CN116940178A - 显示设备 - Google Patents

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金炫雄
李承珪
郭源奎
朴宗元
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Abstract

本发明提供了一种显示设备。显示设备包括：多个第一发射区域和多个第二发射区域，多个第一发射区域和多个第二发射区域被交替布置在沿行方向和列方向彼此相邻地排列的虚拟四边形的中心处；以及分别布置在虚拟四边形的顶点处的多个第三区域，并且第一发射区域至第三发射区域的平面面积之间的差小于第一发射区域至第三发射区域的平面面积中的最大的平面面积的25％。

Description

显示设备
本申请是申请日为2018年8月6日、申请号为201810883718.8、名称为“显示设备和制造显示设备的方法”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月5日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2017-0113353号的优先权和权益，通过引用将其全部公开合并于此。
技术领域
一个或多个实施例的方面涉及显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
显示设备是用于显示图像的装置，并且近来有机发光显示设备已引起关注。和液晶显示设备不同，有机发光显示设备具有自发射特性并且不需要单独的光源，并且因此可以减少有机发光显示设备的厚度和重量。有机发光显示设备展示诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。
有机发光显示设备包括分别发射不同颜色的光的子像素，并且子像素通过发光来显示图像。这里，子像素表示发光以显示图像的最小单元。栅线、数据线、电力线(诸如用于驱动每个子像素的驱动电力线)以及绝缘层等(诸如限定每个子像素的形状或区域的像素限定层)可被布置在相邻的子像素之间。
形成子像素的有机发射层通过使用诸如精细金属掩模(FMM)的掩模沉积有机发射材料来形成。在相邻的有机发射层之间的间隔被设计得短以便保证子像素的开口率的情形下，沉积可靠性降低。在相邻的有机发射层之间的间隔被设计得长以便提高沉积可靠性的情形下，子像素的开口率降低。子像素的开口率表示有机发射层的通过其实际发射光的区域与其中显示图像的显示区域的整个区域的比率。
同时，随着对显示高质量图像的装置的需求的增加，显示设备的分辨率逐渐提高。显示设备具有例如其中两个子像素形成一个像素的五片瓦(Pentile)子像素布置结构，并且有机发射层的面积和驱动电流逐渐减小。由于每个子像素的有机发射材料的不同，每个子像素的有机发光二极管具有不同的寄生电容和驱动电流量。由于寄生电容和驱动电流量的差异，特定颜色的子像素可能以低亮度并且晚些发射预期量的光。
发明内容
根据一个或多个实施例的方面，显示设备具有高分辨率的像素布置结构。根据一个或多个实施例的方面，显示设备为有机发光显示设备，并且像素布置结构为子像素布置结构。
附加方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地从描述中明白，或者可以通过所提供的实施例的实践来领会。
根据一个或多个实施例，显示设备包括：多个第一发射区域和多个第二发射区域，多个第一发射区域和多个第二发射区域被交替布置在沿行方向和列方向彼此相邻地排列的虚拟四边形的中心处；以及分别布置在虚拟四边形的顶点处的多个第三发射区域，其中第一发射区域至第三发射区域的平面面积之间的差小于第一发射区域至第三发射区域中的最大的平面面积的25％。
第三发射区域中的每个的平面面积可以是第一发射区域中的每个的平面面积和第二发射区域中的每个的平面面积中的更大的面积的75％或更多。
显示设备可进一步包括：基板；像素电极层，在基板之上并且包括多个第一像素电极、多个第二像素电极和多个第三像素电极；像素限定层，在像素电极层之上并且包括多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，每个第一开口暴露第一像素电极的一部分，每个第二开口暴露第二像素电极的一部分，每个第三开口暴露第三像素电极的一部分；多个第一发射层，每个第一发射层在第一像素电极上并且包括与第一开口对应的第一发射区域；多个第二发射层，每个第二发射层在第二像素电极上并且包括与第二开口对应的第二发射区域；多个第三发射层，每个第三发射层在第三像素电极上并且包括与第三开口对应的第三发射区域；以及覆盖第一发射层至第三发射层的对电极。
当显示设备以最大亮度显示白色时，供给到第三发射层的电流量可以是供给到第一发射层的电流量和供给到第二发射层的电流量中的更大的电流量的75％或更多。
第一发射区域中的每个的平面形状和第二发射区域中的每个的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形。
第三发射区域中的每个的平面形状可以为基本倒圆的正八边形，并且彼此相邻的第三发射区域和第一发射区域之间的距离与彼此相邻的第三发射区域和第二发射区域之间的距离的差可以小于5％。
第三发射区域中的每个的平面形状可以是倒圆的正八边形，并且彼此相邻的第三发射区域和第一发射区域之间的距离与彼此相邻的第三发射区域和第二发射区域之间的距离可以基本相同。
第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与第三发射区域中的每个在第二方向上的长度的差可以小于5％，第一方向为从第一发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向，第二方向为从第二发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向。
第三发射区域中的每个的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形，并且彼此相邻的第三发射区域和第一发射区域之间的距离与彼此相邻的第三发射区域和第二发射区域之间的距离的差可以小于5％。
第三发射区域中的每个的平面形状可以是倒圆的四边形或倒圆的矩形，并且彼此相邻的第三发射区域和第一发射区域之间的距离与彼此相邻的第三发射区域和第二发射区域之间的距离可以基本相同。
第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与第三发射区域中的每个在第二方向上的长度的差可以小于5％，第一方向为从第一发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向，第二方向为从第二发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向。
第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与彼此相邻的第三发射区域和第一发射区域之间的距离的比率与第三发射区域中的每个在第二方向上的长度与彼此相邻的第三发射区域和第二发射区域之间的距离的比率的差可以小于5％，第一方向为从第一发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向，第二方向为从第二发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向。
第一发射区域中的每个的平面形状与第二发射区域中的每个的平面形状可以基本相同，并且第三发射区域中的每个的平面形状与第一发射区域和第二发射区域的平面形状可以不同。
第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与第三发射区域中的每个在第二方向上的长度的差可以小于10％，第一方向为从第一发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向，第二方向为从第二发射区域中的一个的中心延伸到第三发射区域中的一个的中心的方向。
多个第三发射区域中，四个第三发射区域可以被布置成与虚拟四边形中的每个的中心相邻，并且关于虚拟四边形中的每个的中心上下对称和左右对称。
在虚拟四边形的对角线方向上，五百个或更多个第三发射区域可以被布置在一英寸的范围内。
第一发射区域可以发射红光，第二发射区域可以发射绿光，并且第三发射区域可以发射蓝光。
虚拟四边形中的每个可以基本为矩形或正方形。
根据一个或多个实施例，显示设备包括：基板，包括在行方向和列方向上彼此相邻地交替布置并且具有相同的形状的第一虚拟四边形和第二虚拟四边形；像素电极层，在基板之上并且包括多个第一像素电极、多个第二像素电极和多个第三像素电极；像素限定层，在像素电极层之上并且包括多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，每个第一开口暴露第一像素电极中的一个的一部分并且被布置在第一虚拟四边形中的每个的中心处，每个第二开口暴露第二像素电极中的一个的一部分并且被布置在第二虚拟四边形中的每个的中心处，每个第三开口暴露第三像素电极中的一个的一部分并且分别被布置在第一虚拟四边形和第二虚拟四边形的顶点处；多个第一发射层，每个第一发射层被布置在第一像素电极中的一个上，使得第一发射层中的每个的至少一部分填充第一开口中的一个；多个第二发射层，每个第二发射层被布置在第二像素电极中的一个上，使得第二发射层中的每个的至少一部分填充第二开口中的一个；多个第三发射层，每个第三发射层被布置在第三像素电极中的一个上，使得第三发射层中的每个的至少一部分填充第三开口中的一个；以及覆盖多个第一发射层至多个第三发射层的对电极，其中第一开口至第三开口的平面面积之间的差小于第一开口至第三开口的平面面积中的最大的平面面积的25％。
