CN117812804A - 电路板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电路板及其制造方法。电路板包含主体基板及设置在主体基板上的复合膜。主体基板包含第一介质层、在第一介质层上的绝缘层、电子元件、在电子元件上的接垫以及在接垫上的纳米双晶金属层。复合膜包含在接垫上的线路层、在线路层上的第二介质层、在第二介质层上的高频屏蔽层、在高频屏蔽层上的导电粘着层及在导电粘着层上的低频屏蔽层。电路板利用导电粘着层连接高频屏蔽层及低频屏蔽层，以使电路板可有效地屏蔽高频信号及低频信号的电磁波，并利用纳米双晶金属层连接主体基板及复合膜，以提升结构强度及导电特性。

Description

电路板及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种电路板及其制造方法，特别是关于一种屏蔽电磁波的电路板及其制造方法。

背景技术

电子设备产生的信号包含高频信号及低频信号，且其均会产生电磁波。每一个电子设备产生的电磁波可能对彼此造成干扰，即所谓电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)。因此，为了减少电磁干扰的问题，须改善电子元件的电磁屏蔽效果。

发明内容

本发明的一态样是提供一种电路板，其包含利用导电粘着层连接高频屏蔽层及低频屏蔽层，以使电路板可有效地屏蔽高频信号及低频信号的电磁波。

本发明的另一态样是提供一种电路板的制造方法。

根据本发明的一态样，提供一种电路板，其包含主体基板及设置在主体基板上的复合膜。主体基板包含第一介质层、设置在第一介质层上的绝缘层、电子元件、设置在电子元件上的接垫以及分别设置在接垫上的纳米双晶金属层。电子元件设置在第一介质层上且在绝缘层中。复合膜包含设置在接垫上并连接接垫的线路层、设置在线路层上的第二介质层、设置在第二介质层上的高频屏蔽层、设置在高频屏蔽层上的导电粘着层及设置在导电粘着层上的低频屏蔽层。

根据本发明的一实施例，所述复合膜还包含设置在低频屏蔽层上的第三介质层。

根据本发明的一实施例，所述线路层包含石墨烯线路层。

根据本发明的一实施例，所述线路层包含石墨烯层及铜线路层。铜线路层设置在石墨烯层下，并完全覆盖石墨烯层。铜线路层包含纳米双晶铜层，且纳米双晶铜层连接所述纳米双晶金属层。

根据本发明的一实施例，所述线路层包含石墨烯线路层及铜线路层。铜线路层在部分石墨烯线路层下，且铜线路层包含纳米双晶铜层。

根据本发明的一实施例，上述电路板还包含设置在复合膜中的多个导电通孔。导电通孔穿过所述低频屏蔽层与所述第二介质层。

根据本发明的一实施例，上述电路板还包含设置在复合膜中的多个绝缘树脂。绝缘树脂包覆导电通孔的部分。

根据本发明的另一态样，提供一种电路板的制造方法，其包含提供主体基板。主体基板包含第一介质层、设置在第一介质层上的绝缘层及电子元件。电子元件设置在第一介质层上且在绝缘层中。方法包含形成接垫在所述电子元件上，其中每一个接垫上具有纳米双晶金属层。方法还包含提供复合膜。复合膜包含复合金属层、设置在复合金属层上的石墨烯层、设置在石墨烯层上的第二介质层、设置在第二介质层上的高频屏蔽层、设置在高频屏蔽层上的导电粘着层及设置在导电粘着层上的低频屏蔽层。前述复合金属层包含金属层及在金属层下的纳米双晶金属层。方法还包含图案化复合金属层及石墨烯层，以形成线路层；形成多个导电通孔在复合膜中；以及压合复合膜及主体基板，以使线路层连接在接垫上。所述导电通孔穿过所述低频屏蔽层与所述第二介质层。

根据本发明的一实施例，在形成所述多个导电通孔之前，上述方法还包含在所述复合膜中形成多个第一开口，其中第一开口自低频屏蔽层延伸至高频屏蔽层；以及填充绝缘树脂材料至第一开口中。

