CN117199203A - 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 23
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 149
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 18
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001814 effect on stress Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Abstract
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。本发明制得的发光二极管能够降低外延层材料所受的应力和缺陷密度，提高多量子阱层的质量，使多量子阱层中的辐射复合效率提升，从而提高发光二极管的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管。
背景技术
目前，以InGaN量子阱为有源层的GaN基LED器件在各领域都有广泛应用，但因缺乏合适的同质外延衬底，GaN通常生长在与其有较大晶格失配的蓝宝石、碳化硅或硅衬底上。GaN与衬底间的晶格失配无疑会形成大量的位错缺陷，从而影响其外延质量。此外，因量子阱有源层InGaN与GaN之间亦存在较大的晶格失配，InGaN量子阱会受到来自GaN的压应力。不论是位错缺陷还是压应力均会对LED器件的性能产生不良影响。因此为了提高发光二极管的发光效率和性能，减小外延层材料所受的应力和降低外延层材料的缺陷密度是十分必要的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种发光二极管外延片，能够降低外延层材料所受的应力和缺陷密度，提高多量子阱层的质量，使多量子阱层中的辐射复合效率提升，从而提高发光二极管的发光效率。
本发明所要解决的技术问题还在于，提供一种发光二极管外延片的制备方法，工艺简单，制得的发光二极管外延片发光效率高。
为达到上述技术效果，本发明提供了一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；
所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。
作为上述技术方案的改进，所述Si掺杂GaN层的厚度为20nm-500nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3；
所述Si掺杂GaN层上设有大小一致且均匀排布的V型孔洞，所述V型孔洞贯穿所述Si掺杂GaN层，所述V型孔洞的密度为2×108cm-2-5×1011cm-2。
作为上述技术方案的改进，所述Si掺杂多孔GaN层的厚度为10nm-180nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3；
所述Si掺杂多孔GaN层上设有大小一致且均匀排布的应力释放孔，所述应力释放孔的密度为2×108cm-2-5×1012cm-2。
作为上述技术方案的改进，所述GaN填平层为非故意掺杂GaN层，所述GaN填平层的厚度为30nm-50nm。
作为上述技术方案的改进，所述InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，周期数为2-10；
所述InGaN层为非故意掺杂InGaN层，所述InGaN层的In组分占比为0.01-0.3，厚度为2.5nm-5nm；所述GaN层的厚度为7nm-16nm，Si掺杂浓度为2×1017cm-3-5×1018cm-3。
作为上述技术方案的改进，所述InGaN层与所述GaN层的厚度比为1:3-1:4。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管外延片的制备方法，用于制备上述的发光二极管外延片，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；
其中，所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。
作为上述技术方案的改进，所述Si掺杂GaN层的生长温度为800℃-950℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述Si掺杂多孔GaN层的生长温度为800℃-950℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述GaN填平层的生长温度为850℃-1050℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，所述InGaN层的生长温度为760℃-850℃，生长压力为20Torr-300Torr，所述GaN层的生长温度为780℃-880℃，生长压力为20Torr-300Torr。
作为上述技术方案的改进，在所述Si掺杂GaN层生长结束后，对其表面进行高温H2处理，处理温度为950℃-1100℃，处理压力为100Torr-500Torr。
相应的，本发明还公开了一种发光二极管，包括上述的发光二极管外延片。
实施本发明实施例，具有如下有益效果：
本发明在N型GaN层和多量子阱层之间生长应力释放层，应力释放层包括依次沉积的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。Si掺杂GaN层和Si掺杂多孔GaN层可以充分释放外延层材料的应力，有效减少后续外延层材料受到大的应力而产生的缺陷，从而提高多量子阱层材料的质量；GaN填平层用于填充应力释放孔，在应力释放孔合并过程中，部分位错缺陷偏折、合并，降低外延层材料的位错密度，从而提高外延材料的质量；此外，Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层和GaN填平层的结构，不仅有利于充分释放外延层材料的应力，同时有效增加了发光二极管所需要的平台量子阱的发光面积，从而提高发光二极管的发光效率。
