CN1196505A - 光接收部件、图象形成设备以及图象形成方法 - Google Patents

光接收部件、图象形成设备以及图象形成方法 Download PDF

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Abstract

提供了一种光接收部件,该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层,所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳,其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm－1或1120cm－1附近的峰的面积与其中心在2920cm－1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。该光接收部件使得能够在任何条件下,在不采用用于光接收部件的加热装置的情况下,获得没有模糊图象或不清楚的图象的高质量的图象,并具有足以保持这种高质量特性的高耐久性。

Description

光接收部件、图象 形成设备以及图象形成方法
本发明涉及一种光接收部件、具有该部件的图象形成设备、以及采用该部件的图象形成方法，且更具体地说是涉及一种具有优异的特性的光接收部件—它不管周围环境如何都不会引起诸如模糊的图象或不清楚的图象且不会使光接收部件的温度升高，并能够保持这种特性，且本发明还涉及具有这种光接收部件的图象形成设备和采用这种光接收部件的图象形成方法。
对于采用诸如电子摄影感光部件的光接收部件的元件，已经提出了各种材料—诸如硒、硫化镉、氧化锌、酞菁、非晶硅(以下缩写为a-Si)等。在这些材料中，包含作为主组分的硅原子的非单晶淀积膜(如用a-Si表示的)，例如诸如用氢或卤素(例如氟或氯)补偿的a-Si的非晶淀积膜，已经作为具有高性能、高耐久性和无环境问题的感光部件，而被提出来，且某些淀积膜已经得到了实际的使用。美国专利第4,265,991公布了一种电子摄影感光部件，其感光层主要是由a-Si构成的。
该a-Si感光部件具有高表面硬度、对诸如半导体激光器的长波长区(770nm至800nm)具有高灵敏度、且即使在反复使用之后也不会出现劣化，并被广泛地用作高速复印机和激光束打印机(LBP)的电子摄影感光部件。
为了形成这种淀积膜，已知的有各种方法，诸如溅射、热CVD、光CVD、等离子体CVD等等。在这些方法中，等离子体CVD对于为电子摄影中的实际使用而形成非晶硅淀积膜是特别先进的—其中原料气体通过直流电流、高频(RF、VHF)或微波引起的辉光放电而被分解从而在诸如玻璃、石英、高电阻塑料膜、不锈钢或铝的基底上形成一个薄的淀积膜，且已经为进行这种形成而提出了各种设备。
近年来，为了满足对改善的膜质量和更高的产量的不断增长的需要，也进行了各种考虑。
具体地，由于在诸如氧化膜和氮化膜的绝缘膜的形成中的放电稳定性和可应用性的各种优点，利用高频电源的等离子体处理已经得到采用。另外，近来有关在等离子体CVD设备中借助平行平板电极(等离子体化学和等离子体处理，Vol.7，No.3(1987)，PP.267-373)采用50MHz或更高的高频电源的等离子体CVD方法的一个报告，已经显示了通过把放电频率提高到传统上采用的13.56MHz频率以上而改善淀积速率而不使淀积膜的性质劣化的可能性。放电频率的这种提高，在溅射中也已经得到尝试，并正在得到广泛的研究。
在把通过这种方法形成的a-Si感光部件加到采用所谓的电子摄影技术的图象形成设备上时，通常采用的是一种电晕充电器(corotron或scorotron)来作为感光部件的充电或放电装置。这种电晕放电产生臭氧(O3)-它使空气中的氮氧化而形成诸如氧化氮(NOx)的电晕放电产物，而所产生的氧化氮等与空气中的水份发生反应，从而产生硝酸等。这种电晕放电产物(例如氧化氮和硝酸)淀积在感光部件和周围的装置上，从而使其表面发生污染。由于电晕放电产物因为吸收了水份而具有低电阻，整个或局部区域中的电荷保持能力被大大降低了，因而引起了诸如模糊图象或不清楚图象(由于感光部件上的电荷沿着其表面泄漏而造成的静电潜象的变形或不能形成)的图象缺陷。
另外，淀积在电晕充电器的一个屏蔽板的内表面上的电晕放电产物会蒸发，并且不仅在图象形成设备正在运行时而且在设备停止运行时(例如在夜间)都得到释放。淀积在感光部件表面上的产物的蒸发与电晕充电器的孔径相对应并吸收水份，因而感光部件的表面的电阻变得更低。因此，当设备在暂停之后开始运行时的第一或头几份复制件(输出)容易在与设备停止时电晕充电器的孔径相对的区域中呈现出模糊或不清楚的图象。这种图象不清楚(看起来象是电晕充电器的轨迹)，经常被称为充电器轨迹模糊。当电晕充电器是交流电晕充电器时，这种缺陷变得明显。
当感光部件是a-Si感光部件时，这种由于电晕放电产物引起的模糊图象和不清楚图象变得更为严重。与其他感光部件相比，a-Si感光部件倾向于呈现较低的充电和放电效率，因而a-Si感光部件通过电晕放电的充电和放电是通过向充电器施加比其他感光部件情况下更高的电压以显著地增大电流而进行的。由于臭氧产生量与电晕充电电流成正比，采用与电晕充电器结合的a-Si感光部件特别容易产生大量的臭氧，从而最终使电晕放电产物引起的模糊图象和不清楚图象的情况变得更为严重。另外，在a-Si感光部件的情况下，由于其非常高的表面硬度的不利影响，淀积在其上的电晕放电产物倾向于长时间地牢固附着。
为了防止模糊图象或不清楚的图象，已经考虑了以下两种方法。
第一种方法包括利用包含在感光部件中的加热器来加热感光部件的表面(30℃至50℃)或利用暖空气吹风机向感光部件吹送暖空气而降低相对湿度。这种方法能够蒸发淀积在感光部件表面上的电晕放电产物和水份，从而基本上避免感光部件表面的电阻的降低。
第二种方法包括提高感光部件表面的斥水性，从而使电晕放电产物的淀积更为困难，从而防止不清楚的图象。例如，日本专利申请公开第61-289354号公布了一种受到含氟气体的等离子体处理的a-c表面层。另外，日本专利申请公开第60-12554公布了一种电子摄影感光部件—它具有由包含碳和卤原子的非晶材料构成的表面层，以及其制造方法。另外，日本专利申请公开第63-65447公布了红外吸收谱的吸收系数的关系所限定的含氟有机聚合物膜的技术，虽然它在原理上是用作电荷转移层的且没有就作为表面层的使用得到解释。
然而，虽然第一种方法能够通过采用感光部件的加热装置而解决不清楚的图象的缺点，考虑到节约能量和生态，最好不用这种作为鼓加热器的加热装置来对感光部件进行加热。
