CN117169293B - 一种mos基气敏材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims abstract description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 34
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 24
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 11
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 7
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 7
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K ruthenium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ru+3] YBCAZPLXEGKKFM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 5
- 230000007480 spreading Effects 0.000 claims description 5
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 52
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 9
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 7
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 6
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 6
- KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J tin(4+);tetrachloride;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl KHMOASUYFVRATF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- GLMGLOKOFVECMS-UHFFFAOYSA-K C(C)O.[Ru](Cl)(Cl)Cl Chemical compound C(C)O.[Ru](Cl)(Cl)Cl GLMGLOKOFVECMS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010041 electrostatic spinning Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- FTLHORLYDROOSU-UHFFFAOYSA-N indium(3+);trinitrate;pentahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.[In+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FTLHORLYDROOSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012621 metal-organic framework Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 2
- 241000005398 Figaro Species 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N cobalt dinitrate hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Co+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QGUAJWGNOXCYJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
本发明公开了一种MOS基气敏材料及其制备方法和应用。所述MOS基气敏材料的制备方法按照如下步骤进行：步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶；步骤2：将得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速干燥；步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中分段煅烧，得到MOS基气敏材料。本发明提供的MOS基气敏材料可用于检测挥发性有机化合物中。本发明提供的MOS基气敏材料的制备方法提高了制备的样品的均一性，同时具有高重现性、高生产效率和高普适性。
Description
技术领域
本发明属于气体检测技术领域，具体涉及一种MOS基气敏材料及其制备方法和其在检测挥发性有机化合物（VOC）中的应用。
背景技术
1927年，可燃性气体传感器在欧洲诞生，随后气体传感技术传入日本，并于1962年由日本学者Seiyama首先报道了金属氧化物（MOS）的气敏性能。1968年，日本Figaro公司发明了半导体气体传感器，迄今为止，MOS基气体传感器因其体积小、价格低、操作简便等优点仍是使用最广泛的半导体气体传感器之一。20世纪70年代后，气体传感技术传入中国，经过几十年的研究探索，气体传感技术得到了飞速发展。气体传感器的气敏性能只要依赖气敏材料实现，MOS基电阻式气敏材料具有响应迅速、灵敏度高等优点，但其对目标气体的识别不具有特异性且气体选择性较差，解决MOS基电阻式气体传感器选择性差的问题最有效的方法是建立气体传感阵列，即由多个气体传感器协同工作，用神经网络算法处理传感阵列采集的信号，对目标气体环境进行模式识别。为了最大限度的提高数据的利用率，气体传感阵列中的每一个敏感单元应具有不同的气体选择性，因此构成每一个敏感单元的气敏材料的性能应有较大差异，而气敏材料的化学组成对其性能的影响最明显，所以气体传感阵列的构建需要多种化学组分各异的气敏材料。目前，为提高MOS基气敏材料的传感性能，对其进行贵金属修饰和多种MOS复合是常用手段。此外，工业生产所用的材料需具有足够可靠的批次稳定性，这就要求气敏材料具有高均一性，气敏材料的制备方法具有较高的重复性和可靠性，还要兼顾生产效率。