附图说明
图1是本发明实施例提供的发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的发光二极管外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合具体实施例对本发明作进一步地详细描述。
如图1所示，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，包括衬底100及依次层叠于所述衬底100上的缓冲层200、N型GaN层300、应力释放层400、多量子阱层500、电子阻挡层600和P型GaN层700。
其中，应力释放层400包括依次层叠于所述N型GaN层300上的Si掺杂GaN层401、Si掺杂多孔GaN层402、GaN填平层403和InGaN/GaN超晶格层404。
通过在N型GaN层300和多量子阱层500之间设置应力释放层400，能够降低外延层材料所受的应力和缺陷密度，提高多量子阱层的质量，同时能够有效增加发光二极管所需要的平台量子阱的发光面积，使多量子阱层中的辐射复合效率提升，从而提高发光二极管的发光效率。
在一种实施方式中，所述Si掺杂GaN层401的厚度为20nm-500nm，示例性的，所述Si掺杂GaN层401的厚度为20nm、30nm、50nm、80nm、100nm、200nm、300nm、400nm或500nm，但不限于此。在一种实施方式中，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3，示例性的，Si掺杂浓度为5×1017cm-3、8×1017cm-3、1×1018cm-3、5×1018cm-3或2×1019cm-3，但不限于此。
在一种实施方式中，所述Si掺杂GaN层401上设有均匀排布的V型孔洞10，所述V型孔洞10贯穿所述Si掺杂GaN层401，所述V型孔洞10的密度为2×108cm-2-5×1011cm-2。设置大小一致、排布均匀的多个V型孔洞，可以缓解衬底与外延材料之间的缺陷，提高多量子阱层的生长质量。若V型孔洞10的密度＜2×108cm-2，无法提供足够的孔洞，对应力释放的作用不大；若V型孔洞10的密度＞5×1011cm-2，会造成量子阱层的发光面积过小，不利于提高发光效率。示例性的，所述V型孔洞10的密度为2×108cm-2、5×108cm-2、2×109cm-2、2×1010cm-2、2×1011cm-2或5×1011cm-2，但不限于此。
在一种实施方式中，所述Si掺杂多孔GaN层402的厚度为10nm-180nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3，示例性的，Si掺杂浓度为5×1017cm-3、8×1017cm-3、1×1018cm-3、5×1018cm-3或2×1019cm-3，但不限于此。
在一种实施方式中，所述Si掺杂多孔GaN层402上设有均匀排布的应力释放孔20，所述应力释放孔20的密度为2×108cm-2-5×1012cm-2。通过设置大小一致、排布均匀的多个应力释放孔，可以进一步释放多量子阱层的应力，缓解衬底与外延材料之间的缺陷，提高多量子阱层的生长质量。
依次层叠的Si掺杂GaN层和Si掺杂多孔GaN层结构，可以充分释放外延层材料的应力，能够有效减少后续外延层材料受到大的应力而产生缺陷，从而提高多量子阱层材料的质量。
在一种实施方式中，所述Si掺杂GaN层401沉积结束后，对其表面进行高温H2处理，经过H2处理的Si掺杂GaN层401会形成凹凸不平的粗糙表面，Si掺杂多孔GaN层402沉积于经过高温H2处理后的表面凹凸不平的Si掺杂GaN层401之上，形成应力释放孔，进一步充分释放外延层材料的应力，从而提高外延层材料的质量；同时，对Si掺杂GaN层401表面进行高温H2处理，其表面结晶质量差的材料将被分解，有利于提高后续沉积外延材料的晶体质量。
在一种实施方式中，GaN填平层403的厚度为30nm-50nm，不进行故意掺杂。GaN填平层403为合并层，能够完全填充所述Si掺杂多孔GaN层402中的应力释放孔20，在应力释放孔合并过程中，部分位错缺陷不断的偏折、合并，降低了外延层材料的位错密度，从而提高外延材料的质量。
采用依次层叠的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层和GaN填平层结构，不仅有利于充分释放外延层材料的应力，同时也减少了侧壁量子阱的发光面积，能够有效的增加发光二极管所需要的平台量子阱的发光面积，从而提高发光二极管的发光效率。
在一种实施方式中，所述InGaN/GaN超晶格层404包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，周期数为2-10；所述InGaN层的In组分占比为0.01-0.3，厚度为2.5nm-5nm，不进行故意掺杂；所述GaN层的厚度为7nm-16nm，Si掺杂浓度为2×1017cm-3-5×1018cm-3。
在一种实施方式中，所述InGaN层与GaN层的厚度比为1:3-1:4，通过控制InGaN层与GaN层的厚度比，可以进一步增加多量子阱层的发光效率。示例性的，所述InGaN层与GaN层的厚度比为1:3、1:3.2、1:3.5、1:3.8或1:4，但不限于此。
除了上述应力释放层外，本发明的其它层状结构的特点如下：
在一种实施方式中，所述衬底100为蓝宝石衬底、SiO2/蓝宝石复合衬底、硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、氧化锌衬底中的一种。优选的，衬底100选用蓝宝石衬底。
