CN117410405A - 深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外led - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED，所述深紫外发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够提高外延层晶体质量，释放双轴应力，降低外延层缺陷密度，提升紫外发光二极管的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法、深紫外LED。
背景技术
随着Ⅲ族氮化物半导体材料AlGaN的成功制备，与之相关的光电子器件得到了广泛研究。AlGaN基深紫外发光二极管因其短波长的特殊性，在消毒杀菌、皮肤治疗、空气及水资源净化等领域得到了大量应用。近年来随着科研水平的不断提高，AlGaN基深紫外LED的制备取得了一些重要的突破和进展，但其发光效率和功率对于满足目前商用化LED的标准仍有较大差距，还存在如高Al组分AlGaN薄膜的缺陷密度高、空穴注入效率低等技术难题急需解决，因此AlGaN材料结晶质量的提高成为了最为重要的研究课题.。
目前对于制备高质量的高Al组分的AlGaN材料仍有较大的困难，主要原因在于Al原子的粘滞系数过大，在衬底表面迁移困难，难以实现二维生长模式，从而无法获得表面平整且结晶质量高的AlGaN材料。在以往的研究中，研究人员提出了在蓝宝石衬底上插入GaN或AlN复合缓冲层来外延AlGaN材料。对于GaN/蓝宝石基板，由于GaN与高Al组分的AlGaN材料存在较大的晶格失配，AlGaN材料在外延过程中会产生较大的双轴张应力，因此会导致材料开裂机率的上升。同时，GaN相对于高Al组分的AlGaN材料，拥有较低的禁带宽度，对于短波长的深紫外发光会有吸收作用，从而降低了LED的发光效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种深紫外发光二极管外延片，其能够提高外延层晶体质量，释放双轴应力，降低外延层缺陷密度，提升紫外发光二极管的发光效率。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，其工艺简单，能够稳定制得发光效率良好的深紫外发光二极管外延片。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种深紫外发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
在一种实施方式中，所述AlN层的厚度为150nm～250nm；
所述AlN层采用下述方法制得：
先在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。
在一种实施方式中，所述高温退火处理的温度为1600℃～1700℃，处理时间为3h～3.5h。
在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，交叠周期数为3～5；
Mg掺杂AlGaN层的厚度为50nm～100nm；
所述BN层的厚度为1nm～10nm。
在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；
所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度沿生长方向呈梯形变化，Mg掺杂浓度沿生长方向先升高后维持恒定后下降。
在一种实施方式中，所述Si掺杂AlGaN层的厚度为1nm～10nm；
所述Si掺杂AlGaN层的Si掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；
所述SiN层的厚度为1nm～50nm。
为解决上述问题，本发明还提供了一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
在一种实施方式中，所述AlN层采用下述方法制得：
在高纯度氮气反应气氛中，保持基板温度在600℃～700℃，RF功率为715W～800W，基板与靶材之间的距离为5cm～7cm，在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。
在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr；
所述Si掺杂AlGaN层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr；
所述SiN层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr。
相应地，本发明还提供了一种深紫外LED，所述深紫外LED包括上述的深紫外发光二极管外延片。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明提供的深紫外发光二极管外延片，其具有特定结构的复合缓冲层，所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
首先，所述AlN层为经过高温退火处理的AlN层，通过高温热退火使柱状结构的AlN发生聚结，消除了溅射的AlN层中晶粒的倾斜和扭曲成分，导致衬底与外延层之间边界产生位错点的湮没，从而提高了AlN层的结晶度。
之后，在所述AlN层上生长Mg掺杂AlGaN层，通过大角度的位错倾斜进行了较大的应变弛豫，释放了大量残余应力，获得了面内应力很小的AlGaN层，减少了位错的产生，同时Mg掺杂产生的空穴可以减少由衬底带来的电子迁移，减少漏电通道，增强抗静电能力，可以有效的降低N型AlGaN层电阻率，降低发光二极管的工作电压。
然后，在Mg掺杂AlGaN层后沉积BN层，通过BN层引入张应力平衡AlGaN层累积的压应力。所述Mg掺杂AlGaN层和BN层交替层叠，可以不断地扭曲与Mg掺杂AlGaN层界面的压力，减少位错点的产生，提高Mg掺杂AlGaN层的晶体质量。
最后，沉积Si掺杂AlGaN层和SiN层，降低电阻率，降低复合缓冲层的缺陷密度，减少缺陷产生的非辐射复合，阻挡位错线的延伸方向，提高发光二极管的发光效率。