目前报道的气敏材料制备方法主要有溶剂热合成法、静电纺丝法、金属有机骨架材料转化法及溶胶-凝胶法。溶剂热合成法与静电纺丝法合成的样品具有较高的均一性和重现性，但制备效率过低。金属有机骨架材料转化法适用于制备ZnO、SnO2、CuO、NiO、Co2O3等，不适于WO3、Ga2O3、CdO等MOS材料，因此其普适性有限。溶胶-凝胶法具有较高的重现性和生产效率，但此方法制备的样品的均一性受限于样品的化学组成和理化性质，对于由两种及两种以上MOS复合而成的MOS基气敏材料，在形成凝胶及凝胶进一步干燥的过程中，因不同分散质在分散剂中的溶解度不同，可能出现相分离现象，从而影响材料的均一性；尤其在用于对MOS材料进行贵金属修饰时，贵金属在胶体干燥过程中易被还原析出，导致材料整体均一性下降。
发明内容
针对以上技术问题，本发明首要目的是提供一种MOS基气敏材料的制备方法，通过对传统溶胶-凝胶法进行改进，提高了制备的样品的均一性，同时不改变其高重现性及较高的生产效率，且具有较高的普适性，解决了工业化生产MOS基气敏材料同时需要高均一性、高重现性、高效率和较高普适性的问题。
本发明第二个目的是提供一种MOS基气敏材料，其具有高均一性。
本发明第三个目的是提供所述MOS基气敏材料在检测挥发性有机化合物（VOC）中的应用，表现出较高的一致性。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
第一方面，本发明提供了一种MOS基气敏材料的制备方法，所述MOS基气敏材料为两种以上MOS的复合物或者贵金属修饰的MOS材料，所述制备方法按照如下步骤进行：
步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60 ℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶，其中高分子聚合物浓度为0.06~0.20 g/mL；
步骤2：将步骤1中得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速放入40~100 ℃鼓风烘箱中干燥6~30小时；
步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中在200~800 ℃的温度范围内分段煅烧4~15小时，得到MOS基气敏材料。最后将所得样品研磨粉碎备用。
本发明中，所述的MOS基气敏材料可以是ZnO、SnO2、CuO、Ni2O3、Co2O3、WO3、In2O3、Ga2O3、CdO、Al2O3等金属氧化物中的两种以上的复合材料，或者是上述这些氧化物中的一种或两种以上的复合物经贵金属修饰后得到的MOS材料，所述的贵金属可选自金、铂、钯、钌、铑等中的一种或几种。具体而言，所述的MOS基气敏材料可以是Au修饰的SnO2、SnO2和ZnO的复合物、SnO2和Ni2O3的复合物、Pt和Au共同修饰的In2O3和Co2O3的复合物、Pt修饰的In2O3、Au修饰的ZnO、Au修饰的CdO、In2O3和Co2O3的复合物。
本发明中，所述的目标MOS前驱体盐可以根据所需要制备的MOS基气敏材料的组成确定，例如目标MOS前驱体盐中的金属离子可以是Sn2+、Sn4+、Zn2+、Cu2+、Ni2+、Co2+、Co3+、W6+、Ga3+、Cd2+、In3+、Al3+等中的一种或多种；所述目标MOS前驱体盐可以是硝酸盐、乙酸盐、氯化物等。所述的目标MOS前驱体盐配置得到的均一溶液中还可以根据需要加入贵金属源，所述贵金属源可以是氯金酸、氯铂酸、氯化钯、氯化钌、氯化铑等中的一种或几种，其中贵金属元素的摩尔量与目标MOS前驱体盐中的金属阳离子摩尔量的总和之比为0.1%~5%。
本发明步骤1中，所述的极性溶剂可以是水、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、N,N-二甲基乙酰胺（DMAc）等中的一种或几种的混合物；优选为乙醇、N,N-二甲基甲酰胺（DMF）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、N,N-二甲基乙酰胺（DMAc）中的两种以上的混合物。
本发明步骤1中，所述均一溶液中的金属前驱体浓度越高，则MOS基气敏材料的合成效率更高，故在能溶解的情况下，该浓度越高越好。
本发明步骤1中，所述高分子聚合物要求能溶于所述极性溶剂并有一定粘度能形成溶胶。具体实施过程中，所述的高分子聚合物可选自聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、聚醋酸乙烯酯（PVAc）、聚丙烯腈（PAN）、聚乙二醇等聚合物中的至少一种。所述的均匀溶胶中高分子聚合物浓度优选为0.06~0.20 g/mL，添加量过多则无法完全溶解形成溶胶，添加量过少则胶体难以刮涂成膜，为控制溶胶粘度，高分子聚合物可分为多次加入。
本发明步骤2通过将溶胶刮涂成膜、并将膜迅速干燥，对于实现MOS基气敏材料中主要元素在样品中分布均匀和主要金属离子的摩尔比在样品的不同位置分布稳定至关重要，该步骤的关键点在于基底材料的选择和成膜方法的选择。本发明通过研究发现，基底材料既需要不与溶胶中的组分发生反应，又要容易与干燥后形成的干凝胶剥离，常见的如玻璃、硅片等均不符合要求，诸多的软基底（如醋酸纤维素纸、铝箔纸等）也被发现不符合使用要求，唯有硅油纸被发现能够满足不同溶胶和凝胶的使用要求，特别适合作为本发明的基底。本发明对于刮涂工具没有特殊要求，玻璃棒、刮刀等均适用，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。本发明在溶胶刮涂到硅油纸上成膜后，应尽快进行干燥，以使得溶胶中的离子分布能够尽量均匀、快速地固定下来。
本发明步骤3中，煅烧过程中会产生大量气体，气体从容器中逸出的过程中容易夹带部分固体一起上升，从而导致分子量大的金属阳离子的反应物更倾向于沉积在容器底部，分子量小的阳离子的反应物在容器顶部凝华聚集产生不均匀的元素分布现象。为此，本发明采用分段煅烧来避免该不均匀的分布现象的发生。作为优选，所述分段煅烧的工艺流程为：样品置于马弗炉或管式炉中，以1~2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至700 ℃，保温2~10 小时后停止加热。
第二方面，本发明提供了一种根据第一方面所述制备方法制得的MOS基气敏材料。
第三方面，本发明提供了所述MOS基气敏材料在检测挥发性有机化合物（VOC）中的应用。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
该合成方法制备的MOS基气敏材料具有较高的均一性和可重复性，主要元素在样品中分布均匀，主要金属离子的摩尔比在样品的不同位置分布稳定，且生产效率高、原材料经济易得，十分有潜力用于工业生产。
附图说明
图1为实施例1制备的样品SnO2-3.5%Au的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Au元素在样品中分布均匀，经计算，Au与Sn的原子比为3.85%。