在一种实施方式中，所述缓冲层200为AlGaN缓冲层或AlN缓冲层。优选的，形核层200为AlN缓冲层，所述缓冲层200的厚度为10nm-50nm。
在一种实施方式中，所述非掺杂GaN层300的厚度为1μm-5μm。
在一种实施方式中，所述N型GaN层400的厚度为2μm-3μm，N型掺杂可以为Si掺杂，Si掺杂浓度为1×1019cm-3-5×1019cm-3。
在一种实施方式中，所述多量子阱层600包括周期性堆叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，堆叠周期为6-12。所述InGaN量子阱层的厚度为2nm-5nm，In组分为0.1-0.3；所述GaN量子垒层的厚度为5nm-15nm。
在一种实施方式中，所述电子阻挡层700为AlInGaN层，所述AlInGaN层的厚度为10nm-40nm，其中Al组分占比为0.01-0.1，In组分占比为0.01-0.2。
在一种实施方式中，所述P型GaN层800的厚度为10nm-50nm，P型掺杂可以为Mg掺杂，Mg掺杂浓度为1×1019cm-3-1×1021cm-3。
相应的，如图2所示，本发明还提供了一种发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100提供一衬底：
选用蓝宝石衬底，将衬底加载至MOCVD中，控制反应室温度为1000℃-1200℃，压力为200Torr-600Torr，在H2气氛下对蓝宝石衬底进行5min-8min的高温退火，对蓝宝石衬底表面的颗粒和氧化物进行清洁。
S200生长缓冲层：
采用PVD生长，控制溅射温度为600℃-900℃，溅射功率为1500W-3000W，靶材为纯铝(纯度99.999％)，溅射反应气体为N2和Ar的混合气体。
S300生长N型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1050℃-1200℃，压力为100Torr-600Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为掺杂源。
S400生长应力释放层，具体的，在一种实施方式中，包括以下步骤：
S401生长Si掺杂GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃-950℃，压力为10Torr-300Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
在一种实施方式中，还包括：
S401a对Si掺杂GaN层表面进行高温H2处理：
所述Si掺杂GaN层沉积结束后，向反应腔中间歇、循环的通入H2、NH3并稳定2min-5min，处理温度为950℃-1100℃，处理压力为100Torr-500Torr。
S402生长Si掺杂多孔GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃-950℃，压力为10Torr-300Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S403生长GaN填平层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为850℃-1050℃，压力为10Torr-300Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S404生长InGaN/GaN超晶格层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为760℃-850℃，压力为20Torr-300Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN层；控制反应室温度为780℃-880℃，保持压力不变，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，生长GaN层；重复层叠周期性生长InGaN层和GaN层。
S500生长多量子阱层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为790-810℃，压力为50-300Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN量子阱层；控制反应室温度为800-900℃，保持压力不变，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TMGa作为Ga源，生长GaN量子垒层；重复层叠周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
S600生长电子阻挡层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为900℃-1000℃，压力为100Torr-300Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入TMAl作为Al源，通入TMIn作为In源。
S700生长P型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为900℃-1050℃，压力为100Torr-600Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入CP2Mg作为掺杂源。
下面以具体实施例进一步阐述本发明。
实施例1
本实施例提供一种发光二极管外延片，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层。