另外，当在全色复印机中采用高图象质量的a-Si鼓且感光部件因此而得到加热时，由于彩色调色剂的熔点较低，因而熔化附着即调色剂熔化而附着在感光鼓表面上的可能性增大了。另外，在筒形显影器的转动间隔处图象密度会增大或减小。图象密度的这种波动是由于设备停止时感光部件的加热造成的显影器膨胀，而使感光部件离其相对部分的距离减小，从而使显影剂的转移变得比通常状态下容易而造成的。因此，希望有一种感光部件，它能够不用加热而避免模糊图象或不清楚的图象。
另一方面，对于利用斥水性的改善的第二种方法，上述的专利描述了在暴露于臭氧的情况下的斥水性的改善，但未描述是否实际进行了利用大量的纸张的复印操作的耐久性测试。本发明人进行了按照日本专利申请公开第61-289354公布的方法的证实测试，结果证明不清楚的图象在开始阶段有所改善，但在使用大量纸张的连续复印操作之后仍然显示出不清楚的图象。
对于日本专利申请公开第60-12554所公布的方法，也进行了证实测试。
在这种测试中证明，含氟的非晶膜或有机聚合物膜在开始阶段在防止不清楚的图象上比传统的表面层优越，且即使在连续的复印测试之后也保持这种性能。
然而，由于这种表面层比传统的表面层软，而纸与设置在感光部件周围的部件之间的摩擦形成了逐渐的磨损，所以表面层需要有较高的硬度，以保持表面层的性能，达到对于通常的厚度的a-Si表面层所要求的复印张数。还发现，当考虑到这种磨损而把厚度加大时，产生了诸如剩余电位增大和灵敏度降低的缺点。
对日本专利申请公开第63-65447号公布的方法进行了一种证实测试。在这种现有技术中，物理性质是由红外吸收频谱的值确定的，但这种确定是在考虑到电荷转移层的特性的情况下给出的，且证明了它作为表面层在电阻率和硬度上都是不够的。
考虑到上述情况，希望的是有一种感光部件(光接收部件)—它带有具有足够高的斥水性以防止模糊图象和不清楚的图象而不用加热的表面层，其中这种斥水性即使在复印了大量的张数之后也长期不发生恶化。
还希望有一种技术，该技术能够实现稳定的高图象质量，以满足近来对复印图象质量的改善的要求以及对解决不清楚的图象的缺陷的要求。更具体地说，希望光接收部件(电子摄影感光部件)有更高的灵敏度和更薄的结构，以满足对于诸如复印机和打印机的图象形成设备的各种需要—诸如更高的清晰度、更高的操作速度、数字技术的引进、紧凑化、更低的成本等等。
为了满足这些要求，用于保护感光部件表面的表面层对于入射光的损耗应该较低并具有更薄的结构，但更薄的结构实际上对传统的表面层材料来说是不现实的。因此希望有一种用于表面层的新颖材料它具有宽的带隙以实现对入射光的低损耗并具有高的击穿电压，并能够形成薄膜。
本发明的一个目的，是提供一种光接收部件—它能够在任何环境下在不采用用于光接收部件(感光部件)的加热装置的情况下提供没有模糊图象或不清楚的图象的高质量图象，且它具有能够保持这种特性的高耐久性。
本发明的另一个目的，是提供一种光接收部件，而不采用加热装置，该光接收部件能够防止诸如彩色调色剂的低熔点调色剂的附着，并还防止了在显影器转动的间隔处产生的图象密度的不均匀。
本发明的再一个目的，是提供一种光接收部件—它具有高灵敏度、没有由于电荷泄漏而产生的图象缺陷、并能够稳定地提供高质量的图象，而不发生随着时间的改变。
本发明的再一个目的，是提供一种图象形成设备—它包括满足了上述目的的光接收部件—以及采用这种光接收部件的图象形成方法。
本发明的再一个目的，是提供一种图象形成设备—它能够在不采用诸如光接收部件的加热装置的额外结构部件的情况下提供高质量的图象，从而实现较低的成本、更紧凑的尺寸和更低的能量消耗。
本发明的再一个目的，是提供一种图象形成方法—它能够扩大调色剂的选择范围(例如能够采用低熔点调色剂)，并能够进行更稳定的显影并实现稳定的成象循环。
更具体地说，本发明的目的，是提供一种光接收部件，该光接收部件包括设置在一个导电基底上的光电导层以及设置在该光电导层上的一个表面层，该表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中该表面层在中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与中心位于2920cm-1附近的峰的面积的比值在0.1至50的范围中。
本发明的另一个目的，是提供一种图象形成设备，它包括：一个光接收部件，该光接收部件包括设置在一个导电基底上的一个光电导层和设置在该光电导层上的一个表面层，该表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中该表面层的中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与中心位于2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内；以及，一个充电单元、一个显影单元和一个清洁器—它们按照以上顺序而被设置在光接收部件周围。
本发明的再一个目的，是提供一种图象形成方法，它包括以下步骤：对一个光接收部件进行充电，该光接收部件包括设置在一个导电基底上的光电导层和设置在该光电导层上的表面层，该表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中该表面层的中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与中心位于2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内；用光照射一个所希望的区域以形成一个静电图象；以及，在光接收部件上形成与该静电图象相对应的调色剂图象。
图1A和1B是示意横截面图，显示了本发明的光接收部件的最佳层状配置的例子；
图2和3是示意横截面图，显示了以有利的方式采用本发明的光接收部件的生产设备的例子；
图4是示意横截面图，显示了带有本发明的光接收部件的图象形成设备的最佳例子；
图5是红外吸收谱的示意图，显示了根据本发明的面积比的确定方法的最佳例子。
本发明的上述配置是通过以下研究而达到的。
首先，制备几种含氟非单晶碳并进行研究。(经常被称为金刚石状碳的非单晶碳既不是石墨也不是金刚石，并表示了一种量碳—它呈现出石墨与金刚石之间的一种中间状态。它也可包含多晶或微晶而不是完全地非晶。)作为本发明的研究的结果，发现以这样的方式利用借助膜的红外吸收谱所获得的吸收峰的面积作为指标—即使得指定的峰的面积的比值处于指定的范围内—而获得的非单晶碳膜，能够同时满足斥水性的耐久性和膜的耐磨损性。