根据本发明的一实施例，形成所述多个导电通孔的步骤包含在绝缘树脂材料中形成第二开口，其中第二开口自低频屏蔽层延伸至第二介质层；以及填充导电材料至第二开口中。

根据本发明的一实施例，所述复合膜还包含设置在低频屏蔽层上的第三介质层。所述多个导电通孔穿过第三介质层延伸至第二介质层。

根据本发明的一实施例，图案化所述石墨烯层的步骤包含等离子体蚀刻所述石墨烯层。

应用本发明的电路板及其制造方法，其利用导电粘着层连接高频屏蔽层及低频屏蔽层，以使电路板可有效地屏蔽高频信号及低频信号的电磁波，并利用纳米双晶金属层连接主体基板及复合膜，以提升结构强度及导电特性。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本发明的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1绘示根据本发明一些实施例的电路板的剖面视图。

图2绘示根据本发明另一些实施例的电路板的剖面视图。

图3绘示根据本发明另一些实施例的电路板的剖面视图。

图4A至图4E绘示根据本发明一些实施例的电路板的制造过程的中间阶段的剖面视图。

图5A及图5B绘示根据本发明另一些实施例的电路板在制作线路层阶段的剖面视图。

图6A及图6B绘示根据本发明另一些实施例的电路板在制作线路层阶段的剖面视图。

具体实施方式

本发明提供许多不同实施例或例示，以实施发明的不同特征。以下叙述的元件和配置方式的特定例示是为了简化本发明。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。除此之外，本发明在各种具体例中重复元件符号及/或字母。此重复的目的是为了使说明简化且清晰，并不表示各种讨论的实施例及/或配置之间有关系。

再者，空间相对性用语，例如“下方(beneath)”、“在…之下(below)”、“低于(lower)”、“在…之上(above)”、“高于(upper)”等，是为了易于描述附图中所绘示的零件或特征和其他零件或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本发明所用的空间相对性描述也可以如此解读。

如本发明所使用的“大约(around)”、“约(about)”、“近乎(approximately)”或“实质上(substantially)”一般代表在所述的数值或范围的百分之20以内、或百分之10以内、或百分之5以内。

由于铜在应用于传送高频信号时会因集肤效应(skin effect)而造成信号损失。因此本发明提供一种电路板及其制造方法，其可根据需求制作成高频信号线路、低频信号线路或前述的组合的线路层。另外，一般利用铜或纳米铜做为线路层之间的接合材料时，会分别有机械强度不足或导电性不佳的问题。因此，本发明利用纳米双晶铜连接线路层，以达到更有效的电导通。

请参阅图1，其绘示根据本发明一些实施例的电路板100的剖面视图。电路板100包含主体基板101及设置在主体基板101上的复合膜103。主体基板101包含第一介质层110、设置在第一介质层110上的绝缘层120及电子元件115。在一些实施例中，绝缘层120包含热塑性材料。电子元件115设置在第一介质层110上，且在绝缘层120中。再者，接垫130设置在电子元件115上，且每一个接垫130上还设有纳米双晶金属层135。

在一些实施例中，纳米双晶金属层135包含纳米双晶铜或纳米双晶金，其有助于热传导及线路层140(后续说明)与电子元件115之间的接合。在一些实施例中，纳米双晶金属层135可利用电镀(plating)(例如直流电镀、高速脉冲电镀或前述的组合)、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)的方式形成，其中物理气相沉积例如是溅镀(sputtering)或蒸镀。以纳米双晶铜为例，纳米双晶铜的强度及延展性皆优于纳米铜及晶粒铜，且适合塑性加工。再者，纳米双晶铜的导电特性比纳米铜优异，并与晶粒铜差异不大，故可应用于电性连接。

在一些实施例中，纳米双晶金属层135可利用电镀装置来制造，其中电镀装置包括阳极、阴极及电源供应器，并可盛装电镀液，而电源供应器分别连接阳极及阴极，且阳极及阴极浸泡于电镀液中。阴极为表面具有金属层的基板或金属基板，以在其表面成长纳米双晶金属层。电镀液包含金属盐类、酸性溶液及可提供氯离子的原料。若要制造纳米双晶铜，则使用的金属盐类可为硫酸铜或甲基磺酸铜；若要制造纳米双晶金，则使用的金属盐类可为硫酸金、亚硫酸金。酸性溶液可为有机酸或无机酸，例如硫酸、甲基磺酸、盐酸、氯酸或前述的组合。此外，可参照中国专利公开号CN 105332020A、CN 102400188A及CN 1498987A提供的方法制备纳米双晶金属层135。

