CN1221950C - 磁头滑触点 - Google Patents

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Abstract

一种具有非直线形状的轨道的磁头的制造方法，其特征在于具有：在衬底上形成磁元件的工序；从形成该磁元件的上述衬底切出块状的磁头块的工序；将该磁头块研磨，从而形成上浮面的工序；在该上浮面上形成保护膜的工序；在该保护膜上形成抗蚀剂掩模的工序；通过该抗蚀剂掩模，在上述上浮面形成轨道图案的工序；在研磨该轨道侧壁后，将上述抗蚀剂掩模剥离的工序；和将上述磁头块切断成各个磁头的工序。本申请还公开了采用这种方法制造的磁头。

Description

磁头滑触点
技术领域
本发明涉及磁盘装置及其制造技术，特别是涉及具有非直线轨道、上浮量小的薄膜磁头的制造方法及磁头滑触点的形状和结构。本发明还特别涉及一种加工方法，在对蚀刻速度慢的陶瓷等进行干法蚀刻加工时，可以除去由此产生的次生附着物，本发明所涉及的薄膜磁头及其制造方法对于既要得到稳定的低上浮量又要防止磁头碎裂是很合适的。
背景技术
磁盘装置的记录密度年年都在飞速上升，因此，必须降低磁头的上浮量。图10是说明磁头的上浮状态的图，磁头1具有面向磁盘11的上浮面2、圆锥部4、磁元件5、空气流入端7和空气流出端8，由弹簧片10支撑。在上浮面2上形成图2所示的轨道3。当停止磁盘旋转时磁头1与磁盘11呈接触状态，但是，当转数达到一定值时，因沿轨道3从空气流入端7流入且从空气流出端8流出的空气流40的作用，形成空气轴承滑触点机构并产生上浮力，由弹簧片10的按压力和上浮力来决定上浮量12。降低该上浮量12、同时降低因磁盘内圆和外圆的速度差而引起的上浮量的变化是重要的课题之一。
图11是表示先有的磁头滑触点及其加工方法的图，先有的磁头滑触点具有直线的轨道3，其加工是使用磨具27靠机加工进行的。图14是示出圆周速度和上浮量的关系的图，在直线形状轨道的情况下，相对盘的圆周速度的使用范围从15到35m/s，上浮量大约是从140到200nm，上浮量与圆周速度有很大的关系，在盘内外圆周大约有60nm的变动。此外，对于直线形状的轨道，轨道宽度和上浮量有一定的比例关系，为了降低上浮量，希望轨道宽度较小，但在图11所示的磁元件5的部分中，因要求轨道和磁元件5要有同等的宽度，自然对轨道宽度就有一定的限制。
因此，正如美国专利第4、673、996号所公开的那样，通过在轨道3的沿前期空气流的角部设置称之为倒角的倾斜面来实现上浮量的降低及抑制其变动。该倾斜面与上浮面所成的角是在0.5度到2度之间，倒角的面积占轨道面积的比例是从12.5到22.5％，作为倒角的一例，具有10μm左右的宽度和2μm的高度。
此外，如特开平63-103406号公报中所公开的那样，通过使轨道3的一部分变细也可以实现上浮量的降低和抑制其变动。如特开平4-188479号公报中所公开的那样，通过在轨道3的沿前期空气流的角部，设置从流入端向流出端其宽度逐渐扩大的倾斜面，也能实现上浮量的降低和抑制其变动。通过设置这样的倒角，上浮量便如图14所示那样是较低的值，在圆周速度从15到35m/s时大约是从80到120nm，同时，磁盘内外圆周的上浮量的变动也可以降低到约40nm。
近年来，作为降低上浮量的最有效的手段，如特开平4-276367号公报所公开的那样，盛行的是采用非直线形状的轨道的方法。图12示出具有非直线形状轨道的磁头的一个例子。在使用这样的非直线形状轨道时，如图14所示其上浮量较低，在圆周速度是从15到35m/s时约为60至75nm，磁盘内外圆周的上浮量的变动也非常小，约为15nm。非直线形状的轨道具有与在直线形状轨道上设有倒角的情况相同或更好的降低上浮量的效果，特别是，抑制因磁盘内外圆周的圆周速度的差而引起的上浮量变动的效果很好。因此，如果对具有与设有倒角的直线形状轨道相同或更好的降低上浮量的效果的非直线形状的轨道设置倒角，可以期待进一步提高上浮特性，为了使可实现的上浮量及其稳定性更好，有必要将其与设有倒角的直线形状轨道的情况及其效果严格地进行区别。目前，还没有公开设有倒角的非直线形状轨道的例子。非直线形状的轨道即使不设置倒角其降低上浮量和抑制上浮量变动的效果也很明显，设置一点点倒角就可以进一步提高上浮特性，所以，所设倒角的最佳形状要求比直线形状情况下小，而且要求高精度的加工。