多个第一发射层中的每个可包括与第一开口中的一个对应的第一发射区域，多个第二发射层中的每个可包括与第二开口中的一个对应的第二发射区域，并且多个第三发射层中的每个可包括与第三开口中的一个对应的第三发射区域。
根据一个或多个实施例，制造显示设备的方法包括：准备基板，基板包括在行方向和列方向上彼此相邻地交替布置的第一虚拟四边形和第二虚拟四边形；在基板之上形成像素电极层，像素电极层包括多个第一像素电极、多个第二像素电极和多个第三像素电极；在像素电极层之上形成像素限定层，像素限定层包括多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，每个第一开口暴露第一像素电极中的一个的一部分并且被布置在第一虚拟四边形中的一个的中心处，每个第二开口暴露第二像素电极中的一个的一部分并且被布置在第二虚拟四边形中的一个的中心处，每个第三开口暴露第三像素电极中的一个的一部分并且分别被布置在第一虚拟四边形和第二虚拟四边形的顶点处；通过使用第一掩模形成选择性地填充多个第一开口至多个第三开口中的多个第一开口的多个第一发射层；通过使用第二掩模形成选择性地填充多个第一开口至多个第三开口中的多个第二开口的多个第二发射层；通过使用第三掩模形成选择性地填充多个第一开口至多个第三开口中的多个第三开口的一部分的多个第三发射层的一部分；以及通过使用第四掩模形成选择性地填充多个第一开口至多个第三开口中的多个第三开口的其余部分的多个第三发射层的其余部分，其中第一开口至第三开口的平面面积之间的差小于第一开口至第三开口的平面面积中的最大的平面面积的25％。
第一开口中的每个的平面形状和第二开口中的每个的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形。
第三开口中的每个的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形，并且彼此相邻的第三开口和第一开口之间的距离与彼此相邻的第三开口和第二开口之间的距离的差可以小于5％。
第三开口中的每个的平面形状可以为基本倒圆的矩形，其中彼此面对的两个边之间的距离与彼此面对的其他两个边之间的距离的差小于5％，并且彼此相邻的第三开口和第一开口之间的距离与彼此相邻的第三开口和第二开口之间的距离可以基本相同。
第三开口中的每个的平面面积可以小于第二开口中的每个的平面面积，并且可以是第二开口中的每个的平面面积的75％或更多，并且第一开口中的每个的平面面积可以小于第二开口中的每个的平面面积，并且可以是第二开口中的每个的平面面积的90％或更多。
附图说明
根据结合附图进行的对一些实施例的以下描述，这些和/或其他方面将变得明显并且更易于理解，在附图中：
图1是根据实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图；
图2是沿线II-II截取的图1的有机发光显示设备的截面图；
图3是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图；
图4是沿线IV-IV截取的图3的有机发光显示设备的截面图；
图5是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图；
图6A至图6D是分别用于制造图5的有机发光显示设备的第一掩模至第四掩模的一部分的平面图；
图7是图6A至图6D所示的第一掩模至第四掩模当重叠时的参考图；并且
图8是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图。
具体实施方式
由于本公开考虑到各种改变和大量实施例，因此，在附图中图示了并且在书面描述中进一步具体描述了一些示例实施例。当参阅参考附图描述的实施例时，本公开的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可以采用许多不同形式体现，而不应当被解释为限于本文中阐述的示例实施例。
本文中，将参考附图更充分地描述本公开。为了清楚地描述本公开，不涉及描述的部分可被省略。当参考附图进行描述时，附图中相同的附图标记表示相同或对应的要素，并且它的重复描述可被省略。
应理解，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，其可直接或间接形成在该另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可存在一个或多个介于中间的层、区域或组件。为了便于说明，可能夸大附图中要素的尺寸。换言之，由于附图中组件的尺寸和厚度为了便于说明可以被任意地图示，因此下面的实施例不限于此。
应理解，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，其可以直接连接到该另一层、区域或组件，或者可以间接连接到该另一层、区域或组件，一个或多个其他层、区域或组件置于它们之间。例如，应理解，当层、区域或组件被称为“电连接到”另一层、区域或组件时，其可以直接电连接到该另一层、区域或组件，或者可以间接电连接到另一层、区域或组件，一个或多个其他层、区域或组件置于它们之间。
将理解，虽然本文可以使用“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但这些组件不应受这些术语限制。使用这些术语是为了将一个组件与另一组件区别开来。在整个说明书中，单数形式“一”和“该”旨在也包含复数形式，除非上下文明确地表示别的含义。当某要素“包括”要素时，该要素不排除其他要素，并且可进一步包括一个或多个其他要素，除非上下文表示别的含义。
在附图中，例如根据制造技术和/或公差，可以预期图示形状的修改。因此，本公开的实施例不应被解释为限于本说明书中图示的区域的具体形状，而是应当包括例如在制造工艺期间引起的形状变化。
本文中，参考图1和图2描述根据实施例的有机发光显示设备的子像素布置结构。
图1是根据实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图。为了便于描述，图1主要图示了子像素的发射区域以及限定发射区域的形状、尺寸等的像素限定层。图2图示沿图1的线II-II截取的图1的有机发光显示设备的截面图。
如图1和图2所示，根据实施例的有机发光显示设备包括基板SUB，电路层CL，包括像素电极EL1的像素电极层ELL，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3，对电极EL2以及像素限定层PDL。
基板SUB可以是绝缘基板，例如包括玻璃、石英、陶瓷和塑料中的任一种。在基板SUB包括塑料等的情形下，有机发光显示设备可具有柔性的、可伸缩的或可卷曲的特性。
电路层CL被布置在基板SUB上，并且可包括布线(包括扫描线、数据线、驱动电力线等)和连接到布线的像素电路(诸如薄膜晶体管(TFT)和电容器等)。一个子像素可包括像素电路，像素电路包括电容器和两个或更多个TFT并且连接到扫描线、数据线和驱动电力线。包含在一个子像素中的两个或更多个TFT可包括例如开关TFT和驱动TFT，开关TFT响应于通过扫描线施加的扫描信号将通过数据线传输的数据电压传输到电容器，驱动TFT根据存储在电容器中的电压在驱动电力线和发射元件之间产生驱动电流。电路层CL可以具有各种公知的结构中的任一种，并且像素电路可具有各种电路布置中的任一种。
包括像素电极EL1的像素电极层ELL被布置在电路层CL上，并且像素电极EL1连接到电路层CL内部的TFT。第三发射层EML3被布置在图2所示的像素电极EL1上。第三发射层EML3被布置在其上的像素电极EL1可被称为第三像素电极。以这种方式，第一发射层EML1被布置在其上的像素电极EL1可被称为第一像素电极，并且第二发射层EML2被布置在其上的像素电极EL1可被称为第二像素电极。像素电极层ELL包括第一像素电极至第三像素电极。根据电路层CL内部的像素电路的布置和像素电极EL1上的第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的布置，可以不同地设计像素电极EL1的平面形状。
像素限定层PDL被布置在像素电极层ELL和电路层CL上，并且包括暴露像素电极EL1的一部分的开口OP1、OP2和OP3。第一开口OP1可暴露第一像素电极的一部分，第二开口OP2可暴露第二像素电极的一部分，并且第三开口OP3可暴露第三像素电极的一部分。
第一至第三发射层EML1、EML2和EML3分别被布置在第一像素电极至第三像素电极的通过像素限定层PDL的开口OP1、OP2和OP3暴露的相应部分上。
第一发射层EML1可被布置在第一像素电极的通过第一开口OP1暴露的部分上，并且填充第一开口OP1。填充第一开口OP1的第一发射层EML1可接触第一像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第一颜色的光。在此情形下，第一颜色的光可以从第一发射层EML1的整个区域被发射，并且第一发射层EML1可以与第一发射区域EM1基本一致。因此，第一发射区域EM1可以与第一开口OP1对应。