更具体地说，中心位于1200cm-1和1120cm-1附近的峰分别表示了CF2键和CF键的拉伸振动，且已经发现这些峰作为表示键合的氟的分离的困难程度即斥水效果的指标是有效的。另一方面，中心位于2920cm-1附近的峰是基于sp3-键合CH的拉伸振动或CH2的反对称拉伸振动的吸收带，且已经发现它作为表示硬度的指标是有效的。还发现以这样的方式—其中使1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与2920cm-1附近的峰的面积之比处于从0.1至50的范围内—而形成的膜，即使在复印了大量的张数的复印操作之后也能够保持斥水效果，并仅呈现出轻微的磨损。
已经发现，当峰面积之比变得小于0.1时，膜呈现出较高的硬度并不容易磨损，但斥水效果的耐久性性较差，因而在大量张数的复印操作之后产生出不清楚的图象。还发现当该比值高于50时，斥水效果得到改善但膜变得容易被磨损，且在大量张数的复印操作之后不能令人满意地保持表面层的功能。
在在本发明的范围中形成的含氟非单晶碳膜中，斥水效果的耐久性改善和磨损的降低的原因还不是完全清楚的，但可对其估计如下。
这种含氟非单晶碳膜的斥水效果的耐久性，不一定与氟的绝对量成比例。因而斥水效果的耐久性受基于表面上的氟键的强度的因素的影响比受氟的绝对量的影响要大。本发明中采用的频谱峰表示了CF2与CF键合的拉伸振动，并被认为是代表了包含在膜的网络中并被键合在稳定状态下的氟原子。另一方面，处于其他状态的氟原子—诸如在碳构架的末端部分或晶格之间的F2或HF分子处的CF3，与在诸如-CF2-的构架中的氟原子相比，被认为是比较容易通过磨损而被移去的。基于这些事实，在含氟非单晶碳膜—其中氟的键合状态被限定在本发明的范围内—中，斥水效果即使在大量张数的复印操作之后也能够实现耐久。
对于膜的硬度，由于它也受到键合状态的显著影响，估计本发明的效果是从由红外吸收谱获得的指标限定的膜中导出的。更具体地说，当氟原子被引入非单晶碳膜时，膜倾向于变成聚合物状膜，而不是生长出三维网形结构。因而需要抑制键合在这种位置处的氟原子的量，以阻止三维网络的生长，从而避免构架的强度的损失。因此，产生强的构架—即表示sp3键合CH的拉伸振动的吸收峰，被认为应该出现在一定的限度之上，以在把氟原子以稳定的状态包含在网络中的同时保持硬度。根据这些事实，因而假定斥水效果的耐久性和硬度，只有当膜是在红外吸收谱中2920cm-1附近的峰与在1200cm-1或1120cm-1附近的峰达到了精细的平衡时，才能够获得。
另外，本发明提供了意外的效果，即由于表面层的存在而使灵敏度损失最小，并由于膜的击穿电压的改善而进一步减小了表面层的厚度。
这两个意外的效果的分析如下。本发明的含氟非单晶碳膜已经被证明是具有比传统的非晶碳(a-C)膜宽的带隙。这被认为是由于比C-C或C-H键强的C-F键增大了键合能量与反键合能量之差，从而导致了光带隙的加宽。这种加宽的带隙被认为是能够在相同的厚度下，与传统的a-C膜相比，减小灵敏度损失并导致灵敏度的改善。
另外，含氟非单晶碳一般地说具有低的膜自由能，因而呈现出良好的对感光部件的表面的可湿性，从而改善了覆盖。另外，在本发明的范围中，除了良好的覆盖之外，膜的密度也得到了显著的改善。这种高密度被认为是由于氟原子的键合状态，但这点还不完全清楚。良好的覆盖使得形成在光电导层表面上的缺陷(例如由于球形突出部分引起的)能够得到均匀的覆盖，且高密度防止了电荷在缺陷周围的移动。因此，膜的击穿电压得到了改善，且不会产生白斑点等由于表面层的充电泄漏而产生的缺陷。本发明就是通过这些研究而实现的。
如上所述，本发明的表面层是以这样的方式形成的—即中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与中心位于2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。这种配置使得能够有效地解决上述的缺点。
其上提供有表面层的光电导层较好地是包括阵列形式的硅的非单晶材料，且更好地是包含氢或卤素的非晶硅。
另外，在本发明的光接收部件中，非单晶碳表面层较好地是至少包含氢。
另外，根据本发明，该表面层最好是利用以氟代烃气体作为一部分的原料气体并利用该原料气体获得的等离子体而形成的，且这种氟代烃气体较好是是通过用原子取代所有的氢原子而获得的。氟代烃气体的一个较好的例子是CF4气体。
另外，本发明的表面层较好地是通过借助采用1至450MHz—更好地是50至450MHz—的高频的等离子体CVD法分解原料气体而形成的。
另外，在光电导层与表面层之间，最好形成有一个缓冲层—它具有前两层的中间组成成分。
以下结合附图进一步描述本发明。
图1A和1B是示意横截面图，显示了本发明的光接收部件的配置的例子。图1A显示了称为单层型的感光部件—其中光电导层的功能未被分离。该感光部件具有一个多层结构，该结构包括按照以下顺序而叠置在一个基底101上的层—即在需要时提供的一个电荷注入阻止层102、包括至少包含氢的a-Si的光电导层103、以及至少包含氟的非单晶碳表面层104。
图1B显示了称为功能分离型的感光部件，其中光电导层在功能上被分成一个电荷发生层和一个电荷转移层。它具有一种多层结构，该多层结构包括按照以下顺序叠置在一个基底101上的层，这些层就是在需要时设置的电荷注入阻止层102、一个光电导a-Si层103—它在功能上被分成一个电荷转移层105和一个电荷发生层106、以及至少包含氟的非单晶碳表面层104。电荷转移层105和电荷发生层106之一可以位于基底101侧，且这些层的顺序可根据所希望的特性和物理性质而适当地确定。另外，当通过改变组份而实现功能的分离时，这种组份改变可通过连续的组份改变而实现且单个的层可被分成多个区—每一个区执行相应的功能。层的组份沿着层的厚度方向的改变可以根据需要而适当地设计，而不论该层在功能上是否分离或者是被形成为一个还是多个区。
因此，在图1A和1B显示的感光部件中，各个层可涉及组份的连续改变并可以没有明确的界面。另外电荷注入阻止层102在需要时可被省略。另外，在光电导层103与非单晶碳的表面层104之间可设置一个中间层，例如为了改善附着性。该中间层可以由例如具有光电导层103与表面层104的组份之间的中间组份的SiC构成，但它也可以由SiO、SiO等构成。另外，该中间层可以包括组份的连续改变。