图2为实施例1制备的样品SnO2-3.5%Au的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Au元素在样品中分布均匀，经计算，Au与Sn的原子比为3.74%。
图3为实施例1制备的样品SnO2-3.5%Au的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Au元素在样品中分布均匀，经计算，Au与Sn的原子比为3.81%。
图4为实施例2制备的样品SnO2-0.33ZnO的选区元素分布图。样品SnO2-0.33ZnO中C、Cu元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Zu元素在样品中分布均匀，经计算，Zn与Sn的原子比为33.10%。
图5为实施例2制备的样品SnO2-0.33ZnO的选区元素分布图。样品SnO2-0.33ZnO中C、Cu元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Zu元素在样品中分布均匀，经计算，Zn与Sn的原子比为33.28%。
图6为实施例2制备的样品SnO2-0.33ZnO的选区元素分布图。样品SnO2-0.33ZnO中C、Cu元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O、Zu元素在样品中分布均匀，经计算，Zn与Sn的原子比为32.53%。
图7为对比例1制备的样品SnO2-3.5%Au-2的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au-2中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O元素在样品中分布均匀，但Au元素并未在样品中均匀分布，而是聚集在若干区域，经计算，Au与Sn的原子比为2.28%。
图8为对比例1制备的样品SnO2-3.5%Au-2的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au-2中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O元素在样品中分布均匀，但Au元素并未在样品中均匀分布，而是聚集在若干区域，经计算，Au与Sn的原子比为4.39%。
图9为对比例1制备的样品SnO2-3.5%Au-2的选区元素分布图。样品SnO2-3.5%Au-2中C元素主要来自测试中需要的导电胶基底，而非样品本身，样品中的Sn、O元素在样品中分布均匀，但Au元素并未在样品中均匀分布，而是聚集在若干区域，经计算，Au与Sn的原子比为2.72%。
图10为用实施例1制备的SnO2-3.5%Au和对比例1制备的SnO2-3.5%Au-2分别制备的10个陶瓷管传感器件在200 ℃对50 ppm乙醇的响应值数据，每个横坐标数字对应的两个柱状体中，左：SnO2-3.5%Au，右：SnO2-3.5%Au-2。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互组合。
本发明实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过常规技术手段获得或者通过市购获得的常规产品。
实施例1
称取五水合氯化锡3.506 g（10 mmol），溶于5 ml乙醇和5 ml DMAc的混合液中，加入氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.7 ml，边搅拌边加入1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌12小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥24小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持5小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品SnO2-3.5%Au。
实施例1制备的SnO2-3.5%Au样品的三个不同区域的元素分布图分别如图1、图2、图3所示，由结果可见，SnO2-3.5%Au样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
使用实施例1制备得到的SnO2-3.5%Au样品，按照文献[Jin Wang. Oxygenvacancy-rich, Ru-doped In2O3 ultrathin nanosheets for efficient detection ofxylene at low temperature. [J]. Joural of Materials Chemistral C, 2018，6，4156-4162.]公开的方法制备10个同样的陶瓷管器件，并且参照文献公开的方法测试这10个陶瓷管器件对50 ppm乙醇的响应值，测试条件为：空气作为背景气，200 ℃为器件工作温度。结果如图10所示，SnO2-3.5%Au制备的10个器件响应值的平均值为9.18，方差为0.108。
对比例1
称取五水合氯化锡3.506 g（10 mmol），溶于10 ml乙醇中，加入氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.7 ml，在50 ℃加热台上持续搅拌12小时至乙醇完全干燥，将剩余固体置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至300℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持5小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45min，得到样品SnO2-3.5%Au-2。
对比例1制备的SnO2-3.5%Au-2样品的三个不同区域的元素分布图分别如图7、图8、图9所示，由结果可见，SnO2-3.5%Au-2样品中主要元素在各区域中分布不均匀，该样品的均一性较差。
使用对比例1制备得到的SnO2-3.5%Au-2样品，按照实施例1的同样方法制备10个陶瓷管器件，并进行气敏测试。结果如图10所示，SnO2-3.5%Au-2制备的10个器件的响应值的平均值为8.78，方差为1.300。
通过实施例1和对比例1的比较可知，本发明的制备方法显著提高了MOS基气敏材料的均一性，从而显著提高了其制备的传感器的一致性。
实施例2