第二发射层EML2可被布置在第二像素电极的通过第二开口OP2暴露的部分上，并且填充第二开口OP2。填充第二开口OP2的第二发射层EML2可接触第二像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第二颜色的光。在此情形下，第二颜色的光可以从第二发射层EML2的整个区域被发射，并且第二发射层EML2可以与第二发射区域EM2基本一致。因此，第二发射区域EM2可以与第二开口OP2对应。
第三发射层EML3可被布置在第三像素电极的通过第三开口OP3暴露的部分上，并且填充第三开口OP3。填充第三开口OP3的第三发射层EML3可接触第三像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第三颜色的光。在此情形下，第三颜色的光可以从第三发射层EML3的整个区域被发射，并且第三发射层EML3可以与第三发射区域EM3基本一致。因此，第三发射区域EM3可以与第三开口OP3对应。
根据第一至第三开口OP1、OP2和OP3的截面轮廓以及第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的发射材料，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以不分别与第一至第三开口OP1、OP2和OP3恰好对应。例如，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以比第一至第三开口OP1、OP2和OP3稍微宽或窄。
像素限定层PDL的第一开口OP1可以限定第一发射层EML1的第一发射区域EM1的平面形状、尺寸和面积。像素限定层PDL的第二开口OP2可以限定第二发射层EML2的第二发射区域EM2的平面形状、尺寸和面积。像素限定层PDL的第三开口OP3可以限定第三发射层EML3的第三发射区域EM3的平面形状、尺寸和面积。
像素电极EL1的边缘部分可以被像素限定层PDL覆盖。像素电极EL1可以是用作空穴注入电极的阳极电极，或阴极。像素电极EL1可包括光透射电极或光反射电极。
对电极EL2被布置在第一至第三发射层EML1、EML2和EML3上。在实施例中，对电极EL2可以在基板SUB的整个表面之上覆盖第一至第三发射层EML1、EML2和EML3。对电极EL2可以是用作电子注入电极的阴极，或阳极电极。对电极EL2可包括光透射电极或光反射电极。
尽管图2中未示出，但是像素电极EL1可以通过穿过电路层CL的绝缘层的通孔塞(via plug)连接到电路层CL内部的TFT。像素限定层PDL的开口OP1、OP2和OP3的边界可以与通孔塞隔开固定距离(例如，预设距离)。
像素电极EL1、第一至第三发射层EML1、EML2和EML3中的一个以及对电极EL2可以构成一个发射元件。通过使用流过连接到像素电极EL1的TFT的驱动电流，发射元件以根据驱动电流量确定的亮度发射光。由于不仅需要的电流量不同，而且根据第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的各自的材料特性，发射效率也不同，因此用于发射期望亮度的光的平面面积可以不同。例如，在第二发射层EML2的发射效率高于第一发射层EML1或第三发射层EML3的发射效率的情形下，在第二发射区域EM2实际发射光的平面面积小于第一发射区域EM1和第三发射区域EM3实际发射光的平面面积的同时，用于发射第二颜色的光的第二发射层EML2需要的驱动电流量可以小于第一发射层EML1和第三发射层EML3的驱动电流量。
图1图示了第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3以及包括分别与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3对应的第一至第三开口OP1、OP2和OP3的像素限定层PDL。尽管图1图示了第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3分别与第一至第三开口OP1、OP2和OP3对应，但是第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以不分别与第一至第三开口OP1、OP2和OP3恰好一致。
根据另一实施例，如图3(其为根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图)和图4(其为沿图3的线IV-IV截取的图3的有机发光显示设备的截面图)所示，第一发射层EML1的一部分可以填充第一开口OP1，并且第一发射层EML1的其余部分可被布置在与第一开口OP1相邻的像素限定层PDL上。仅第一发射层EML1的填充第一开口OP1的部分可以接触由第一开口OP1暴露的第一像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第一颜色的光。在此情形下，仅第一发射层EML1的该部分可以发射第一颜色的光，并且第一发射层EML1的该部分可以与第一发射区域EM1对应。因此，第一发射区域EM1可以与第一开口OP1或第一像素电极的由第一开口OP1暴露的部分对应。
第二发射层EML2的一部分可以填充第二开口OP2，并且第二发射层EML2的其余部分可被布置在与第二开口OP2相邻的像素限定层PDL上。仅第二发射层EML2的填充第二开口OP2的部分可以接触由第二开口OP2暴露的第二像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第二颜色的光。在此情形下，仅第二发射层EML2的该部分可以发射第二颜色的光，并且第二发射层EML2的该部分可以与第二发射区域EM2对应。因此，第二发射区域EM2可以与第二开口OP2或第二像素电极的由第二开口OP2暴露的部分对应。
第三发射层EML3的一部分可以填充第三开口OP3，并且第三发射层EML3的其余部分可被布置在与第三开口OP3相邻的像素限定层PDL上。仅第三发射层EML3的填充第三开口OP3的部分可以接触由第三开口OP3暴露的第三像素电极的一部分，并且在电流流过时发射第三颜色的光。在此情形下，仅第三发射层EML3的该部分可以发射第三颜色的光，并且第三发射层EML3的该部分可以与第三发射区域EM3对应。因此，第三发射区域EM3可以与第三开口OP3或第三像素电极的由第三开口OP3暴露的部分对应。
然而，根据第一至第三开口OP1、OP2和OP3的截面轮廓以及第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的发射材料，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以不分别与第一至第三开口OP1、OP2和OP3恰好对应。例如，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以比第一至第三开口OP1、OP2和OP3稍微宽或窄。
尽管图3图示了第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的平面形状与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面形状基本相同，并且比第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面形状大固定尺寸(例如，预设尺寸)，但是第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的平面形状可以与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面形状不同。
如图3所示，像素限定层PDL的第一至第三开口OP1、OP2和OP3可以分别限定第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面形状、尺寸和面积。像素电极EL1的边缘部分可以被像素限定层PDL覆盖。
在第二发射层EML2的发射效率高于第一发射层EML1或第三发射层EML3的发射效率的情形下，在第二发射区域EM2实际发射光的平面面积小于第一发射区域EM1和第三发射区域EM3实际发射光的平面面积的同时，用于发射第二颜色的光的第二发射层EML2需要的驱动电流量可以小于第一发射层EML1和第三发射层EML3的驱动电流量。
尽管图3图示了第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3以及包括分别与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3对应的第一至第三开口OP1、OP2和OP3的像素限定层PDL，但是第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以不分别与第一至第三开口OP1、OP2和OP3恰好一致。
再次参考图1，图示了在行方向和列方向上彼此相邻地排列的虚拟四边形VR。尽管图1图示了虚拟四边形VR为正方形，但这是示例性的，并且虚拟四边形VR可以是基本接近正方形的矩形或基本接近正方形的平行四边形。尽管下面的描述是基于虚拟四边形VR是正方形的假设进行的，但是实施例并不限于此。