电路板100的复合膜103包含线路层140、设置在线路层140上的第二介质层150、设置在第二介质层150上的高频屏蔽层155、设置在高频屏蔽层155上的导电粘着层160及设置在导电粘着层160上的低频屏蔽层165。线路层140可利用接垫130及纳米双晶金属层135与电子元件115电性连接。在一些实施例中，如图1所示，线路层140包含石墨烯线路层。由于石墨烯具有较高的电迁移率，较能降低高频信号传送时的信号损失，即较适用于传送高频信号。

在一些实施例中，第二介质层150设置在线路层140及部分绝缘层120上。第二介质层150包含绝缘线路及屏蔽层，以保护线路层140。在一些实施例，高频屏蔽层155包含合金网栅，其可为镍、铬、铜、银、金及前述材料的任意组合。在一些实施例，高频屏蔽层155可利用化学镀、物理气相沉积(例如蒸镀或溅镀)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或电镀的方法形成。在一些实施例中，低频屏蔽层165包含碳纤维复合材料。导电粘着层160是用以电性连接高频屏蔽层155及低频屏蔽层165，且有助于高频屏蔽层155及低频屏蔽层165之间的粘着。在一些实施例中，导电粘着层160包含导电粒子，例如银、镍、铜、镍金合金或前述的任意组合。

在一些实施例中，复合膜103还包含设置在低频屏蔽层165上的第三介质层170，以用于保护高频屏蔽层155及低频屏蔽层165。

在一些实施例中，电路板100还包含设置在复合膜103中的导电通孔180及绝缘树脂185。绝缘树脂185包覆导电通孔180的部分。在一些实施例中，导电通孔180穿过低频屏蔽层165及第二介质层150。在另一些实施例中，导电通孔180自第三介质层170延伸穿过第二介质层150并接触线路层140。在一些实施例中，绝缘树脂185自第三介质层170延伸至高频屏蔽层155，且可以不穿过第二介质层150。在一些实施例中，可选择性地形成接垫180A在导电通孔180的顶部，并暴露于第三介质层170(或低频屏蔽层165)的上表面。

请参阅图2，其绘示根据本发明一些实施例的电路板200的剖面视图。电路板200包含主体基板201及设置在主体基板201上的复合膜203。主体基板201包含第一介质层210、设置在第一介质层210上的绝缘层220及电子元件215。在一些实施例中，绝缘层220包含热塑性材料。电子元件215设置在第一介质层210上，且在绝缘层220中。再者，接垫230设置在电子元件215上，且每一个接垫230上还设有纳米双晶金属层(图未绘示)，其中接垫230上的纳米双晶金属层如同图1所示的纳米双晶金属层135。

电路板200的复合膜203包含线路层240、设置在线路层240上的第二介质层250、设置在第二介质层250上的高频屏蔽层255、设置在高频屏蔽层255上的导电粘着层260及设置在导电粘着层260上的低频屏蔽层265。线路层240包含金属线路层(例如铜线路层)242及石墨烯线路层244，且金属线路层242完全覆盖石墨烯线路层244的底面。在一些实施例中，金属线路层242还包含在底面的纳米双晶金属层(例如纳米双晶铜)，故可与电子元件215上具有相同材料的纳米双晶金属层更有效地接合。如图2所示的线路层240主要是利用金属线路层242进行低频信号的传送。

在一些实施例中，第二介质层250设置在线路层240及部分绝缘层220上。第二介质层250包含绝缘线路及屏蔽层，以保护线路层240。在一些实施例，高频屏蔽层255包含合金网栅，其可为镍、铬、铜、银、金及前述材料的任意组合。在一些实施例，高频屏蔽层255可利用化学镀、物理气相沉积(例如蒸镀或溅镀)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或电镀的方法形成。在一些实施例中，低频屏蔽层265包含碳纤维复合材料。导电粘着层260是用以电性连接高频屏蔽层255及低频屏蔽层265，且有助于高频屏蔽层255及低频屏蔽层265之间的粘着。在一些实施例中，导电粘着层260包含导电粒子，例如银、镍、铜、镍金合金或前述材料的任意组合。