其中，衬底为蓝宝石衬底。
缓冲层为AlN缓冲层，厚度为15nm。
N型GaN层的厚度为2μm，Si掺杂浓度为2.5×1019cm-3。
应力释放层包括Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。Si掺杂GaN层的厚度为100nm，Si掺杂浓度为5×1018cm-3，Si掺杂GaN层上设有均匀排布的V型孔洞，V型孔洞贯穿Si掺杂GaN层，V型孔洞的密度为2×109cm-2；Si掺杂多孔GaN层的厚度为80nm，Si掺杂浓度为5×1018cm-3，Si掺杂多孔GaN层上设有均匀排布的应力释放孔，应力释放孔的密度为2×1010cm-2；GaN填平层的厚度为40nm；InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，周期数为2，InGaN层的In组分占比为0.1，厚度为3nm，不进行故意掺杂，GaN层的厚度为8nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3。
多量子阱层为交替层叠的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，层叠周期数为10。InGaN量子阱层的厚度为3.5nm，In组分占比为0.2；GaN量子垒层的厚度为9.8nm。
电子阻挡层为AlInGaN层，厚度为15nm，Al组分占比为0.05，In组分占比为0.08。
P型GaN层的厚度为15nm，Mg掺杂浓度为2×1020cm-3。
上述发光二极管外延片的制备方法，包括以下步骤：
S100提供一种衬底：
选用蓝宝石衬底，将衬底加载至MOCVD中，控制反应室温度为1100℃，压力为250Torr，在H2气氛下对蓝宝石衬底进行6min的高温退火，对蓝宝石衬底表面的颗粒和氧化物进行清洁。
S200生长缓冲层：
采用PVD生长，控制溅射温度为750℃，溅射功率为2000W，靶材为纯铝(纯度99.999％)，溅射反应气体为N2和Ar的混合气体。
S300生长N型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为1120℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入SiH4作为掺杂源。
S400生长应力释放层，具体的，包括以下步骤：
S401生长Si掺杂GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为850℃，压力为100Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S402生长Si掺杂多孔GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为850℃，压力为100Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S403生长GaN填平层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为900℃，压力为120Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源。
S404生长InGaN/GaN超晶格层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为800℃，压力为1500Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN层；控制反应室温度为820℃，保持压力不变，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，生长GaN层；重复层叠周期性生长InGaN层和GaN层。
S500生长多量子阱层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为795℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，N2作为载气，通入TEGa作为Ga源，通入TMIn作为In源，生长InGaN量子阱层；控制反应室温度为855℃，保持压力不变，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TEGa作为Ga源，生长GaN量子垒层；重复层叠周期性生长InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
S800生长电子阻挡层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为965℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入TMAl作为Al源，通入TMIn作为In源。
S900生长P型GaN层：
采用MOCVD生长，控制反应室温度为985℃，压力为200Torr，通入NH3作为N源，N2和H2作为载气，通入TMGa作为Ga源，通入CP2Mg作为掺杂源。
实施例2
本实施例提供一种发光二极管外延片，应力释放层包括Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。Si掺杂GaN层的厚度为100nm，Si掺杂浓度为5×1018cm-3，Si掺杂GaN层上设有均匀排布的V型孔洞，V型孔洞贯穿Si掺杂GaN层，V型孔洞的密度为2×109cm-2；Si掺杂多孔GaN层的厚度为80nm，Si掺杂浓度为5×1018cm-3，Si掺杂多孔GaN层上设有均匀排布的应力释放孔，应力释放孔的密度为2×1010cm-2；GaN填平层的厚度为40nm；InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，周期数为2，InGaN层的In组分占比为0.1，厚度为3nm，不进行故意掺杂，GaN层的厚度为11nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3。其余均与实施例1相同。