倒角形状除了以上所述的提高上浮特性的效果之外，还具有特开昭60-9656号公报所公开的以下的效果。如图10所示，空气流出端8的上浮量比空气流入端7小，形成与磁盘容易接触的状态。因此，形成倒角并希望磁头1的空气流出端8的形状是既可以防止对磁盘11的损伤又可以防止对磁头本身的损伤的光滑的形状。为了对非直线形状的轨道也实现这样的效果，与达到上述上浮特性的效果的一样，要求很高的精度。
使用图13说明形成具有非直线形状轨道的磁头的工序。在铝钛硬质合金衬底材料13上形成磁元件5，之后将该衬底切断成含有多个滑触点的磁头块14并按照规定的尺寸进行研磨，从而形成上浮面2(a)，用溅射、CVD等方法在上浮面上形成保护膜15(b)，涂敷抗蚀剂16作为形成轨道的掩膜材料并用平版印刷形成抗蚀剂图案(c)，采用蚀刻加工在上浮面上形成轨道(d)(e)，切断成一个一个的滑触点  (f)，从而，得到图12的磁头1’。因为通过过去的使用磨具进行机械加工来形成非直线形状的轨道是不可能的，所以，在上浮面形成轨道的工序(d)通常使用反应性离子刻蚀、等离子体刻蚀、溅射刻蚀和离子研磨刻蚀等刻蚀加工。因为铝钛硬质合金衬底材料与刻蚀气体的反应性很低，故刻蚀加工主要是利用因高能离子的撞击而引起的物理除去作用。所以，因物理刻蚀而飞散的被刻蚀物不是全部被排放到真空泵一侧，而是如图5(a)所示那样附着在部分掩膜材料和铝钛硬质合金的侧壁。将该现象称之为再附着。该再附着物19即使在除去了抗蚀剂掩膜材料16之后仍然如图5(b)所示那样残留下来，形成类似突起状的不良形状。为了除去这样的再附着物，在特开平5-109668号公报中公开了一种通过在加工过程中改变氩离子束对衬底的入射角来除去再附着物的方法。该方法是，首先将氩离子束的入射角控制在5度以内进行加工，然后将离子束的入射角度设定为30度以上来除去再附着物。此外，如特开平6-13357号公报所示那样，还公开了一种通过在离子研磨后进行各向同性的等离子体刻蚀除去再附着物的方法。
当在磁头滑触点的加工中出现再附着时，会存在这样一些问题，即使在刻蚀加工后进行掩膜材料的除去，再附着物仍然残留在磁头滑触点轨道的上浮面上，在磁头起动和停止时会损伤磁盘，在磁盘装置的使用过程中成为再附着物落下来会成为故障的原因，如此等等。不仅如此，因上浮量年年降低，该再附着物高出上浮面的高度和上浮量相等，对磁头的上浮会产生极坏的影响。因此要求开发除去再附着的工序。
上述先有例所公开的改变氩离子束的入射角来除去再附着的方法作为再附着除去方法虽然是最有效的方法之一，但是，因为下面的原因，在对磁头滑触点的衬底材料、如铝钛硬质合金等陶瓷进行离子研磨加工等刻蚀加工时不能除去再附着。下面，使用图21说明当以抗蚀剂作为掩膜材料使用氩气对铝钛硬质合金衬底进行离子研磨加工时再附着的形成。图21是再附着形成的概念图，16是抗蚀剂，13是铝钛硬质合金衬底，19及19a是再附着物，39是离子束。当离子束39照射抗蚀剂16和铝钛硬质合金衬底13时，因离子的冲击这些材料发出微粒子。发出的微粒子的一部分悬浮在真空室内气体中并向真空泵的方向排出，而另一部分与抗蚀剂和铝钛硬质合金的表面碰撞。与抗蚀剂和铝钛硬质合金的表面碰撞的微粒子又被分成为附在其上的微粒子和反弹回来后再射出的微粒子，附着的概率依赖于离子束的能量和被加工材料等的加工条件。当象离子研磨那样用高能离子束进行加工时，认为该附着概率相当高，接近于1。因此，加工中在抗蚀剂和铝钛硬质合金的表面上经常附着或是铝钛硬质合金、或是抗蚀剂、或是由两者的混合物形成的微粒子。
这里，铝钛硬质合金和抗蚀剂的离子研磨速度示于图22。抗蚀剂的离子研磨速度相对铝钛硬质合金的离子研磨速度的比值(以下将其称为选择比)随离子束的入射角变化，大约从0.3到0.5，这就是说，抗蚀剂的加工速度常常比铝钛硬质合金的加工速度快2到3倍。因此，如图21所示，当抗蚀剂的侧壁附着有由铝钛硬质合金形成的再附着物时，在该部分，因与周围的抗蚀剂相比其研磨速度慢、存在加工量的差，故形成凹凸。通过在该凹凸上反复附着微粒子便形成图5(a)所示的再附着层。