多个第一发射区域EM1和多个第二发射区域EM2轮流或交替地被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三发射区域EM3被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面面积之间的差小于第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3中的最大的平面面积的25％。
包括第一发射层EML1的第一子像素的数量和包括第二发射层EML2的第二子像素的数量可以基本相同，并且包括第三发射层EML3的第三子像素的数量可以是第一子像素的数量的两倍或第二子像素的数量的两倍。然而，由于图像被显示的显示区域的最外面的部分处的子像素的布置、显示区域的形状和尺寸，特定颜色的发射层可以被另外布置。在此情形下，第一子像素的数量和第二子像素的数量可以不恰好相同，或第三子像素的数量可以不是第一子像素的数量或第二子像素的数量的恰好两倍。根据本实施例，有机发光显示设备的每英寸的像素可以是500个或更多个。例如，在1英寸的范围内包括500个或更多个第三发射区域EM3或第三发射层EML3的第三子像素可以在虚拟四边形VR的对角线方向上被布置。
虚拟四边形VR包括在行方向和列方向上彼此相邻地轮流或交替排列的第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2。第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2中的全部可以具有相同的形状，并且可以具有基本正方形或矩形形状。第一虚拟四边形VR1可以被限定为第一发射区域EM1被布置在它的中心处的虚拟四边形VR，并且第二虚拟四边形VR2可以被限定为第二发射区域EM2被布置在它的中心处的虚拟四边形VR。
第一发射区域EM1可以分别被布置在第一虚拟四边形VR1的中心处。第一发射区域EM1的中心可以与第一虚拟四边形VR1的中心基本一致。
第一发射区域EM1的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的直角菱形。在本说明书中，直角菱形表示正方形被旋转大约45°并且关于行方向和列方向对称的形状。第一发射区域EM1的平面形状可以是接近直角菱形的倒圆的菱形、倒角的直角菱形或直角菱形。在本说明书中，接近直角菱形的倒圆的菱形、倒角的直角菱形或直角菱形被包含在基本倒圆的直角菱形中。
第二发射区域EM2可以分别被布置在第二虚拟四边形VR2的中心处。第二发射区域EM2的中心可以与第二虚拟四边形VR2的中心基本一致。第二发射区域EM2的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的直角菱形。
尽管图1图示了第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积基本相同，但是本实施例并不限于此。根据实施例，第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积之间的差可以是10％或更少。第一发射区域EM1的平面面积可以小于第二发射区域EM2的平面面积。根据另一实施例，第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积之间的差可以是5％或更少。根据另一实施例，第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积之间的差可以是3％或更少。
根据实施例，第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差可以是大约5％或更少。根据另一实施例，第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差可以是大约2.5％或更少。根据另一实施例，第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差可以是大约1.5％或更少。
第三发射区域EM3可以分别被布置在沿行方向和列方向彼此相邻地排列的第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2的顶点处。第三发射区域EM3的中心可以分别与虚拟四边形VR的顶点基本一致。
根据实施例，第三发射区域EM3的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的正八边形。第三发射区域EM3的平面形状可以是正八边形或倒角的正八边形，并且这些形状可以被称为基本倒圆的正八边形。
在第三发射区域EM3的平面形状为基本倒圆的正八边形的情形下，根据第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差，彼此相邻的第一发射区域EM1和第三发射区域EM3之间的距离La与彼此相邻的第二发射区域EM2和第三发射区域EM3之间的距离Lb之间的差可以小于大约5％。根据另一实施例，距离La和距离Lb之间的差可以小于大约2％。根据另一实施例，距离La和距离Lb之间的差可以小于大约1％。距离La可以被限定为第一发射区域EM1的边缘和第三发射区域EM3的边缘之间的最短距离，并且距离Lb可以被限定为第二发射区域EM2的边缘和第三发射区域EM3的边缘之间的最短距离。在实施例中，例如，距离La和距离Lb都可以大于10μm并且小于20μm。例如，距离La和距离Lb可以分别为大约18.43μm和大约18.35μm，并且距离La可以比距离Lb长大约1％。
根据另一实施例，距离La和距离Lb可以基本相同。例如，距离La和距离Lb都可以大于10μm并且小于20μm。例如，距离La和距离Lb都可以是大约18μm。例如，距离La和距离Lb都可以是大约18.35μm。距离La和距离Lb可以与形成分别具有第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的工艺的临界尺寸相同。在此情形下，第三发射区域EM3的平面形状可以为基本倒圆的八边形，例如，八边形或倒角的八边形。
根据第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差，第三发射区域EM3在第一方向上的长度L3a和第三发射区域EM3在第二方向上的长度L3b之间的差可以是大约5％或更少。根据另一实施例，长度L3a和长度L3b之间的差可以小于大约3％。根据另一实施例，长度L3a和长度L3b之间的差可以小于大约2％。第一方向可以被限定为从第一发射区域EM1的中心延伸到第三发射区域EM3的中心的方向。第二方向可以被限定为从第二发射区域EM2的中心延伸到第三发射区域EM3的中心的方向。根据第三发射区域EM3相对于第一发射区域EM1和第二发射区域EM2的相对位置，第一方向和第二方向可以改变。由于长度L3a和长度L3b之间的差存在，因此第三发射区域EM3的平面形状可以为基本倒圆的八边形在第一方向或第二方向上被压扁或缩短的形状。
根据各种实施例，由于第一发射区域EM1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差是小的，因此第三发射区域EM3在第一方向上的长度L3a与彼此相邻的第三发射区域EM3和第一发射区域EM1之间的距离La的比率(L3a/La)和第三发射区域EM3在第二方向上的长度L3b与彼此相邻的第三发射区域EM3和第二发射区域EM2之间的距离Lb的比率(L3b/Lb)之间的差可以是大约5％或更少。根据另一实施例，比率(L3a/La)和比率(L3b/Lb)之间的差可以是大约3％或更少。根据另一实施例，比率(L3a/La)和比率(L3b/Lb)之间的差可以是大约2％或更少。第一方向可以被限定为从第一发射区域EM1的中心延伸到第三发射区域EM3的中心的方向，并且第二方向可以被限定为从第二发射区域EM2的中心延伸到第三发射区域EM3的中心的方向。
根据实施例，由于第三发射区域EM3的平面形状为基本倒圆的八边形，因此彼此相邻的第三发射区域EM3之间的距离Lc可以比通过使用一个掩模(例如，精细金属掩模)形成分别包括第三发射区域EM3的第三发射层EML3中的全部的工艺的临界尺寸长。例如，距离Lc可以大于20μm并且小于40μm。例如，距离Lc可以是大约32.35μm。
根据实施例，在第一发射区域EM1和第二发射区域EM2中的全部的平面形状为基本倒圆的直角菱形，并且第一发射区域EM1和第二发射区域EM2的中心分别与第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2的中心一致的情形下，第一发射区域EM1和第二发射区域EM2之间的距离Ld可以在行方向和列方向上都是恒定的。
根据本实施例，由于距离La、距离Lb和距离Lc可以在第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3之间被保证，因此不仅分别包括第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的第一至第三发射层EML1、EML2和EML3可以使用与此对应的精细金属掩模来形成，而且在使用精细金属掩模的沉积工艺期间沉积可靠性可以被提高。因此，根据本实施例，具有提高的沉积可靠性的有机发光显示设备被提供。