附图说明
图1为本发明提供的深紫外发光二极管外延片的结构示意图；
图2为本发明提供的深紫外发光二极管外延片的制备方法的流程图；
图3为本发明提供的深紫外发光二极管外延片的制备方法的步骤S2的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
除非另外说明或存在矛盾之处，本文中使用的术语或短语具有以下含义：
本发明中，“优选”仅为描述效果更好的实施方式或实施例，应当理解，并不构成对本发明保护范围的限制。
本发明中，以开放式描述的技术特征中，包括所列举特征组成的封闭式技术方案，也包括包含所列举特征的开放式技术方案。
本发明中，涉及到数值区间，如无特别说明，则包括数值区间的两个端点。
为解决上述问题，本发明提供了一种深紫外发光二极管外延片，如图1所示，包括衬底100，所述衬底100上依次设有复合缓冲层200、非掺杂AlGaN层300、N型AlGaN层400、有源层500、电子阻挡层600、P型AlGaN层700和P型接触层800；
所述复合缓冲层200包括依次沉积在所述衬底100上的AlN层210、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层220、Si掺杂AlGaN层230和SiN层240。
所述复合缓冲层200的具体结构如下：
在一种实施方式中，所述AlN层210的厚度为150nm～250nm；所述AlN层210的示例性长度为160nm、170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm、230nm、240nm，但不限于此。
在一种实施方式中，所述AlN层210采用下述方法制得：先在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。优选地，所述AlN层210利用RF磁控管反应性溅射法制备得到，在高纯度氮气反应气氛中，保持基板温度在600℃～700℃，RF功率为715W～800W，基板与靶材之间的距离为5cm～7cm，在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。将两个衬底的AlN层面对面贴合后至于高温条件下进行高温退火处理，能够有效地防止在高温退火期间AlN层的热分解。优选地，所述高温退火处理的温度为1600℃～1700℃，处理时间为3h～3.5h。高温退火处理完成后，在0.4～0.6小时内迅速冷却至室温，再转移至MOCVD中制备后续的外延层。本发明的所述AlN层200在上述高温退火处理条件下，能够通过高温热退火使柱状结构的AlN发生聚结，消除了溅射的AlN层中晶粒的倾斜和扭曲成分，导致衬底与外延层之间边界产生位错点的湮没，从而提高了AlN层的结晶度。
在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层220包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，交叠周期数为3～5；所述Mg掺杂AlGaN层的厚度为50nm～100nm；所述Mg掺杂AlGaN层的示例性厚度为60nm、70nm、80nm、90nm，但不限于此；所述所述BN层的厚度为1nm～10nm；所述BN层的示例性厚度为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层220中，所述Mg掺杂AlGaN层紧接着所述AlN层生长，其通过大角度的位错倾斜进行了较大的应变弛豫，释放了大量残余应力，获得了面内应力很小的AlGaN层，减少了位错的产生，同时Mg掺杂产生的空穴可以减少由衬底带来的电子迁移，减少漏电通道，增强抗静电能力，可以有效的降低N型AlGaN层电阻率，降低发光二极管的工作电压。然后，在Mg掺杂AlGaN层后沉积BN层，通过BN层引入张应力平衡AlGaN层累积的压应力。所述Mg掺杂AlGaN层和BN层交替层叠，可以不断地扭曲与Mg掺杂AlGaN层界面的压力，减少位错点的产生，提高Mg掺杂AlGaN层的晶体质量。
进一步地，在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；优选地，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度沿生长方向呈梯形变化，Mg掺杂浓度沿生长方向先升高后维持恒定后下降，这样可以进一步提高Mg掺杂AlGaN层的晶体质量。
在一种实施方式中，所述Si掺杂AlGaN层230的厚度为1nm～10nm；所述Si掺杂AlGaN层230的示例性厚度为2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm，但不限于此。在一种实施方式中，所述Si掺杂AlGaN层230的Si掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；优选地，所述Si掺杂AlGaN层230的Si掺杂浓度为2×1015atoms/cm3～9×1015atoms/cm3。所述SiN层240的厚度为1nm～50nm。所述SiN层240的示例性厚度为5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm，但不限于此。所述Si掺杂AlGaN层230和SiN层240能够降低电阻率，降低复合缓冲层的缺陷密度，减少缺陷产生的非辐射复合，阻挡位错线的延伸方向，提高发光二极管的发光效率。
相应地，本发明提供了一种深紫外发光二极管外延片的制备方法，如图2所示，包括以下步骤：
S1、准备衬底100；
在一种实施方式中，衬底选自(0001)面蓝宝石衬底、AlN衬底、(111)面Si衬底、(0001)面SiC衬底。优选地，衬底选用Si衬底。
S2、在所述衬底100上依次沉积复合缓冲层200、非掺杂AlGaN层300、N型AlGaN层400、有源层500、电子阻挡层600、P型AlGaN层700和P型接触层800。
如图3所示，所述步骤S2具体包括以下步骤：
S21、在衬底100上沉积复合缓冲层200。