因为在上述实施例中除去再附着的方法是改变离子束的入射角并增加入射到抗蚀剂和被加工材料的侧壁的离子束的量，所以在该铝钛硬质合金的加工中也试着在离子研磨的过程中增大离子束的入射角度。当离子束的入射角度大于60度时，刻蚀已附在侧壁上的再附着物的速度大于再附着物在侧壁上的附着速度，所以，从理论上讲应该能除去再附着物。但是，在该铝钛硬质合金的加工中，铝钛硬质合金和抗蚀剂的加工速度相差太大，如前所述，在侧壁上明显地出现象图21(b)所示那样的凹凸状的粗糙面，附着在该粗糙面的凹状部分的再附着物19a只要离子束的入射角不大于90度便不会被离子束所照射，因而不可能被除去。然而，当离子束的入射角大于90度时，侧壁相对离子束便全部成了抗蚀剂的阴影部分，所以，离子束照射不到侧壁，实现不了这样的加工条件。
该侧壁变粗糙的原因在于抗蚀剂与铝钛硬质合金的选择比变坏，若选择比为1左右，就不会产生粗糙面也不会发生再附着，但象铝钛硬质合金那样慢的加工速度的抗蚀剂现在还没有。在先有的铝钛硬质合金的加工中，离子束的入射角开始以加工速度快的45度的角度进行加工，当接近所要的加工量时将入射角变成75度，进行再附着物的除去。如图23所示，在以45度的角度加工时，在抗蚀剂和铝钛硬质合金的侧壁可看到很多的再附着物，如图23(b)所示那样通过以75度的角度进行加工可以除去大部分再附着物，但因上述理由仍然残留一点点再附着物，在抗蚀剂除去之后也象图23(c)所示那样残留一点点再附着物。在铝钛硬质合金的加工中，象这样即使在离子研磨时改变离子束的入射角也不能除去的极少的再附着物特别成问题，确立一种除去方法就成为一个课题。
此外，通过各向同性的等离子体刻蚀来除去再附着的方法对于以薄膜加工为主的加工量少的半导体加工是有效的，但对于磁头滑触点的情况，因其加工量大同时再附着物也多，故使用这种方法存在加工时间长的问题。进而，磁头滑触点因其轨道的宽度和深度与上浮量有密切的关系，对加工精度的要求非常严格，上述各向同性的刻蚀其侧壁的刻蚀量多，所以，加工中的尺寸变化大，形状变化也大，故不能使用这种方法。
在磁头缓冲电路的制造方法中，面临着开发一种不仅对上浮面而且对轨道侧壁部分的再附着都能完全除去、而且轨道的尺寸变化非常小的再附着除去方法的课题。
此外，通过采用非直线形状的轨道降低了上浮量，同时，还减小了因磁盘内外圆周的会聚差而引起的上浮量的变动，但是，为了进一步提高上浮特性，在轨道的角部形成很小的倒角部是有效的。此外，为了缓和磁盘起动停止时的冲击，最好在空气流出端也形成倒角。这样一些倒角与设在先有的直线形状的轨道上的倒角相比，其大小只有10分之1左右，而且对加工精度的要求非常严格。这样的倒角在先有的直线形状的轨道中是通过切削或锥形研磨加工形成的，但对非直线形状的轨道，用这样的加工技术来形成倒角是困难的。因此，开发在非直线形状的轨道上设置高精度的倒角的加工技术也成为一项课题。
发明内容
根据本发明的一个方面，一种具有非直线形状的轨道的磁头的制造方法，其特征在于具有：在衬底上形成磁元件的工序；从形成该磁元件的上述衬底切出块状的磁头块的工序；将该磁头块研磨，从而形成上浮面的工序；在该上浮面上形成保护膜的工序；在该保护膜上形成抗蚀剂掩模的工序；通过该抗蚀剂掩模，在上述上浮面形成轨道图案的工序；在研磨该轨道侧壁后，将上述抗蚀剂掩模剥离的工序；和将上述磁头块切断成各个磁头的工序。
根据本发明的另一个方面，一种具有非直线形状的轨道的磁头，其特征在于，在上浮面的轨道上形成的保护膜的角部具有倾斜面或曲面。
根据本发明的又一个方面，一种具有非直线形状的轨道的磁头，其特征在于，在上浮面的轨道上形成的保护膜的膜厚，在中央部比端部大。
为了解决上述问题，在本发明中，在利用刻蚀加工在上浮面上形成非直线形状的轨道之后进行研磨加工。在该研磨加工中，使用含有研磨颗粒的研磨液或不含研磨颗粒的研磨液或者水作为研磨液。此外，还发现使用研磨布、特别是聚酯无纺布进行研磨是有效的。
通过在利用刻蚀加工在上浮面上形成磁头滑触头的轨道之后进行研磨加工，可以由刻蚀加工完全除去附着在轨道及抗蚀剂侧壁上的再附着物。该作用对于使用含有研磨颗粒的研磨液的情况、使用不含研磨颗粒的研磨液的情况和使用水作为研磨液的情况中的任何一种情况都有效。此外，使用研磨布、特别是使用聚酯无纺布其效果显著。通过研磨完全除去再附着物，由此，不会发生再附着物损伤磁盘、落在磁盘上的再附着物成为读写时的障碍的不良现象，可以制造出可靠性高的磁盘装置。此外，在轨道的角部形成由微小的倾斜面或曲面形成的倒角。利用该倒角可以降低上浮量和上浮量的变动。此外，因该倒角还在空气流出端7形成，故可以减少磁盘起动停止时作用于磁盘上的冲击。
附图说明
图1是表示本发明的磁头滑触点的制造方法的图，图2是表示本发明的磁头滑触点的图，图3是表示本发明的磁头滑触点的制造方法的图，图4是本发明的再附着除去研磨加工的概念图，图5是实施例1的磁头滑触点的放大截面图，图6是实施例1的磁头滑触点的放大截面图，图7是实施例1的磁头滑触点的放大侧面图，图8是平面度校正研磨加工的概念图，图9是表示本发明的磁头滑触点的制造方法的图，图10是说明磁头的上浮状态的图，图11是表示先有的磁头滑触点及其加工方法的图，图12是表示先有的非直线形状的磁头滑触点的图，图13是表示先有的磁头滑触点的制造方法的图，图14是表示磁头滑触点的圆周速度和上浮量的关系的图，图15是实施例2的磁头滑触点的放大截面图，图16是实施例3的磁头滑触点的放大截面图，图17是实施例4的磁头滑触点的放大截面图，图18是实施例5的磁头滑触点的放大截面图，图19是离子研磨装置的结构图，图20是RIE装置的结构图，图21是再附着形成的概念图，图22是表示离子束入射角和离子研磨速度的关系的图，图23是先有的的磁头滑触点的放大截面图，图24是研磨布的SEM相片，图25是表示研磨布中压力和变形量的关系的图。
具体实施方式
下面用附图所示的实施例详细说明本发明。
(实施例1)
使用图1～图9及图19说明本发明的第1实施例。图2是根据本发明形成的磁头1的概观图。本发明的磁头1具有上浮面2、在该上浮面上形成的非直线形状的轨道3、圆锥部4、磁元件5、元件形成部6、空气流入端7和空气流出端8，在轨道3的角部存在微小的倾斜面9。
使用图1、图3、图4、图8、图9及图19说明本发明的磁头滑触点的制作工序。
如图3所示，在铝钛硬质合金13上形成磁元件5，然后按照规定的尺寸切断并形成多个磁头块14，将该磁头块固定在磁头块研磨夹具20上进行研磨从而形成上浮面2。将该磁头块14整齐排列在磁头块固定夹具18上。图1(a)表示从磁元件一侧看该磁头块的侧面图。使用溅射或CVD法在上浮面2形成保护膜15(b)，之后涂敷抗蚀剂16并利用平版印刷形成轨道加工用的掩膜(c)。将抗蚀剂16作为掩膜材料进行刻蚀加工，例如，使用氩气进行离子研磨(d)并由此将抗蚀剂的轨道图形复印到铝钛硬质合金衬底上。
图19是众所周知的离子研磨装置的结构图。在图19中，13是铝钛硬质合金衬底，28是样品架，29是真空泵，30是样品交换室，31是永久磁铁，32是螺线管线圈，33是微波，34是微波发生器，35是气体导入口，36是等离子体，37是引出电极。本装置从气体导入口35供给离子研磨气体，由微波33激励等离子体36，通过引出电极37将离子加速到高能状态并引出，照射样品并进行加工。下面是离子研磨条件的一个例子。使用氩作为离子研磨气体，流量为10sccm，真空度为0.2Pa，束电流密度为0.8mA/cm2，加速电压为900V，束入射角为45度，加工时间为480分钟。这样加工出来的轨道3的槽深约为10μm(e)。这时的轨道截面形状示于图5(a)。铝钛硬质合金和抗蚀剂的侧壁整个都附着了再附着物19。
因此，离子研磨后，用研磨布17进行研磨加工(f)，除去离子研磨时产生的再附着物。下面详述这时的研磨加工。
图4是磁头块14的研磨加工的概念图。在图4中，14是固定在磁头块固定夹具18上的磁头块，21是可旋转的卡盘，17是贴在可旋转的转动台22上的研磨布，23是研磨液。
使用图4说明利用本发明的再附着除去研磨加工来除去离子研磨时产生的再附着物的工序。如图4所示，将固定在磁头块固定夹具18上的磁头块14装在卡盘21上，一边向旋转的研磨布17的表面供给研磨液23，一边将固定在磁头块固定夹具18上的磁头块14按压在研磨布17上并使其滑动，同时使其沿转动台22的半径方向摆动。