第三发射区域EM3的平面面积可以小于第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积。根据实施例，第三发射区域EM3的平面面积可以是第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积中的更大的面积的75％或更多。根据另一实施例，第三发射区域EM3的平面面积可以是第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积中的更大的面积的80％或更多。
第一发射区域EM1的平面面积可以是第二发射区域EM2的平面面积的90％或更多。根据另一实施例，第一发射区域EM1的平面面积可以是第二发射区域EM2的平面面积的95％或更多。根据另一实施例，第一发射区域EM1的平面面积可以是第二发射区域EM2的平面面积的97％或更多。
例如，第一发射区域EM1、第二发射区域EM2和第三发射区域EM3的平面面积的比率可以是0.975:1:0.771。例如，包括第一发射区域EM1的第一子像素的开口率可以是大约19.5％，包括第二发射区域EM2的第二子像素的开口率可以是大约20.0％，并且包括第三发射区域EM3的第三子像素的开口率可以是大约15.42％。
由于有机发光显示设备具有根据本实施例的子像素布置结构，因此当以最大亮度显示白色(即，显示全白色)时，供给到第三发射层EML3的电流量可以是供给到第一发射层EML1的电流量和供给到第二发射层EML2的电流量中的更大的电流量的75％或更多。根据另一实施例，当有机发光显示设备显示全白色时，供给到第三发射层EML3的电流量可以是供给到第一发射层EML1的电流量和供给到第二发射层EML2的电流量中的更大的电流量的80％或更多。例如，当有机发光显示设备显示全白色时，假设供给到第三发射层EML3的电流量为1，则供给到第一发射层EML1的电流量可以是大约1.28，并且供给到第二发射层EML2的电流量可以是大约1.05。
和本实施例不同，在第一发射区域EM1和第三发射区域EM3被布置在虚拟四边形VR的中心处，并且第二发射区域EM2被布置在虚拟四边形VR的顶点处，并且其中第二发射区域EM2的数量是第一发射区域EM1和第三发射区域EM3的数量的两倍的情形下，第三发射区域EM3的平面面积和供给到第三发射区域EM3的电流量变成两倍，并且第二发射区域EM2的平面面积和供给到第二发射区域EM2的电流量变成1/2倍。在此情形下，第三发射区域EM3的平面面积变成第二发射区域EM2的平面面积的大约三倍，并且当显示全白色时，供给到第三发射层EML3的电流量变成供给到第二发射层EML2的电流量的大约四倍。当第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面面积的偏差以及供给到第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的电流量的偏差增加时，随着第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3非均匀地被布置，由于第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3之间需要的间隔，因此在增加有机发光显示设备的分辨率或每英寸像素上存在限制。此外，随着供给到第二发射层EML2的电流量减少，与包括第一发射层EML1或第三发射层EML3的其他子像素相比，包括第二发射层EML2的子像素晚些发射光，并且因此尽管应当显示白色，但是可能无意地临时显示红色或紫色。
由于有机发光显示设备具有根据本实施例的子像素布置结构，因此第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3的平面面积以及供给到第一至第三发射层EML1、EML2和EML3的电流量变得相对均匀。因此，可以增加有机发光显示设备的分辨率，并且可以解决红色或紫色代替白色临时被显示的问题。根据本实施例的有机发光显示设备可以显示更高质量的图像。
根据本实施例，第一发射层EML1可以发射红光，第二发射层EML2可以发射绿光，并且第三发射层EML3可以发射蓝光。然而，本公开并不限于此，并且第一发射层EML1可以发射绿光、蓝光或白光，第二发射层EML2可以发射红光、蓝光或白光，并且第三发射层EML3可以发射红光、绿光或白光，并且由第一至第三发射层EML1、EML2和EML3发射的光的颜色可以彼此不同。
第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3可以分别与像素限定层PDL的第一至第三开口OP1、OP2和OP3对应。多个第一开口OP1和多个第二开口OP2轮流或交替地被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三开口OP3分别被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三开口OP1、OP2和OP3的平面面积之间的差小于第一至第三开口OP1、OP2和OP3中的最大的平面面积的25％。
第一开口OP1的数量和第二开口OP2的数量可以基本相同，并且第三开口OP3的数量可以是第一开口OP1的数量的两倍，或第二开口OP2的数量的两倍。然而，第一开口OP1的数量和第二开口OP2的数量可以不恰好相同。此外，第三开口OP3的数量可以不是第一开口OP1的数量或第二开口OP2的数量的恰好两倍。
第一开口OP1可以分别被布置在第一虚拟四边形VR1的中心处。第一开口OP1的中心可以与第一虚拟四边形VR1的中心基本一致。第一开口OP1的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的直角菱形。
第二开口OP2可以分别被布置在第二虚拟四边形VR2的中心处。第二开口OP2的中心可以与第二虚拟四边形VR2的中心基本一致。第二开口OP2的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的直角菱形。
尽管图1图示了第一开口OP1的平面面积和第二开口OP2的平面面积基本相同，但是本公开并不限于此。根据实施例，第一开口OP1的平面面积和第二开口OP2的平面面积之间的差可以是10％或更少，5％或更少，或3％或更少。第一开口OP1的平面面积可以小于第二开口OP2的平面面积。第一开口OP1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二开口OP2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差可以是大约5％或更少，大约2.5％或更少，或大约1.5％或更少。
第三开口OP3可以分别被布置在彼此相邻地排列的第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2的顶点处。第三开口OP3的中心可以分别与虚拟四边形VR的顶点基本一致。
根据实施例，第三开口OP3的平面形状可以是如图1所示的基本倒圆的正八边形。在此情形下，根据距离L1和距离L2之间的差，彼此相邻的第一开口OP1和第三开口OP3之间的距离La与彼此相邻的第二开口OP2和第三开口OP3之间的距离Lb之间的差可以小于大约5％，小于大约2％，或小于大约1％。距离La可以被限定为第一开口OP1的边缘和第三开口OP3的边缘之间的最短距离，并且距离Lb可以被限定为第二开口OP2的边缘和第三开口OP3的边缘之间的最短距离。
根据实施例，距离La和距离Lb可以基本相同。在实施例中，根据距离L1和距离L2之间的差，第三开口OP3的平面形状可以为基本倒圆的八边形，例如，八边形或倒角的八边形。第三开口OP3的平面形状可以为基本倒圆的正八边形在第一方向或第二方向上被压扁或缩短的形状。
根据距离L1和距离L2之间的差，第三开口OP3在第一方向上的长度L3a和第三开口OP3在第二方向上的长度L3b之间的差可以是大约5％或更少，大约3％或更少，或大约2％或更少。第一方向可以被限定为从第一开口OP1的中心延伸到第三开口OP3的中心的方向。第二方向可以被限定为从第二开口OP2的中心延伸到第三开口OP3的中心的方向。根据第三开口OP3相对于第一开口OP1和第二开口OP2的各自的相对位置，第三开口OP3的第一方向和第二方向可以改变。
根据各种实施例，由于距离L1和距离L2之间的差不大，因此长度L3a与距离La的比率(L3a/La)和长度L3b与距离Lb的比率(L3b/Lb)之间的差可以是大约5％或更少，大约3％或更少，或大约2％或更少。
第三开口OP3的平面面积可以小于第一开口OP1的平面面积和第二开口OP2的平面面积。第三开口OP3的平面面积可以是第一开口OP1的平面面积和第二开口OP2的平面面积中的更大的平面面积的75％或更多，或80％或更多。第一开口OP1的平面面积可以是第二开口OP2的平面面积的90％或更多，或95％或更多。
尽管图1中未示出，用于防止或基本防止通过用于有机发射材料的沉积工艺的掩模产生的结构的表面的损坏的隔离物可以被布置在像素限定层PDL上。隔离物可以被布置在第一至第三发射层EML1、EML2和EML3之间，并且可以具有固定的高度或厚度(例如，预设高度或厚度)，并且隔离物的平面形状可以基本为矩形或正方形。
在此，参考图5描述根据另一实施例的有机发光显示设备的子像素布置结构。
图5是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图。图5的有机发光显示设备与图1的有机发光显示设备基本相同，除了第三发射区域EM3'和第三发射层EML3'之外。相同组件的描述不再重复。