所述复合缓冲层200包括依次沉积在所述衬底100上的AlN层210、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层220、Si掺杂AlGaN层230和SiN层240。
在一种实施方式中，所述AlN层210采用下述方法制得：
在高纯度氮气反应气氛中，保持基板温度在600℃～700℃，RF功率为715W～800W，基板与靶材之间的距离为5cm～7cm，在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理；
优选地，所述AlN层210利用RF磁控管反应性溅射法制备得到，在高纯度氮气反应气氛中，保持基板温度在600℃～700℃，RF功率为715W～800W，基板与靶材之间的距离为5cm～7cm，在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理；其中，所述高温退火处理的温度为1600℃～1700℃，处理时间为3h～3.5h。
在一种实施方式中，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层220采用下述方法制得：
先将反应室的温度控制在900℃～1300℃，压力控制为50torr～500torr，通入N源、Ga源、Al源、Mg源，生长Mg掺杂AlGaN层；
然后将反应室的温度控制在900℃～1300℃，压力控制为50torr～500torr，通入N源、B源，生长BN层；
交替层叠所述Mg掺杂AlGaN层和BN层，得到所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层。
在一种实施方式中，所述Si掺杂AlGaN层230采用下述方法制得：
先将反应室的温度控制在900℃～1300℃，压力控制为50torr～500torr，通入N源、Ga源、Al源、Si源，生长Si掺杂AlGaN层。
在一种实施方式中，所述SiN层240采用下述方法制得：
先将反应室的温度控制在900℃～1300℃，压力控制为50torr～500torr，通入N源、Si源，生长SiN层。
S22、在复合缓冲层200上沉积非掺杂AlGaN层300。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1000℃～1300℃，压力控制为50torr～500torr，通入N源、Ga源、Al源，生长厚度为1μm～5μm的非掺杂AlGaN层。
S23、在非掺杂AlGaN层300上沉积N型AlGaN层400。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1000℃～1300℃，压力控制在50torr～500torr，通入N源、Ga源、Al源、Si源，生长所述N型AlGaN层。
S24、在N型AlGaN层400上沉积有源层500。
在一种实施方式中，所述有源层为交替堆叠的AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层，堆叠周期数3～15个；所述AlxGa1-xN量子阱层的生长温度为950℃～1150℃，厚度为2nm～5nm，生长压力为50torr～300torr，x为0.2～0.6；所述AlyGa1-yN量子垒层的生长温度为1000℃～1300℃，厚度为5nm～15nm，生长压力为50torr～300torr，y为0.4～0.8。
S25、在有源层500上沉积电子阻挡层600。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1000℃～1100℃，压力控制在100torr～300torr，通入N源、Al源、Ga源，生长厚度为10nm～100nm的AlGaN电子阻挡层。
S26、在电子阻挡层600上沉积P型AlGaN层700。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在1000℃～1100℃，压力控制在100torr～600torr，通入N源、Al源、Ga源、Mg源，生长厚度为20nm～200nm的P型AlGaN层。优选地，Mg掺杂浓度为1×1019atoms/cm3～5×1020atoms/cm3；Mg掺杂浓度过高会破坏晶体质量，而掺杂浓度较低则会影响空穴浓度。
S27、在P型AlGaN层700上沉积P型接触层800。
在一种实施方式中，将反应室的温度控制在900℃～1100℃，压力控制在100torr～600torr，通入N源、Al源、Ga源、Mg源，生长厚度为5nm～50nm的P型AlGaN接触层。
相应地，本发明还提供了一种深紫外LED，所述深紫外LED包括上述的深紫外发光二极管外延片。所述深紫外LED的光电效率得到有效提升，且其他项电学性能良好。
下面以具体实施例进一步说明本发明：
实施例1
本实施例提供一种深紫外发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
所述AlN层为经高温退火处理的AlN层，具体采用下述方法制得：先在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。其中，所述高温退火处理的温度为1680℃，处理时间为3h。
所述AlN层的厚度为200nm。
所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，交叠周期数为4，所述Mg掺杂AlGaN层的厚度为60nm，所述BN层的厚度为5nm，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度沿生长方向呈梯形变化，Mg掺杂浓度沿生长方向先升高后维持恒定后下降。
所述Si掺杂AlGaN层的厚度为5nm，Si掺杂浓度为5×1015atoms/cm3。
所述SiN层的厚度为6nm。
实施例2
本实施例提供一种深紫外发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述Mg掺杂AlGaN层的厚度为100nm，其余均参照实施例1。
实施例3