下面是研磨条件的一个例子。转动台22和研磨布17的直径是300mm，卡盘21和转动台22的转数在同一方向上为20r/min，卡盘21的摆幅为10mm，摆动速度是5mm/sec，研磨压力为10kPa，平均研磨速度为80mm/sec，使用聚酯无纺布作为研磨布17，使用平均粒径为0.25μm的金刚砂浆作为研磨液23并以10ml/min的速度向下滴。研磨时间为10分钟。本发明所使用的聚酯无纺布例如是suba400(Rodelnitta公司的商品名)、Baikalox CA(Baikalox公司的商品名)、“Bellace”的料子(钟纺的商品名)等，如图24(a)、(b)的SEM相片所示那样，表面具有粗糙的绒毛。这样的聚酯无纺布与图24(c)所示的由发泡聚氨酯形成的称之为“仿麂皮”的无纺布相比具有易变形的特征。
图25示出压力和研磨布的变形量的关系，聚酯无纺布suba400与“仿麂皮”NF200相比，只要有一点点重量就会产生很大的变形。在本发明的再附着除去研磨加工中，在经离子研磨加工后的轨道的侧壁上，研磨布要充分变形并与其接触，不使再附着物漏出并进行研磨，这是很重要的，因此，最好使用易变形的聚酯无纺布。在上述研磨条件下，聚酯无纺布充分变形，如图1(f)所示那样，在聚酯无纺布与抗蚀剂及轨道的侧壁接触的状态下进行研磨。
该再附着除去研磨加工后的轨道的截面形状示于图6(a)。若与图5(a)的研磨前的状态相比，再附着物已完全除去，没有了，抗蚀剂的侧壁与衬底面所成的角度24(以下将此称为圆锥角)与研磨前相比变小了，抗蚀剂也从研磨前的位置后退。此外在轨道的角部形成微小的倾斜面9，其大小是约1μm宽、约0.5μm高。只是，轨道的宽度和槽深与研磨前相比没有变化。在再附着除去研磨加工后，除去抗蚀剂，从磁头块固定夹具将磁头块剥离出来，如图1(g)所示切断成一个一个的磁头1。这时各磁头的上浮面2由于与夹具接触时的应变和因成膜时的应力而引起的应变的原因发生变形，变成图7(a)所示的有一点点凹下去的形状，其变形量约为0.25μm。下面使用图8说明用于校正该变形的平面度校正研磨加工。
在图8中，1是磁头，25是支持磁头的可旋转的磁头研磨夹具，22是可旋转的转动台，23是研磨液。将磁头1装在研磨夹具25上，一边向旋转转动台22上供给研磨液23一边进行10几秒钟的上浮面2的研磨。利用该平面度校正研磨加工将上浮面研磨约0.25μm，其变形如图7(b)所示被修正成平面或微微凸起的凸面。此外，轨道角部的截面形状如图6(b)所示，因上浮面被研磨去一点点，故与图6(a)比较倾斜面9稍微减小了，变成0.5μm宽、约0.25μm高。此外保护膜被研磨掉了。在该上浮面的平面度校正研磨加工后，将各个磁头固定在图9所示的磁头固定夹具26上，在洗净之后，利用溅射或CVD法在上浮面上形成保护膜。成膜后从磁头固定夹具26上取下来，从而得到图2所示的磁头。
经上述工序做成的磁头滑触点的轨道的角部截面形状变成图6(c)所示那样，存在微小的倾斜面9。其大小是约0.5μm宽、约0.25μm高。此外，该倾斜面与上浮面所成的角度约为27度，倾斜面的面积占轨道面积的约0.6％。由这样的工序做成的轨道的底面的粗糙度约0.2μm以下。轨道的宽度和槽深在再附着除去研磨前后没有变化。
如上所述，通过在离子研磨之后进行再附着除去研磨加工，附着在轨道的侧壁和上浮面上的再附着物被完全除去，形成微小的倾斜面。通过完全除去再附着，不会发生由再附着物形成的突起损伤磁盘、落在磁盘上的再附着物成为读写时的障碍的不良现象。进而，如图14所示，当在非直线形状的轨道上设置倒角，其上浮量在圆周速度从15到35m/s时约为50到60nm，磁盘内外圆周的上浮量的变动约为10nm，上浮量和上浮量的变动都比没有倒角时低。即，通过附加微小的倾斜面可以降低上浮量，可以得到抑制因磁盘内外圆周的速度差而引起的上浮量的变动的效果，此外，因还在空气流出端形成倾斜面，故可以缓和磁盘起动停止时磁盘和磁头之间的冲击，可以防止损伤磁盘和磁头。通过将本发明的磁头滑触点搭载在磁盘装置上，可以提供上浮低、上浮量变动小且可靠性高的磁盘装置。