图5图示了分别包括第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'的第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'以及包括分别与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'对应的第一至第三开口OP1、OP2和OP3'的像素限定层PDL。参考图5，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'分别与第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'基本一致。然而，这是示例性的，并且与图3所示的类似，第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'可以分别与第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'的部分对应。
参考图5，图示了在行方向和列方向上彼此相邻地排列的虚拟四边形VR。虚拟四边形VR可以是正方形、基本接近正方形的矩形或基本接近正方形的平行四边形。
多个第一发射区域EM1和多个第二发射区域EM2轮流或交替地被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三发射区域EM3'分别被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'的平面面积之间的差小于第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'中的最大的平面面积的25％。
多个第一开口OP1和多个第二开口OP2轮流或交替地被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三开口OP3'分别被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三开口OP1、OP2和OP3'的平面面积之间的差小于第一至第三开口OP1、OP2和OP3'中的最大的平面面积的25％。
在实施例中，包括第一发射层EML1的第一子像素的数量和包括第二发射层EML2的第二子像素的数量相同，并且包括第三发射层EML3'的第三子像素的数量可以是第一子像素的数量的两倍或第二子像素的数量的两倍。然而，第一子像素的数量可以与第二子像素的数量不同，并且第三子像素的数量可以不是第一子像素的数量或第二子像素的数量的恰好两倍。根据本实施例，有机发光显示设备的每英寸的像素数量可以是520个或更多个。例如，在1英寸的范围内包括520个或更多个第三发射区域EM3'或第三发射层EML3'的第三子像素可以在虚拟四边形VR的对角线方向上被布置。
虚拟四边形VR包括在行方向和列方向上相邻地轮流或交替排列的第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2。第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2中的全部可以具有相同的形状。
第一发射区域EM1或第一开口OP1可以被布置在第一虚拟四边形VR1的中心处。第一发射区域EM1或第一开口OP1的中心可以与第一虚拟四边形VR1的中心基本一致。第一发射区域EM1或第一开口OP1的平面形状可以是如图5所示的基本倒圆的直角菱形。
第二发射区域EM2或第二开口OP2可以被布置在第二虚拟四边形VR2的中心处。第二发射区域EM2或第二开口OP2的中心可以与第二虚拟四边形VR2的中心基本一致。第二发射区域EM2或第二开口OP2的平面形状可以是如图5所示的基本倒圆的直角菱形。
尽管图5图示了第一发射区域EM1和第二发射区域EM2或第一开口OP1和第二开口OP2具有基本相同的平面面积，但是本公开并不限于此。第一发射区域EM1或第一开口OP1的平面面积和第二发射区域EM2或第二开口OP2的平面面积之间的差可以是10％或更少，5％或更少，或3％或更少。第一发射区域EM1或第一开口OP1的平面面积可以小于第二发射区域EM2或第二开口OP2的平面面积。第一发射区域EM1或第一开口OP1的彼此面对的两个边之间的距离L1和第二发射区域EM2或第二开口OP2的彼此面对的两个边之间的距离L2之间的差可以是大约5％或更少，大约2.5％或更少，或大约1.5％或更少。距离L1可以比距离L2短。
第三发射区域EM3'或第三开口OP3'可以分别被布置在虚拟四边形VR的顶点处。第三发射区域EM3'或第三开口OP3'的中心可以分别与虚拟四边形VR的顶点基本一致。根据实施例，第三发射区域EM3'或第三开口OP3'的平面形状可以是如图5所示的基本倒圆的直角菱形。
第三发射区域EM3'或第三开口OP3'的平面面积可以与图1所示的第三发射区域EM3或第三开口OP3的平面面积基本相同。然而，由于第三发射区域EM3'或第三开口OP3'的平面形状为基本倒圆的直角菱形，因此与图1所示的第三发射区域EM3或第三开口OP3在第一方向上的长度L3a和第三发射区域EM3或第三开口OP3在第二方向上的长度L3b相比，第三发射区域EM3'或第三开口OP3'在第一方向上的长度L3a'和第三发射区域EM3'或第三开口OP3'在第二方向上的长度L3b'可以减小大约7％至大约9％。例如，与图1的长度L3a和长度L3b相比，图5的长度L3a'和长度L3b'可以减小大约8％。
因此，与图1的距离La和距离Lb相比，彼此相邻的第一发射区域EM1与第三发射区域EM3'之间的距离La'和第二发射区域EM2与第三发射区域EM3'之间的距离Lb'可以减小大约5％至大约7％。例如，与图1的距离La和距离Lb相比，图5的距离La'和距离Lb'可以分别减小大约6％。因此，当设计为距离La'和距离Lb'与形成分别包括第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'的第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'的工艺的临界尺寸相同时，根据图5的实施例的有机发光显示设备可以具有比图1的实施例高的分辨率或高的每英寸像素。
在第三发射区域EM3'或第三开口OP3'的平面形状为基本倒圆的直角菱形的情形下，根据距离L1和距离L2之间的差，距离La'和距离Lb'之间的差可以小于大约5％，小于大约2％，或小于大于1％。距离La'可以被限定为第一发射区域EM1的边缘和第三发射区域EM3'的边缘之间的最短距离，并且距离Lb'可以被限定为第二发射区域EM2的边缘和第三发射区域EM3'的边缘之间的最短距离。例如，距离La'和距离Lb'都可以大于10μm并且小于20μm。例如，距离La'和距离Lb'都可以是大约18μm或19μm。例如，距离La'和距离Lb'可以分别为大约18.78μm和大约18.6μm，并且距离La'可以比距离Lb'长大约1％。
根据实施例，距离La'和距离Lb'可以基本相同。例如，距离La'和距离Lb'都可以大于10μm并且小于20μm。例如，距离La'和距离Lb'都可以是大约18.6μm。距离La'和距离Lb'可以是形成第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'的工艺的临界尺寸，并且因此可以相同。在实施例中，第三发射区域EM3'的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形在第一方向或第二方向上被压扁或缩短的形状。例如，第三发射区域EM3'的平面形状可以为基本倒圆的矩形被旋转大约45°的形状。
根据距离L1和距离L2之间的差，第三发射区域EM3'在第一方向上的长度L3a'和第三发射区域EM3'在第二方向上的长度L3b'之间的差可以小于大约5％，小于大约3％，或小于大约2％。
根据实施例，由于第三发射区域EM3'的平面形状为基本倒圆的直角菱形，因此与图1的距离Lc相比，减小了彼此相邻的第三发射区域EM3'之间的距离Lc'。因此，距离Lc'可以比通过使用一个掩模(例如，精细金属掩模)形成包括第三发射区域EM3'的第三发射层EML3'的工艺的临界尺寸短。例如，距离Lc'可以是大约29.44μm。在此情形下，第三发射层EML3'可以通过使用两个掩模的两个工艺来形成。下面参考图6A至图6D更具体地描述制造包括第三发射层EML3'的有机发光显示设备的方法。
第三发射区域EM3'的平面面积可以小于第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积。根据实施例，第三发射区域EM3'的平面面积可以是第一发射区域EM1的平面面积和第二发射区域EM2的平面面积中的更大的平面面积的75％或更多，或80％或更多。由于有机发光显示设备具有根据本实施例的子像素布置结构，因此当有机发光显示设备显示全白色时，供给到第三发射层EML3'的电流量可以是供给到第一发射层EML1的电流量和供给到第二发射层EML2的电流量中的更大的电流量的75％或更多，或80％或更多。
由于有机发光显示设备具有根据本实施例的子像素布置结构，因此第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'的平面面积以及供给到第一至第三发射层EML1、EML2和EML3'的电流量变得相对均匀。因此，可以提高有机发光显示设备的分辨率，并且可以解决红色或紫色代替白色临时被显示的问题。根据本实施例的有机发光显示设备可以显示更高质量的图像。
