同的效果，但是，将只给出向上偏转的情况的解释。

在向上偏转的情况中，当偏转量是0到V/2时，垂直偏转电流是如此之小，以至于在接点S处是隔离电压。因此，开关电路19的两个二极管19a和19b仍然是关闭的，使得垂直偏转电流仅被提供给第二电路32的校正线圈17a到17d。在这一时刻有效电路处于与图5中所示的相同状态，意味着磁场强度按图8中所示增加。

然而，当偏转量接近于V/2时，在接点S处的电压增加。然后，当电压E1被施加到开关电路19的两端时，电流开始通过二极管19a，并且，垂直偏转电流被响应地提供到电阻20。由于这一原因，虽然垂直偏转电流后来增加，但是，提供给校正线圈17a到17d的电流被减少，并且是由校正线圈17a到17d产生的校正磁场。通过适当地调整电阻20的电阻值，在偏转量超过V/2以后，校正磁场强度逐渐地减少，如图10中所示。

在图10中示出的虚线表示如图8中所示的校正磁场的强度的减小。图中可以清楚地看到，在偏转量超出V/2以后，与在图8中所示的实施例相比较，在本修改例中，强度的减小稍为更迅速一些。然而，当偏转量是V/2时，这时最需要为交叉会聚失调校正，校正磁场的强度最大。而且，在不需要校正的水平轴线和顶部边缘周围，强度被减到0或者接近于0。因此，在本修改例中，每一个中间条的交叉会聚失调能够被可靠地校正，而且，在偏转区域21的其它区域中的会聚不会受到不利的影响，如同说明过的实施例的情况一样。这也适用于向下偏转的情况。

(2)在所说的实施例中，最好为每一象限配备一个校正线圈，这意味着总共有四个校正线圈被优选地配置。校正线圈的总数可以多于四个。然而，考虑到在四个象限的校正磁场之间的平衡，应该为每一个象限配备相同数量的校正线圈。而且，多个校正线圈可能不利地影响临近象限的磁场。因此，当配置多于四个校正线圈时，总共配置八个校正线圈是合适的。

当为每一个象限配备多个校正线圈时，它们的放置位置、线圈匝数量的比率、电流比率、电流的方向、和类似的内容，应该被合适地设置，使得由多个校正线圈生成的磁场的总强度按图8所示变化。

(3)在所述的实施例中，每一个校正线圈被放置在与每一个象限的偏转区域的水平轴线的成27°高或者低的位置。然而，当交叉会聚失调发生在每一个象限的不同区域中时，对应的校正线圈可以被放置在位于靠近交叉会聚失调的电平最高区域的位置。通过对校正线圈的适当的安排，能够获得对交叉会聚失调的优良的校正。

虽然已经通过参考附图和实施例的方法全部描述了本发明，但是，应注意到：对于本领域的普通技术人员来说，不同的变化和修改是显而易见的。

因此，除了与本发明的范围不同的这种变化和修改以外，它们应该被认为被包含在内。

Claims (13)

1、一种彩色阴极射线管包括：

一个具有面板和荧光屏的玻壳，荧光屏被设置在面板的的内表面；

一个一字排列式电子枪，电子枪被配置在玻壳中并且投射许多电子束到荧光屏上；

一个偏转装置，偏转装置包括一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈，水平偏转线圈在水平方向偏转电子束，垂直偏转线圈在垂直方向偏转电子束，水平和垂直偏转线圈被放置在玻壳的外面；和

一个校正装置，用于生成校正磁场，校正磁场被用于校正交叉会聚失调，校正磁场的强度根据在垂直方向上的电子束的偏转的量而被改变。

2、如权利要求1所述的彩色阴极射线管，

其特征在于：校正装置改变校正磁场的强度，使得：当电子束被偏转到需要最大的交叉会聚失调校正量的区域时，作用于电子束的强度变得最大，当在垂直方向上的电子束偏转量为零时，作用于电子束的强度变得最小。

3、如权利要求1所述的彩色阴极射线管，

其中，校正装置包括：

多个分别生成校正磁场的校正线圈；和

一个控制提供给校正线圈电流的控制装置。

4、如权利要求3所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，根据在垂直方向上的电子束的偏转量，控制装置增加提供给校正线圈的电流，

其中，每一个校正线圈是通过把筒形线圈绕在可饱和磁心上制成，当提供给校正线圈的电流达到预定值时，校正磁场的强度变得最大，而在电流超过预定值以后，由于可饱和磁心饱和，校正磁场的强度被减小。

5、如权利要求4所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，控制装置提供电流给校正线圈，该电流的变化与提供给垂直偏转线圈的垂直偏转电流成正比。

6、如权利要求4所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，偏转装置包括一个垂直偏转控制装置，该垂直偏转控制装置控制提供给垂直偏转线圈的垂直偏转电流，

其中，垂直偏转控制装置也用作控制装置，并且提供垂直偏转电流给以串联方式连接的校正线圈和垂直偏转线圈。

7、如权利要求4所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，校正线圈被配置在与玻壳的轴线垂直的平面上边，在偏转装置和面板之间的部分玻壳的外面，

电子束通过在矩形的偏转区域里的平面，

校正线圈被安置在玻壳的外面，且在矩形偏转区域的的右边和左边，不低于矩形偏转区域的底缘，并且，不高于矩形偏转区域的顶缘。

至少为矩形偏转区域的四个象限的每一个象限配置一个校正线圈，矩形偏转区域的中点是原点。

8、如权利要求7所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，为每一个象限配置的校正线圈被放置在垂直方向的位置，对应于需要最大的交叉会聚失调校正量的区域。

9、如权利要求8所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，该区域对应于电子束被垂直偏转到在垂直方向上从水平轴线通过原点测量到的总偏转量的一半的位置。

10、如权利要求1所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，校正装置包括多个分别生成校正磁场的校正线圈，

其中，多个校正线圈以串联方式连接构成第一电路，第一电路以并联方式与第二电路连接，在第二电路中，开关电路以串联方式与电阻元件连接，当以正向或反向施加预定电压时，开关电路允许电流通过，

其中，电流被提供给由第一和第二电路组成的并联电路，电流的变化与提供给垂直偏转线圈的垂直偏转电流成正比。

11、如权利要求10所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，预定电压等价于当电子束被偏转到需要最大的交叉会聚失调校正量的区域时开关电路两端的电压。

12、如权利要求11所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，校正线圈被配置在部分玻壳的外面，且在与玻壳的轴线垂直的平面上，在偏转装置和面板之间，

电子束通过矩形偏转区域里的平面，

校正线圈被安置在玻壳的外面，在矩形偏转区域的的右边和左边，不低于矩形偏转区域的底缘，并且，不高于矩形偏转区域的顶缘，和

至少为矩形偏转区域的四个象限的每一个象限配置一个校正线圈，矩形偏转区域的中点是原点。

13、如权利要求12所述的彩色阴极射线管，

其特征在于，为每一个象限配置的校正线圈被放置在垂直方向的位置，对应于需要最大的交叉会聚失调校正量的区域。

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