(比较例1)
使用图13说明先有的非直线形状的磁头滑触点的制作工序的一例。
直到形成抗蚀剂掩膜为止的工序与图1(a)～(d)所示的实施例1的工序完全相同，在以下的条件下进行离子研磨。在离子研磨的第1工序中，。使用氩作为离子研磨气体，流量为10sccm，真空度为0.2Pa，束电流密度为0.8mA/cm2，加速电压为900V，束入射角为0度，加工时间为430分钟。在离子研磨的第2工序中，使用氩作为离子研磨气体，流量为10sccm，真空度为0.2Pa，束电流密度为0.8mA/cm2，加速电压为900V，束入射角为30度，加工时间为140分钟。
这样，在离子研磨后的抗蚀剂及铝钛硬质合金的侧壁上附着图5所示的再附着物。在离子研磨除去抗蚀剂之后，切断成一个一个的滑触点(f)，得到磁头滑触点1’。用先有的工序做成的磁头滑触点的轨道的截面形状成为图5所示那样。通过除去抗蚀剂，一大半再附着物和抗蚀剂一起被除去，另一部分再附着物没有被完全除去而留在滑触点的上浮面上，其高度约0.05μm。当这样的再附着物存在在上浮面上时，在磁盘装置起动停止时会擦伤磁盘，从而成为错误的原因。此外，也有再附着物因与磁盘接触而落在磁盘上从而出现错误的情况。进而，在低上浮的磁头滑触点中，再附着物的高度和上浮量相同，会给上浮量的稳定性带来很大的麻烦。
在这样的用先有的工序做成的磁头滑触点的轨道的角部不存在倾斜面。此外，倾斜面的保护膜在倾斜面的端部，和中央部具有相同的膜厚。这时的轨道底面的粗糙度是0.7μm。
(实施例2)
本发明的第2实施例直到用离子研磨形成轨道的工序与第1实施例完全相同，在以下的条件下进行再附着除去研磨。转动台22和研磨布17的直径是300mm，卡盘21和转动台22的转速在同一方向上为20r/min，卡盘21的摆幅为10mm，摆动速度是5mm/sec，研磨压力为10kPa，平均研磨速度为80mm/sec，使用聚酯无纺布作为研磨布17，使用水作为研磨液23并以10ml/min的量向下滴。研磨时间为10分钟。
该再附着除去研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图15(a)。若与图5(a)的研磨前的状态相比，再附着物已完全除去，没有了，圆锥角24与研磨前相比变小了，抗蚀剂也从研磨前的位置后退。此外在轨道的角部形成微小的倾斜面9，其大小是约1μm宽、约0.002μm高。在再附着除去研磨加工后，除去抗蚀剂，从磁头块固定夹具将磁头块剥离出来，如图1(g)所示切断成一个一个的磁头1。进行与实施例一样的用于修正磁头变形的平面度校正研磨。该加工后的轨道角部的截面形状示于图15(b)及(c)。图15(b)是磁头中央部的轨道截面的形状，图15(c)是图2所示的磁头圆锥部4内的空气流出端附近的截面形状。利用该平面度校正研磨将上浮面研磨约0.25μm，在轨道中央部中，轨道的截面形状如图15(a)所示，通过再除去研磨产生的倾斜面和保护膜被研磨掉了，大致变成了平面。但是，在大约研磨成0.7度角的圆锥部的端部、即空气流出端的附近，其高度比上浮面约低2.4μm，因此用平面度校正研磨加工研磨不掉。所以，在空气流出端的附近，轨道的截面形状如图15(b)所示，与图15(a)的平面度校正研磨之前的状态相比没有变化。经该上浮面校正研磨加工后，与实施例一样形成保护膜并得到磁头。经上述工序做成的磁头滑触点的轨道的角部截面形状示于图15(d)及(e)。图15(d)是磁头中央部的轨道的截面形状，图15(e)与图15(c)一样是空气流出端附近的轨道的截面形状。如图15(d)所示那样，在圆锥部以外的上浮面的轨道角部不存在倾斜面。但在空气流出端的附近，在轨道角部存在微小的倾斜面9。其大小是约1μm宽、约0.002μm高。此外，该倾斜面与上浮面所成的角度约为0.1度，倾斜面的面积占轨道面积的约0.1％。由这样的工序做成的轨道的底面的粗糙度约0.7μm。轨道的宽度和槽深在再附着除去研磨前后没有变化。