本实施例提供一种深紫外发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述BN层的厚度为3nm，其余均参照实施例1。
实施例4
本实施例提供一种深紫外发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述Si掺杂AlGaN层的厚度为8nm，所述SiN层的厚度为8nm，其余均参照实施例1。
实施例5
本实施例提供一种深紫外发光二极管外延片，与实施例1不同之处在于：所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，交叠周期数为5，其余均参照实施例1。
对比例1
本对比例提供一种深紫外发光二极管外延片，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层，其缓冲层为厚度为200nm的AlN层，且未经高温退火处理。
对比例2
本对比例提供一种深紫外发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Si掺杂AlGaN层和SiN层，不包括Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层，其余参照实施例1。
对比例3
本对比例提供一种深紫外发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层和SiN层，不包括Si掺杂AlGaN层，其余参照实施例1。
对比例4
本对比例提供一种深紫外发光二极管外延片，其余实施例1不同之处在于：其复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层，不包括SiN层，其余参照实施例1。
以实施例1～实施例5和对比例1～对比例4制得深紫外发光二极管外延片使用相同芯片工艺条件制备成15mil×15mil芯片，分别抽取300颗LED芯片，在120mA/60mA电流下测试，以对比例1为参照，计算各实施例和对比例的发光效率提升率，具体测试结果如表1所示。
表1实施例1～实施例5和对比例1～对比例4制得LED的性能测试结果
由上述结果可知，本发明提供的深紫外发光二极管外延片，其具有特定结构的复合缓冲层，所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。相较于具有传统缓冲层的发光二极管外延片，本发明提供的深紫外发光二极管外延片能够提高外延层晶体质量，释放双轴应力，降低外延层缺陷密度，提升紫外发光二极管的发光效率。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种深紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述AlN层的厚度为150nm～250nm；
所述AlN层采用下述方法制得：
先在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。
3.如权利要求2所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述高温退火处理的温度为1600℃～1700℃，处理时间为3h～3.5h。
4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层包括交替层叠的Mg掺杂AlGaN层和BN层，交叠周期数为3～5；
Mg掺杂AlGaN层的厚度为50nm～100nm；
所述BN层的厚度为1nm～10nm。
5.如权利要求4所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；
所述Mg掺杂AlGaN层的Mg掺杂浓度沿生长方向呈梯形变化，Mg掺杂浓度沿生长方向先升高后维持恒定后下降。
6.如权利要求1所述的深紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述Si掺杂AlGaN层的厚度为1nm～10nm；
所述Si掺杂AlGaN层的Si掺杂浓度为1×1015atoms/cm3～1×1016atoms/cm3；
所述SiN层的厚度为1nm～50nm。
7.一种如权利要求1～6任一项所述的深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、准备衬底；
S2、在所述衬底上依次沉积复合缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、有源层、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型接触层；
所述复合缓冲层包括依次沉积在所述衬底上的AlN层、Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层、Si掺杂AlGaN层和SiN层。
8.如权利要求7所述的深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述AlN层采用下述方法制得：
在高纯度氮气反应气氛中，保持基板温度在600℃～700℃，RF功率为715W～800W，基板与靶材之间的距离为5cm～7cm，在两个衬底上分别生长AlN层，然后将两个衬底的AlN层面对面贴合，并置于Ar和N2的混合气体中进行高温退火处理。
9.如权利要求7所述的深紫外发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述Mg掺杂AlGaN/BN超晶格层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr；
所述Si掺杂AlGaN层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr；
所述SiN层的生长温度为900℃～1300℃，沉积压力为50torr～500torr。
10.一种深紫外LED，其特征在于，所述深紫外LED包括如权利要求1～6任一项所述的深紫外发光二极管外延片。
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