在一些实施例中，复合膜203还包含设置在低频屏蔽层265上的第三介质层270，以用于保护高频屏蔽层255及低频屏蔽层265。

在一些实施例中，电路板200还包含设置在复合膜中的导电通孔280及绝缘树脂285。绝缘树脂285包覆导电通孔280的部分。在一些实施例中，导电通孔280穿过低频屏蔽层265及第二介质层250。在另一些实施例中，导电通孔280自第三介质层270延伸穿过第二介质层250并接触线路层240。在一些实施例中，绝缘树脂285自第三介质层270延伸至高频屏蔽层255，且可以不穿过第二介质层250。在一些实施例中，可选择性地形成接垫280A在导电通孔280的顶部，并暴露于第三介质层270的上表面。

请参阅图3，其绘示根据本发明一些实施例的电路板300的剖面视图。电路板300包含主体基板301及设置在主体基板301上的复合膜303。主体基板301包含第一介质层310、设置在第一介质层310上的绝缘层320及电子元件315。在一些实施例中，绝缘层320包含热塑性材料。电子元件315设置在第一介质层310上，且在绝缘层320中。再者，接垫330设置在电子元件315上，且每一个接垫330上还设有纳米双晶金属层335。须注意的是，图3中仅绘示一个接垫330上具有纳米双晶金属层335，在另一端的接垫330上的纳米双晶金属层335因为与金属线路层342下方的纳米双晶铜层接合，故未绘示于图3。

电路板300的复合膜303包含线路层340、设置在线路层340上的第二介质层350、设置在第二介质层350上的高频屏蔽层355、设置在高频屏蔽层355上的导电粘着层360及设置在导电粘着层360上的低频屏蔽层365。线路层340包含金属线路层342及石墨烯线路层344，且金属线路层342仅在部分石墨烯线路层344下方。在一些实施例中，金属线路层342还包含在底面的纳米双晶金属层(例如纳米双晶铜)，故可与接垫330上的纳米双晶金属层335接合。如图3所示的线路层340主要是利用在接垫330的一侧上的金属线路层342进行低频信号的传送，并利用在另一个接垫330的一侧上的石墨烯线路层344进行高频信号的传送。

在一些实施例中，第二介质层350设置在线路层340及部分绝缘层320上。第二介质层350包含绝缘线路及屏蔽层，以保护线路层340。在一些实施例，高频屏蔽层355包含合金网栅，其可为镍、铬、铜、银、金及前述材料的任意组合。在一些实施例，高频屏蔽层355可利用化学镀、物理气相沉积(例如蒸镀或溅镀)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或电镀的方法形成。在一些实施例中，低频屏蔽层365包含碳纤维复合材料。导电粘着层360是用以电性连接高频屏蔽层355及低频屏蔽层365，且有助于高频屏蔽层355及低频屏蔽层365之间的粘着。在一些实施例中，导电粘着层360包含导电粒子，例如银、镍、铜、镍金合金或前述的任意组合。

在一些实施例中，复合膜303还包含设置在低频屏蔽层365上的第三介质层370，以用于保护高频屏蔽层355及低频屏蔽层365。

在一些实施例中，电路板300还包含设置在复合膜303中的导电通孔380及绝缘树脂385。绝缘树脂385包覆导电通孔380的部分。在一些实施例中，导电通孔380穿过低频屏蔽层365及第二介质层350。在另一些实施例中，导电通孔380自第三介质层370延伸穿过第二介质层350并接触线路层340。在一些实施例中，绝缘树脂385自第三介质层370延伸至高频屏蔽层355，且可以不穿过第二介质层350。在一些实施例中，可选择性地形成接垫380A在导电通孔380的顶部，并暴露于第三介质层370(或低频屏蔽层365)的上表面。

请参阅图4A至图4E，其绘示根据本发明一些实施例的电路板100的制造过程的中间阶段的剖面视图。首先，请参阅图4A，提供复合膜103。复合膜103包含复合金属层141、在复合金属层141上的石墨烯层145、在石墨烯层上的第二介质层150、在第二介质层上的高频屏蔽层155、在高频屏蔽层155上的导电粘着层160及在导电粘着层160上的低频屏蔽层165。复合金属层141包含金属层143及在金属层143下的纳米双晶金属层143A。在一些实施例中，复合膜103可选择性地包含在低频屏蔽层165上的第三介质层170。

