CN116782696B - 显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及显示装置显示基板具有安装区(Q3),与安装区(Q3)相邻的第一显示区(Q1),以及包围第一显示区(Q1)和/或安装区(Q3)的第二显示区(Q2);其中,显示基板包括:基底,驱动电路层,设置在所述基底上;驱动电路层包括多个像素驱动电路(10);所述多个像素驱动电路(10)位于所述第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2),且位于第二显示区(Q2)中的像素驱动电路(10)的排布密度小于位于第一显示区(Q1)中的像素驱动电路(10)的排布密度;多个发光器件(D),位于安装区(Q3)、第一显示区(Q1)和第二显示区(Q2);一个发光器件(D)的第一电极电连接一个像素驱动电路(10),且位于安装区(Q3)中的发光器件(D)的第一电极电连接的像素驱动电路(10)位于第一显示区(Q1)。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着科技的进步,近年来,异形屏以及全面屏已经逐渐走入大家的视野。不论是异形屏还是全面屏目的都是为了提升显示设备的屏占比。那么,为了实现更高的屏占比,在显示屏的一些位置上需要为一些附加部件(例如摄像头、传感器等等)预留一些开口区域(例如开孔)。
随着显示器技术发展和更新换代,有机电致发光显示器件(OrganicElectroluminance Display,简称为:OLED)由于具有自发光、高亮度、高对比度、低工作电压、可制作柔性显示器等特点,已经逐渐成为显示领域的主流产品。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种显示基板及显示装置。
本公开实施例提供一种显示基板,其具有安装区,与所述安装区相邻的第一显示区,以及包围所述第一显示区和/或所述安装区的第二显示区;其中,所述显示基板包括:
基底,
驱动电路层,设置在所述基底上;所述驱动电路层包括多个像素驱动电路;所述多个像素驱动电路位于所述第一显示区和第二显示区,且位于所述第二显示区中的像素驱动电路的排布密度小于位于所述第二显示区中的像素驱动电路的排布密度;
多个发光器件,位于所述安装区、所述第一显示区和第二显示区;一个所述发光器件的第一电极电连接一个所述像素驱动电路,且位于所述安装区中的所述发光器件的第一电极电连接的所述像素驱动电路位于所述第一显示区。
其中,所述显示基板还包括:
多条数据线,位于所述第一显示区和所述第二显示区,且一个所述像素驱动电路电连接一条所述数据线;
在第一显示区中,沿第一方向相邻设置的两个所述像素驱动电路与所述数据线的连接节点之间的距离为d1;在第二显示区中,沿第一方向相邻设置的两个所述像素驱动电路与所述数据线的连接节点之间的距离为d2;且d1小于d2。
其中,所述多个发光器件包括括沿第一方向排布的多个发光器件组,所述多个发光器件组中的每个的发光器件沿第二方向排布;连接同一个发光器件组中的发光器件的第一电极的所述像素驱动电路连接同一条所述数据线。
其中,所述多条数据线中的至少部分包括位于不同层的部分。
其中,所述多条数据线中的至少部分数据线包括折线。
其中,所述包括折线的至少一条数据线为第一数据线;所述第一数据线包括与驱动所述安装区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第一子数据线段,以及与驱动所述第二显示区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第二子数据线段;所述第一子数据线段和所述第二子数据线段至少部分不在同一条直线上。
其中,所述第一数据线还包括与驱动所述第一显示区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第三子数据线段;所述第一子数据线段和所述第三子数据线段至少部分不在同一条直线上。
其中,所述第一子数据线段与所述第二子数据线段、第三子线数据段包括大致平行的部分。
其中,所述第一子数据线段与所述第二子数据线段包括不同的材料,和/或,所述第一子数据线段与所述第子三数据线段包括不同的材料。
其中,所述第二子数据线段包括分设于所述安装区沿第二方向两相对侧第一部分和第二部分;所述第一数据线还包括分设于所述安装区沿第二方向两相对侧的第一转接电极和所述第二转接电极;其中,
所述第一子数据线段在所述安装区沿第二方向的第一侧在通过所述第一转接电极与所述第二子数据线段的第一部分电连接,所述第一子数据线段在所述安装区沿第二方向的第二侧通过所述第二转接电极与所述第二子数据线段的第二部分电连接。
其中,所述第一转接电极和所述第二转接电极包括大致平行的部分。
其中,至少部分所述第一转接电极和所述第二转接电极在沿第一方向上的长度大致相同。
其中,所述显示基板还包括:
第二导电层,设置在所述基底上;所述第二导电层包括沿所述第一方向延伸的所述第一转接电极和所述第二转接电极;
第二绝缘层,设置在所述第二导电层背离所述基底的一侧;
第三导电层,设置在所述第二绝缘层背离所述第二导电层的一侧;所述第三导电层包括沿第二方向延伸的所述第一子数据线段、所述第二子数据线段和所述第三子数据线段。
其中,位于所述第一显示区中的像素驱动电路包括沿第一方向排布的多个第一像素驱动电路组;位于所述第二显示区中的像素驱动电路包括沿第一方向排布的多个第二像素驱动电路组;所述第一像素驱动电路组包括沿第二方向排布的多个第一像素驱动电路,所述第二像素驱动电路包括沿第二方向排布的多个第一像素驱动电路;
所述多个发光器件形成多个沿第一方向排布的发光器件组,所述多个发光器件组中的发光器件沿第二方向排布;且所述多个发光器件组包括M个安装区发光器件组,所述安装区发光器件组中至少一个发光器件位于所述安装区;
所述多个第一像素驱动电路组包括M个第一子像素驱动电路组,所述M个第一子像素驱动电路组中的所述像素驱动电路沿第二方向排布;M为大于等于2的整数;
位于所述安装区且处于第i个所述安装区发光器件组中各个所述发光器件的第一电极与第i个所述第一子像素驱动电路组中的像素驱动电路通过信号连接线一一对应连接,i取1至M。
其中,所述第一显示区包括在第一方向上相对设置的第一子显示区和第二子显示区;所述第一子显示区和所述第二子显示区中均设置有所述第一子像素驱动电路组,位于所述第一子显示区的至少一个所述第一子像素驱动电路组和位于所述第二子显示区的至少一个所述第一子像素驱动电路组到所述安装区边缘的最近距离比值在0.8-1.2。
其中,第1个至第M个发光器件组在第一子显示区指向第二子显示区的方向上依次排布;第1个至第M/2个所述第一子像素驱动电路组位于所述第一子显示区,且在第一方向上沿背离所述安装区的方向依次排布;第M个至第M/2+1个所述第一子像素驱动电路组位于所述第二子显示区,且在第一方向上沿背离所述安装区的方向依次排布。
其中,所述显示基板包括:
第二导电层,设置在所述基底上;所述第二导电层包括复位电源信号线、所述存储电容的第一极板,以及第1个和第M个所述第一子像素驱动电路组中所述像素驱动电路对应连接的所述信号连接线。
其中,所述显示基板还包括:
有源半导体层,其包括各所述像素驱动电路中的各晶体管的沟道区和源漏掺杂区,所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管;
栅极绝缘层,设置在所述有源半导体层背离所述基底的一侧;
第一导电层,设置在所述栅极绝缘层背离所述有源半导体层的一侧;所述第一导电层包括所述存储电容的第二极板、扫描信号线、复位控制信号线、发光控制信号线以及所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述阈值补偿晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述第一复位晶体管和所述第二复位晶体管的控制极,所述驱动晶体管的控制极复用为所述存储电容的第二极板;
第一绝缘层,设置在所述第一导电层背离所述栅极绝缘层的一侧;所述第二导电层,设置在所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧;
第二绝缘层,设置在所述第二导电层背离所述第一绝缘层的一侧;
第三导电层,设置在所述第二绝缘层背离所述第二导电层的一侧;所述第三导电层包括第一电源信号线、数据线的至少部分,以及第一子转接部;所述第一子转接部与所述第二发光控制晶体管的第二极电连接。
其中,所述第一显示区还包括在第二方向上相对设置的第三子显示区和第四子显示区;在所述第三子显示区和所述第四子显示区中,在第二方向上两相邻的所述像素驱动电路所连接的复位控制信号线之间的间距为d3;位于所述第二显示区,在第二方向上两相邻的所述像素驱动电路所连接的复位电源信号线之间的间距为d4,d3小于d4。