根据本实施例，第一发射层EML1可以发射红光，第二发射层EML2可以发射绿光，并且第三发射层EML3'可以发射蓝光。然而，本公开并不限于此。
图6A至图6D是用于制造图5的有机发光显示设备的第一掩模至第四掩模的一部分的平面图。
在实施例中，分别在图6A至图6D中图示的第一至第四掩模MSK1、MSK2、MSK3和MSK4可以是精细金属掩模。
图6A所示的第一掩模MSK1是用于形成图5的第一发射层EML1的掩模，并且具有与第一发射区域EM1或第一开口OP1的位置对应的第一掩模开口MOP1。第一发射层EML1可以通过沉积已经穿过第一掩模开口MOP1的第一有机发射材料来形成。
图6B所示的第二掩模MSK2是用于形成图5的第二发射层EML2的掩模，并且具有与第二发射区域EM2或第二开口OP2的位置对应的第二掩模开口MOP2。第二发射层EML2可以通过沉积已经穿过第二掩模开口MOP2的第二有机发射材料来形成。
图6C所示的第三掩模MSK3是用于形成图5的第三发射层EML3'的一部分的掩模，并且具有与第三发射区域EM3'的一部分或第三开口OP3'的一部分的位置对应的第三掩模开口MOP3a。第三发射层EML3'的一部分可以通过沉积已经穿过第三掩模开口MOP3a的第三有机发射材料来形成。
图6D所示的第四掩模MSK4是用于形成图5的第三发射层EML3'的其余部分的掩模，并且具有与第三发射层EML3'的其余部分或第三开口OP3'的其余部分的位置对应的第四掩模开口MOP3b。第三发射层EML3'的其余部分可以通过沉积已经穿过第四掩模开口MOP3b的第三有机发射材料来形成。
参考图6C和图6D，通过第三掩模MSK3形成的第三发射层EML3'的一部分和通过第四掩模MSK4形成的第三发射层EML3'的其余部分在行方向和列方向上轮流或交替地被布置。因此，第三掩模开口MOP3a之间的间隔和第四掩模开口MOP3b之间的间隔大于用于通过使用一个掩模形成第三发射层EML3'的临界尺寸。因此，包括具有基本倒圆的直角菱形的平面形状的第三发射区域EM3'的第三发射层EML3'可以通过使用第三掩模MSK3和第四掩模MSK4执行两次沉积来形成。
图7是图6A至图6D所示的第一掩模至第四掩模重叠的参考图。
参考图7，为了表示图6A至图6D所示的第一至第四掩模MSK1、MSK2、MSK3和MSK4的第一至第四掩模开口MOP1、MOP2、MOP3a和MOP3b的相对位置，以重叠的方式表示第一至第四掩模开口MOP1、MOP2、MOP3a和MOP3b。
图7所示的第一掩模开口MOP1被布置在分别与图5所示的第一发射层EML1对应的位置处。图7所示的第二掩模开口MOP2被布置在分别与图5所示的第二发射层EML2对应的位置处。图7所示的第三掩模开口MOP3a和第四掩模开口MOP3b被布置在分别与图5所示的第三发射层EML3'对应的位置处。
根据实施例，为了提高沉积可靠性，第一至第四掩模开口MOP1、MOP2、MOP3a和MOP3b可以分别具有比第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'或第一至第三开口OP1、OP2和OP3'的平面面积大的平面面积，并且可以分别具有与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'或第一至第三开口OP1、OP2和OP3'的平面形状不同的平面形状。
根据另一实施例，第一至第四掩模开口MOP1、MOP2、MOP3a和MOP3b可以分别具有与第一至第三发射区域EM1、EM2和EM3'或第一至第三开口OP1、OP2和OP3'的平面形状和面积基本相同的平面形状和面积。
图8是根据另一实施例的有机发光显示设备的平面的一部分的平面图。
图8的有机发光显示设备与图1的有机发光显示设备基本相同，除了第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”的平面形状之外。相同组件的描述不再重复。
图8图示了包括第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”以及与第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”对应的第一至第三开口OP1”、OP2”和OP3”的像素限定层PDL。图8图示了第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”分别与第一至第三发射层EML1”、EML2”和EML3”基本一致。然而，这是示例性的，并且与图3所示的类似，第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”可以分别与第一至第三发射层EML1”、EML2”和EML3”的部分对应。
在行方向和列方向上相邻地排列的虚拟四边形VR被图示。虚拟四边形VR可以是正方形、基本接近正方形的矩形或基本接近正方形的平行四边形。
多个第一发射区域EM1”和多个第二发射区域EM2”被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三发射区域EM3”分别被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”的平面面积之间的差小于第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”中的最大的平面面积的25％。
多个第一开口OP1”和多个第二开口OP2”被布置在虚拟四边形VR的中心处。多个第三开口OP3”被布置在沿行方向和列方向彼此相邻的虚拟四边形VR的顶点处。第一至第三开口OP1”、OP2”和OP3”的平面面积之间的差小于第一至第三开口OP1”、OP2”和OP3”中的最大的平面面积的25％。
包括第一发射层EML1”的第一子像素的数量可以与包括第二发射层EML2”的第二子像素的数量相同。包括第三发射层EML3”的第三子像素的数量可以是第一子像素的数量的两倍或第二子像素的数量的两倍。然而，第一子像素的数量可以与第二子像素的数量不同，并且第三子像素的数量可以不是第一子像素的数量或第二子像素的数量的恰好两倍。
虚拟四边形VR包括在行方向和列方向上彼此相邻地轮流或交替地排列的第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2。第一虚拟四边形VR1和第二虚拟四边形VR2两者可以具有相同的形状。
第一发射区域EM1”或第一开口OP1”可以分别被布置在第一虚拟四边形VR1的中心处。第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的中心可以与第一虚拟四边形VR1的中心基本一致。
第二发射区域EM2”或第二开口OP2”可以分别被布置在第二虚拟四边形VR2的中心处。第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的中心可以与第二虚拟四边形VR2的中心基本一致。
第三发射区域EM3”或第三开口OP3”可以分别被布置在虚拟四边形VR的顶点处。第三发射区域EM3”或第三开口OP3”的中心可以分别与虚拟四边形VR的顶点基本一致。
第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的平面形状可以与第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的平面形状基本相同，并且可以与第三发射区域EM3”或第三开口OP3”的平面形状不同。例如，第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的平面形状和第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的平面形状可以为基本倒圆的直角菱形，并且第三发射区域EM3”或第三开口OP3”的平面形状可以为基本倒圆的八边形，或基本倒圆的八边形在第一方向上被拉伸或加长并且在第二方向上被压缩或缩短的形状。另外，第三发射区域EM3”或第三开口OP3”的平面形状可以为倒圆的四边形或倒圆的矩形。第一方向可以被限定为从第一发射区域EM1”的中心延伸到第三发射区域EM3”的中心的方向。第二方向可以被限定为从第二发射区域EM2”的中心延伸到第三发射区域EM3”的中心的方向。根据第三发射区域EM3”相对于第一发射区域EM1”和第二发射区域EM2”的相对位置，第三发射区域EM3”的第一方向和第二方向可以改变。
第三发射区域EM3”或第三开口OP3”可以被划分为第三发射区域EM3a”或第三开口OP3a”，以及第三发射区域EM3b”或第三开口OP3b”。第三发射区域EM3a”或第三开口OP3a”具有在右上-左下方向上拉伸的平面形状，并且第三发射区域EM3b”或第三开口OP3b”具有在左上-右下方向上拉伸的平面形状。
第三发射区域EM3a”和第三发射区域EM3b”可以在行方向和列方向上轮流或交替地被布置。第三发射区域EM3a”和第三发射区域EM3b”可以上下对称和左右对称。因此，与虚拟四边形VR的中心相邻并且在虚拟四边形VR的中心的周围的四个第三发射区域EM3”或第三开口OP3”可以上下对称和左右对称。