实施例3
本实施例提供一种发光二极管外延片，在Si掺杂GaN层生长结束后，对Si掺杂GaN层表面进行高温H2处理，处理温度为1000℃，处理压力为200Torr。其余均与实施例2相同。
对比例1
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，不包括应力释放层。相应的，在制备方法中，也不包括应力释放层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种发光二极管外延片，其与实施例1的区别在于，应力释放层包括依次层叠于N型GaN层上的Si掺杂GaN层和InGaN/GaN超晶格层。相应的，在制备方法中，不包括Si掺杂多孔GaN层和GaN填平层的制备步骤。其余均与实施例1相同。
性能测试：
将实施例1-3和对比例1、2制得的发光二极管外延片做成10mil×24mil的芯片，并在120mA/60mA电流下进行光电性能测试，分别计算实施例1-3和对比例2相对于对比例1的光效提升，结果如表1所示。
表1发光二极管外延片的光电性能测试结果
| 光效提升(％) | |
| 实施例1 | 0.8 |
| 实施例2 | 1.2 |
| 实施例3 | 1.4 |
| 对比例2 | 0.4 |
由表1结果可知，采用本发明的应力释放层的发光二极管，相较于传统外延结构的发光二极管，发光效率显著提升。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；
所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。
2.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si掺杂GaN层的厚度为20nm-500nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3；
所述Si掺杂GaN层上设有大小一致且均匀排布的V型孔洞，所述V型孔洞贯穿所述Si掺杂GaN层，所述V型孔洞的密度为2×108cm-2-5×1011cm-2。
3.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述Si掺杂多孔GaN层的厚度为10nm-180nm，Si掺杂浓度为5×1017cm-3-2×1019cm-3；
所述Si掺杂多孔GaN层上设有大小一致且均匀排布的应力释放孔，所述应力释放孔的密度为2×108cm-2-5×1012cm-2。
4.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN填平层为非故意掺杂GaN层，所述GaN填平层的厚度为30nm-50nm。
5.如权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，周期数为2-10；
所述InGaN层为非故意掺杂InGaN层，所述InGaN层的In组分占比为0.01-0.3，厚度为2.5nm-5nm；所述GaN层的厚度为7nm-16nm，Si掺杂浓度为2×1017cm-3-5×1018cm-3。
6.如权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN层与所述GaN层的厚度比为1:3-1:4。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；
其中，所述应力释放层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺杂GaN层、Si掺杂多孔GaN层、GaN填平层和InGaN/GaN超晶格层。
8.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述Si掺杂GaN层的生长温度为800℃-950℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述Si掺杂多孔GaN层的生长温度为800℃-950℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述GaN填平层的生长温度为850℃-1050℃，生长压力为10Torr-300Torr；
所述InGaN/GaN超晶格层包括周期性层叠的InGaN层和GaN层，所述InGaN层的生长温度为760℃-850℃，生长压力为20Torr-300Torr，所述GaN层的生长温度为780℃-880℃，生长压力为20Torr-300Torr。
9.如权利要求7所述的发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，在所述Si掺杂GaN层生长结束后，对其表面进行高温H2处理，处理温度为950℃-1100℃，处理压力为100Torr-500Torr。
10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求16任一项所述的发光二极管外延片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN117423787A (zh) * | 2023-12-18 | 2024-01-19 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
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