其中,所述显示基板还包括:
透明导电层,至少包括位于所述安装区的发光器件的第一电极,以及第2个至第M-1个所述第一子像素驱动电路组中的至少部分所述第一子像素驱动电路组中所述像素驱动电路所对应连接的所述信号连接线。
其中,所述第一子像素驱动电路组在所述第一子显示区和所述第二子显示区沿第一方向均匀排布。
第三导电层第四导电层第三导电层第四导电层22.根据权利要求1-21中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还具有环绕所述第一显示区、且位于所述第一显示区和所述第二显示区之间的过渡区;所述多个发光器件包括位于所述过渡区中的发光器件,且位于所述过渡区的发光器件的第一电极连接的所述像素驱动电路位于所述第一显示区。
其中,所述显示基板还包括:设置在基底上的像素限定层,所述像素限定层包括与所述发光器件的第一电极一一对应的像素开口;
所述第一显示区中,发光颜色相同的各所述发光器件的第一电极所对应的像素开口尺寸大致相同,所述第二显示区中,发光颜色相同的各所述发光器件的第一电极所对应的像素开口尺寸大致相同,所述安装区中,发光颜色相同的各所述发光器件的第一电极所对应的像素开口尺寸大致相同;
对于发光颜色相同的所述发光器件的第一电极所对应的像素开口,所述安装区中像素开口尺寸不大于所述第一显示区和所述第二显示区像素开口尺寸。
其中,位于所述安装区、所述第一显示区、所述第二显示区中的所述发光器件,位于同一区域、且沿第二方向排布的所述发光器件的像素驱动电路沿第二方向排布。
其中,位于所述第一显示区中的有源半导体层的图案面积占所述第一显示区面积的比例,大于所述第二显示区中的有源半导体层的图案面积占所述第二显示区面积的比例。
其中,所述显示基板在第一显示区、第二显示区以及安装区中的至少两者,其发光面积占该区域的整体面积的比例不同。
其中,在所述第一显示区中,任一所述像素驱动电路在沿所述第一方向上的宽度小于任一所述发光器件沿所述第一方向上的宽度。
其中,在所述第一显示区中,任一所述像素驱动电路在沿所述第一方向上的宽度与任一所述发光器件沿所述第一方向上的宽度相差大致3-5μm。
本公开实施例提供提供一种显示装置,其包括上述的显示基板。
其中,所述显示装置还包括:感光传感器,且所述感光传感器在所述基底上的正投影位于所述安装区内。
其中,所述安装区为矩形,所述感光传感器在所述基底上的正投影面积小于等于所述第二显示区的内切圆的面积。
附图说明
图1为一种显示基板的区域分布示意图。
图2为一种像素驱动电路的示意图。
图3为本公开实施例的像素驱动电路的版图。
图4为本公开实施例的显示基板中的发光器件的分布示意图。
图5为本公开实施例的显示基板中的另一种发光器件的分布示意图。图6为本公开实施例的一种压缩像素驱动电路的示意图。
图6为本公开实施例的显示基板的安装区和第一显示区的示意图。
图7-10为本公开实施例的第一数据线的示意图。
图11为本公开实施例的第二数据线的示意图。
图12为本公开实施例的显示基板的安装区的发光器件与像素驱动电路的一种连接示意图。
图13为本公开实施例的显示基板的安装区的发光器件与像素驱动电路的另一种连接示意图。
图14为本公开实施例的显示基板的有源半导体层的示意图。
图15为本公开实施例的显示基板的第一导电层的示意图。
图16为本公开实施例的显示基板的第二导电层的示意图。
图17为本公开实施例的显示基板的第三导电层的示意图。
图18为本公开实施例的显示基板的第四导电层的示意图。
图19为本公开实施例的显示基板的发光器件的第一电极的示意图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
随着显示技术的发展,现有的刘海屏或水滴屏设计均逐渐不能满足用户对显示面板高屏占比的需求,一系列能够在安装区实现显示的显示面板应运而生。该类显示面板中,可以将感光传感器(如,摄像头)等硬件设置于安装区,因无需打孔,故在确保显示面板实用性的前提下,使真全面屏成为可能。
本公开实施例提供了一种显示基板,应用该显示基板的显示面板在确保对安装区内发光器件D可靠驱动,且确保安装区透光率较好的前提下,不会减少显示区内像素数量,确保了显示区的显示效果较好。
图1为一种显示基板的区域分布示意图;如图1所示,该显示基板具有安装区Q3,环绕安装区Q3的第一显示区Q1,环绕第一显示区Q1的过渡区Q4,环绕过渡区Q4的第二显示区Q2。其中,显示基板的安装区Q3、过渡区Q4、第一显示区Q1和第二显示区Q2中均设置有发光器件D,第一显示区Q1和第二显示区Q2中不仅设置有发光器件D而且还有为发光器件D提供驱动信号的像素驱动电路10。由于安装区Q3进行显示的同时还需要设置感光传感器,故安装区Q3中的发光器件D选用具有一定透过率的发光器件D。例如安装区Q3中不设置像素驱动电路10,可以将安装区Q3中的发光器件D的像素驱动电路10设置在第一显示区Q1和/或第二显示区Q2。为便于安装区Q3中的发光器件D与像素驱动电路10电连接,在一些实施例中将安装区Q3中的发光器件D的像素驱动电路10设置在第一显示区Q1。在一些实施例中,由于安装区Q3中的发光器件D的像素驱动电路10设置在第一显示区Q1,为确保这部分像素驱动电路10所连接的信号线(例如数据线Vd)的布线,过渡区Q4中也可以仅设置发光器件D,不设置像素驱动电路10,而过渡区Q4中的发光器件D也可以设置在第一显示区Q1和/或第二显示区Q2。为便于过渡区Q4中的发光器件D与像素驱动电路10电连接,同样在一些实施例中将过渡区Q4中的发光器件D的像素驱动电路10设置在第一显示区Q1。
需要说明的是,实际上第一显示区Q1不局限于环绕安装区设置,若安装区Q3设置在边角位置,此时第一显示区Q1仅与安装区Q3的部分边相邻。例如第一显示区Q1包裹安装区Q3的二条边或者三条边。在本公开实施例中,以第一显示区Q1环绕安装区Q3、过渡区Q4环绕第一显示区Q1、第二显示区Q2环绕过渡区为例进行说明。当然,只要安装区与第一显示区Q1相邻设置,过渡区Q4位于第一显示区Q1和第二显示区Q2之间即可。
图2为一种像素驱动电路10的示意图;如图2所示,该像素驱动电路10可以包括:复位子电路1、阈值补偿子电路2、数据写入子电路4、驱动子电路3、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6、存储子电路7。
参照图2,第一发光控制子电路5分别与第一电压端VDD以及驱动子电路3的第一端相连,且被配置为实现驱动子电路和第一电压端VDD之间的连接导通或断开,第二发光控制子电路6分别与驱动子电路的第二端和发光器件D的第一电极D1电连接,且被配置为实现驱动子电路3和发光器件D之间的连接导通或断开。数据写入子电路4与驱动子电路3的第一端电连接,且被配置为在扫描信号的控制下将数据信号写入存储子电路7。存储子电路8分别与驱动子电路3的控制端和第一电压端VDD电连接,且被配置为存储数据信号。阈值补偿子电路2分别与驱动子电路3的控制端和第二端电连接,且被配置为对驱动子电路3进行阈值补偿。复位子电路1与驱动子电路3的控制端和发光器件D的第一电极D1电连接,且被配置为在复位控制信号的控制下对驱动子电路3的控制端和发光器件D的第一电极D1进行复位。
图3为本公开实施例的像素驱动电路10的版图;参照图2和3,驱动子电路3包括驱动晶体管T3,驱动子电路3的控制端包括驱动晶体管T3的控制极,驱动子电路3的第一端包括驱动晶体管T3的第一极,驱动子电路3的第二端包括驱动晶体管T3的第二极。数据写入子电路4包括数据写入晶体管T4,存储子电路7包括存储电容Cst,阈值补偿子电路2包括阈值补偿晶体管T2,第一发光控制子电路5包括第一发光控制晶体管T5,第二发光控制子电路6包括第二发光控制晶体管T6,复位子电路1包括第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7,其中,复位控制信号包括第一子复位控制信号和第二子复位控制信号。
在此需要说明的是,按照晶体管的特性,晶体管可以分为N型晶体管和P型晶体管,为了清楚起见,本公开的实施例以晶体管为P型晶体管(例如,P型MOS晶体管)为例详细阐述了本公开的技术方案,也就是说,在本公开的描述中,驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7等均可以为P型晶体管。然而本公开的实施例的晶体管不限于P型晶体管,本领域技术人员还可以根据实际需要利用N型晶体管(例如,N型MOS晶体管),或者P型晶体管和N型晶体管的组合,实现本公开的实施例中的一个或多个晶体管的功能。
另外,本公开的实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件,薄膜晶体管可以包括氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或多晶硅薄膜晶体管等。对于每个晶体管其均包括第一极、第二极和控制极;其中,控制极作为晶体管的栅极,第一极和第二极中的一者作为晶体管的源极,另一者作为晶体管的漏极;而晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中,为了区分晶体管,除作为控制极的栅极,直接描述了其中第一极为源极,第二极为漏极,所以本公开的实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
继续参照图2,数据写入晶体管T4源极的与驱动晶体管T3的源极电连接,数据写入晶体管T4的漏极被配置为与数据线Vd电连接以接收数据信号,数据写入晶体管T4的栅极被配置为与第一扫描信号线Ga1电连接以接收扫描信号;存储电容Cst的第一极板CC1与第一电源电压端VDD电连接,存储电容Cst的第二极板CC2与驱动晶体管T3的栅极电连接;阈值补偿晶体管T2的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接,阈值补偿晶体管T2的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接,阈值补偿晶体管T2的栅极被配置为与第二扫描信号线Ga2电连接以接收补偿控制信号;第一复位晶体管T1的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号,第一复位晶体管T1的漏极与驱动晶体管T3的栅极电连接,第一复位晶体管T1的栅极被配置为与第一复位控制信号线Rst1电连接以接收第一子复位控制信号;第二复位晶体管T7的源极被配置为与第一复位电源端Vinit1电连接以接收第一复位信号,第二复位晶体管T7的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接,第二复位晶体管T7的栅极被配置为与第二复位控制信号线Rst2电连接以接收第二子复位控制信号;第一发光控制晶体管T5的源极与第一电源电压端VDD电连接,第一发光控制晶体管T5的漏极与驱动晶体管T3的源极电连接,第一发光控制晶体管T5的栅极被配置为与第一发光控制信号线EM1电连接以接收第一发光控制信号;第二发光控制晶体管T6的源极与驱动晶体管T3的漏极电连接,第二发光控制晶体管T6的漏极与发光器件D的第一电极D1电连接,第二发光控制晶体管T6的栅极被配置为与第二发光控制信号线EM2电连接以接收第二发光控制信号;发光器件D的第二电极D3与第二电源电压端VSS电连接。
例如,第一电源电压端VDD和第二电源电压端VSS之一为高压端,另一个为低压端。例如,如图10所示的实施例中,第一电源电压端VDD为电压源以输出恒定的第一电压,第一电压为正电压;而第二电源电压端VSS可以为电压源以输出恒定的第二电压,第二电压为负电压等。例如,在一些示例中,第二电源电压端VSS可以接地。
继续参照图2,扫描信号和补偿控制信号可以相同,即,数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极可以电连接到同一条信号线,例如第一扫描信号线Ga1,以接收相同的信号(例如,扫描信号),此时,显示基板可以不设置第二扫描信号线Ga2,减少信号线的数量。又例如,数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极也可以分别电连接至不同的信号线,即数据写入晶体管T4的栅极电连接到第一扫描信号线Ga1,阈值补偿晶体管T2的栅极电连接到第二扫描信号线Ga2,而第一扫描信号线Ga1和第二扫描信号线Ga2传输的信号相同。
需要说明的是,扫描信号和补偿控制信号也可以不相同,从而使得数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2可以被分开单独控制,增加控制像素驱动电路10的灵活性。在本公开实施例中以数据写入晶体管T4的栅极和阈值补偿晶体管T2的栅极电连接第一扫描信号线Ga1为例进行说明。
继续参照图2,第一发光控制信号和第二发光控制信号可以相同,即,第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极可以电连接到同一条信号线,例如第一发光控制信号线EM1,以接收相同的信号(例如,第一发光控制信号),此时,显示基板可以不设置第二发光控制信号线EM2,减少信号线的数量。又例如,第一发光控制晶体管T5的栅极和第二发光控制晶体管T6的栅极也可以分别电连接至不同的信号线,即,第一发光控制晶体管T5的栅极电连接到第一发光控制信号线EM1,第二发光控制晶体管T6的栅极电连接到第二发光控制信号线EM2,而第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2传输的信号相同。
需要说明的是,当第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6为不同类型的晶体管,例如,第一发光控制晶体管T5为P型晶体管,而第二发光控制晶体管T6为N型晶体管时,第一发光控制信号和第二发光控制信号也可以不相同,本公开的实施例对此不作限制。在本公开实施例中以第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6的栅极均连接第一发光控制线为例进行说明。
例如,第一子复位控制信号和第二子复位控制信号可以相同,即,第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到同一条信号线,例如第一复位控制信号线Rst1,以接收相同的信号(例如,第一子复位控制信号),此时,显示基板可以不设置第二复位控制信号线Rst2,减少信号线的数量。又例如,第一复位晶体管T1的栅极和第二复位晶体管T7的栅极也可以分别电连接至不同的信号线,即第一复位晶体管T1的栅极电连接到第一复位控制信号线Rst1,第二复位晶体管T7的栅极电连接到第二复位控制信号线Rst2,而第一复位控制信号线Rst1和第二复位控制信号线Rst2传输的信号相同。需要说明的是,第一子复位控制信号和第二子复位控制信号也可以不相同。
例如,在一些示例中,第二子复位控制信号可以与扫描信号相同,即第二复位晶体管T7的栅极可以电连接到扫描信号线Ga以接收扫描信号作为第二子复位控制信号。
例如,第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的源极分别连接到第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2,第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为直流参考电压端,以输出恒定的直流参考电压。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以相同,例如第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的源极连接到同一复位电源端。第一复位电源端Vinit1和第二复位电源端Vinit2可以为高压端,也可以为低压端,只要其能够提供第一复位信号和第一复位信号以对驱动晶体管T3的栅极和发光元件的第一电极D1进行复位即可,本公开对此不作限制。例如,第一复位晶体管T1的源极和第二复位晶体管T7的源极可以均连接至复位电源信号线Init。
继续参照图3,对于每个像素驱动电路10而言,该像素驱动电路10中的在第一方向上,第一晶体管和第七晶体管大致并排设置,第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管大致并排设置,第五晶体管和第六晶体管大致并排设置。在第二方向上,第二晶体管、第六晶体管和第七晶体管大致并排设置,第一晶体管和第三晶体管大致并排设置,第四晶体管和第五晶体管大致并排设置。其中,第一方向可以包括但不限于与行方向X,第二方向包括但不限于列方向Y,且第一方向和第二方向包括但不限于平行或者大致平行设置,在本公开实施例中,以第一方向为行方向X,第二方向为列方向Y为例进行说明。
需要说明的是,图2所示的像素驱动电路10中的复位子电路1、阈值补偿子电路2、数据写入子电路4、驱动子电路3、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6、存储子电路7仅为示意性的,复位子电路1、阈值补偿子电路2、数据写入子电路4、驱动子电路3、第一发光控制子电路5、第二发光控制子电路6、存储子电路7等子电路的具体结构可以根据实际应用需求进行设定,本公开的实施例对此不作具体限定。
对于每个像素驱动电路10而言,可以包括依次设置在基底上的有源半导体层,第一栅绝缘层,第一导电层,第二栅绝缘层,第二导电层,层间绝缘层,第三导电层,第一平坦层和/或钝化层。发光器件包括第一电极、第二电极,以及位于第一电极和第二电极之间的发光层;其中,第一电极和第二电极中的一者为阳极、另一者为阴极;在本公开实施例中以第一电极为阳极,第二电极为阴极为例进行说明。发光器件的阳极可以位于第一平坦层和/或钝化层远离衬底基板的一侧。其中,各个晶体管的有源层位于有源半导体层中,且有源半导体层中和包括可以用作各个晶体管的源漏电极连接的掺杂区图案。其中,各个晶体管的栅极,存储电容的一个电极(例如:存储电容Cst的第二极板),栅线,第一发光控制信号线EM1和第二发光控制信号线EM2以及第一子复位控制信号线Rst1和第二子复位控制信号线Rst可以位于第一导电层中。其中,存储电容的另一个电极(例如:存储电容Cst的第一极板)以及第一复位电源线Init1和第二复位电源线Init2可以位于第二导电层中。其中,数据线Vd,第一电源电压端VDD等可以位于第三导电层层中。第一栅绝缘层,第二栅绝缘层,层间绝缘层中形成有用于以上各个导电层以及有源半导体层中的图案连接的过孔。其中,第一平坦层和/或钝化层中形成有发光器件的阳极和连接的过孔。在另外一些实施例中,还可以包括第四导电层,以及位于第四导电层远离衬底一侧的第二平坦层,阳极形成在第二平坦层远离衬底基板一侧。其中,第四导电层通过形成于第一平坦层/钝化层中的过孔与第三导电层连接,第二平坦层形成有阳极和第四导电层连接的过孔。
需要说明的是,在本公开实施例中,子像素的像素驱动电路10除了可以为图2和3所示的7T1C(即七个晶体管和一个电容)结构之外,还可以为包括其他数量的晶体管的结构,如7T2C结构、6T1C结构、6T2C结构或者9T2C结构,本公开实施例对此不作限定。
图4为本公开实施例的显示基板中的发光器件的分布示意图;如图4所示,该显示基板包括多个发光单元100,每个发光单元包括三种颜色的发光器件D,分别为第一颜色发光器件、第二颜色发光器件、第三颜色发光器件;在本公开实施例中,以第一颜色发光器件为红色发光器件R,第二颜色发光器件为绿色发光器件G,第三颜色发光器件为蓝色发光器件B为例进行描述。但不限于此,各颜色可以互换。
继续参照图4,以第一颜色发光器件为红色发光器件R,第二颜色发光器件为绿色发光器件G,第三颜色发光器件为蓝色发光器件B为例,每个发光单元100中的红色发光器件D的数量为2个,绿色发光器件G和蓝色发光器件B的数量为1个;或者,每个发光单元100中的绿色发光器件G的数量为2个,红色发光器件R和蓝色发光器件G的数量为1个;亦或者,每个发光单元100中的蓝色发光器件B的数量为2个,红色发光器件R和绿色发光器件G的数量为1个。当然,还需要说明的是,在本公开实施例中,每个发光单元100中的发光器件D的颜色也不局限于三种。例如,每个像素单元中包括红色发光器件R、绿色发光器件G、蓝色发光器件B、白色发光器件W四种颜色的发光器件D。在本公开实施例中,以每个发光单元100中包括的绿色发光器件G的数量为2个,红色发光器件R和蓝色发光器件B的数量为1个为例进行说明。
图5为本公开实施例的显示基板中的另一种发光器件的分布示意图,如图5所示,显示基板中的各个发光器件D沿行方向X排布的多个发光器件组A20,每个发光器件组A20包括沿列方向Y排布的多个发光器件D。如图5所示,位于奇数列的发光器件D为红色发光器件R和蓝色发光器件B交替设置,位于偶数列的发光器件D均为绿色发光器件G。当然,位于奇数列的发光器件D也可以与位于偶数列的发光器件D互换位置。
另外,对于第一显示区Q1和第二显示区Q2中的每个发光单元100的四个发光器件D由位于同一行的相邻设置的四个像素驱动子电路分别驱动。位于同一区域,且处于同一列的发光器件D的像素驱动电路10也处于同一列。例如,位于安装区Q3、且处于同一列的发光器件D的像素驱动电路10在第一显示区Q1也处于同一列。
本公开实施例提供一种显示基板,该显示基板与上述的显示基板结构大致相同,其具有安装区Q3、第一显示区Q1、第二显示区Q2;本公开实施例中的显示基板包括基底,设置在基底上的多个像素驱动电路10和多个发光器件D;其中,多个像素驱动电路10仅设置在第一显示区Q1和第二显示区Q2,多个发光器件D包括沿行方向X排布的多个发光器件组A20,每个发光器件组A20中的发光器件D沿列方向Y排布。在本公开实施例中,显示基板在第一显示区Q1、第二显示区Q2以及安装区Q3的分辨率相同,也即在第一显示区Q1、第二显示区Q2以及安装区Q3单位面积内的发光器件D的数量相同。在一些实施例中,显示基板在第一显示区Q1、第二显示区Q2以及安装区Q3中的至少两者,其发光面积占该区域的整体面积的比例不同。例如,安装区Q3的发光器件D的像素驱动电路10设置在第一显示区Q1,也即在本公开实施例中,第一显示区Q1中的像素驱动电路10的排布密度大于第二显示区Q2中的像素驱动电路10的排布密度。
需要说明的是,像素驱动电路10的排布密度用单位面积内所能够设置像素驱动电路10数量的多少来衡量。
在一些公开的实施例中,第一显示区Q1中的有源半导体层的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的有源半导体层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例。
在一些公开的实施例中,第一显示区Q1中的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层中至少之一的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的相应的第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例。即,第一显示区Q1中的第一导电层的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的相应的第一导电层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例,和/或,第一显示区Q1中的第二导电层的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的相应的第二导电层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例,和/或,第一显示区Q1中的第三导电层的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的相应的第三导电层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例,和/或,第一显示区Q1中的第四导电层的图案面积占第一显示区Q1面积的比例大于第二显示区Q2中的相应的第四导电层的图案面积占第二显示区Q2面积的比例。
在本公开实施例中,实现第一显示区Q1中的像素驱动电路10的排布密度大于第二显示区Q2中的像素驱动电路10的排布密度的方式,包括但不限于将第一显示区Q1中的至少部分像素驱动电路10中的至少部分晶体管在行方向X和/或列方向Y之间的间距减小,以缩小像素驱动电路10的宽度。例如,图5为本公开实施例的一种压缩像素驱动电路10的示意图;参照图5,可以通过压缩在行方向X并排设置的晶体管之间的间距,具体可以压缩第一晶体管和第七晶体管之间的间距,第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管之间的间距,以及第五晶体管和第六晶体管之间的间距中至少之一。例如,还以通过压缩在列方向Y并排设置的晶体管之间的间距,具体可以压缩第七晶体管T7、第二晶体管T2、和第六晶体管T6之间的间距,第一晶体管T1和第三晶体管T3之间的间距,以及第四晶体管T4和第五晶体管T5之间的间距中至少一个。例如,还可以同时压缩行方向X设置的晶体管之间的间距和列方向Y上设置的晶体管之间的间距。在公开实施例中还可以,通过压缩用于为安装区Q3的发光器件D的像素驱动电路10提供数据信号的数据线Vd在行方向X上的线宽等方式,以实现第一显示区Q1中的像素驱动电路10的排布密度大于第二显示区Q2中的像素驱动电路10的排布密度。在公开实施例中还可以,通过压缩其他信号线,或者导电层中的图案的宽度来实现第一显示区Q1中的像素驱动电路10的排布密度大于第二显示区Q2中的像素驱动电路10的排布密度。图6为公开实施例中的第一显示区Q1和第二显示区Q2中的像素驱动电路10的排布示意图;如图6所示在,在单位面积20内,第二显示区Q2中的像素驱动电路10的面积明显大于第一显示区Q1中的像素驱动电路10的面积。
在一些实施例中,显示基板还包括多条数据线Vd,其中至少部分数据线Vd包括位于不同层的部分。例如,一条数据线Vd由于晶体管的栅极同层设置的部分、与晶体管的源极和漏极同层设置的部分、与发光器件D的第一电极D1同层设置的部分等。在本公开实施例中,包括不同层部分的数据线Vd包括但不限于为安装区Q3的发光器件D的像素驱动电路10提供数据信号的数据线Vd。
在一些实施例中,显示基板中的部分数据线Vd在显示区内为折线设置,例如,一条数据线Vd包括沿行方向X延伸的部分、沿列方向Y延伸的部分,沿与行方向X和/或者存在一定夹角的方向延伸的部分。在一些实施例中,部分数据线Vd包括位于第一显示区Q1中的部分和位于第二显示区Q2中的部分,且这两部分不在一条直线上,以实现该部分数据线Vd为折线设置。例如:该部分数据线Vd位于第一显示区Q1中的部分为直线,位于第二显示区Q2中的部分为折线。在一些实施例中,第一显示区Q1中的部分和位于第二显示区Q2中的部分,且这两部分均为直线,且不平行,以实现该部分数据线Vd为折线设置。例如:该部分数据线Vd位于第一显示区Q1中的部分沿列方向Y延伸,位于第二显示区Q2中的部分的延伸方向与行方向X具有一定的夹角;或者数据线Vd位于第一显示区Q1中的部分的延伸方向与行方向X具有一定的夹角,位于第二显示区Q2中的部分的沿列方向Y延伸。
在一些实施例中,图7为本公开实施例中的第一数据线的示意图;如图7所示,折线设置数据线Vd中的至少一条数据线Vd为第一数据线Vd-1,第一数据线Vd-1包括用于与驱动安装区Q3的发光器件D的像素驱动电路10连接的第一子数据线段Vd-11,以及用于驱动第二显示区Q2的发光器件D的像素驱动电路10连接的第二子数据线段Vd-12,第一子数据线段Vd和第二子数据线段Vd-12不在同一条直线上。其中所述一条数据线Vd,是指连接数据驱动IC的同一端点,传输相同信号的一条数据线Vd,可以包括位于不同导电层的部分。
在一些实施例中,第一子数据线段Vd-11与第二子数据线段Vd-12包括大致平行的部分。例如:第一子数据线段Vd-11和第二子数据线段Vd-12均沿列方向Y延伸。
在一些实施例中,继续参照图7,第一数据线Vd-1还可以包括用于驱动第一显示Q1的发光器件D的第三子数据线段Vd-13,第一子数据线段Vd-11和所述第三子数据线段Vd-13不在同一条直线上。例如:第一子数据线段Vd-11沿列方向Y延伸,第三子数据线段Vd-13与Y的延伸方向具有一定的夹角或者第三子数据线段Vd-13为折线。
在一些实施例中,第一数据线段包括与第二数据线段包括不同的材料,和/或,第一数据线段包括与第三数据线段包括不同的材料。在一些实施例中,继续参照图7-9,第一数据线Vd-1不仅包括第一子数据线段Vd-11、第二子数据线段Vd-12、第三子数据线段Vd-13,还可以包括第一转接电极Vd-14和第二转接电极Vd-15;例如:第二子数据线段Vd12包括分设于安装区列方向Y两相对侧第一部分和第二部分;第一子数据线段Vd-11的一端通过第一转接电极Vd-14与第二子数据线段Vd-12的第一部分电连接,第一子数据线段Vd-11的另一端通过第二转接电极Vd-15与所述第二子数据线段Vd-12的第二部分电连接。
在一个示例中,至少部分第一转接电极Vd-14和第二转接电极Vd-15在行方向X上的长度大致相同,例如,各第一转接电极Vd-14和第二转接电极Vd-15在行方向X上的长度均相同。之所以如此设置是为了保证各第一转接电极Vd-14之间,以及各第二转接电极Vd-15之间的耦合线电容均相同。在一些实施例中,第一转接电极Vd-14和第二转接电极Vd-15包括但不限于与存储电容的第一极板同层设置且材料相同。例如,第一转接电极Vd-14和第二转接电极Vd-15均设置在第二导电层。第一子数据线Vd-1的第一子数据线段Vd-11、第二子数据线段Vd-12和第三子数据线段Vd-13包括金属,例如Ti,Al等;第一数据线Vd-1的第一子数据线段Vd-11、第二子数据线段Vd-12和第三子数据线段Vd-13均设置在第三导电层。
在一些实施例中,图10为本公开实施例中的第二数据线的示意图;如图10所示,折线设置的数据线Vd中的部分为第二数据线Vd-2,第二数据线Vd-2包括驱动第二显示区Q2的发光器件D的像素驱动电路10的第四子数据线段Vd-16,以及用于驱动第一显示区Q1的发光器件D的像素驱动电路10的第五子数据线段Vd-17。
在一些实施例中,第四子数据线段Vd-16和第五子数据线段Vd-17不在一条直线上。例如:第四子数据线段Vd-16包括位于第二显示区Q2沿列方向上相对的两侧的两个部分,这两部分沿列方向Y延伸,第五数据线段Vd-17为折线。
在一些实施例中,在第一显示区Q1中,沿行方向X相邻设置的两个像素驱动电路10与数据线Vd的连接节点之间的距离为d1;在第二显示区Q2中,沿第一方向相邻设置的两个像素驱动电路10与数据线Vd的连接节点之间的距离为d2;且d1小于d2。也就是说,对于两相邻的设置的数据线Vd在行方向X上的间距,在第一显示区Q1的部分小于在第二显示区Q2部分。其中,像素驱动电路10与数据线Vd的连接节点例如为数据线连接数据写入晶体管的过孔。
在此需要说明的是,在本公开实施例中数据线Vd、第一数据线Vd-1、第二数据线Vd-2与像素驱动电路10可以是直接连接,该直接连接包括通过贯穿绝缘层的过孔进行连接。当然数据线Vd、第一数据线Vd-1、第二数据线Vd-2与像素驱动电路10之间还可以通过转接电极等方式连接。
在一些实施例中,位于同一列发光器件D的像素驱动电路10电连接同一条数据线Vd,位于同一行的像素驱动电路10电连接同一条栅线,这样一来,便于对显示基板上的信号线进行布线,同时有助于像素驱动电路10的控制。
在一些实施例中,图8为本公开实施例的显示基板的安装区Q3和第一显示区Q1的示意图;如图8所示,安装区Q3可以包括但不限于矩形、圆形、椭圆形、水滴形,在本公开实施例中以安装区Q3为矩形为例进行说明。第一显示区Q1围绕安装区Q3的部分划分为在行方向X相对设置的第一子显示区Q11和第二子显示区Q12,以及在列方向Y上相对设置在第三子显示区Q13和第四子显示区Q14。本公开实施例的显示基板中的多个像素驱动电路10可以划分为沿行方向X设置、且位于第一显示区Q1中的多个第一像素驱动电路组,以及位于第二显示区Q2中的多个第二像素驱动电路组;无论是第一像素驱动电路组还是第二像素驱动电路组中的像素驱动电路10均沿列方向Y排布。例如,安装区Q3的发光器件组A20的数量为M个,此时则有M个第一像素驱动电路组中的像素驱动电路10为安装区Q3的发光器件D提供驱动信号,为了便于理解,在本公开实施例中将为安装区Q3的发光器件D提供驱动信号的第一像素驱动电路组称之为第一子像素驱动电路组A10。
图9为本公开实施例的显示基板的安装区的发光器件与像素驱动电路10的一种连接示意图;如9所示,在一个示例中,在安装区Q3中处于同一发光器件组A20的各发光器件D的像素驱动电路10位于同一第一子像素驱动电路组A10中。该种连接方式,便于布线,以避免信号线之间短接。
图10为本公开实施例的显示基板的安装区的发光器件与像素驱动电路10的另一种连接示意图;如10所示,在一些实施例中,至少部分第一子像素驱动电路组A10到安装区Q3边缘的距离大致相同。例如:在一些实施例中,在第一子显示区Q11和第二子显示区Q12中设置有M个第一子像素驱动电路组A10。其中,M个安装区Q3的发光器件组A20中,第1至M个发光器件组A20沿第一子显示区Q11指向第二子显示区Q12的方向逐一排布;在第一子显示区Q11和第二子显示区Q12均设置有M/2个第一子像素驱动电路组A10,且第1至M/2个第一子像素驱动电路组A10位于所述第一子显示区Q11,且沿背离所述安装区Q3的方向依次排布;第M/2+1至M个第一子像素驱动电路组A10位于所述第二子显示区Q12,且沿靠近所述安装区Q3的方向依次排布。在安装区Q3中的第i个发光器件组A20中各个发光器件D的第一电极D1与第i个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10通过信号连接线一一对应连接,i取1至M。例如,第一子显示区Q11中的第一个(最靠近安装区Q3的)第一子像素驱动电路组A10中各像素驱动电路10,与安装区Q3的第一个发光器件组A20中的发光器件D的第一电极D1一一对应连接。
例如:在一些实施例中,在第一子显示区Q11和第二子显示区Q12中设置有M个第一子像素驱动电路组A10。其中,M个安装区Q3的发光器件组A20中,第1至M个发光器件组A20沿第一子显示区Q11指向第二子显示区Q12的方向逐一排布;在第一子显示区Q11和第二子显示区Q12均设置有M/2个第一子像素驱动电路组A10,且第1至M/2个第一子像素驱动电路组A10位于所述第一子显示区Q11,且沿靠近所述安装区Q3的方向依次排布;第M/2+1至M个第一子像素驱动电路组A10位于所述第二子显示区Q12,且沿靠近所述安装区Q3的方向依次排布。在安装区Q3中的第i个发光器件组A20中各个发光器件D的第一电极D1与第i个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10通过信号连接线一一对应连接,i取1至M。例如,第一子显示区Q11中的第一个(最靠近安装区Q3的)第一子像素驱动电路组A10中各像素驱动电路10,与安装区Q3的第M/2个发光器件组A20中的发光器件D的第一电极D1一一对应连接。
需要说明的是,上述连接方式均是以M为偶数为例进行说明的,若M为奇数时,则采用如下方式连接。此时,可以将第(M+1)/2个第一子像素驱动电路组A10设置在第一子显示区Q11,也可以将第(M+1)/2个第一子像素驱动电路组A10设置在第一显示区Q12,对连接方式与上述连接方式相同,在此不再重读赘述。
在一些实施例中,第一子显示区Q11和第二子显示区Q12中均设置有第一子像素驱动电路组A10,位于所第一子显示区Q11的至少一个第一子像素驱动电路组A10和位于第二子显示区Q12的至少一个第一子像素驱动电路组A10到安装区Q3边缘的最近距离比值在0.8-1.2左右。其中,安装区Q3的最边缘一列发光器件D或一行与第一显示区的最靠近安装的一行或一列为相邻。继续参照图8,在一些实施例中,位于安装区Q3中的各个发光器件D与像素驱动电路10通过信号连接线电连接;其中,第1个和第M个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10所连接的信号连接线与存储电容Cst的第一极板层设置,且材料相同,例如位于第二导电层中。例如,第1个和第M个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10所连接的信号连接线包括金属,例如钼或钼的合金。例如,可以和第一导电层材料相同。对于第1个和第M个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10可以通过贯穿绝缘层的过孔与信号连接线连接,信号连接线则通过贯穿绝缘层的过孔与发光器件连接。第2个至第M-1个所述第一子像素驱动电路组A10中各所述像素驱动电路10所连接的信号连接线包括透明导电材料,例如,氧化铟锡。
在一些实施例中,第2个至第M-1个所述第一子像素驱动电路组A10中各所述像素驱动电路10所连接的信号连接线可以与发光器件D的第一电极D1同层设置、且材料相同。例如发光器件D的第一电极为阳极。对于第2个至第M-1个第一子像素驱动电路组A10中的像素驱动电路10可以通过贯穿绝缘层的过孔与信号连接线连接,信号连接线直接与发光器件连接。
在一些实施例中,位于第一子显示区Q11和第二子显示区Q12中的第一子像素驱动电路组A10均沿行方向X均匀排布。例如:第一像素驱动电路组除包括第一子像素驱动电路组A10外还包括第二子像素驱动电路组,位于第一子显示区Q11和第二子显示区Q12中,两相邻的第一子像素驱动电路组A10之间所间隔的第二子像素驱动电路组的数量相同。
在一些实施例中,第一显示区Q1中的第一子像素驱动电路组A10的数量多于安装区Q3中的发光器件组A20的数量,也就是说在第一显示区Q1中将会出现一些冗余的像素驱动电路10,以便在某些像素驱动电路10故障时进行修复。
在一些实施例中,为了满足第一子像素驱动线路组所连接的数据线Vd的布线空间,通过在列方向Y上对第三子显示区Q13和第四子显示区Q14中的像素驱动电路10进行压缩,以形成位于第一显示区Q1和第二显示区Q2之间、且环绕第一显示区Q1的过渡区Q4,通过过渡区Q4为第一子像素驱动线路组A10所连接的数据线Vd预留布线空间。在过渡区Q4中数据线Vd为折线,也即图7中所示的第一数据线Vd-1在过渡区Q4中的折线部分。
在一些实施例中,通过在列方向Y上对第三子显示区Q13和第四子显示区Q14中的像素驱动电路10进行压缩,在第三子显示区Q13和第四子显示区Q14中,在列方向Y上两相邻的像素驱动电路10所连接的复位电源信号线之间的间距为d3;位于第二显示区Q2,在列方向Y上两相邻的像素驱动电路10所连接的复位电源信号线之间的间距为d4,d3小于d4。
在一些实施例中,在第一显示区Q1中,至少部分像素驱动电路10在沿行方向X上的宽度小于至少部分发光器件D沿X方向上的宽度,其中,像素驱动电路10在沿行方向X上的宽度例如为相邻数据线Vd之间的距离,或者指两个像素驱动电路10相同位置之间的距离;发光器件D的沿X方向上的宽度例如为发光器件D中第一电极D1的沿X方向上的宽度,或者发光器件D中发光层的沿X方向上的宽度,或者发光器件D的发光区域沿X方向的宽度,或者发光器件D的像素界定层开口沿X方向的宽度,亦或者,发光器件D的宽度是指在X方向上相邻设置的两个发光单元中相同颜色发光器件之间的间距的1/4。
例如:像素驱动电路10在沿行方向X上的宽度为两个像素驱动电路10相同位置之间的距离,发光器件D的宽度是指在X方向上相邻设置的两个发光单元中相同颜色发光器件之间的间距的1/4,在第一显示区Q1中,任一像素驱动电路10在沿行方向X上的宽度与任一所述发光器件D沿行方向X上的宽度相差大致3-5μm。在第一显示区Q1中像素驱动电路10的高度或宽度比发光器件D的宽度或高度小,在第二显示区Q2像素驱动电路10的高度或宽度比发光器件D的宽度或高度一样。
在一些实施例中,由于安装区Q3对应设置感光传感器,因此安装区Q3中的发光器件D的尺寸小于第一显示区Q1和第二显示区Q2中发光器件D的尺寸。例如,发光器件D的尺寸,为发光器件D的面积,例如为阳极面积,或者发光区域的面积。例如:显示基板还包括:设置在基底上的像素限定层,该像素限定层包括与所述发光器件D的第一电极D1一一对应的像素开口;第一显示区Q1、第二显示区Q2、安装区Q3中的每个区域中,发光颜色相同的各发光器件D的第一电极D1所对应的像素开口尺寸大致相同。对于发光颜色相同的各所述发光器件D的第一电极D1例如阳极所对应的像素开口,安装区Q3中像素开口尺寸小于第一显示区Q1和第二显示区Q2像素开口尺寸。
为了更清楚本公开实施例中的显示基板中的各层结构,以下结合膜层版图对显示基板中各图案化的膜层进行详细说明。例如,图14为本公开实施例的显示基板的有源半导体层的示意图;如图14所示,有源半导体层010可采用半导体材料图案化形成。有源半导体层010可用于制作上述的驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7的有源层。有源半导体层010包括各子像素的各晶体管的有源层图案(沟道区)和掺杂区图案(源漏掺杂区),且同一像素驱动电路10中的各晶体管的有源层图案和掺杂区图案一体设置。
需要说明的是,有源半导体层010设置在基底上,且在基底和有源半导体层010之间形成有缓冲层,有源层可以包括一体形成的低温多晶硅层,源极区域和漏极区域可以通过掺杂等进行导体化以实现各结构的电连接。也就是每个像素驱动电路10的各晶体管的有源半导体层010为由p-Si形成的整体图案,且同一像素驱动电路10中的各晶体管包括掺杂区图案(即源极区域和漏极区域)和有源层图案,不同晶体管的有源层之间由掺杂结构隔开。
例如,有源半导体层010可采用非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料等制作。需要说明的是,上述的源极区域和漏极区域可为掺杂有n型杂质或p型杂质的区域。
例如,沿行方向X排列的各像素驱动电路10中的有源半导体层010没有连接关系,彼此断开。沿列方向Y排列的像素驱动电路10中的有源半导体层010可以为一体设置,也可以彼此断开。
例如,在上述的有源半导体层010上形成有栅极绝缘层。图15为本公开实施例的显示基板的第一导电层的示意图,如图15所示,该显示基板包括的第一导电层020,第一导电层020设置在栅极绝缘层远离有源半导体层010的一侧,从而与有源半导体层010绝缘。第一导电层020可以包括存储电容Cst的第二极板CC2、扫描信号线Ga、复位控制信号线Rst、发光控制信号线EM以及驱动晶体管T3、数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1和第二复位晶体管T7的栅极。
例如,数据写入晶体管T4的栅极可以为扫描信号线Ga与有源半导体层010交叠的部分;第一发光控制晶体管T5的栅极可以为发光控制信号线EM与有源半导体层010交叠的第一部分,第二发光控制晶体管T6的栅极可以为发光控制信号线EM与有源半导体层010交叠的第二部分;第一复位晶体管T1的栅极可以为复位控制信号线Rst与有源半导体层010交叠的第一部分,第二复位晶体管T7的栅极可以为复位控制信号线Rst与有源半导体层010交叠的第二部分;阈值补偿晶体管T2可为双栅结构的薄膜晶体管,阈值补偿晶体管T2的第一个栅极可为扫描信号线Ga与有源半导体层010交叠的部分,阈值补偿晶体管T2的第二个栅极可为从扫描信号线Ga突出的突出结构P与有源半导体层010交叠的部分。驱动晶体管T3的栅极可为存储电容Cst的第二极板CC2。
需要说明的是,图14中的各虚线矩形框示出了第一导电层020与有源半导体层010交叠的各个部分。作为各个晶体管的沟道区,在每个沟道区两侧的有源半导体层010通过离子掺杂等工艺导体化以形成各个晶体管的源极和漏极。
例如,如图15所示,扫描信号线Ga、复位控制信号线Rst和发光控制信号线EM沿列方向Y排布。扫描信号线Ga位于复位控制信号线Rst和发光控制信号线EM之间。
例如,在列方向Y上,存储电容Cst的漏极CC2(即驱动晶体管T3的栅极)位于扫描信号线Ga和发光控制信号线EM之间。从扫描信号线Ga突出的突出结构P位于扫描信号线Ga的远离发光控制信号线EM的一侧。
例如,如图14所示,在列方向Y上,第一复位晶体管T1的栅极第二复位晶体管T7的栅极、数据写入晶体管T4的栅极、阈值补偿晶体管T2的栅极均位于驱动晶体管T3的栅极的第一侧,第一发光控制晶体管T5的栅极以及第二发光控制晶体管T6的栅极均位于驱动晶体管T3的栅极的第二侧。例如,图12所示的示例中,像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第一侧和第二侧为在第二方向Y上驱动晶体管T3的栅极的彼此相对的两侧。例如,如图4所示,像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第一侧可以为驱动晶体管T3的栅极的下侧,像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第二侧可以为驱动晶体管T3的栅极的上侧。所述下侧,例如显示基板的用于绑定IC的一侧为显示基板的下侧,驱动晶体管T3的栅极的下侧,为驱动晶体管T3的栅极的更靠近IC的一侧。所述上侧为下侧的相对侧,例如上侧为驱动晶体管T3的栅极的更远离IC的一侧。
在一些实施例中,如图12所示,在第行方向X,第二发光控制晶体管T6的栅极、第二复位晶体管T7栅极、阈值补偿晶体管T2的第一个栅极均位于驱动晶体管T3的栅极的第三侧;第一发光控制晶体管T5的栅极、数据写入晶体管T4的栅极、第一复位晶体管T1的栅极和均位于驱动晶体管T3的栅极的第四侧。例如,图14所示的示例中,子像素的像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第三侧和第四侧为在行方向X上驱动晶体管T3的栅极的彼此相对的两侧。例如,如图14所示,像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第三侧可以为像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的左侧,像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的第四侧可以为像素驱动电路10的驱动晶体管T3的栅极的右侧。所述左侧和右侧为相对侧,例如与同一像素驱动电路10连接的数据线Vd和第一电源信号线VDD中,数据线Vd在第一电源信号线VDD右侧,第一电源信号线VDD1在数据线Vd左侧。
需要说明的是,各个像素驱动电路10的结构可以为图12所示的镜像结构,即各个像素驱动电路10的各层结构均以驱动晶体管T3的沟道区为基准,左右两侧的结构进行翻转,因此上述所述的左侧和右侧的关系可以是相反的。
例如,在上述的第一导电层020上形成有第一绝缘层,用于将上述的第一导电层020与后续形成的第二导电层030绝缘。图16为本公开实施例的显示基板的第二导电层030的示意图,如图16所示,该像素驱动电路10的第二导电层030,第二导电层030包括第一数据线Vd-1Vd的第一转接电极Vd-14、第二转接电极Vd-15、连接第1个和第M个第一子像素驱动电路组A10的像素驱动电路10连接的信号连接线Vc-1,存储电容Cst的第一极板CC1、复位电源信号线Init以及第一遮光图案S20。存储电容Cst的源极CC1与存储电容Cst的第二极板CC2至少部分重叠以形成存储电容Cst。
在一些实施例中,如图14所示,双栅型阈值补偿晶体管T2两段沟道区之间的有源半导体层010在阈值补偿晶体管T2关闭时处于浮置(floating)状态,易受周围线路电压的影响而跳变,从而会影响阈值补偿晶体管T2的漏电流,进而影响发光亮度。为了保持阈值补偿晶体管T2两段沟道区之间的有源半导体层010电压稳定,设计第二遮光图案S20与阈值补偿晶体管T2两段沟道区之间的有源半导体层010形成电容,第二遮光图案S20可以连接至第一电源信号线VDD以获得恒定电压,因此处于浮置状态的有源半导体层010的电压可以保持稳定。第二遮光图案S20与双栅型阈值补偿晶体管T2两段沟道区之间的有源半导体层010交叠,还可以防止两个栅极之间的有源半导体层010被光照而改变特性,例如防止该部分有源半导体层010的电压发生变化,以防止产生串扰。
在一个示例中,每个第二遮光图案S20所连接的第一电源信号线VDD为多条第一电源信号线VDD中与之在行方向X上距离最近的一条。例如:用于遮挡第二个像素驱动电路10中的阈值补偿晶体管T2的沟道区的第二遮光图案S20连接其左侧的第一电源信号线VDD,该第一电源信号线VDD还用于为第一个像素驱动电路10提供第一电压。
例如,在上述的第二导电层030上形成有第二绝缘层,用于将上述的第二导电层030与后续形成的第一源漏极金属层绝缘。图17为本公开实施例的显示基板的第三导电层040的示意图,如图17所示,该像素驱动电路10的第一源漏极金属层,第一源漏极金属层包括第一数据线Vd-1的第一子数据线段Vd-11、第二子数据线段Vd-12、第三子数据线段Vd-13、第一转接部S11、第二数据线Vd的第四子数据线段Vd-16和第五子数据线段Vd-17、第一电源信号线VDD,以及数据线Vd中仅位于第一显示区Q1中的部分。
例如,第三导电层还包括第一连接部11、第二连接部12。图17还示出了多个过孔的示例性位置,第三导电层040通过所示的多个过孔与位于该源漏金属层与基底101之间的多个膜层连接。例如,如图3、图17所示,数据线Vd通过贯穿栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的过孔210与数据写入晶体管T4的漏极电连接。电源信号线VDD通过贯穿栅极绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层的过孔208与第一发光控制晶体管T5的源极电连接。电源信号线VDD和数据线Vd沿行方向X交替设置。电源信号线VDD通过贯穿第二绝缘层的过孔206、207与存储电容的第一极板CC1电连接。第一电源信号线VDD沿列方向Y延伸。电源信号线VDD通过贯穿第二绝缘层105的过孔205与第二遮光图案S20电连接以为第二遮光图案S20提供恒定电压。第一连接部21的一端通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔208与复位电源信号线Init电连接,第一连接部21的另一端通过贯穿、层间绝缘层、第一绝缘层和第二绝缘层中的过孔202与第一晶体管T1的漏极和第七晶体管T7的源极电连接。第二连接部12的一端通过贯穿栅极绝缘层、第一绝缘层、第二绝缘层的过孔203与第一晶体管T1的源极电连接,第二连接部12另一端则通过贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的过孔204与存储电容Cst的第二基板CC2电连接。
例如,在上述的第三导电层上形成有第三绝缘层,用于上述形成第三导电层040和后续形成的第四导电层050绝缘。图18为本公开实施例的显示基板的第四导电层050的示意图,如图18所示,该第四导电层050包括第一遮光部S10和第二转接部S12。第一遮挡部S10与所述驱动晶体管T3的有源层在基底上正投影至少部分重叠;所述第二转接部S12通过贯穿第三绝缘层的过孔209与第一转接部S11电连接。
例如,在上述第四导电层050上形成平坦层用于保护上述的第四导电层050。在平坦层106上形成发光器件D的第一电极D1,发光器件D的第一电极D1与第二转接部S12连接;图19为本公开实施例的显示基板的发光器件的第一电极(透明导电层070)的示意图,如图19所示,平坦层包括过孔211,各个发光器件D的第一电极D1可设置在平坦层远离基底的一侧,且发光器件D的第一电极D1通过过孔与第二发光控制晶体管T6的漏极电连接。当然,应当理解的是,在透明导电层070中还设置有信号连接线,用于将安装区的发光器件D的第一电极D1和第第二发光控制晶体管T6的漏极电连接。
继续参照图17,位于第一显示区Q1和安装区Q3的中各个红色发光器件的第一电极D1(R)的尺寸大致相同,且位于第一显示区Q1中的红色发光器件的第一电极D1(R)的尺寸大于安装区Q3的中各个红色发光器件的第一电极D1(R)的尺寸;位于第一显示区Q1和安装区Q3的中各个绿色发光器件的第一电极D1(B)的尺寸大致相同,且位于第一显示区Q1中的红色发光器件的第一电极D1(B)的尺寸大于安装区Q3的中各个红色发光器件的第一电极D1(B)的尺寸。
在一些实施例中,发光器件D可以为有机电致发光二极管OLED,也可以为二极管LED,在本公开实施例中是以发光器件D为有机电致发光二极管OLED进行说明的。其中,发光器件D的第一电极D1和第二电极中的一者为阳极,另一者则为阴极。
本公开实施例还提供一种显示装置,包括上述显示基板。需要说明的是,本实施例提供的显示装置可以为:柔性可穿戴设备、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本发明的限制。
在一些实施例中,显示装置还包括:感光传感器,且感光传感器在基底上投影位于安装区Q3内。安装区Q3为矩形,所述感光传感器在基底上的正投影面积小于等于所述第二显示区Q2的内切圆的面积。
进一步地,显示装置还可以包括多种类型的显示装置,例如液晶显示装置,有机电致发光(OLED)显示装置,迷你二极管(Mini LED)显示装置,在此不做限定。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (21)
1.一种显示基板,其具有安装区,与所述安装区相邻的第一显示区,以及包围所述第一显示区和/或所述安装区的第二显示区;所述显示基板包括:
基底;
驱动电路层,设置在所述基底上,所述驱动电路层包括多个像素驱动电路;
多个发光器件,位于所述安装区,且沿第一方向相邻的所述发光器件所连接的像素驱动电路在所述第一方向上不相邻;
所述显示基板还包括:多条数据线;所述多条数据线中的至少部分数据线包括折线;
包括折线的至少一条数据线为第一数据线;所述第一数据线包括与驱动所述安装区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第一子数据线段,与驱动所述第一显示区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第二子数据线段,以及与驱动所述第二显示区的至少部分发光器件的像素驱动电路直接连接的第三子数据线段;
所述第一数据线还包括转接电极,所述转接电极位于所述第一子数据线段和所述第二子数据线段之间且连接所述第一子数据线段和所述第二子数据线段;
所述转接电极和所述第一子数据线段位于不同层。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其中,对于位于所述安装区、且沿第二方向并排设置的所述发光器件,各自所连接的像素驱动电路沿第二方向并排设置。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个发光器件还位于显示区,位于所述安装区、且沿所述第一方向相邻的发光器件所连接所述像素驱动电路之间的像素驱动电路,用于电连接位于所述显示区的发光器件。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其中,对于位于所述安装区,且沿第一方向并排设置的所述发光器件所连接的像素驱动电路,各所述像素驱动电路沿第一方向设置。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其中,位于所述安装区的发光器件包括沿第一方向设置的多组,每组包括沿第二方向并排设置的多个所述发光器件,且至少部分组中的发光器件的数量不同。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,与所述安装区中的发光器件电连接的像素驱动电路为第一像素驱动电路,其余像素驱动电路为第二像素驱动电路;
对于位于所述安装区同一侧,且电连接所述安装区沿第一方向并排设置的发光器件的第一像素驱动电路,任意相邻的所述第一像素驱动电路之间所间隔的第二像素驱动电路数量相等。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,至少一个所述第一像素驱动电路到所述安装区边缘的最近距离比值在0.8-1.2。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:
多条数据线,位于所述显示区,且一个所述像素驱动电路电连接一条所述数据线;
在所述显示区靠近安装区的位置,沿第一方向相邻设置的两个所述像素驱动电路与所述数据线的连接节点之间的距离为d1;在所述显示区远离安装区的位置,沿第一方向相邻设置的两个所述像素驱动电路与所述数据线的连接节点之间的距离为d2;且d1小于d2。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:多条数据线;
所述多个发光器件包括沿第一方向排布的多个发光器件组,所述多个发光器件组中的每个的发光器件沿第二方向排布;连接同一个发光器件组中的发光器件的第一电极的所述像素驱动电路连接同一条所述数据线。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:多条数据线;所述多条数据线中的至少部分包括位于不同层的部分。
11.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述第一子数据线段和所述第二子数据线段至少部分不在同一条直线上。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述第一子数据线段和所述第三子数据线段至少部分不在同一条直线上。
13.根据权利要求12所述的显示基板,其中,所述第一子数据线段与所述第二子数据线段、第三子线数据段包括平行的部分。
14.根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述第一子数据线段与所述第二子数据线段包括不同的材料,和/或,所述第一子数据线段与所述第三子数据线段包括不同的材料。
15.根据权利要求12所述的显示基板,其中,所述第二子数据线段包括分设于所述安装区沿第二方向两相对侧第一部分和第二部分;所述转接电极还包括分设于所述安装区沿第二方向两相对侧的第一转接电极和第二转接电极;其中,
所述第一子数据线段在所述安装区沿第二方向的第一侧在通过所述第一转接电极与所述第二子数据线段的第一部分电连接,所述第一子数据线段在所述安装区沿第二方向的第二侧通过所述第二转接电极与所述第二子数据线段的第二部分电连接。
16.根据权利要求15所述的显示基板,其中,所述第一转接电极和所述第二转接电极包括平行的部分。
17.根据权利要求15所述的显示基板,其中,至少部分所述第一转接电极和所述第二转接电极在沿第一方向上的长度相同。
18.根据权利要求15所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:
第二导电层,设置在所述基底上;所述第二导电层包括沿所述第一方向延伸的所述第一转接电极和所述第二转接电极;
第二绝缘层,设置在所述第二导电层背离所述基底的一侧;
第三导电层,设置在所述第二绝缘层背离所述第二导电层的一侧;所述第三导电层包括沿第二方向延伸的所述第一子数据线段、所述第二子数据线段和所述第三子数据线段。
19.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板,其中,所述显示基板还包括:
有源半导体层,其包括各所述像素驱动电路中的各晶体管的沟道区和源漏掺杂区,所述像素驱动电路至少包括驱动晶体管、数据写入晶体管、存储电容、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管、第二复位晶体管、第一发光控制晶体管和第二发光控制晶体管;
栅极绝缘层,设置在所述有源半导体层背离所述基底的一侧;
第一导电层,设置在所述栅极绝缘层背离所述有源半导体层的一侧;所述第一导电层包括所述存储电容的第二极板、扫描信号线、复位控制信号线、发光控制信号线以及所述驱动晶体管、所述数据写入晶体管、所述阈值补偿晶体管、所述第一发光控制晶体管、所述第二发光控制晶体管、所述第一复位晶体管和所述第二复位晶体管的控制极,所述驱动晶体管的控制极复用为所述存储电容的第二极板;
第一绝缘层,设置在所述第一导电层背离所述栅极绝缘层的一侧;
第二导电层,设置在所述第一绝缘层背离所述第一导电层的一侧;
第二绝缘层,设置在所述第二导电层背离所述第一绝缘层的一侧;
第三导电层,设置在所述第二绝缘层背离所述第一导电层的一侧;所述第三导电层包括第一电源信号线、数据线的至少部分,以及第一子转接部;所述第一子转接部与所述第二发光控制晶体管的第二极电连接。
20.一种显示装置,其包括权利要求1-19中任一项所述的显示基板。
21.根据权利要求20所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:感光传感器,且所述感光传感器在所述基底上的正投影位于所述安装区内。
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