称取氯化锌0.675 g（5 mmol），五水合四氯化锡5.259 g（15 mmol），溶于10 mlDMF与15 ml DMAc的混合液中形成均匀溶液，边搅拌加入1.6 g PVP（k90），室温条件下持续搅拌10小时形成溶胶。用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于100 ℃鼓风烘箱中干燥24小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持4小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品SnO2-0.33ZnO。
实施例2制备的SnO2-0.33ZnO样品的三个不同区域的元素分布图分别如图4、图5、图6所示，由结果可见，SnO2-0.33ZnO样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
实施例3
称取五水合氯化锡3.506 g（10 mmol），乙酰丙酮镍0.514 g（2mmol），溶于5 mlDMF与8 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，边搅拌加入1.5 g PVP（k30），室温条件下持续搅拌6小时形成溶胶。用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于100 ℃鼓风烘箱中干燥16小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持6小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品SnO2-0.2Ni2O3。该样品SnO2-0.2Ni2O3的选区元素分布图显示样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
实施例4
称取五水合硝酸铟3.008 g（10 mmol），六水合硝酸钴0.291 g（1 mmol），溶于5 ml乙醇和5 ml NMP的混合液中，再加入氯铂酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.2 ml和氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.2 ml，边搅拌边加入1.2 g PVP（k90）并在60 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于80 ℃鼓风烘箱中干燥10小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持8小时后停止加热，最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品In2O3-0.1Co2O3。该样品In2O3-0.1Co2O3的选区元素分布图显示样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
实施例5
称取五水合硝酸铟3.008 g（10 mmol），溶于15 ml DMF中，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.4 ml，边搅拌边加入1.35 g PVP（k90），并在50 ℃加热台上持续搅拌8小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于90 ℃鼓风烘箱中干燥8小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持3小时后停止加热，最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品In2O3-2%Pt。该样品In2O3-2%Pt的选区元素分布图显示样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
实施例6
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.2 g PVAc并在45 ℃加热台上持续搅拌10小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于70 ℃鼓风烘箱中干燥24小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持5小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品ZnO-2%Au。该样品ZnO-2%Au的选区元素分布图显示样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
实施例7
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅油纸上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥12小时，用镊子将干燥后的膜揭下并置于马弗炉中以2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30 min后以2 ℃/min的速率升温至300 ℃，保持30 min后以1 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持60 min后以1 ℃min的速率升温至600 ℃，保持60 min后以1 ℃/min的速率升温至700 ℃，保持5小时后停止加热。最后置于球磨机中以2000 r/min的速率研磨45 min，得到样品ZnO-2%Ru。该样品ZnO-2%Ru的选区元素分布图显示样品中主要元素在各区域中分布均匀，该样品具有较高的均一性。
对比例2
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在醋酸纤维素纸上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥12小时后，凝胶粘附在醋酸纤维素纸上无法取下。因此，在该制备方法中，醋酸纤维素纸无法替代硅油纸。
对比例3
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硫酸纸上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥12小时后，凝胶粘附在硫酸纸上无法取下。因此，在该制备方法中，硫酸纸无法替代硅油纸。
对比例4
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在玻璃板上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥12小时后，凝胶粘附在玻璃板上无法取下。因此，在该制备方法中，玻璃板无法替代硅油纸。