如图8所示，第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的平面面积可以小于第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的平面面积。第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的平面面积可以是第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的平面面积的80％或更多，90％或更多，或95％或更多。第一发射区域EM1”或第一开口OP1”的彼此面对的两个边之间的距离L1”可以是第二发射区域EM2”或第二开口OP2”的彼此面对的两个边之间的距离L2”的大约90％或更多，大约95％或更多，或大约97.5％或更多。
彼此相邻的第一发射区域EM1”和第三发射区域EM3”之间的距离La”与第二发射区域EM2”和第三发射区域EM3”之间的距离Lb”可以基本相同。例如，距离La”和距离Lb”可以与形成分别包括第一至第三发射区域EM1”、EM2”和EM3”的第一至第三发射层EML1”、EML2”和EML3”的工艺的临界尺寸相同。
在实施例中，由于距离L1”比距离L2”短，并且距离La”和距离Lb”相同，因此第三发射区域EM3”在第一方向上的长度L3a”可以比第三发射区域EM3”在第二方向上的长度L3b”长。在第二方向上的长度L3b”可以是在第一方向上的长度L3a”的90％或更多，95％或更多，或97.5％或更多。第三发射区域EM3”在第一方向上的长度和第三发射区域EM3”在第二方向上的长度之间的差可以小于10％，小于5％，或小于2.5％。
根据各种实施例，提供了具有高分辨率像素布置结构的显示设备，其中相邻的发射层之间的间隔被有效设置并且子像素的开口率被保证。
尽管已经参考附图中图示的一些实施例描述了本公开，但这仅作为示例被提供，并且本领域普通技术人员应当理解，在不脱离以下权利要求中提出的本公开的精神和范围的情况下，可以对其形式和细节以及等同物进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，包括：
多个第一发射区域和多个第二发射区域，所述多个第一发射区域和所述多个第二发射区域被交替布置在沿行方向和列方向彼此相邻地排列的虚拟四边形的中心处；以及
分别布置在所述虚拟四边形的顶点处的多个第三发射区域，其中
第一距离和第二距离中的更小的距离是所述第一距离和所述第二距离中的更大的距离的95％或更多，所述第一距离是彼此相邻的所述第三发射区域与所述第一发射区域之间的距离，所述第二距离是彼此相邻的所述第三发射区域与所述第二发射区域之间的距离。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发射区域发射红光，所述第二发射区域发射绿光，并且所述第三发射区域发射蓝光。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发射区域至所述第三发射区域中的最小的平面面积是所述第一发射区域至所述第三发射区域中的最大的平面面积的75％或更多。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个的平面面积是所述第一发射区域中的每个的平面面积和所述第二发射区域中的每个的平面面积中的更大的面积的75％或更多。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个的平面面积小于所述第一发射区域中的每个的平面面积和所述第二发射区域中的每个的平面面积中的更小的面积。
6.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
基板；
像素电极层，在所述基板之上并且包括多个第一像素电极、多个第二像素电极和多个第三像素电极；
像素限定层，在所述像素电极层之上并且包括多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，每个所述第一开口暴露所述第一像素电极的一部分，每个所述第二开口暴露所述第二像素电极的一部分，每个所述第三开口暴露所述第三像素电极的一部分；
多个第一发射层，每个所述第一发射层在所述第一像素电极上并且包括与所述第一开口对应的所述第一发射区域；
多个第二发射层，每个所述第二发射层在所述第二像素电极上并且包括与所述第二开口对应的所述第二发射区域；
多个第三发射层，每个所述第三发射层在所述第三像素电极上并且包括与所述第三开口对应的所述第三发射区域；以及
覆盖所述第一发射层至所述第三发射层的对电极。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，当所述显示设备以最大亮度显示白色时，供给到所述第三发射层的电流量是供给到所述第一发射层的电流量和供给到所述第二发射层的电流量中的更大的电流量的75％或更多。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发射区域中的每个的平面形状和所述第二发射区域中的每个的平面形状是基本倒圆的直角菱形。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个的平面形状是基本倒圆的直角菱形。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个的平面形状是基本倒圆的正八边形。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个的平面形状是倒圆的正八边形、倒圆的四边形或倒圆的矩形。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一距离与所述第二距离基本相同。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与所述第三发射区域中的每个在第二方向上的长度的差小于5％，所述第一方向是从所述第一发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向，所述第二方向是从所述第二发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与所述第一距离的比率与所述第三发射区域中的每个在第二方向上的长度与所述第二距离的比率的差小于5％，所述第一方向是从所述第一发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向，所述第二方向是从所述第二发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一发射区域中的每个的平面形状与所述第二发射区域中的每个的平面形状基本相同，并且所述第三发射区域中的每个的平面形状与所述第一发射区域和所述第二发射区域的所述平面形状不同。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第三发射区域中的每个在第一方向上的长度与所述第三发射区域中的每个在第二方向上的长度的差小于10％，所述第一方向是从所述第一发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向，所述第二方向是从所述第二发射区域中的一个的中心延伸到所述第三发射区域中的一个的中心的方向。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述多个第三发射区域中，四个第三发射区域被布置成与所述虚拟四边形中的每个的中心相邻，并且关于所述虚拟四边形中的每个的中心上下对称和左右对称。
18.根据权利要求1所述的显示设备，其中，在所述虚拟四边形的对角线方向上，五百个或更多个第三发射区域被布置在一英寸的范围内。
19.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述虚拟四边形中的每个基本是矩形或正方形。
20.一种显示设备，包括：
基板，包括在行方向和列方向上彼此相邻地交替布置并且具有相同的形状的第一虚拟四边形和第二虚拟四边形；
像素电极层，在所述基板之上并且包括多个第一像素电极、多个第二像素电极和多个第三像素电极；
像素限定层，在所述像素电极层之上并且包括多个第一开口、多个第二开口和多个第三开口，每个所述第一开口暴露所述第一像素电极中的一个的一部分并且被布置在所述第一虚拟四边形中的每个的中心处，每个所述第二开口暴露所述第二像素电极中的一个的一部分并且被布置在所述第二虚拟四边形中的每个的中心处，每个所述第三开口暴露所述第三像素电极中的一个的一部分并且分别被布置在所述第一虚拟四边形和所述第二虚拟四边形的顶点处；
多个第一发射层，每个所述第一发射层被布置在所述第一像素电极中的一个上，使得所述第一发射层中的每个的至少一部分填充所述第一开口中的一个；
多个第二发射层，每个所述第二发射层被布置在所述第二像素电极中的一个上，使得所述第二发射层中的每个的至少一部分填充所述第二开口中的一个；
多个第三发射层，每个所述第三发射层被布置在所述第三像素电极中的一个上，使得所述第三发射层中的每个的至少一部分填充所述第三开口中的一个；以及
覆盖所述多个第一发射层至所述多个第三发射层的对电极，其中
第一距离和第二距离中的更小的距离是所述第一距离和所述第二距离中的更大的距离的95％或更多，所述第一距离是彼此相邻的所述第三发射区域与所述第一发射区域之间的距离，所述第二距离是彼此相邻的所述第三发射区域与所述第二发射区域之间的距离。
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