在以上说明中提到的非单晶碳主要表示(如在前面描述的)具有石墨与金刚石的中间性质的非晶碳，但也可以部分地包含微晶或多晶。这种材料可以通过例如等离子体CVD、溅射或离子镀而形成，但通过等离子体CVD而形成的膜呈现高透明度和高硬度，并适合于用作诸如电子摄影感光部件的光接收部件的表面层。
在用于产生非单晶碳膜的等离子体CVD方法中，可以采用任何放电频率，只要能够产生所希望的等离子体。在工业上采用1至450MHz频带的高频—特别是13.56MHz的RF频带的高频—是有利的。另外，采用50至450MHz的VHF频带的高频，对于表面层的生产，是更为有利的，因为表面层的透明度和硬度都能够得到提高。
为了获得本发明的效果，可以采用能够通过等离子体形成而产生活性氟游离基的任何氟化气体，诸如CF4、CHF3、CH2F2、CH3F、C2F6、C2F4或CH2CF2。虽然某些气体能够单独形成膜，这些气体通常最好与诸如CH4的烃或氢结合使用，因为能够增大选择余地。另外，较好地是通过把诸如CIF3、F2、SF6或HF的无碳氟源与烃或氢结合使用，而形成膜。进一步地，较好的是采用上述气体的混合物或用另一种气体(诸如惰性气体)稀释的这些气体。
图2是示意图，显示了用于借助采用高频电源的等离子体CVD制作本发明的感光部件的淀积设备的一个例子的配置。
该设备主要由淀积设备2100、原料气体供应设备2200、以及用于抽空一个反应腔2110的内部的真空设备(图中未显示)组成。在淀积设备2100的反应腔2110中，提供了一个将要在其上形成膜的接地的筒形基底2112、用于该筒形基底的一个加热器2113、以及一条原料气体引入管2114，且一个高频电源2120经过一个高频匹配盒2115与一个阴极2111相连。还设置了基底支架2121、2122。
原料气体供应设备2200由用于诸如SiH4、H2、CH4、NO、B2H6、CF4等的原料气体容器和蚀刻气体容器2221至2226、阀2231至2236、2241至2246、2251至2256以及流量控制器2211至2216组成，且这些气体容器经过一个阀2260而与反应腔2110中的气体引入管2114相连。
本发明中所要采用的高频电源可具有适合于在10至5000W或更高范围中使用的设备的任何输出功率。另外，该高频电源可具有任何输出改变速率，以获得本发明的效果。
另外，可以采用具有任何配置的匹配盒2115，只要它与高频电源2120的负载相匹配。为此自动匹配是有利的，但也可以采用手动匹配，而完全不影响本发明的效果。
接收高频功率的一个阴极2111可以用诸如铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、包含这些元素中的至少一种的合金、不锈钢或由这些材料中的两或多种组成的复合材料制成。该阴极较好地是具有筒形的形状，但根据需要也可以是椭圆或多边形的。阴极2111根据需要可以带有冷却装置。根据需要，冷却装置可以从例如水、空气、液氮和帕尔帖(Peltier)元件中选择。
本发明中其上将要形成膜的筒形基底2112可以用所需的材料形成并根据使用的目的可具有所希望的形状。例如，当制作电子摄影感光部件时，希望其形状是筒形的，但也可以是平板形或按照需要的的其他形状的。作为基底的材料，可以用诸如铜、铝、金、银、铂、铅、镍、钴、铁、铬、钼、钛、不锈钢或由这些材料中的两或多种组成的复合材料。还可以采用覆有导电材料的绝缘材料，例如覆有导电材料的聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、玻璃、石英、陶瓷和纸。该表面也可以受到抛光或诸如凹陷成形，以防止干扰。
以下说明用图2所示的设备制作感光部件的方法的一个例子。
其上形成膜的筒形基底2112被置于反应腔2110中，且该腔的内部用该图中未显示的一个真空设备(例如真空泵)抽空。随后借助基底加热器2113把筒形基底2112控制在20℃至500℃范围中的所希望温度。
为了把用于形成感光部件的原料气体引入反应腔2110，首先证实气体容器的阀2231至2236和反应腔的泄漏阀2117被关闭且进气阀2241至2246、出气阀2251至2256和一个辅助阀2260被打开，且一个主阀2118被打开以抽空反应腔2110和气体供应管2116的内部。
随后辅助阀2260和出气阀2251至2256在一个真空仪2119的显示达到5×10-6乇时被关闭。随后，阀2231至2236被打开，以从气体容器2221至2226引入气体，且各种气体的压强借助压强控制器2261至2266而被调节到2kg/cm2。随后进气阀2241至2246被逐渐打开，以把气体引入流量控制器2211至2216。
在膜形成的上述准备之后，在筒形基底2112上形成光电导层。
当筒形基底2112达到了预定的温度时，出气阀2251至2256和辅助阀2260中的预定的阀被逐渐打开，以把原料气体从气体容器2221至2226通过气体引入管2114引入反应腔2110。随后借助流量控制器2211至2216把原料气体控制在预定的流量。另外主阀2118的孔径，在真空仪2119的观测下，以这样的方式得到控制—即使得反应腔2110的内部被保持在不超过1乇的预定压强。当该内部压强稳定时，高频电源2120被设定在所希望的功率，以通过高频匹配盒2115向阴极2111提供该功率，从而产生高频辉光放电。放电的能量使引入到反应腔2110的原料气体发生分解，从而在筒形基底2112上形成由硅原子作为主组分而形成的预定淀积膜。在形成了具有所希望的厚度的膜之后，高频功率的供应被停止，且出气阀2251至2256被关闭以阻断至反应腔2110的原料气体供应，从而完成淀积膜的形成。
本发明的表面层，也可以按照与上述步骤类似的步骤，通过提供膜形成气体并启动放电，而得到形成。产生本发明效果的含氟非单晶碳膜，只能通过适当选择诸如所用的气体的混合比、膜形成压强、高频电源及其频率、以及膜形成温度的条件，而得到形成，但可以在传统的等离子体CVD设备中形成而不需要专用的设备。
气体的混合比可根据气体的种类而变化，但通常可通过对于强蚀刻气体提高与烃或氢气体的稀释量且对于弱蚀刻气体减小这种稀释量，而获得令人满意的结果。膜形成可以是在传统的膜形成压强范围内。虽然它可根据气体种类而变化，比较低的膜形成的压强倾向于抑制气相聚合。至于高频电源，高于一定电平的放电能量得到提供，以通过破坏C-F键等而产生氟基。另一方面，不希望过度的放电能量，因为膜形成速率由于使用蚀刻气体而变得非常低。在同心膜形成设备中，不超过2000W的功率是较好的。至于频率，较高的频率一般提供具有较高硬度和较低损耗的膜，但当频率过高时膜厚度变得不均匀。膜形成温度可以是在传统的膜形成条件的温度范围中，但过高的温度是不太好的，因为带隙倾向于变窄从而增大了损耗。