对比例5
称取五水合氯化锡3.506 g（10 mmol），溶于5 ml乙醇和5 ml DMAc的混合液中，加入氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.7 ml，边搅拌边加入1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌12小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在铝箔纸上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥24小时后取出，铝箔纸被凝胶腐蚀变薄，少量凝胶从铝箔纸背面渗出，且凝胶粘附于铝箔纸表面，无法剥离。因此，在该制备方法中，铝箔纸无法替代硅油纸。
对比例6
称取氯化锌2.025 g（15 mmol），溶于10 ml DMF和5 ml乙醇的混合液中形成均匀溶液，加入氯化钌的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.6 ml，边搅拌边加入1.1 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌6小时形成均匀溶胶，用玻璃棒将溶胶在硅片上刮涂成膜，然后迅速置于60 ℃鼓风烘箱中干燥12小时后，凝胶粘附在硅片上无法取下。因此，在该制备方法中，硅片无法替代硅油纸。
对比例7
称取五水合氯化锡3.506 g（10 mmol），溶于5 ml乙醇和5 ml DMAc的混合液中，加入氯金酸的乙醇溶液（0.5 mmol/ml）0.7 ml，边搅拌边加入0.05 g PVAc并在50 ℃加热台上持续搅拌12小时形成均匀溶胶，由于溶胶粘度过低，其在硅油纸上流淌，溢出基底，无法刮涂成膜。
Claims (8)
1.一种MOS基气敏材料的制备方法，所述MOS基气敏材料为两种以上MOS的复合物或者贵金属修饰的MOS材料，所述的MOS基气敏材料是ZnO、SnO2、CuO、Ni2O3、Co2O3、WO3、In2O3、Ga2O3、CdO、Al2O3中两种以上的复合材料，或者是ZnO、SnO2、CuO、Ni2O3、Co2O3、WO3、In2O3、Ga2O3、CdO、Al2O3中的一种或两种以上的复合物经贵金属修饰后得到的MOS材料，所述的贵金属选自金、铂、钯、钌、铑中的一种或几种；其特征在于：所述制备方法按照如下步骤进行：
步骤1：将目标MOS前驱体盐或者目标MOS前驱体盐和贵金属源溶解于极性溶剂中，形成均一溶液；再加入高分子聚合物在20~60 ℃环境下搅拌5~20小时形成均匀溶胶，其中高分子聚合物浓度为0.06~0.20 g/mL；所述的高分子聚合物选自聚乙烯吡咯烷酮、聚醋酸乙烯酯、聚丙烯腈、聚乙二醇中的至少一种；
步骤2：将步骤1中得到的溶胶刮涂到硅油纸上成膜，然后迅速放入40~100 ℃鼓风烘箱中干燥6~30小时；
步骤3：将干燥的薄膜从硅油纸上揭下，研磨后置于马弗炉中在200~800 ℃的温度范围内分段煅烧4~15小时，得到MOS基气敏材料。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的目标MOS前驱体盐是目标金属的硝酸盐、乙酸盐、氯化物中的至少一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述贵金属源是氯金酸、氯铂酸、氯化钯、氯化钌、氯化铑中的一种或几种。
4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述贵金属源中贵金属元素的摩尔量与目标MOS前驱体盐中的金属阳离子摩尔量的总和之比为0.1%~5%。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1中，所述的极性溶剂是水、乙醇、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺中的一种或几种的混合物。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3中，所述分段煅烧的工艺流程为：样品置于马弗炉或管式炉中，以1~2 ℃/min的速率升温至200 ℃，保持30~60 min后以1~2℃/min的速率升温至300 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至400 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至500 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至600 ℃，保持30~60 min后以1~2 ℃/min的速率升温至700 ℃，保温2~10 小时后停止加热。
7.一种根据权利要求1所述制备方法制得的MOS基气敏材料。
8.一种如权利要求7所述的MOS基气敏材料在检测挥发性有机化合物中的应用。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311433819.2A CN117169293B (zh) | 2023-11-01 | 2023-11-01 | 一种mos基气敏材料及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311433819.2A CN117169293B (zh) | 2023-11-01 | 2023-11-01 | 一种mos基气敏材料及其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117169293A CN117169293A (zh) | 2023-12-05 |
| CN117169293B true CN117169293B (zh) | 2024-02-27 |
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ID=88930073
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311433819.2A Active CN117169293B (zh) | 2023-11-01 | 2023-11-01 | 一种mos基气敏材料及其制备方法和应用 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117169293B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN117169293A (zh) | 2023-12-05 |
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