接着，请参阅图4B。移除整个复合金属层141(参照图4A)，并图案化石墨烯层145(参照图4A)，以形成线路层140。在一些实施例中，图案化石墨烯层145的步骤可利用氧气等离子体蚀刻进行。

请参阅图4C，在复合膜103中形成多个第一开口O1。在一些实施例中，第一开口O1自第三介质层170(若存在的话)或低频屏蔽层165延伸至高频屏蔽层155，以暴露出部分第二介质层150。接着，请参阅图4D，填充绝缘树脂185至第一开口O1(参照图4C)中，并在绝缘树脂185中形成第二开口O2，其中第二开口O2的宽度小于第一开口O1的宽度。在一些实施例中，第二开口O2自第三介质层170(若存在的话)或低频屏蔽层165延伸至第二介质层150，以暴露出部分线路层140。

请参阅图4E，填充导电材料至第二开口O2内，以形成导电通孔180，故导电通孔180穿过第三介质层170(若存在的话)或低频屏蔽层165及第二介质层150，以电性连接线路层140。在一些实施例中，填充导电材料的步骤可利用电镀与化学镀的方法来进行。在一些实施例中，在形成导电通孔180时可选择性地形成接垫180A在导电通孔180及绝缘树脂185的顶部上。

另外，提供主体基板101。主体基板101包含第一介质层110、在第一介质层110上的绝缘层120及在第一介质层110上且在绝缘层120中的电子元件115。然后，形成接垫130在电子元件115上，并形成纳米双晶金属层135在接垫130上。之后，压合图4E中的主体基板101及复合膜103，以使线路层140连接在接垫130及纳米双晶金属层135上，即可获得图1所示的电路板100。

请参阅图5A及图5B，其绘示根据本发明一些实施例的电路板200在制作线路层240阶段的剖面视图。图5A所示的结构是由类似图4A的复合膜203开始制作。进行曝光显影来图案化复合金属层(图未标示)，以形成包含纳米双晶金属线路层242A的金属线路层242。接着，如图5B所示，进行等离子体蚀刻来图案化石墨烯层245，以形成石墨烯线路层244。金属线路层242、纳米双晶金属线路层242A及石墨烯线路层244形成为线路层240。接着，再利用相似于图4C至图4E所示的流程，将主体基板101(参照图4E)与复合膜203热压接合，即可制得图2所示的电路板200。

补充说明的是，在纳米双晶金属线路层242A与接垫230上的纳米双晶金属层皆为纳米双晶铜的一些实施例中，纳米双晶金属线路层242A与接垫230上的纳米双晶金属线路层利用热压接合时，可使两边的铜原子在接合接口中相互扩散，且在扩散过程中会伴随晶粒的生长而完成接口接合。温度愈高时，铜原子扩散速度愈快，则可愈快完成接合。

请参阅图6A及图6B，其绘示根据本发明一些实施例的电路板300在制作线路层340阶段的剖面视图。图6A所示的结构是由类似图4A的复合膜303开始制作。进行曝光显影来图案化复合金属层(图未标示)，以形成包含纳米双晶金属线路层342A的金属线路层342，并移除一部分的复合金属层，以暴露出部分的石墨烯层345。接着，如图6B所示，进行等离子体蚀刻来图案化石墨烯层345(参照图6A)，以形成石墨烯线路层344。金属线路层342、纳米双晶金属线路层342A及石墨烯线路层344形成为线路层340。接着，再利用相似于图4C至图4E所示的流程，将主体基板101(参照图4E)与复合膜303热压接合，即可制得图3所示的电路板300。

如上所述，本发明提供一种电路板及其制造方法，其可根据需求制作成高频信号线路、低频信号线路或前述的组合的线路层。再者，利用导电粘着层电性连接的高频屏蔽层及低频屏蔽层可有效达到电磁屏蔽的效果。另外，利用纳米双晶铜连接线路层，以提升电路板的结构强度及导电性。

虽然本发明已以数个实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，在本发明所属技术领域中任何技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

