CN1189545A - 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 6
- MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M lithium;3,4,5-trihydroxybenzoate Chemical compound [Li+].OC1=CC(C([O-])=O)=CC(O)=C1O MNKMDLVKGZBOEW-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 229910010936 LiGaO2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 3
- 229910010092 LiAlO2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N molybdenum tungsten Chemical compound [Mo].[W] MGRWKWACZDFZJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 2
- 229910010098 LiAlOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种垂直温梯法生长铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体。垂直温梯法是从熔体的底部结晶,固液界面自下而上移动生长晶体的一种方法。所用的温梯炉是钟罩式真空电阻炉。温梯炉内生长晶体的坩埚是底部有籽晶槽,顶端有盖。周围加热体外有保温屏。坩埚内加入按(1+x)∶1(x=0～0.1)配比的高纯粉料经混合压块成型后装入。用垂直温梯法生长LiAlO2和LiGaO2晶体克服了熔体组分挥发的问题,可以生长出作为GaN基蓝光衬底的大面积的LiAlO2和LiGaO2晶体。
Description
本发明采用垂直温梯法(VGF)生长大面积铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体。铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体主要用作GaN基蓝光半导体外延生长用的衬底。
已有技术：LiAlO2单晶开始作为压电材料于1964年由美国贝尔实验室的J.P.Remeika和A.A.Ballman用熔盐法(Flux)生长小尺寸晶体，此法见Appl..Phys.Letters.Vol.5，No.9(1964)180。
1981年英国科学家B.Cockayne和B.Lent用提拉法(Czochralski方法)生长出Φ14mm晶体，发表在晶体生长杂志上：J.Cryst.Growth 54(1981)546-550。目前，美国佛罗里达大学B.H.Chai教授用提拉法(CZ)生长LiAlOx2，直径为Φ38mm(1.5英寸)。另外可用来生长LiAlO2的方法有浮区区熔法(FZ)，该方法是将原料预制成料棒，采用一定的方法(如激光束或灯束聚焦)局部加热料棒至熔化，并缓慢移动熔区，该法原理参阅Crystal Growth，Edited by B.R.Pamplin，Vol6，Chapter 4，P138，Pergamon Press，1975。以上三种方法均存在明显的技术缺陷。提拉法生长LiAlO2(或LiGaO2)，熔体表面存在严重的不同成分挥发，即Li2O和Al2O3非比例挥发，在晶体中产生大量包裹物、晶体内部核芯和其它缺陷，晶体质量差。助熔剂法和浮区区熔法，尽管较有效地抑制了熔体成分的挥发，但由于方法和工艺本身的限制，晶体的尺寸很小，难以满足GaN基蓝光发光体外延生长的产业化要求。
本发明的目的因为GaN基蓝光半导体产业化要求衬底基片的直径大于3英寸(Φ76mm)。又因为大尺寸衬底基片才能有效地降低蓝光器件的成本。所以本发明目的是采用垂直温梯法将有效地克服熔体成分的挥发和晶体内部缺陷，解决大面积(直径大于3英寸)衬底晶体LiAlO2和LiGaO2的生长技术问题。
本发明提出用垂直温梯法(英文缩写VGF法)生长大尺寸LiAlO2和LiGaO2晶体，其关键技术是从LiAlO2和LiGaO2熔体的底部结晶，固液界面自下向上移动，生长晶体。
本发明所用的垂直温梯法生长LiAlO2和LiGaO2晶体的装置称为温梯炉见图1，为钟罩式真空电阻炉，炉体内部的结构包括坩埚1，发热体2，坩埚1是置于炉体内中心位置上，坩埚1的周围是发热体2，发热体2的外围有侧保温屏9，发热体2的顶部有与侧保温屏9密合的上保温屏8，坩埚1的底下有埚托3，在发热体2的下方与发热体2相连的电极板6有支撑环7支撑，在支撑环7内有下保温屏10，在下保温屏10国澡有穿过电极板6的中心伸到埚托3内有冷却水支杆5，还有供测量温度的热电偶4伸到坩埚1底部。炉体之外另附真空系统，60KW索科曼A2S1047型UPS稳压电源和818P4欧路精密控温系统，监控和测温用钨铼(W/Re3-W/Re25)热电偶4。坩埚1为钼(Mo)材料加工制成。埚托3用氧化锆(ZrO2)材料制成，支撑环7用刚玉环。上、侧、下保温屏8、9、10用钼片或钨-钼片所制。坩埚底14中心有一籽晶槽15，使结晶料充分熔解又保证籽晶不被熔化，坩埚底14为锥形，阻止晶体生长时产生孪晶或多晶，坩埚壁12为有锥度13的园锥筒形，以易于晶体结晶后取出而无须毁坏坩埚。坩埚顶端带有一钼片所做成的坩埚盖11(见图2)。坩埚盖11有效地抑制了LiAlO2或LiGaO2熔体挥发。