如上所述，通过在离子研磨之后用水作为研磨液进行再附着除去研磨加工，与实施例1一样，附着在轨道的侧壁和上浮面上的再附着物被完全除去，可以抑制因再附着引起的不良现象的发生。用水作为研磨液进行再附着除去研磨时形成的倾斜面与用金刚砂浆作为研磨液形成的倾斜面相比，其高度在100分之1以下，非常小。因此，因为在其后利用平面度校正研磨，其微小的倾斜面除圆锥部之外已被除去，所以倾斜面相对轨道面积只存在一点点，提高上浮特性的效果小。但是，因在空气流出端形成了倾斜面，故可以缓和磁盘起动停止时磁盘和磁头之间的冲击，从而得到提高磁盘装置的可靠性的效果。
(实施例3)
本发明的第3实施例直到用离子研磨形成轨道的工序与第1实施例完全相同，在以下的条件下进行再附着除去研磨。转动台22和研磨布17的直径是300mm，卡盘21和转动台22的转速在同一方向上为20r/min，卡盘21的摆幅为10mm，摆动速度是5mm/sec，研磨压力为10kPa，平均研磨速度为80mm/sec，使用聚酯无纺布作为研磨布17，使用水作为研磨液23并以10ml/min的量向下滴。研磨时间为30分钟。
该再附着除去研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图16(a)。若与图5(a)的研磨前的状态相比，再附着物已完全除去，没有了，圆锥角24与研磨前相比变小了，抗蚀剂也从研磨前的位置后退。此外在轨道的角部形成微小的曲面41，其大小是约2μm宽、约1.5μm高。在再附着除去研磨加工后，除去抗蚀剂，从磁头块固定夹具将磁头块剥离出来，如图1(g)所示切断成一个一个的磁头1。进行与实施例一样的用于修正磁头变形的平面度校正研磨。该研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图16(b)。轨道角部的截面形状如图16(b)所示那样，由于将上浮面研磨去一点点，与图16(a)相比曲面41稍微减小一点，成为约1.7μm宽、约1.3μm高。与实施例1一样，在该平面度校正研磨加工之后形成保护膜从而得到磁头。
经上述工序做成的磁头滑触点的轨道的角部截面形状成为如图16(c)所示的那样，存在微小的曲面41。其大小是约1.7μm宽、约1.3μm高。此外，倾斜面的面积占轨道面积的约1.2％。由这样的工序做成的轨道的底面的粗糙度约0.2μm。
如上所述，通过在离子研磨之后进行再附着除去研磨加工，与实施例1一样，附着在轨道的侧壁和上浮面上的再附着物被完全除去，可以抑制因再附着物引起的不良现象的发生。此外，与实施例1一样因在轨道的角部形成倾斜面故提高了上浮特性。还有，因在空气流出端也形成了倾斜面，故可以缓和磁盘起动停止时磁盘和磁头之间的冲击，从而得到提高磁盘装置的可靠性的效果。
(实施例4)
本发明的第4实施例直到用离子研磨形成轨道的工序与第1实施例完全相同，在以下的条件下进行再附着除去研磨。转动台22和研磨布17的直径是300mm，卡盘21和转动台22的转速在同一方向上为20r/min，卡盘21的摆幅为10mm，摆动速度是5mm/sec，研磨压力为10kPa，平均研磨速度为80mm/sec，使用聚酯无纺布作为研磨布17，使用水作为研磨液23并以10ml/min的量向下滴。研磨时间为10分钟。
该再附着除去研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图17(a)。若与图5(a)的研磨前的状态相比，再附着物已完全除去，没有了，圆锥角24与研磨前相比变小了，抗蚀剂也从研磨前的位置后退。此外在轨道的角部形成微小的倾斜面9，其大小是约1μm宽、约0.002μm高。进而，倾斜面的保护膜经研磨加工其膜厚减小了。在再附着除去研磨加工后，除去抗蚀剂，从磁头块固定夹具将磁头块剥离出来，如图1(g)所示切断成一个一个的磁头1。在这里不进行平面度校正研磨。
经上述工序做成的磁头滑触点的轨道的角部截面形状成为如图17(b)所示的那样，存在微小的倾斜面9。其大小是约1μm宽、0.002μm高。进而，上浮面上形成的保护膜在倾斜面端部的膜厚比轨道中央部的保护膜的膜厚薄。此外，该倾斜面与上浮面成的角度是0.1度，倾斜面的面积占轨道面积的约0.1％。由这样的工序做成的轨道的底面的粗糙度约0.7μm。轨道的宽度和槽深在再附着除去研磨前后没有变化。
如上所述，通过在离子研磨之后用水作为研磨液进行再附着除去研磨加工，与实施例1一样，附着在轨道的侧壁和上浮面上的再附着物被完全除去，可以抑制因再附着物引起的不良现象的发生。此外，与实施例一样因在轨道的角部形成倾斜面故提高了上浮特性。还有，因在空气流出端也形成了倾斜面，故可以缓和磁盘起动停止时磁盘和磁头之间的冲击，从而提高了磁盘装置的可靠性。
(实施例5)
使用图1说明本发明的第5实施例。本发明的第5实施例直到图1所示的形成抗蚀剂的工序为止与第1实施例相同，接着进行刻蚀加工。在第5实施例中，通过反应性离子刻蚀(以下称RIE)进行刻蚀加工。图20是众所周知的高频感应方式的RIE装置。在图20中，13是铝钛硬质合金衬底，29是真空泵，30是样品交换室，35是气体导入口，36是等离子体，38是线圈。本装置与先有的RIE装置相比具有等离子体密度高的特征。从气体导入口35供给刻蚀气体，通过加在线圈38上的高频电流来激励等离子体36，通过给衬底加偏置电压使离子向衬底入射来进行加工。在RIE中使用SF6和氩的混合气体，流量是15sccm，真空度是0.5Pa，偏置电压是500V，加工时间为100分钟。
这样加工的轨道3的槽深约为10μm(e)。这时轨道的截面形状示于图18(a)。再附着物19附着在铝钛硬质合金和抗蚀剂的整个侧壁上。因此，在RIE之后，用研磨布17进行研磨加工(f)，除去在RIE时所产生的再附着物。与实施例1一样在以下的条件下进行研磨加工。转动台22和研磨布17的直径是300mm，卡盘21和转动台22的转速在同一方向上为20r/min，卡盘21的摆幅为10mm，摆动速度是5mm/sec，研磨压力为10kPa，平均研磨速度为80mm/sec，使用聚酯无纺布作为研磨布17，使用平均粒径为0.25μm的金刚砂浆作为研磨液23并以10ml/min的量向下滴。研磨时间为10分钟。
经该再附着除去研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图18(b)。若与图18(a)的研磨前的状态相比，再附着物已完全除去，没有了，圆锥角24与研磨前相比变小了，抗蚀剂也从研磨前的位置后退。此外在轨道的角部形成微小的倾斜面，其大小是约1μm宽、约0.5μm高。在再附着除去研磨加工后，除去抗蚀剂，从磁头块固定夹具将磁头块剥离出来，如图1(g)所示切断成一个一个的磁头1。进而，进行与实施例一样的用于修正磁头变形的平面度校正研磨。该研磨加工后的轨道角部的截面形状示于图18(c)。轨道角部的截面形状如图18(c)所示那样，由于将上浮面研磨去一点点，与图18(b)相比倾斜面稍微减小一点，成为约0.5μm宽、约0.25μm高。此外，保护膜被研磨掉了。与实施例1一样，在该上浮面校正研磨加工之后形成保护膜从而得到磁头。
经上述工序做成的磁头滑触点的轨道的角部截面形状成为如图18(d)所示的那样，存在微小的倾斜面9。其大小是约0.5μm宽、0.25μm高。此外，该倾斜面与上浮面成的角度是27度，倾斜面的面积占轨道面积的约0.6％。由这样的工序做成的轨道的底面的粗糙度约0.2μm以下。轨道的宽度和槽深在再附着除去研磨前后没有变化。
如上所述，通过在RIE之后进行再附着除去研磨加工，与实施例1一样，附着在轨道的侧壁和上浮面上的再附着物被完全除去，可以抑制因再附着物引起的不良现象。此外，与实施例一样因在轨道的角部形成倾斜面故提高了上浮特性。还有，因在空气流出端也形成了倾斜面，故可以缓和磁盘起动停止时磁盘和磁头之间的冲击，从而提高了磁盘装置的可靠性。
工业上利用的可能性
按照本发明，可以完全除去附着在轨道上浮面上的再附着物，此外，通过设置微小的倾斜面还可以提高上浮姿势的稳定性，所以，适合于获得可靠性高的磁盘装置。

Claims (1)

1、一种磁头滑触点，在空气流出端侧的滑触点表面上设有磁元件，其特征在于，在与设置上述磁元件的上述滑触点表面垂直、并与磁记录媒体相对的上浮面侧的上述滑触点表面上，具有非直线形状的轨道，在该轨道上形成的倾斜形状的保护膜的膜厚在上述轨道的中央部比端部大。
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