【符号说明】

100,200,300:电路板

101,201,301:主体基板

103,203,303:复合膜

110,210,310:第一介质层

115,215,315:电子元件

120,220,320:绝缘层

130,230,330:接垫

135,335:纳米双晶金属层

140,240,340:线路层

141:复合金属层

143:金属层

143A:纳米双晶金属层

145,245,345:石墨烯层

150,250,350:第二介质层

155,255,355:高频屏蔽层

160,260,360:导电粘着层

165,265,365:低频屏蔽层

170,270,370:第三介质层

180,280,380:导电通孔

180A,280A,380A:接垫

185,285,385:绝缘树脂

242,342:金属线路层

242A,342A:纳米双晶金属线路层

244,344:石墨烯线路层

O1:第一开口

O2:第二开口。

Claims (12)

1.一种电路板，其特征在于，包含：

主体基板，包含：

第一介质层；

绝缘层，设置在所述第一介质层上；

电子元件，设置在所述第一介质层上，且在所述绝缘层中；

多个接垫，设置在所述电子元件上；及

多个纳米双晶金属层，分别设置在所述接垫上；以及

复合膜，设置在所述主体基板上，其中所述复合膜包含：

线路层，设置在所述多个接垫上，并连接所述多个接垫；

第二介质层，设置在述线路层上；

高频屏蔽层，设置在所述第二介质层上；

导电粘着层，设置在所述高频屏蔽层上；及

低频屏蔽层，设置在所述导电粘着层上。

2.根据权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述复合膜还包含：

第三介质层，设置在所述低频屏蔽层上。

3.根据权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述线路层包含石墨烯线路层。

4.根据权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述线路层包含石墨烯层及铜线路层，所述铜线路层设置在所述石墨烯层下，并完全覆盖所述石墨烯层，所述铜线路层包含纳米双晶铜层，且所述纳米双晶铜层连接所述多个纳米双晶金属层。

5.根据权利要求1所述的电路板，其特征在于，所述线路层包含石墨烯线路层及铜线路层，所述铜线路层在部分所述石墨烯线路层下，且所述铜线路层包含纳米双晶铜层。

6.根据权利要求1所述的电路板，其特征在于，还包含：

多个导电通孔，设置在所述复合膜中，其中所述多个导电通孔穿过所述低频屏蔽层与所述第二介质层。

7.根据权利要求6所述的电路板，其特征在于，还包含：

多个绝缘树脂，设置在所述复合膜中，其中所述多个绝缘树脂包覆所述多个导电通孔的部分。

8.一种电路板的制造方法，其特征在于，包含：

提供主体基板，其中所述主体基板包含：

第一介质层；

绝缘层，设置在所述第一介质层上；及

电子元件，设置在所述第一介质层上，且在所述绝缘层中；

形成多个接垫在所述电子元件上，其中所述多个接垫的每一者上具有纳米双晶金属层；

提供复合膜，其中所述复合膜包含：

复合金属层，其中所述复合金属层包含金属层及在所述金属层下的纳米双晶金属层；

石墨烯层，设置在所述复合金属层上；

第二介质层，设置在述石墨烯层上；

高频屏蔽层，设置在所述第二介质层上；

导电粘着层，设置在所述高频屏蔽层上；及

低频屏蔽层，设置在所述导电粘着层上；

图案化所述复合金属层及所述石墨烯层，以形成线路层；

形成多个导电通孔在所述复合膜中，其中所述多个导电通孔穿过所述低频屏蔽层与所述第二介质层；以及

压合所述复合膜及所述主体基板，以使所述线路层连接在所述接垫上。

9.根据权利要求8所述的电路板的制造方法，其特征在于，在形成所述多个导电通孔之前，还包含：

在所述复合膜中形成多个第一开口，其中所述多个第一开口自所述低频屏蔽层延伸至所述高频屏蔽层；以及

填充多个绝缘树脂材料至所述多个第一开口中。

10.根据权利要求9所述的电路板的制造方法，其特征在于，形成所述多个导电通孔的步骤包含：

在所述多个绝缘树脂材料中形成多个第二开口，其中所述多个第二开口自所述低频屏蔽层延伸至所述第二介质层；以及

填充多个导电材料至所述多个第二开口中。

11.根据权利要求8所述的电路板的制造方法，其特征在于，所述复合膜还包含：

第三介质层，设置在所述低频屏蔽层上，且所述多个导电通孔穿过所述第三介质层延伸至所述第二介质层。

12.根据权利要求8所述的电路板的制造方法，其特征在于，图案化所述石墨烯层的步骤包含：

等离子体蚀刻所述石墨烯层。