图3是发热体2，由高纯石墨加工而成，发热体2是被上下槽16、19割成矩形波状板条通电回路18的园筒，在园筒的上半部有小孔17，如图3-1所示。发热体2上半部的温差通过小孔17的孔数和孔径大小来调节发热体的电阻而实现，下半部的温差通过与有水冷的电极板6和坩埚1的热传导共同实现。熔体中的温度分布是底部温度低，上部温度高，形成一个合理的温度梯度。图3-2是较合理的温度分布曲线。为了有效保温和稳定热场，在发热体2及坩埚1的上下及四周设置了严密的钨-钼片所做的上、侧、下保温屏8、9、10。
LiAlO2晶体生长工艺流程如下：(a)在温梯炉坩埚1的籽晶槽15内放入定向籽晶。(b)按(1+x)∶1其中x＝0～0.1配比的高纯Li2CO3和Al2O3粉料在混料机中机械混合。(c)用压料机压块成形，高温烧结或直接装入坩埚1中，加上坩埚盖11，置于温梯炉中。(d)边抽真空边升温至500℃，充入高纯氩气。(e)继续升温，至700℃，Li2CO3开始分解为Li2O和CO2，坩埚1内的反应是：
用VGF法生长晶体同样适用于生长大尺寸(≥3英寸)蓝光衬底晶体LiGaO2，所用的温梯炉以及工艺流程均同LiAlO2晶体。
与已有技术中LiAlO2晶体生长方法(如熔盐法，提拉法和浮区区熔法)相比，本发明的垂直温梯法从坩埚底部结晶生长，坩埚顶部加盖有效抑制了熔体组分挥发，可以生长大尺寸(≥Φ3英寸)LiAlO2和LiGaO2晶体基片，且晶体质量明显高于已有方法生长的晶体，从而可以满足GaN基蓝光半导体器件制造的市场需求。
附图说明：
图1是垂直温梯法(VGF)所用的温梯炉内部结构剖视图
图2是坩埚1的剖视图
图3是发热体2的结构示意图：图3-1为其平面展示图；
图3-2为其温场分布曲线
实施例1：
用上述的垂直温梯法、温梯炉和工艺流程进行LiAlO2晶体生长
钼(Mo)制坩埚1尺寸为Φ76×80mm，坩埚底14锥度为100°，坩埚壁12的锥度13为1∶40。石墨发热体2为板条通电回路18，上半部有小孔17，保温屏内层衬有钨片的钼筒。[100]定向籽晶。1.05∶1(即x＝0.05)非化学配比称量的Li2CO3和Al2O3粉料在混料机中混合24小时后，用2t/cm2的等静压力锻压成块，直接装入坩埚1中，加上坩埚盖11，置于温梯炉中，边抽真空边升温至500℃，充入高纯氩气保护气氛至1个大气压，继续升温至700℃，Li2CO3开始分解为Li2O和CO2，于1050℃分解结束，中途放气至1个大气压。升温至熔体温度～1775℃，恒温1小时，以6.6℃/hr速率降温48小时。结晶完成后以1℃/min速率降至室温，生长全过程结束。取出LiAlO2晶体，晶体结晶完整性和透明度均明显高于其他方法。晶体内在质量达到低位错密度，无包裹物和气泡。
实施例2：
用上述同样的垂直温梯法、温梯炉和工艺流程生长出大尺寸的LiGaO2晶体。
Claims (7)
1、一种垂直温梯法生长铝酸锂(LiAlO2)和镓酸锂(LiGaO2)晶体，是能够生长作为蓝光衬底材料的大面积的LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于用垂直温梯法生长。
2、根据权利要求1的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于所说的垂直温梯法是从LiAlO2和LiGaO2熔体的底部结晶，固液界面自下而上移动地生长晶体。
3、根据权利1或2的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于垂直温梯法所用的温梯炉是钟罩式真空电阻炉。
4、根据权利要求3的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于钟罩式真空电阻炉的温梯炉的炉体内部结构是从炉体内部中心开始向外，含有坩埚(1)、发热体(2)、侧保温屏(9)，在坩埚(1)的底下有埚托(3)，在发热体(2)的下方有与发热体(2)相连的由支撑环(7)支撑的电极板(6)，在支撑环(7)内有下保温屏(10)，下保温屏(10)中间有穿过电极板(6)通到埚托(3)内的冷却水支杆(5)，发热体(2)的顶上有与侧保温屏(9)密合的上保温屏(8)，还有穿过埚托(3)伸到坩埚(1)底部供测量温度所用的热电偶(4)。
5、根据权利要求3的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于置于温梯炉炉体内中心位置上的坩埚(1)的锥形坩埚底(14)的中心有一籽晶槽(15)，坩埚壁(12)是有锥度(13)的园锥筒形，坩埚(1)的顶端有坩埚盖(11)。
6、根据权利要求3的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于置于温梯炉炉体内中心位置上的坩埚(1)之外的发热体(2)是被上下槽(16)、(19)割成矩形波状板条通电回路(18)的园筒，在园筒的上半部有小孔(19)。
7、根据权利要求1或2或3的生长LiAlO2和LiGaO2晶体，其特征在于具体生长的工艺流程是：
(a)在温梯炉内坩埚(1)的籽晶槽(15)内放入定向籽晶，
(b)按(1+x)∶1配比的高纯粉料在混料机中机械混合；其中x＝0～0.1，
(c)用压料机将上述混合后的粉料压块成形，高温烧结或直接装入坩埚(1)中，盖好坩埚盖(11)后，置于温梯炉内，
(d)对上述装好料的坩埚(1)一边抽真空，一边升温至500℃，充入高纯氩气，
(e)继续升温，升温至700℃，坩埚(1)内所加的料开始分解并中途放气，
(f)升温至熔体温度为1775±25℃左右，恒温1～3小时。