如上所述，各个条件的设定值与在传统膜形成中采用的没有很大的不同，但由于峰面积显著地依赖于膜形成参数，因而还没有产生出具有良好的再现性的适当的膜。
以下更详细地说明膜形成步骤。出气阀2251至2256与辅助阀2260中的必要的阀被逐渐打开，以把表面层所需的原料气体—诸如CF4气体和CH4气体—从气体容器2221至2226经过气体引入管2114而引入到反应腔2110中。随后，借助流量控制器2211至2216把这些气体调节到预定的流量。同时主阀2118的孔径，在真空仪2119的观测下，如此地得到调节—即使得反应腔2110的内部达到不超过1乇的预定压强。当该内部压强稳定时，高频电源2120被设定在所希望的功率，以通过高频匹配盒2115向阴极2111提供该功率，从而引起高频辉光放电。放电的能量使引入反应腔2110的原料气体发生分解，从而形成表面层。在形成了具有所希望的厚度的膜之后，高频电力的供应被停止，且出气阀2251至2256被关闭以阻断至反应腔2110中的原料气体供应，从而完成表面层的形成。
在膜形成期间，筒形基底2112可以被一个驱动装置(在图中未显示)以预定的速度转动。当需要硬度更高的膜时，可以通过一个低通滤波器(图中未显示)而把一个直流偏压提供给高频功率(电源)。
图3是示意图，显示了用于通过等离子体CVD法产生光接收部件的设备(大规模生产型)的一个例子，它与图2所示的设备不同。具体地说，图3显示了一个示意横截面图，用于显示反应腔的断面。
在图3中，显示了一个具有密封结构的反应腔301；一个排放管302，它的一端打开在反应腔301中，且另一端连接到一个真空设备(图中未显示)；一个放电空间303，它被其上将要形成膜的筒形基底304所围绕；以及，高频电源305，它经过一个高频匹配盒306而与一个电极307相电连接。筒形基底304被置于一个转动转轴309上并被置于支架308a和308b，并可在需要时借助马达310而转动。
原料气体供应设备(图中未显示)可以与图2显示的设备2200类似。原料气体得到混合并通过一个阀312而被提供到反应腔301中的气体引入管311。
将要在本发明的膜形成设备中采用的高频电源可以具有适合于在10至5000W或更高的范围中使用的设备的输出电功率。
另外，该高频电源可具有实现本发明的效果的任何输出变化率。
另外，可以采用具有任何配置的匹配盒306，只要它能够使高频电源305与负载匹配。为此自动匹配是有利的，但也可以采用手动匹配而不影响本发明的效果。
接收高频功率的电极307可以用与构成图2显示的阴极的材料相同的材料制成。另外，其形状也相同或者可以根据需要得到进一步得到调整。电极307可以根据需要而带有冷却装置，这与图2显示的阴极类似。
另外其上将要形成膜的筒形基底304与结合图2说明的筒形基底2112相同。
图4是示意图，显示了电子摄影设备的配置的一个例子，其中感光部件401沿着箭头X的方向转动。沿着感光部件401的周边，设置了一个主充电单元402、一个静电潜象形成部分403、一个显影单元404、一个转印片(转印材料)供应系统405、一个转印充电单元406(a)、一个分离充电单元406(b)、一个清洁器407、一个传送系统408、一个电荷消除光源409、一个空白曝光光源420等。
以下详细描述成象过程。感光部件401由接收高电压的主充电单元402均匀地充电。从一个灯410发出的光被置于原件支撑玻璃411上的原件412所反射，随后被镜413、414、415所引导，被透镜单元417的透镜418所聚焦，被镜416所进一步引导，并投射到感光部件401的充电表面上，从而在其上形成一个静电潜象。投射的光也可以是来自激光器或LED的光，并把图象信息携带至表面上。充有负电荷的调色剂从显影单元404被提供给该潜象，从而形成一个调色剂图象。
另一方面，一个转印材料P在定位辊422的前端的同步调节下通过转印片供应系统405而被提供向感光部件401，并在接收高电压的转印充电单元406(a)与感光部件401之间的间隙中从后表面被加上了一个正电场—其极性与调色剂的相反，从而使感光部件表面上充以负电荷的调色剂图象被转印到转印材料P上。随后借助接收高交流电压的分离充电单元406(b)，转印材料P被分离，并通过传送系统408而被传送到一个定影装置424—其中调色剂图象得到定影。随后转印材料P从设备被传送到外面。
残余在感光部件401上的调色剂被一个清洁单元407的一个磁辊427和与感光部件401保持接触的一个清洁刮片421而得到回收，且残余的电荷借助电荷消除光源409而得到消除。
以下说明用于确定本发明的面积比的方法。
图5显示了红外(IR)吸收谱的一个例子，它具有中心分别在1120cm-1、1200cm-1和2920cm-1附近的峰。图5显示的频谱具有与中心在约1120cm-1的波和中心在约1200cm-1的波的合成波相应的波形。因而整个频谱呈现一个大的峰部分—该部分由中心在1120cm-1和1200cm-1附近的波形组成，以及由中心在2920cm-1附近的波形组成的小的峰部分。
中心在指定的波数的峰的面积可以用以下方式确定。在由中心位于一个波数的单个峰—例如图5中中心在2920cm-1附近的峰—组成的波形的情况下，把顶点在2920cm-1附近的一个高斯分布曲线与该IR吸收波形相拟合，且被该高斯分布曲线和基线所围绕的部分(在图中用影线区表示)的面积得到确定。
在由两个波形合成而形成的IR吸收波形的情况下，它由通过合成两个高斯分布曲线而获得的波形近似表示。更具体地说，在图5显示的例子的情况下，其顶点在1120cm-1附近的一个高斯分布曲线和其顶点在1200cm-1附近的另一个高斯分布曲线得到确定，从而使两条曲线被用来获得与IR吸收谱最接近的合成高斯分布曲线。随后，分别计算顶点在1120cm-1附近的高斯分布曲线与基线所围绕的面积，和顶点在1200cm-1附近的高斯分布曲线与基线所围绕的面积。
在本发明中，如此计算出的面积被用来确定对应于1120cm-1的面积或对应于1200cm-1的面积与对应于2920cm-1的面积的比值。
在不具有如图5的左边所示的合成波形的频谱的情况下，不再需要高斯拟合，且可以简单地计算出IR吸收波形与基线所围绕的面积。
以下描述本发明的较佳的例子，但应该理解的是本发明绝对不限于这些例子。
[例1]
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且随后在表2所示的条件下形成一个表面层，从而完成一个感光部件(鼓)。在此操作中，CF4的流量如表4所示地在20至100sccm的范围中的五个电平上变化，同时高频功率在800至1200W范围中的三个电平上变化，从而获得五个感光部件。预先对样品的测量证实了，在上述CF4流量和高频功率的范围中，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比在从0.14至47.8的范围内，而1200cm-1/2920cm-1峰面积比在从0.31至48.3的范围中。
为了评价以上述方式产生的五个鼓的耐磨损性，各个鼓以450mm/秒的速度转动，且把平均颗粒尺寸为8μm的SiC抛光带(富士胶卷公司生产的LT-2000)保持在与其接触的状态并用3φ宽度为20mm的平行销加压，从而实现有负荷的抛光。该抛光带以约1mm/秒的速度被持续地送进，从而保持恒定的抛光能力并避免抛光碎屑的影响。这种强迫磨损进行了60分钟，且用光学膜厚度计测量抛光测试之前和之后的膜厚度。膜厚度的改变用SiC表面层的磨损量的相对值来表示。
表4中概括了上述评价测试所获得的特性。
表1
制作感光部件的条件(下阻止层和光电导层)
下阻止层
SiF4：   260sccm
H2：     500sccm
NO：      7sccm
B2H6：  2100ppm
功率：    110W
内部压强：0.43乇
膜厚度：  1.5μm
光电导层
SiH4：   510sccm
H2：    450sccmB2H6：    10ppm(相对于SiH4)功率：      450W内部压强：  0.55乇膜厚度：    20μm表2制作表面层的条件CH4：     100sccmCF4：     可变(20-100sccm)功率：     可变(800-1200W)频率：     13.56MHz内部压强： 0.4乇膜厚度：   0.1μm表3制作表面层的条件(例2，比较例2)CH4：    100sccmCF4：    可变(20-100sccm)功率：    可变(400-800W)频率：    105MHz内部压强：2m乇膜厚度：  0.1μm表4
磨损评价的结果(例1、在13.56MHz制成的比较例1)
  CH4流率(sccm) CF4流率(sccm)  功率(W)   IR峰比值1120cm-1/2920cm-1    IR峰速率1200cm-1/2920cm-1   磨损量(相对量)
  例1     100100100100100    40802060100   8001000120012001200     7.425.60.1510.247.8     9.134.80.3112.348.3     AAAAAAB
比较例1     100    100   800     53.6     89.1     C
AA：未观测到磨损
A：磨损非常小
B：可以与SiC表面层相比
C：所有表面层都被磨损
(比较例1)
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且随后在表2所示的条件下形成一个表面层。在此操作中，表面层是以100sccm的CF4流率和800W的高频功率产生的，如表4所示。该表面层分别显示出53.6和89.1的峰比值。
进行了与例1类似的评价，且评价的结果与例1的结果一起概述在表4中。
在属于本发明的范围的进行的例1中，磨损量小于或相当于SiC表面层的磨损量。当进行a-Si感光部件所需的纸张数进行复印操作时，SiC表面层接近不受磨损，但由于为了使差别明显而设定的严酷条件，观测到了磨损。另一方面，在处于本发明的范围之外的比较例1中，表面层呈现出比SiC表面层大的磨损且几乎被完全磨损掉了。在实际复印条件下预测到大的磨损的情况下，就会产生实际的问题。这些结果表明在1120cm-1或1200cm-1的峰与在2920cm-1的峰的面积比应该不超过50。
[例2]
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且随后图3所示的等离子体CVD设备被用来在表3所示的条件下形成一个表面层。在此操作中，CF4的流率如表4所示地在20至100sccm的范围中的五个程度上变化，同时高频功率在800至1200W范围中的三个级别上变化，从而获得五个感光部件。预先对样品的测量证实了，在上述CF4流率和高频功率的范围中，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比在从0.17至46.7的范围内，而1200cm-1/2920cm-1峰面积比在从0.22至47.5的范围中。
为了评价以上述方式产生的五个鼓的斥水效果的耐久性，各个鼓受到如例1中的抛光测试，且测量抛光测试之前和之后的氟量以确定残余的氟与初始时的氟的量的比值。氟的量是用X射线光电子摄谱仪(XPS)在非常接近表面(约50埃)的区域中测量的。另外通过借助去离子水的接触角用接触角测量仪(Kyowa Kaimen Kagaku公司生产的CA-S-roll型)来估算抛光之前和之后的斥水性。另外，为了证实抛光测试之后残余的氟的作用，抛光测试之后的感光部件被装到为实验目的而改装的佳能NP-5060复印机上，并在没有诸如鼓加热器的加热装置的情况下在32℃和88％的高温高温度环境中进行相当于20,000张A4纸的闲置转动，从而使臭氧产物能够充分地到达表面。随后在相同的高温和高湿度的情况下，在复印机被停止的情况下使感光部件停留3小时。随后，通过复印佳能测试图表(部分号FY9-9058)而评价不清楚的图象的产生并判定图表上的线-空间图案和文字的轮廓。
这些评价的结果被概括在表5中表5
抛光之前和之后的氟(例2、用105MHz制成的比较例2)
  CH4流率(sccm)   CF4流率(sccm)   功率(W)       接触角(°) 高温/湿度的图象不清 抛光之后/之前的残余氟比值
抛光之前 抛光之后
例1   100100100100100     40802060100   400600800800800     105105100105105     9510085100105     AAAAAAAAA     84.1％90.3％69.2％88.7％95.2％
比较例1   100     20   800     95     35     C     41.3％
AA：非常优异的图象
A：好的图象
B：略微有图象不清楚(实际上可接受)
C：有图象不清楚(实际上不可接受)
(比较例2)
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且随后图3所示的等离子体CVD设备被用来在表3所示的条件下形成一个表面层。在此操作中，表面层是如表5所示地以20sccm的CF4流率和800W的高频功率产生的。预先对样品的测量证实了，在此操作中，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比为0.04，而1200cm-1/2920cm-1峰面积比为0.07。
以此方式产生的感光鼓以与例2中相同的方式得到评价。
评价所获得的结果与例2的结果一起在表5中得到概括。
在处于本发明的范围的例2中，抛光之前的氟在抛光之后残余了80％或更多。在抛光之后进行的高温和高湿度下进行的测试证明了没有不清楚的图象。另一方面，在处于本发明的范围之外的比较例2中，抛光之后残余的氟减小至抛光之前的约40％，且接触角也减小到约35％。在此情况下接触角接触角的减小被认为是由于氟的表面浓度由于抛光的减小所引起的—除了初始阶段的氟含量较小之外。如从接触角的这种减小可以预测的，在高温和高湿度下进行的测试表明出现了不清楚的图象。
比较例2中的氟的减少，被认为是由于这样的事实，即虽然表面由于硬的构架结构而几乎未受磨损，但在表面附近的氟原子多处于诸如CF3基的稳定形式且未通过磨损所分离。
例2和比较例2表明1120cm-1和1200cm-1处的峰面积与2920cm-1处的峰面积的比值应该至少等于0.1。
[例3]
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且以此方式制成了六个感光部件。随后图2所示的等离子体CVD设备被用来在表6所示的条件下，利用六种含氟气体CF4、CHF3、CF2F6、CF2＝CF2、CIF3和SF6，形成一个表面层。在此操作中，预先对样品的测量证实了，在上述CF4流量和高频功率的范围中，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比和1200cm-1/2920cm-1峰面积比都处于从10至30的范围中。
随后各个感光部件与例1和2类似地受到通过抛光测试的膜厚度改变评价、在抛光之后在高温和高湿度下进行的图象不清楚评价、以及借助XPS的抛光之后的氟含量确定。表6
表面层的产生条件(例3)
CH4：    100sccm
含氟气体：可变
功率：    可变(800至1200W)
频率：    13.56MHz
内部压强：0.4乇
膜厚度：  0.1μm
表7
不同含氟气体的比较(例3)
 含氟气体 流  率(sccm) CH4 流率(sccm) 高频功率(W) 磨损量(与SiC的比值) 高温/高湿度下的图象不清楚 残余的氟(抛光之后/之前)
CF4CHF3C2F6CF2＝CF2CIF3SF6 60603030510 100100100100100100 10008008008008001000 AAAAAAAA AAAAAAAAAAAA 87.1％91.3％94.7％95.4％96.2％93.2％
AA：非常优异
A：传统水平
B：实际可接受
[例4]
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且随后在表2所示的条件下形成一个表面层。该表面层是借助60sccm的CF4气体流率和1000W的高频功率而在其上制成的。预先对样品的测量证实了，在借助这种CF4流率和高频功率，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比为12.5，且1200cm-1/2920cm-1峰面积比为14.7。
感光鼓的灵敏度是借助其布局与复印机类似的专用鼓测试机来测量的。该鼓以400mm/秒的速度转动，且鼓的表面借助电晕充电单元而以约400V的电位得到充电。随后在曝光位置光量得到改变，且显影位置处的表面电位得到测量。灵敏度被定义为在50V的表面电位下提供的曝光量。该灵敏度通过与SiC表面层的比较而得到评价。
另外，为了评价击穿电压的不同，NP5060复印机通过拆下电晕充电单元的栅极并选择高于正常条件下的充电电位而得到改装，从而产生出容易造成电荷泄漏的环境。用这种改装的机器进行复印操作，且由于电荷泄漏而引起的部分白图象的图象缺陷(白斑点)，通过比较初始图象和1000张复印操作之后的图象，而得到计数。其结果通过与用SiC表面层在类似的测试中获得的白斑点的计数值的比较，而得到评价。
灵敏度和电荷泄漏引起的图象缺陷的评价的结果被概括在表8中。
(比较例3)
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且在表2所示的条件下形成一个表面层。该表面层是借助10sccm的CF4气体流率和1200W的高频功率而在其上制成的。预先对样品的测量证实了，在借助这种CF4流率和高频功率，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比为0.04，且1200cm-1/2920cm-1峰面积比为0.07。
以与例4相同的方式对感光部件进行评价。
所获得的评价结果与例4的结果一起被概括在表8中。
例4和比较例3的结果表明峰面积比值小于0.1的非单晶碳膜与SiC表面层相比呈现出较低的灵敏度，但峰面积比值在从0.1至50的范围中的非单晶碳膜的灵敏度损失以传统的表面层相比得到了抑制。这实际上是一个意外的效果，并被认为是由于这样的事实，即膜中的氟键使带隙加大，从而减小了表面层的损耗。
另外，在击穿电压测试中，处于本发明的范围之外的比较例3显示出了白斑点形式的图象缺陷，虽然与传统的表面层相比性能得到了某些改善。与此相对比，处于本发明范围内的例4显示出非常小的白斑点。在测试之后在显微镜下对感光鼓的观测中，比较例3呈现出了从球形突出部分的边缘部分的大量泄漏的痕迹，而例4在球形突出部的周边几乎没有显示出这种痕迹。这些结果表明本发明的含氟的非单晶碳膜在膜的击穿电压方面得到了改善。
表8
灵敏度和击穿电压的评价(例4、比较例3)
  CH4流率(sccm) CF4流率(sccm)  高频功率(W)   灵敏度(与传统层的比值)   击穿电压(与传统层的比值)
例4比较例3     100100     6010     10001200     AB     AAA
AA：非常优异
A：传统水平
B：实际可接受
[例5]
图2所示的等离子体CVD设备被用来按照以下的顺序在表1所示的条件下在筒形铝基底上淀积一个下阻止层和一个光电导层，且在表2所示的条件下形成一个表面层。该表面层是借助60sccm的CF4气体流率和1000W的高频功率而在其上制成的。预先对样品的测量证实了，在借助这种CF4流率和高频功率，1120cm-1/2920cm-1的峰面积比为12.5，且1200cm-1/2920cm-1峰面积比为14.7。
所获得的感光部件被安装在改装的NP5060复印机上，且从置于原件台上的原件上的佳能测试图表(部分号FY9-9058)以通常的曝光量获得了一个复本。所获得的图象的线可再现性、半色调可再现性和图象缺陷得到了观测。另外，通过把检测器设置在显影单元的位置上，对充电能力和保持电位进行了测量。
所获得的结果被显示在表9中。所获得的图象是清楚的并呈现出良好的半色调可再现性并且是非常令人满意的。另外，充电能力和保持电位是令人满意的。这些结果证实了本发明的感光部件能够提供良好的图象。
表9
图象、充电能力和保持电位的评价
  图象   充电能力   保持电位
例5   AA     AA     AA
AA：非常优异
A：传统水平
B：实际可接受
如上所述，本发明能够提供斥水性优异的感光部件，并通过形成提供在导电基底上的表面层从而使中心在红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值处于0.1至50的范围内，而能够在高温和高湿度的条件下在不使用加热装置的情况下提供高质量的图象。另外，借助上述形成，本发明能够提供一种光接收部件，该光接收部件防止了电晕放电的产物的淀积，并因为能够省略加热器而防止了诸如彩色调色剂的低熔点调色剂通过熔化而发生的附着或由于显影器的转动间隔而产生的图象密度的不均匀，并具有高灵敏度且不会由于表面电荷的泄漏而产生图象缺陷，从而稳定地提供了高质量的不随时间变化的图象。

Claims (32)

1.一种光接收部件，包括设置在导电基底上的光电导层，以及设置在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内。
2.根据权利要求1的光接收部件，其中所述光电导层包括阵列形成的硅原子的非单晶材料。
3.根据权利要求2的光接收部件，其中所述非单晶材料是包含氢或卤素的非晶材料。
4.根据权利要求1的光接收部件，其中所述表面层至少包含氢。
5.根据权利要求1的光接收部件，进一步包括在所述光电导层与所述表面层之间的一个缓冲层，该缓冲层具有所述这些层的中介组份。
6.根据权利要求5的光接收部件，其中所述缓冲层包括非晶碳酸硅。
7.根据权利要求1的光接收部件，其中所述表面层是氟代烃气体作为原料气体的一部分并利用通过分解所述原料气体而获得的等离子体而形成的。
8.根据权利要求7的光接收部件，其中所述氟代烃气体是通过用氟取代所有的氢原子或烃而获得的。
9.根据权利要求8的光接收部件，其中所述氟代烃是CF4气体。
10.根据权利要求1的光接收部件，其中所述表面层是通过借助采用1至450MHz的高频的等离子体CVD法分解原料气体而形成的。
11.根据权利要求1的光接收部件，其中所述表面层是通过借助采用50至450MHz的高频的等离子体CVD法分解原料气体而形成的。
12.根据权利要求1的光接收部件，其中峰的面积是按照高斯分布曲线和一条基线所围绕的面积确定的。
13.一种图象形成设备，包括：
一个光接收部件，它包括设置在导电基底上的光电导层，以及在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内；
一个充电单元、一个显影单元和一个清洁器—它们以此顺序被设置在所述光接收部件周围。
14.根据权利要求13的图象形成设备，进一步包括在所述充电单元和所述显影单元之间的静电图象形成部分。
15.根据权利要求14的图象形成设备，进一步包括用于在所述静电图象形成部分中中用光照射所述光接收部件的一个光源。
16.根据权利要求13的图象形成设备，其中所述清洁器具有一个刮片，该刮片与所述光接收部件相接触。
17.根据权利要求13的图象形成设备，进一步包括在所述显影单元与所述清洁器之间的一个用于供应转移材料的转移材料供应系统和一个用于把加到所述光接收部件上的调色剂传送到供应的转移材料上的充电单元。
18.根据权利要求13的图象形成设备，其中所述光电导层包括包含阵列形式的硅原子的非单晶材料。
19.根据权利要求18的图象形成设备，其中所述非单晶材料是包含氢的卤素的非晶材料。
20.根据权利要求13的图象形成设备，其中所述表面层至少包含氢。
21.根据权利要求13的图象形成设备，进一步包括在所述光电导层和所述表面层之间的、具有所述层的中介组份的缓冲层。
22.根据权利要求21的图象形成设备，其中所述缓冲层包括非晶碳酸硅。
23.一种图象形成方法，包括以下步骤：
对一个光接收部件进行充电，该光接收部件包括设置在导电基底上的光电导层以及设置在所述光电导层上的表面层，所述表面层包括至少包含氟的非单晶碳，其中所述表面层的其中心位于红外吸收谱中的1200cm-1或1120cm-1附近的峰的面积与其中心在2920cm-1附近的峰的面积的比值在从0.1至50的范围内；
用光照射一个所希望的区域以形成一个静电图象；以及
在所述光接收部件上形成与所述静电图象对应的调色剂图象。
24.根据权利要求23的图象形成方法，进一步包括清除所述光接收部件上的调色剂的步骤。
25.根据权利要求24的图象形成方法，其中所述清除是通过用刮片除去调色剂而进行的。
26.根据权利要求24的图象形成方法，进一步包括在所述清除步骤之前把形成在所述光接收部件上的调色剂转移到一个转移材料上的步骤。
27.根据权利要求23的图象形成方法，它是在不借助加热器对所述光接收部件进行加热的情况下进行的。
28.根据权利要求23的图象形成方法，其中所述光电导层包括包含阵列形式的硅原子的非单晶材料。
29.根据权利要求28的图象形成方法，其中所述非单晶材料是一种包含氢或卤素的非晶材料。
30.根据权利要求23的图象形成方法，其中所述表面层至少包含氢。
31.根据权利要求23的图象形成方法，其中所述光接收部件进一步包括在所述光电导层与所述表面层之间的、具有所述层的中介组份的缓冲层。
32.根据权利要求31的图象形成方法，其中所述缓冲层包括非晶碳酸硅。
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