(g)以5-10℃/小时的速率降温，缓慢降至室温后，晶体生长完毕。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN97106255A CN1062317C (zh) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN97106255A CN1062317C (zh) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1189545A true CN1189545A (zh) | 1998-08-05 |
| CN1062317C CN1062317C (zh) | 2001-02-21 |
Family
ID=5168514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN97106255A Expired - Fee Related CN1062317C (zh) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1062317C (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001907A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Shanghai Institute Of Optics And Fine Mechanics Chinese Academy Of Sciences | THE METHOD OF PREPARING COMPOSITE SUBSTRATE MATERIALS OF Ϝ-LiAlO2 /α-Al2O3 |
| CN1308499C (zh) * | 2005-02-23 | 2007-04-04 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 掺钛铝酸锂晶片的制备方法 |
| CN100338268C (zh) * | 2004-04-09 | 2007-09-19 | 日立电线株式会社 | 化合物半导体单晶体的制造方法及生长用容器 |
| CN101892514A (zh) * | 2010-07-20 | 2010-11-24 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 |
| CN114369871A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-19 | 广西大学 | 一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1295385C (zh) * | 2003-07-29 | 2007-01-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 球冠形异型晶体的生长方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03199199A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ランタンガレート単結晶基板およびランタンガレート単結晶ならびにランタンガレート単結晶基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-01-30 CN CN97106255A patent/CN1062317C/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005001907A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-06 | Shanghai Institute Of Optics And Fine Mechanics Chinese Academy Of Sciences | THE METHOD OF PREPARING COMPOSITE SUBSTRATE MATERIALS OF Ϝ-LiAlO2 /α-Al2O3 |
| CN100338268C (zh) * | 2004-04-09 | 2007-09-19 | 日立电线株式会社 | 化合物半导体单晶体的制造方法及生长用容器 |
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| CN101892514A (zh) * | 2010-07-20 | 2010-11-24 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 |
| CN101892514B (zh) * | 2010-07-20 | 2012-05-30 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 硝酸钠单晶的坩埚下降法生长工艺 |
| CN114369871A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-19 | 广西大学 | 一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1062317C (zh) | 2001-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |